Фосфора арсениде галлия

Для выбора оптимальных условий определения была исследована степень влияния элемента основы и сопутствующих примесных элементов, подобраны экстрагенты, дающие возможность не только сконцентрировать определенную примесь в меньшем объеме раствора, но и повысить молярный коэффициент погашения вследствие образования в органической фазе соединений с новыми свойствами. Кроме того, усовершенствованы способы измерения оптической плотности растворов в результате использования специальных кювет малого объема с большой длиной оптического пути. Все это позволило не только поднять точность определения, но в ряде случаев также повысить и чувствительность определения до 10 %, которая для химических методов определения примесей в металлах и их соединениях является очень высокой. Такие методы анализа предложены, например, для определения примесей ртути и никеля в индии, железа в таллии, фосфора в галлии, мышьяке и их соединениях, включая арсенид галлия. [c.12]

Фосфор, мышьяк, сурьма используются для получения примесных полупроводников (/1-типа) германия и кремния, для синтеза соединений А " В — арсенид галлия ОаАз, фосфид индия 1пР и др. [c.233]

Отделение основного элемента отгонкой в виде хлорида или бромида производится, например, при определении серы и фосфора в мышьяке и арсениде галлия (см. настоящий сборник, стр. 219, 220). При соблюдении соответствующих условий оба элемента основы отгоняются достаточно полно и не мешают дальнейшему определению [c.131]

ФОТОМЕТРИЧЕСКОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ [c.150]

ФОТОМЕТРИЧЕСКОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В МЫШЬЯКЕ И АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ 1 [c.219]

Фосфиды и арсениды галлия и индия можно получить действием на металлы хлоридов фосфора или мышьяка (при температурах кипения последних) в эвакуированной запаянной кварцевой трубке [c.172]

Подобно арсениду галлия лучшим методом получения поликристаллов фосфида индия является его синтез из элементов в печи с двумя температурными зонами (см. рис. 61). При этом температуру зоны печи с фосфором медленно доводят до 485°С, а высокотемпературная зона с индием имеет температуру 1060°С. [c.147]

Фосфид индия наряду с арсенидом галлия может считаться одним из самых перспективных полупроводниковых материалов для практического применения. Но InP, почти не уступая арсениду галлия по ширине запрещенной зоны и подвижности носителей тока, обладает некоторыми преимуществами. Так, температура плавления InP ниже температуры плавления арсенида галлия, что важно в технологии выращивания монокристаллов. Не следует забывать и экономические соображения. Если распространенность индия и галлия приблизительно одинакова, то земная кора содержит фосфора в 250 раз больше, чем мышьяка. [c.149]

Колориметрическое определение фосфора в галлии и индии. .... Фотометрическое определение серы в галлии, арсениде галлия, мышьяк [c.523]

Фотометрическое определение фосфора в арсениде галлия...... [c.523]

В результате всех этих исследований разработаны методы определения в среднем 6—8 элементов-примесей в чистых веществах, используемых в реакторной и полупроводниковой технике (графит, уран, свинец, висмут, цирконий, бериллий, кремний, германий, галлий, мышьяк, арсенид галлия, индий, таллий, фосфор, сурьма, цинк и др.), а также в других чистых материалах (бор, молибден, ниобий, иттрий, европий, кадмий). Созданы методы активационного определения целого ряда примесей в 22 веществах высокой чистоты с чувствительностью 10 —10 °%. [c.5]

Введение примесных атомов в готовый кристалл осуществляют тремя способами. Наиболее часто кристалл приводят в контакт с другой, фазой (твердой, жидкой или газообразной), содержащей необходимые примеси, которые затем проникают в кристалл благодаря диффузии. Скорость диффузии примесных атомов в твердой фазе, как правило, мала, поэтому для достижения гомогенного распределения примесей может потребоваться много времени, особенно если размеры кристалла велики. Поэтому указанный метод применяют главным образом при исследовании мелкозернистых порошков и тонких монокристаллов, т. е. в тех случаях, когда время диффузии не столь уж велико, поскольку не слишком мал коэффициент диффузии, или не очень велико расстояние, которое должны преодолеть атомы при дн4)фузии. Например, монокристаллы сульфида кадмия легируют медью или серебром путем продолжительного нагрева их при 950° [811 в порошке сульфида кадмия, содержащем медь или серебро. Медь в монокристаллы германия вводят нагреванием их в контакте с жидким сплавом, содержащим медь [82]. Для легирования кремния литием в подобном случае использовался металлический литий, точнее сплав лития с кремнием [831. Легирование фосфором осуществляют путем нагревания кристаллов в парах фосфора [841, медь и никель для введения в сульфид свинца электролитически осаждают на поверхности кристаллов PbS, которые затем в течение нескольких часов прогревают при 500° [851. Аналогичную методику применяли для легирования арсенида галлия медью [861. [c.28]

Те же авторы [133] при определении галлия в арсениде и фосфиде галлия в качестве индикаторного использовали графитовый электрод. Титрование проводили при pH 3 по току окисления БФГА при потенциале графитового электрода +1,1 в (относительно нас. к. э.). Мышьяк и фосфор не мешают определению до соотношения Оа Э = 1 1,5. [c.107]

Галлай и Алимариным [1ЭЗ] предложен метод амперометрического определения галлия в арсениде и фосфиде галлия. Мышьяк и фосфор не мешают определению галлия до соотношения Оа Э=1 1,5. [c.194]

Арсенид и антимонид индия. В системах индия с мышьяком и сурьмой также образуется по одному соединению состава 1 1. Как фосфид, так арсенид и антимонид индия по внешнему виду напоминают металл они имеют кристаллическую решетку типа сфалерита и являются полупроводниками. В табл. 28 сопоставлены свойства соединений индия и галлия с неметаллами V группы. От фосфора к сурьме уменьшается температура плавления и нарастает металличность свойств. [c.97]

Метод основан на реакции образования фосфорномолибденовой гетерополикислоты с последующим восстановлением ее аскорбиновой кислотой в среде соляной кислоты с добавлением тартрата калия антимонила. Метод пригоден для определения фосфора в образцах хлорида, арсенида и антимонида галлия. [c.143]

Впервые этот метод был использован при определении давления диссоциации арсенида и фосфида галлия [234]. Исследуемые нелетучие и летучие компоненты в стехиометрическом соотношении вводили в ампулу, которую затем вакуумировали и помещали з печь с двумя температурными зонами. Температуру в системе принимали как среднюю из температур обеих зон, что вносило существенную погрешность в определение этой величины и, соответственно, равновесного давления диссоциации. Давление в системе рассчитывали по уравнению состояния идеальных газов, исходя нз избыточного количества летучего компонента (мышьяка и фосфора). Аналогичный способ был применен для определения давления диссоциации при плавлении фосфида галлия [235]. [c.172]

В маркировке полупроводниковых материалов обозначают не только тип легирующей примеси, но и те свойства, которые наиболее важны для практического применения, а иногда и способ получения. Например, марка BKЭФ-10 ,2 характеризует кремний (К), полученный бестигельной зонной плавкой (Б), электронного типа проводимости (Э), легированный фосфором (Ф) с удельным сопротивлением 10 Ом См и временем жизни неосновных носителей 0,2 мкс арсенид галлия АГДЦЗ,5-17 — дырочного типа (Д), легирован цинком (Ц) с концентрацией дырок 3,5-10 . Фосфид галлия, применяемый для фотодиодов, маркируется, например, так ФГЭТК-К/ЗО [Э—электронного типа, ТК — легирован теллуром, кислородом, К — красное свечение р—п-перехода, 30 — яркость свечения, кд/м (нит)1. [c.56]

Твердые растворы замещения получаются и на основе кристаллической решетки соединений, когда в это соединение попадают атомы другого рода. Например, в арсениде галлия GaAs атомы As могут замещаться атомами фосфора по схеме [c.138]

Когда образуется твердый раствор на базе химического соединения, например арсенида галлия, атомы магния или кадмия замещают атомы галлия, но не мышьяка атомы фосфора, селена и теллура,наоборот, замещают атомы мышьяка, но не галлия. Возможность такого замещения сильно зависит от типа связи, от размеров и ЭО атомов заместителей и замещаемых. В решетках соединений типа А" Б связи между атомами ковалентные полярные, и неметаллические атомы замещают атомы В, а металлические атомы замещают атомы А. В этих решетках атомы А не замещаются атомами В и наоборот однако в решетках с металлическими связями между атомами подобные замещения возможны. Например, в, интерметаллическом соединении Al o возможно частичное замещение атомов алюминия (г = 1,43 А) атомами кобальта (г — 1,25 А) и наоборот. В результате образуются твердые растворы на базе этого соединения состава Ali t oi ) или [c.144]

Соединения индия, галлия, алюминия, бора с азотом, фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом являются интерметаллическими, но, как правило, со строгим атомным соотношением 1 1. Излишек одного из компонентов в расплаве выделяется при затвердевании в виде второй фазы. Эти соединения в совокупности обладают более широкой гаммой полупроводниковых свойств, чем вещества IV группы, и у них наблюдаются новые, прежде неизвестные свойства. Ширина запрещенной зоны этих веществ лежит в пределах от 0,17 (InSb) до 2,25 эв (GaP), что позволяет использовать некоторые из них в высокотемпературных приборах. Арсенид галлия —более перспективный материал для солнечных батарей, чем кремний. Будучи почти таким же тугоплавким, он имеет в полтора раза большую ширину запрещенной зоны и почти в три раза большую подвижность основных носителей тока. Он работает как полупроводник в интервале от минусовых температур до 500°. Это эффективный полупроводниковый источник света для ближней инфракрасной области, а фосфид галлия — для красной и зеленой области спектра. Многое обещают преобразователи солнечной энергии на основе фосфида индия. [c.187]

Зонная плавка и выращивание монокристаллов фосфида из стехиометрических расплавов связаны с теми же трудностями, что и при синтезе, которые определяются высоким давлением диссоциации. Горизонтальная зонная плавка осуществляется только в установках высокого давления. Бестигельную зонную плавку из-за малого диаметра слитка (8 мм) можно проводить на таких же установках, как и в случае арсенида галлия. Малый внутренний диаметр ампулы ( 12 мм) позволяет ей выдерживать давление паров фосфора 25 атм без внешнего противодавления. После 3—4 проходов зоны со скоростью 1—3 см/ч на такой установке могут быть получены прозрачные монокристалли-ческие слитки фосфида галлия высокой чистоты. Особенно уменьшается содержание углерода, который удаляется в виде летучих соединений с фосфором и оседает на более холодных участках ампулы [127]. [c.275]

Фотометрический метод определения фосфора в мышьяке и арсениде галлия состоит в экстракции эфиром желтой фосфорномолибденовой кислоты и восстановлении ее Sn lj. As удаляют отгонкой в виде As lg. Чувствительность метода 5-10 в%, ошибка 10% [340]. [c.137]

В спектре масс InP были обнаружены в относительно больших концентрациях Ра, Рз, Р4, Р5 и Тпа, но ни в одном из случаев, в пределах чувствительности метода, не наблюдались ионы, состоящие из индия и фосфора одновременно. В этом отношении фосфид индия отличается от арсенида галлия и антимонида индия. [c.34]

При анализе элементов, образующих легколетучие соединения, основной компонент отделяется отгойкой. Этот метод применяется, например, при определении примесей в мышьяке. В отдельных случаях используются методы выделения примесей. Например, экстракция диэтилдитиокарбаминатов при анализе фосфора, фосфидов галлия и индия (см. Н1а-стоящий сборник), а также хроматографическое выделение примесей на ионообменных колонках при анализе мышьяка и арсенида галлия [5]. Однако прп.менение последнего метода мало целесообразно, так как он ограничивает число определяемых примесей и требует большого количества реактивов, что приводит к увеличению значения холостого опыта. [c.128]

Ход анализа. Навеску мышьяка (арсенида галлия), равную 0,1—1 г (в зависимости от содержания фосфора), растворяют в 2—-7 мл смеси (3 1) НС1 (уд. в. 1,14) и HNO3 (уд. в. 1,3) в кварцевой чашке при умеренном нагревании. Раствор упаривают досуха, прибавляют 2— [c.219]

Свечение нагретых тел, обусловленное только нагреванием до высокой температуры, называется испусканием накаленных тел. Все другие типы испускания света называются люминесценцией. При люминесценции система теряет энергию и для компенсации этих потерь нужно подводить энергию извне. Как правило, разновидности люминесценции классифицируются именно по типу этого внешнего источника энергии. Так, свет газоразрядной лампы или лазера на основе арсенида галлия представляет собой электролюминесценцию, возбуждаемую электрическим током, проходящим через ионизованный газ или полупроводник. Самосветящийся циферблат часов обладает радиолюминесценцией, возникающей под действием частиц высоких энергий — продуктов распада радиоактивных примесей к фосфору. Энергия химических реакций возбуждает хемилюминесценцию, а если это происходит в живом организме, то такое испускание называют биолюминесценцией, примерами которой служит свечение светляков и так называемая фосфоресценция моря. Особую разновидность хемилюминесценцин представляет собой термолюминесценция, возникающая в том случае, когда при нагревании вещества начинаются химические реакции между реакционноспособными частицами, замороженными в твердой матрице. Триболюминесценция наблюдается при разрушении некоторых кристаллов, а сонолюминесценция — нри воздействии интенсив- ных звуковых волн на жидкость. При фотолюминесценции система получает энергию, поглощая инфракрасный, видимый или ультрафиолетовый свет. [c.11]

Зависимости коэффициентов распределения примесныг элементов в арсениде галлия от их порядкового номера характеризуются наличием двух и более максимумов. Так, коэффициенты распределения элементов третьего периода имеют два максимума, приходящихся на магний и фосфор. Для примесей больших периодов возможны три максимума они приходятся на железо, цинк, селен, серебро, индий и теллур. [c.25]

Нередко целесообразно сочетать экстракцию с другими методами концентрирования. Например, при определении микропримесей в арсениде галлия мышьяк отгоняли в виде тригалогенида, а галлий экстрагировали из солянокислого раствора диэтиловым или диизопропило-вым эфиром " . Химико-спектральное определение примесей металлов в фосфиде индия основано на отгонке фосфора в виде фосфина и экстракции второго макрокомпонента — индия — из 5 УИ раствора бромистоводородной кислоты ДИЭТИЛ01ВЫМ эфиром . Можно привести и другие -примеры. Для определения следовых количеств свинца в латуни и бронзовых сплавах образец растворяли в азотной кислоте, а свинец отделяли от меди и цинка соосаж-дснием с карбонатом свинца из аммиачного раствора. Осадок растворяли и экстрагировали свинец в виде иодид-ного комплекса метилизобутилкетоном. Определение заканчивали атомно-абсорбционным методом. Атомно-абсорбционное определение микроколичеств палладия в серебре основано па предварительном осаждении серебра [c.21]

Полученные таким способом диоды обладали электролюминесценцией, которая наблюдалась в инфракрасной области (8500А, как и у арсенида галлия). Внешний квантовый выход при температуре 77° К и плотности тока - -ЮО а/слг достигал 12%. при комнатной температуре он был в 100 раз меньше [43]. Спектр излучения удалось сместить в более коротковолновую сторону путем одновременной диффузии цинка и фосфора в м-С(1Те, легированный алюминием [44]. На поверхности теллурида кадмия образовывался слой твердого раствора (7п, С(1с) Те, причем р-п-переход создавался за счет более медленной диффузии фосфора по сравнению с диффузией цинка (внутренняя часть образовавшегося слоя твердого раствора получалась легированной алюминием, а поверхность— фосфором). Такие диоды имели спектр излучения с Х акс от 8500 до 5900А при составе 2п зС(1о 7Те и гПдщСс1о58Те наблюдалось излучение в красной области спектра, и квантовый выход при температуре 77° К достигал примерно 6%. При высоких концентрациях теллурида цинка в твердом растворе квантовый выход резко падал и росло электрическое сопротивление диодов. При комнатной температуре эффективность излучения была в 100 раз меньше. [c.42]

Примерно так же получают антимониды галлия и алюминия. А15Ь подвергают зонной очистке в лодочке из окиси алюминия. При этом его тщательно защищают от воздуха, так как влага и кислород вредны для А18Ь. Специальные приемы разработаны для синтеза и очистки арсенидов и фосфидов, которые в большинстве случаев имеют точку плавления выше 1000°. Давление паров фосфора и мышьяка при такой температуре может возрасти до нескольких десятков атмосфер. Это грозит опасностью взрыва сосудов с ядовитыми парами фосфора или мышьяка. Чтобы снизить давление, синтез проводят двухтемпературным методом в печи с тремя секциями различной степени нагрева. Познакомимся с этим методом на примере арсенида индия. [c.189]