Диаграмма излучения

Состояние оптического контакта осажденного фосфора пока еще не поддается определению, но можно получить уравнение, описывающее в первом приближении полярную диаграмму излучения фосфора, когда некоторая часть его а находится в оптическом контакте со стеклянной подложкой. Тогда угловое распределение излучения внутрь подложки можно представить выражением F u) = F (ио) а os и Ч- (1 - а) os м [1 - Л ( )] где и — угол в материале подложки [c.123]

Волны типа НЕ т имеют две отличительные особенности. Во-первых, это единственные волны, которые дают свет в центре волокна и поэтому имеют направленный вперед лепесток в диаграмме излучения. Во-вторых, первая волна в последовательности этих волн НЕц является единственной, которая не имеет критической длины, т. е. ее критический параметр равен нулю, и волна может распространяться при любой длине волны. [c.200]

Диаграмма излучения SOo (рис. 6-29) основана на уравнении [c.494]

Под воздействием приложенного напряжения в полупроводнике происходит возбуждение носителей, в силу чего возникает излучение световой энергии и появляется поток фотонов. Этот поток, многократно отражаясь от зеркал, образующих резонансную систему, усиливается, что приводит к появлению лазерного луча с остронаправленной диаграммой излучения. [c.14]

Если кабель возбуждается лазером, имеющим некоторую угловую диаграмму излучения, определенную, как обычно, в открытом пространстве (в воздухе), то на входе волокна, на котором реализуется его оптический контакт с лазером, диаграмма излучения последнего деформируется. Кроме того, возбуждается не только сердцевина волокна, но и его оптическая оболочка, вследствие чего появляются так называемые оболочечные моды. [c.186]

Определение установившейся структуры поля по измерениям на выходе волокна в дальней зоне диаграммы излучения является более трудоемкой операцией и представляет специальный интерес. [c.188]

Вычисленная на основе указанных величин энергия излучения при общем давлении (смеси) газа рс = 760 мм рт. ст. и 0° С может быть определена из диаграммы на фиг. 65 для небольшой эффективной толщины слоя газа и из диаграммы на фиг. 66 для больщой толщины слоя газа. [c.145]

На рис. 13-32 показана обобщенная диаграмма энергетических уровней произвольной молекулы. На ней изображены два электронных уровня, Еу и 2, а также относящиеся к ним колебательные и вращательные уровни. Обычно расстояния между электронными энергетическими уровнями намного превышают расстояние между колебательными уровнями, которые в свою очередь намного больше расстояний между вращательными уровнями. Электронные переходы молекулы (т. е. переходы с одного электронного уровня на другой) соответствуют поглощению или испусканию электромагнитного излучения в видимой и ультрафиолетовой частях спектра колебательные переходы соответствуют поглощению или испусканию излучения в ближней инфракрасной и инфракрасной областях спектра, вращательные переходы отвечают поглощению или испусканию излучения в дальней инфракрасной и более длинноволновых, вплоть до микроволновой, областях электромагнитного спектра. [c.585]

Рис. 23-2. Диаграмма ядерных энергетических уровней, на которой показаны основное и возбужденное состояния ядра Эта диаграмма объясняет существование а-частиц с энергией 4,195 и 4,147 МэВ и у-излучение

Изотопы, расположенные на рис. 23-4 справа и ниже области наибольшей устойчивости, могут достичь этой области, теряя электроны. Распад таких ядер происходит, как правило, с испусканием р -излучения. Изотопы, расположенные слева и выше области устойчивости, могут распадаться с образованием устойчивых изотопов в результате электронного захвата или испускания позитронов. В области выше 2 = 80 преобладает испускание а-частиц. При р -испускании изотоп смещается на диаграмме по диагонали вверх и налево на один квадратик электронный захват либо испускание позитрона смещают изотоп в противоположном направлении, вниз и направо на один квадратик. При испускании а-частицы изотоп переходит вниз и налево на два квадратика, приблизительно вдоль линии наибольшей устойчивости. Такой тип распада характерен для атомов, находящихся за пределами области устойчивости на рис. 23-4. [c.417]

Современное состояние науки о ядре и его структуре находится примерно в том же положении, в котором находилась теория строения атома в 1925 г. Имеется возможность проводить измерения свойств ядер, описывать и классифицировать их, но нет еще общей теории, позволяющей объяснить эти свойства. Ядра состоят из протонов и нейтронов, сосредоточенных в небольшом объеме и взаимодействующих сильнее всего лишь со своими непосредственными соседями по ядру. В некоторых отношениях (это касается энергии связи) они подобны спрессованным капелькам однородных частиц, но в других отношениях (предпочтительность четного числа нуклонов и существование магических чисел) они ведут себя так, будто образуют оболочечные структуры, подобные электронным оболочкам. Диаграммы энергетических уровней для ядер могут быть построены на основе спектров у-излучения, сопровождающего ядерные превращения. Ядра, подобно электронам в атоме, тоже имеют основные и возбужденные состояния. [c.435]

Для селективного воздействия большое значение имеет возможность перестройки длины волны, излучаемой лазером. В работе [11] описан перестраиваемый импульсный лазер на СОг с поперечным разрядом при атмосферном давлении газа. Средняя выходная мощность варьируется в пределах 0,1-2 МВт/см площадь сечения пучка составляет 8 см . Резонатор этого лазера представляет собой разрядную трубку длиной 2,43 м, по которой прокачивается газ со скоростью 1,4-108 см /ч. В энергетической диаграмме молекул СО2 содержатся два низких колебательных уровня, которым соответствуют волновые числа 1388 и 1286 см 1. В результате колебательно-вращательных переходов эмиссионный спектр содержит линии от 923 до 990 см 1 и от 1023 до 1090 см-1, с помощью дифракционной решетки, размещаемой на конце трубки резонатора, можно настроить излучение лазера на один из необходимых максимумов излучения. [c.100]

Закон Ламберта утверждает, что мощность излучения, испускаемого с поверхности в данном направлении на единицу телесного угла и единицу площади проекции поверхности, на плоскость, нормальную направлению излучения (а не самой поверхности), есть величина постоянная. Такая величина называется интенсивностью излучения. Диаграмма распределения интенсивности света по углу излучения для источника Ламберта является полукругом. [c.193]

Если падающий свет не поляризован, то интенсивность рассеянного света в направлении, составляющем угол 0 с направлением распространения излучения, пропорциональна величине (I -)г-+ со 0). В плоскости этого направления интенсивность рассеяния света во все стороны одинакова. Зависимость интенсивности рассеянного света от угла рассеяния для естественного света представлена на рнс. V. 2а в виде векторных диаграмм, предложенных ученым Мн. Рассеянный свет является частично поляризованным. Внутренняя незаштрихованная часть диаграммы Ми представляет собой не поляризованную часть рассеянного света, заштрихованная [c.255]

Рис. IV-15, Диаграммы для определения коэффициента излучения водяного па ра при различных температурах.

Подобная диаграмма составлена также для водяного пара (рис. 1 / -15). Коэффициент излучения здесь выражен произведением двух функций [c.303]

Рис. IV-16. Диаграммы поправок к коэффициенту излучения для газовых смесей.

На рис. 10 уравнение (69) представлено графически Всю область диаграммы можно разделить на две характерные части область режима прямого направленного теплообмена А, для которой эксцентриситет излучения меньше единицы, и область режима косвенного направленного теплообмена Б с эксцентриситетом излучения большим единицы. [c.58]

Существуют два подхода к решению задач о параметрическом излучении звука метод функции Грина и метод, основанный на квазиоптическом приближении [86]. Квазиоптическое приближение позволяет проследить за динамикой формирования диаграммы направленности. Стремление повысить коэффициент преобразования в низкую частоту приводит к нелинейному насыщению . В данном разделе проведено теоретическое рассмотрение параметрического усиления колебаний, созданных системой гидроакустических излучателей. [c.22]

Дальняя зона преобразователя — это область акустического поля, где амплитуда монотонно убывает с расстоянием. Поле излучения в дальней зоне также можно представить в виде функции от тех же безразмерных параметров. Однако здесь более удобно представление поля в виде множителя, убывающего с расстоянием и диаграммы направленности, имеющей форму лучей, исходящих из центра преобразователя, для которых амплитуда (и интенсивность) меняется в зависимости от направления. [c.80]

В пределах лучевой трубки, ограниченной контуром преобразователя в ближней зоне, и основного лепестка диаграммы направленности в дальней зоне сосредоточено более 80% энергии поля излучения. Этим обосновано схематическое представление поля преобразователя, показанное на рис. 1.34, б. [c.83]

Рассмотрим случай плоского отражателя, параллельного поверхности образца (ф = 0), по которой перемещается преобразователь (рис. 2.19). Когда размер отражателя значительно меньше размера преобразователя, то диаграмма направленности преобразователя значительно уже, чем диаграмма направленности вторичного излучателя — дефекта. Такой отражатель можно считать точечным, Ф 1. При перемещении преобразователя по поверхности образца амплитуда изменяется в соответствии с изменением поля излучения — приема преобразователя на заданном расстоянии г (кривые / и 2). В дальней зоне согласно (2.25) [c.121]

Если дефект непротяженный, условную протяженность его определяет диаграмма направленности преобразователя, возведенная в квадрат (с учетом излучения и приема). Диаграмма направленности круглого преобразователя Ф при ведена на рис. 1.35, кривая 1. Уровень по эхосигналу равен квадрату уровня по излучению, поэтому, чтобы пользоваться кривой Ф, определяем уровень как [c.217]

В ходе изложения материала было рассказано о достижении теории и практики в решении различных задач акустического контроля. Развитие акустических методов происходит по пути изыскания новых путей решения рассматривавшихся акустических задач, а именно, разработки, способов излучения и приема коротких импульсов с узкой диаграммой направленности при пониженном требовании к акустическому контакту, улучшении отношения сигнал —помеха при контроле материалов с крупнозернистой анизотропной структурой достижения высокой разрешающей способности разработки высокоинформативных способов оценки формы, размера дефектов наглядного представления результатов контроля. [c.264]

Полярная диаграмма зависимости де ( ) от О показана на рис. III.2 (кривая I). Обычно используется неполяризованное первичное излучение, для которого сечение рассеяния определяется формулой Томсона (кривая II) [c.76]

В [422, с. 3064] предложена оригинальная методика снятия диаграмм направленности в основной плоскости. Диаграмму излучения-приема снимали по боковым цилиндрическим отверстиям диаметром 1,5. .. 3 мм, просверленным на разной глубине от поверхности ввода. Для измерения амплитуды каждого луча подбирали отверстие на разной глубине так, чтобы расстояние преобразователь - отражатель сохранялось неизменным. Точку ввода определяли по полуцилиндрическо-му образцу. Результаты оказались не зависящими от диаметра отверстия (при условии одинаковости диаметров в процессе измерения каждой диаграммы) и подтвердили правильность расчета угла ввода. [c.239]

Рис. 10-4. а — разложение плоскополяризованного излучения на компоненты с левой и правой круговой поляризацией. Два радиуса-вектора и Ен, вращающиеся в противоположных направлениях, составляют вектор Во, колеблющийся в вертикальной плоскости. Поток излучения распространяется перпендикулярно плоскости бумаги по центру круга. Векторы являются электрическими составляющими соответствуюшлх потоков излучения б —соответствующая векторная диаграмма потока излучения, изображенного на рис. а, после прохождения через оптически активный материал. Появляется сдвиг по фазе, соответствующий повороту плоскости поляризации на угол а в — векторная диаграмма излучения, представленного на рис. а, после прохождения через пробу, которая поглощает компоненту с правой круговой поляризацией сильнее, чем компоненту с левой круговой поляризацией. Результирующий вектор Во здесь описывает эллипс, большая ось которого равна Вь -Ь Ек, а малая ось равна Еь —В/. Это — гипотетический случай КД без оптического вращения. Эллиптичность равна углу 0 г — векторная диаграмма излучения после прохождения через пробу, которая отражает и оптическую активность, и КД. [c.214]

На неоднородностях скремблера возникают связи между отдельными модами, приводящие к частичному переходу энергии от одних мод к другим, а также к появлению мод, которые не могут распространяться в данном волокне и поэтому излучаются в окружающее пространство, что создает дополнительные потери на рассеяние. В то же время часть энергии высших мод переходит в энергию низших, увеличивая их мощность. В результате такого преобразования мод, т. е. частичного перехода энергии из одних мод в другие, диаграмма излучения нормализуется и возникает установившееся поле излучения. Скремблер обладает повышенным затуханием (по сравнению с волокном, на основе которого он выполнен), однако его значение не входит в измеряемое затухание. [c.187]

Разности энергий, соответствующих электронным уровням, относительно велики, и поэтому излучение, поглощаемое при переходах с одного такого уровня на другой, лежлт в далекой ультрафиолетовой области спектра. Разности энергий колебательных уровней меньше, и излучение, поглощаемое при колебательных переходах, лежит в инфракрасной области (примерно от 3 до 50 / ). Разности энергий вращательных уровней малы, и поэтому чисто вращательный спектр лежит в далекой инфракрасной и микроволновох областях. Схематическая диаграмма уровней дава на рис. 1. [c.293]

Быстрое определение коэффициента формы для обычного расчета можно произвести с помощью рис. 22, на котором даны значения фпр, фотр п ф для однорядного и двухрядного разые-щепня труб, принимающих излучение излучающей плоскости с одной стороны и излучение отражающей стены — с другой. Из диаграммы вытекает, что коэффициент формы не зависит от диаметра трубы, если сохранено отношение межосевых расстояний труб к их диаметрам. [c.72]

Основными источ/1нками излучения от пламеии без свечения являются углекислый газ и водяной пар, которые присутствуют в продуктах сгорания. Обгцее излучение от газа зависит от температуры и объема газа, радиационных свойств газа, которые обычно выражаются через коэффициенты излучения и поглощения. Общий коэффициент излучения газов зависитот температуры газа и произведения парциального давления на длину и небольшой поправки на обн1ее давление pL. Поглоишющая способность газов зависит от тех же параметров и от температуры источника излучения 7 s Диаграммы для коэффициентов излучения углекислого газа и водяного пара приведены в 2.9,5, т, 1, Связь коэффициентов поглощения [c.111]

Можно также определить, сколько тепла получает в печи (рис. 1У-20) поверхность с температурою Гг непосредственно от топлива путем излучения при температуре Т Топку можно рассматривать как углубление с постоянной температурой. Следовательно, ее действие равнозначно излучению черной поверхности илош,адью Л у выхода из топки. Отметим, что для такого взаимного расположения прямоугольников (без общего ребра) пет диаграмм для определения Ч . Для данного случая [c.308]

В 1943 г. А. Н. Теренин выдвинул гипотезу о том, что фосфорес-центное состояние молекул является триплетным. Годом позже Г. Льюис и М. Каша показали, что фосфоресценция органических молекул, наблюдающаяся в твердых матрицах, обусловлена испусканием света из самого нижнего возбужденного состояния этих молекул и имеет мультиплетность, равнук> трем. Еще в 1936 г. А. Яблонский предложил диаграмму энергетических уровней молекул, введя третий метастабильный уровень. Трехуровневая система объясняла существование трех видов люминесценции флуоресценцию, замедленную флуоресценцию и фосфоресценцию. После возбуждения в нижнее возбужденное синглетное состояние молекула может или испустить нормальную флуоресенцию, или вернуться в основное состояние на высокий колебательный уровень путем внутренней конверсии, или претерпеть интеркомбинадионную конверсию, перейдя в триплетное состояние. Попав в триплетное состояние, молекула оказывается в ловушке , так как излучательный переход в основное синглетное состояние запрещен, а чтобы вернуться в возбужденное синглетное состояние, молекула должна приобрести тепловую энергию, равную АЕ (Т— 5 ). Поэтому молекула остается в триплетном состоянии, пока в ней не произойдет один из следующих процессов 1) испускание запрещенного излучения — фосфоресценции 2) тепловая активация в состояние 5 с последующей замедленной флуоресценцией 3) интеркомбинационная конверсия в основное синглетное состояние. [c.158]

Мешающее влияние сульфат-ионов ста1н0внтся заметным, когда их содержание в десять раз превышает содержание кальция в растворе. Интенсивности излучения больше при длине волны 624 нм, яо симбатиы при обеих длинах волн. Из диаграммы можно определить избыточное количесугво суль-фат-ионов, которое оказывает мешающее влияние при определении кальция. Сульфат-ионы также можно предварительно удалить с помощью ионного обмена. [c.382]

На рис. 1.34, а штриховая линия — график /1 в случае излучения коротких импульсов. Предполагается, что импульсы имеюг колоколообразную форму, причем за период колебаний амплитуда уменьшается в 5 раз. Как видно из рисунка, в случае излучения коротких импульсов максимумы и минимумы заметно сглаживаются. Такой же эффект дает учет затухания ультразвука и множителя X. определяющего диаграмму направленности элементарных источников. [c.79]

Пьезопластину ПЭП делают обычно круглой. Размеры выбирают с учетом поля излучения-приема. Увеличение диаметра сужает диаграмму направленности в дальней зоне, но в то же время увеличивет протяженность ближней зоны, где оценка размеров и местоположения дефектов затрудняется наличием максимумов и минимумов сигнала. Целесообразно применять пластины малого размера для контроля тонких изделий и большого —для контроля изделий значительной толщины. [c.101]

Диаграмму направленности наклонного преобразователя Ф представим, как образованную мннмым излучателем (см. п. 1.6.3) размером 2ai = 2а os a/ os Путем в призме пренебрегаем. Введем 0=а — i, где а—угол ввода, а a — текущее значение угла при перемещении преобразователя по повер.хности. Угол а экспериментально определяют по максимуму амплитуды излучения на цилиндрической поверхности образца типа СО-3. [c.151]

На уровне 0,5 диаграмме направленности соответствует параметр aesin0 = = 2,2. Расшифруем его a=D/2, k=2n X, sin 0 = р/г р/Л, где р — смещение в сторону от максимума излучения. Находим эту величину [c.217]

Повышения направленности излучения добиваются, применяя мозаичные преобразователи. Небольшие пьезоэлементы распола гают в линию, в виде прямоугольника или по окружности [8 Диаграммы направленности при этом определяют, как в п. 1.6.5 [c.220]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология