Конфигурация электронная октаэдрическая

При других электронных конфигурациях наблюдается большее или меньшее искажение октаэдрической структуры. Так, при конфигурациях электронной оболочки комплекса [c.518]

При других электронных конфигурациях наблюдается большее или меньшее искажение октаэдрической структуры. Так, при конфигурации электронной оболочки центрального иона (атома) и распределение электронов по молекулярным орбиталям уже несимметричное [c.130]

С какой электронной конфигурацией -подуровня октаэдрические комплексы не стабилизируются кристал- [c.142]

По той же причине для ионов с электронной конфигурацией или октаэдрическая симметрия окружения [c.141]

Наилучшее доказательство существования эффекта Яна — Теллера дают структурные исследования твердых соединений меди (И), в которых центральный атом имеет электронную конфигурацию В октаэдрическом поле девятый электрон будет занимать (1г - или с(х у -орбиталь, что приведет к тетрагональному искажению строения. С другой точки зрения, система может быть рассмотрена с помощью представления о дырочном формализме , который описывает атом Си как сферически симметричную систему с дыркой (отсутствие электрона). Дырка ведет себя точно так же, как электрон, но в противоположность электрону она стремится занять высшую по энергии орбиталь. В результате эффекта Яна — Теллера она занимает несколько более высокую по энергии орбиталь, чем это имело бы место в неискаженном октаэдрическом комплексе (рис. 10.24). Используется еще одна схема рассмотрения таких систем, представляющая каждую систему как обращенную систему (рис. 10.25). [c.274]

Электронные конфигурации и основные состояния некоторых конфигураций в октаэдрических и тетраэдрических координационных системах, приведены в табл. .5 стр. 154). [c.91]

Электронные конфигурации и основные состояния некоторых конфигураций в октаэдрических и тетраэдрических координационных системах, вполне приемлемые и в аспекте теории кристаллического поля, приведены в табл. III. 4 (стр. 79). [c.47]

Рис. 1. Расщепление тригональным и тетрагональным искажениями энергетических уровней электронной конфигурации в октаэдрическом кристаллическом поле.

Неполное укомплектование электронами орбиталей I2g или нарушает симметрию комплексов это нарушение может быть очень сильным. Так, у иона Си , имеющего конфигурацию /, в октаэдрическом окружении на орбитали находится только [c.134]

Конфигурации электронов комплексообразователя в октаэдрических комплексных соединениях в слабом и сильном полях [c.104]

Проявление той или иной пространственной конфигурации комплексов существенно зависит от характера распределения электронов по молекулярным орбиталям и от величины А. Так, в октаэдрических комплексах электронная плотность наиболее симметрично распределяется при следующих электронных конфигурациях [c.518]

Для конфигурации при большом значении Д октаэдрическая структура также невыгодна, так как два электрона располагаются на сильно разрыхляющих молекулярных сг Р-орбиталях. В этом случае типичны комплексы в виде плоского квадрата. Именно такие комплексы дают и Аи " (сР), как -элементы 5-го и 6-го [c.519]

Устойчивое координационное число Т1 (III) равно 6 его октаэдрические комплексы имеют электронную конфигурацию [c.537]

Соединения Мп (IV), Тс (IV), Яе (IV). Как указывалось, для ионов с конфигурацией наиболее характерны октаэдрические комплексы с распределением валентных электронов по орбиталям [c.575]

Рассмотренные октаэдрические ионы — высокоспиновые комплексы электронной конфигурацией [c.600]

Низкоспиновые октаэдрические комплексы с электронной конфигурацией [c.600]

Координационное число Pd (IV) и Pt (IV) равно шести, что отвечает октаэдрической конфигурации комплексов. Последние диамагнитны, имеют следующую электронную конфигурацию [c.616]

Соединения Си (И). Степень окисления +2 характерна только для меди. Максимальное координационное число Си (II) равно б, что соответствует октаэдрическим комплексам (структурным единицам) следующей электронной конфигурации [c.626]

Подчеркнем, что речь идет не об обращении порядка ijg- и fig-орбнталей- -электронов. Для -конфигурации в октаэдрическом поле эаполненне этих орбиталей соответствует данным в табл. 27. Но волновая функция девятиэлектронной системы, записанная в виде соответствующего определителя Слэтера, при таком заполнении относится к представлению Eg (двукратное вырождение). [c.185]

Интересно отметить, что из числа соединений переходных металлов тетраэдрическую координацию с образованием структур сфалерита и вюрцита имеют галогениды и сульфиды металлов с конфигурацией ионов в соединении d , P , т. е. и по структурным особенностям эти металлы близки к непереходным (глава 1, 6). Для соединений же переходных металлов с другой конфигурацией -электронов характерна преимущественно октаэдрическая координация. Например, MnS ( ) кристаллизуется в решетке сфалерита, а соседние сульфиды NiS, rS, VS — в гексагональной решетке NiAs. [c.94]

Число неспаренных электронов в атоме -элемента, характеризующее его спнноБое состояние, обоз 1ачеио К, . Для конфигураций — в октаэдрическом поле лигандов возможны высокоспиновое и низкоспиновое состояния например, для конфигурации им отвечают Л е = 4 и 2 соответственно. [c.147]

В трехвалентном состоянии, если для него характерны большие координационные числа, как, например, в случае SbF , имеются пять связывающих электронных пар, и шестая неподеленная электроцная пара занимает одно координационное место. Эту пару можно рассматривать как лиганд, а конфигурацию как октаэдрическую. [c.341]

Неполное укомплектование электронами орбиталей или eg нарушает симметрию комплексов это нарушение может быть очень сильным. Так, например, у иона Си +, имеющего конфигурацию в октаэдрическом окружении на орбитали находится только один электрон. Эта орбиталь экранирует заряд ядра меньше, чем другие, поэтому хотя для иона Си + характерно координационное число 6, однако лиганды образуют вокруг иона Си + сильно искаженный октаэдр, в котором 4 лиганда, находящиеся в нлоскости ху, прочно связаны с ионом Си + и приближены к нему, а два других лиганда связаны слабо и удалены. В некоторых комплексах Си + два слабо связанных, лиганда не удерживаются и тогда координационное число Си2+ становится равным 4, а строение комплексов— плоским квадратным. Еще значительнее действие рассмотренных факторов в комплексах, содержащих N1 +, Р(1 +, Р1 +, имеющих конфигурацию Многие комплексы N1 + и все комплексы Р(1 + и Р1 + имеют плоское квадратное строение. [c.126]

Рис. IV. 6. Растепление термов конфигурации в октаэдрическом поле лигандов — слабое поле о —уровень -электрона б—сдвиг, вызванный симметричной частью межэлектронного отталкивания в —расщепление, вызванное межэлектронным взаимодействием г —сдвиг, вызванный симметричной частью поля лигандов д —расщепление в поле лигандоз как функция Д.

Наблюдаемые для этого случая ширины полос также могут быть объяснены с привлечением результатов предыдущего раздела. Действительно, основное невырожденное орбитальное состояние Mig происходит от наполовину заполненной -оболочки центрального иона ( ) с конфигурацией в октаэдрическом поле ( 2e) (eg). Поэтому переходы Aig-> Tig I2g) eg) и Aig- -- T2g I2g) (eg) с изменением этой конфигурации дают наиболее широкие полосы. Другие состояния, переходы в которых дают остальные приведенные на рис. VII. 5 полосы Eg, Mjg, T2g и Eg), происходят от той же электронной конфигурации ( 2g) (eg) что и оснрвное состояние, и поэтому эти полосы значительно уже. [c.255]

Образование катализаторного комплекса может происходить при взаимодействии карбонилируемого соединения или активатора с карбонилом или комплексом металла по реакции замещения я-акценторных лигандов по диссоциативному или ассоциативному механизму. Для большинства переходных металлов с конфигурацией электронной оболочки — 6 , образующих октаэдрические комплексы, характерен диссоциативный механизм замещения лигандов [19—21]. Из карбонилов металлов группы Ге наиболее [c.132]

Структурных работ, посвященных соединениям одновалентной меди и одновалентного серебра, к сожалению, нехмного. Эти работы подтверждают, что Си и Ag имея ту же конфигурацию электронного остова ,что игп" и Сё", отличаются от Ъп еще меньшей склонностью к октаэдрической координации. Си практически никогда такой координации не дает. Что касается Ag, то хотя для этого элемента в простых соединениях координационное число 6 и встречается, в более сложных соединениях, структурно исследованных за последнее время, координации выше четверной не отмечалось. Структурных данных по соединениям Аи почти совсем нет. В большинстве работ обнаружена традиционная для Си и Ag тетраэдрическая координация атомов металла. [c.35]

При тетраэдрической симметрии поля конфигурация так же как и конфигурация при октаэдрической симметрии, имеет три нижних орбитальных уровня. Близость величин -фактора в комплексах с тетраэдрической и искаженной октаэдрической симметрией указывает на то, что искажение в тетраэдрических комплексах иона Си - велико и неспаренный электрон находится на орбитали (х — г/ ). При тетраэдрической симметрии 4/> и ге -орбитали относятся к одному и тому же неприводимому представлению и, следовательно, возможно смешивание орбиталей 4р и Зс1. Шарпов 1270] из параметров спин-гамильтониана комплекса СиС1 оценил долю различных атомных орбиталей в молекулярной орбитали неспаренного электрона. Согласно его оценке, орбиталь неспаренного электрона состоит на 70% из орбитали 3 , на 12% из Ар, на 17% из Зр-орбиталей С1 и на 1,3% из 35-орбиталей С . [c.431]

Возьмем для примера ион Си + с конфигурацией В октаэдрическом комплексе наинизшей по энергии электронной конфигурацией будет 2g g, которая приводит к состоянию Eg. Для такого состояния дырка с равной вероятностью может находиться как на dz так и на , ,.горбиталях. Однако, как было показано ранее, тетрагональное растяжение вдоль оси г расщепит 2 g- o тoяниe на две компоненты, из которых низшая по энергии соответствует дырке на с г у2-орбитали. Но если произвести тетрагональное сжатие вдоль оси z, то -орбиталь будет иметь более высокую энергию, чем ., ,-орбиталь, так что дырка будет [c.272]

Наиболее важным примером соединений, для которых имеет место это явление, представляют молекулы или комплексные ионы, содержащие атомы переходных групп. Рассмотрим, например, октаэдрические комплексы окисного железа FeXe. Если связи Fe — X принадлежат к предельноионному или ион-дипольному типу, то конфигурация электронов вокруг ядра железа будет такой же, как и у иона Fe++ из 23 электронов этого иона 18 занимают попарно Is, 2s, три 2р, 3s- и три 3/7-орбиты, а остальные пять занимают по одному пять Зс -орбит (раздел 6а). Если же образуются ковалентные связи Fe — X, как в ионе феррицианида [c.46]

Тип связи часто устанавливали, исходя из измерений магнитной восприимчивости, позволяющих вычислить число непарных электронов в молекуле вещества. При этом полезно учитывать и пространственное строение комплексного иона. Например, магнитная восприимчивость гексафторферриата аммония соответствует 5,88 магнетона Бора, т. е. наличию пяти непарных электронов. Октаэдрическая конфигурация иона РеР могла бы быть вызвана или электростатическими причинами, или, в случае ковалентной связи, гибридизацией электронов. [c.193]

Соединения Мп (II), Тс (II), Re (II). Для марганца (II) характерно координационное число шесть, что соответствует октаэдрическому расположению связей. Соединения Мп (II) парамагнитны и, за ис1 лючением цианидов, содержат пять непарных электронов. Строекие высокоспиновых октаэдрических комплексов Мп (И) соответствует следующей электронной конфигурации [c.573]

Из катионных комплексов никеля (И) устойчивы октаэдрические гексаакво- и гексаамминокомплексы, имеющие следующую электронную конфигурацию [c.612]

Какова электронная конфигурация октаэдрически координированного иона СО с тремя неспаренными электронами в основном состоянии [c.598]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология