Линейно-кристаллическая структура

Полимер обладает линейной кристаллической структурой. Путем прядения из расплава при 252—257° С из него получены моноволокна. Показано, что вытяжка и термообработка волокон способствует возрастанию кристалличности. [c.265]

Следовательно, с повышением молекулярного веса и температуры кипения парафина его кристаллическая структура становится все более мелкой. При этом повышению температуры кипения соответствует весьма резкое уменьшение размера кристаллов. Для иллюстрации этого на рис. 8 приведена серия микрофотографий последовательных фракций одной из парафинистых нефтей, закристаллизованных в равных условиях. Из рис. 8 видно, что даже при относительно небольшом повышении температуры кипения фракции, например на 50° (от 400 —450° до 450—500°), уменьшаются линейные размеры кристалликов парафина более чем в 2 раза. [c.65]

Влиянию молекулярного веса парафина на размер образуемых им кристаллов посвящены работы [112, 120]. В этих работах показано, что с повышением молекулярного веса и температуры кипения парафина его кристаллическая структура становится все более мелкой. На рис. 36 показаны разные фракции ставропольской нефти, закристаллизованные в одинаковых условиях. Из рисунка видно, что при повышении температуры кипения фракции линейные размеры кристаллов парафина уменьшаются. [c.103]

Линейные и разветвленные полимеры деформируются от нагревания и нагрузок из-за подвижности молекул и их звеньев. Поэтому более стоек к нагреву полимер, сохраняющий стеклообразное состояние или кристаллическую структуру в области высоких температур. К ним относят полимеры с объемными группами, затрудняющими свободное вращение элементов структуры молекулы вокруг С—С-связи, и с полярными группами, усилите [c.76]

При этом получаются линейные олигомерные полифенилены с молекулярной массой 2500. Они имеют кристаллическую структуру, неплавки, нерастворимы и обладают большей электропроводностью по сравнению с разветвленными полифениленами. Рентгенографическое исследование полифениленов указывает на наличие двойных углерод-углеродных связей между фениленовыми группами, что свидетельствует о присутствии хиноидных структур [c.419]

Все дефекты кристаллической структуры можно условно разделить на два типа точечные и линейные. [c.110]

Преобладание процесса возникновения новых зародышей над скоростью роста уже имеющихся кристаллов особенно характерно для комплексных электролитов, а также для растворов простых солей, содержащих ПАВ. В последнем случае из-за адсорбции чужеродных частиц на растущих гранях линейная скорость роста кристаллов уменьшается и осадки получаются высокодисперсными. Весьма часто при этом они не имеют даже четко выраженной кристаллической структуры. При обратном соотношении скоростей, когда линейная скорость роста кристаллов начинает преобладать, осадок имеет грубую кристаллическую структуру. В общем случае образованию мелкокристаллических осадков способствует повышение плотности тока на катоде, понижение температуры электролита, добавки нейтральных солей (снижающих концентрацию ионов осаждаемого металла у катода), разбавление раствора, введение в электролит ПАВ, комплексообразование. [c.389]

Химические индивиды представляют собой как простые вещества, так и сложные (соединения). Простые вещества можно рассматривать как частный случай соединений постоянного состава, называемых дальтонидами в узком смысле. К этому же классу следует отнести и сложные вещества, обладающие молекулярной кристаллической структурой (например, твердый СО2). Отличительный признак молекулярных кристаллов — образование фаз постоянного состава. Таким образом, на диаграмме состояния эти соединения представляют собой линейные фазы с нулевой областью гомогенности. [c.207]

Кристаллизация полимеров — сложный многоступенчатый процесс. Этим объясняется многочисленность форм кристаллических структур в полимерах. Простейшие элементы структуры — пачки макромолекул. Они состоят из многих рядов цепных макромолекул, последовательно расположенных относительно друг друга. В пачках наблюдается высокая упорядоченность макромолекул, при которой индивидуальность отдельных частиц утрачивается. Дальнейшее упорядочение структуры сопровождается возникновением более сложных надмолекулярных образований. Таковы фибриллы — линейные пачки и их агрегаты, сохраняющие ярко выраженную продолговатую форму, и сферолиты — игольчатые кристаллические образования, радиально исходящие из одной точки. В особо благоприятных условиях пачки складываются в ленты , а последние формируются в пластины. Так возникают единичные кристаллы полимеров, например полиэтилена. Единичные ограниченные монокристаллы — конечая форма кристаллических структур. Необходимо отметить, что у полимеров в отличие от низкомолекулярных веществ не получены монокристаллы достаточно больших размеров. [c.492]

Покрытия на основе линейных полимеров с волокнистой структурой имеют более высокую проницаемость, чем на основе полимеров с трехмерной сетчатой структурой. Покрытия, сформированные из полимеров, образующих кристаллическую структуру, имеют низкий коэффициент диффузии. [c.129]

В иностранной литературе указывается на линейную связь коэффициента объемного термического расширения с высотой кристаллита — /. . Однако это справедливо лишь для близких по своей кристаллической структуре материалов и узкого интервала значений у. Как установлено в работе [58], для широкого круга графитовых конструкционных материалов коэффициент объемного термического расширения у в логарифмическом масштабе находится в линейной зависимости с от- [c.103]

Температурный коэффициент линейного расширения по мере повышения совершенства кристаллической структуры приближается к таковому для монокристалла. Для направления, параллельного плоскости осаждения, это происходит путем уменьшения величины а до нуля затем она становится отрицательной. Для перпендикулярного к плоскостям отложения направления а увеличивается. [c.222]

Как правило, обычное кристаллохимическое описание оксосолей как двухвалентной, так и низковалентной ртути затруднено тенденцией атомов Hg иметь в ближайшем соседстве два атома с линейным расположением и с короткими межатомными расстояниями (Hg-X 2,01 — 2,22А) [2]. Включение же в координационное окружение более удаленных атомов (Hg-X > 2,бА) сильно искажает координационные полиэдры атомов металла и осложняет сравнительный анализ кристаллических структур. Особенно это относится к окружению одновалентной ртути, когда присутствие сильной ковалентной связи Hg-Hg [2] делает еще более условным описание координационных полиэдров отдельных атомов ртути. [c.72]

Поэтому структурная организация полимеров лишь на первый взгляд моделируется по аналогии с обычными тве рдыми телами, т. е. как сложная система, в которой можно выделить ряд главных подсистем (кристаллическая решетка в целом, элементарная ячейка, узлы, молекулы (или ионы), атомные ядра, их электронные оболочки и т. д.). В случае полимеров даже при наличии кристаллической решетки есть одна действительно главная подсистема — макромолекула, представляющая собой линейно-периодическую структуру из большого числа элементов — повторяющихся звеньев цепи автоматически это порождает в макроскопической системе, безотносительно к тому, обладает ли она собственной периодической упорядоченностью (кристалличностью), некие особые направления, где вместо вандерваальсовых сил действуют химические связи. [c.10]

Пластическое деформирование кристаллических твердьа тел связано с появлением и передвижением в их объеме особых линейных дефектов структуры, подзываемых дислокациями (см. гл. IV, 4). Дислокация отделяет в плоскости скольжения ту часть кристалла, в которой произошло смешение атомов на одно межатомное расстояние, от той части кристалла, где такого смещения еще ае происходило (рис. Х1-31). Перемещение дислокации через весь кристалл приводит к сдвигу в плоскости скольжения на одно межатомное расстояние. Движение дислокаций может тормозиться различными дефектами кристаллической решет -кн инородными атомами, включениями, другими дислокациями, границами блоков монокристаллов, двойниковыми гр 1вицами, границами зерен в полик- [c.404]

На этом основании было сформулировано кристаллохимическое правгию Юм-Ротери, согласно которому координационное число в кристаллических структурах гфостых веществ, расположенных справа от границы Цинтля, равно 8 — N, где Л" — номер группы Периодической системы. Для элементов VIA-группы (S, Se, Те), у которых до октета недостает двух электронов, структурными элементами в кристаллах простых веществ являются линейные зигзагообразные цепочки (или замкнутые кольца) с к.ч. 2, которые между собой связаны слабыми силами Ван-дер-Ваальса. При этом расстояния между ближайшими соседями в предела одной цепочки также значительно меньше, чем между цепочками [c.242]

Температурный коэффициент линейного расширения (а). Тепловое расширение искусственного поликристаллического графита обусловлено его структурой. Тепловое расширение искусственного поликристалли-ческого графита обусловлено прежде всего перестройкой структуры кристаллической составляющей при нагревании. Методом рентгеновской дилатометрии было исследовано [57] в интервале-180- 2000 °С расширение вдоль оси с кристаллической решетки для отличающихся степенью совершенства кристаллической структуры материалов стеклоуглерода (СУ), пироуглерода (ПУ), плотного графита (МПГ), высокосовершенного анизотропного графита с 4 % бора (РГБ), пирографита (ПГ) и природного графита (ЕГ). Для одного из них (МПГ) рассмотрено расширение вдоль слоя. Ниже приведены рентгеноструктурные характеристики степень графитации (д), межплоскостное расстояние (<Уоо2)> высота (L ) и диаметр (Lg) ОКР, исследованных материалов [57] [c.97]

Связь кристаллической структуры с теплопроводностью проанализи рована на отечественных промышленных графитовых материалах, а так же на отформованных по технологии графита ГМЗ материалах, наполни телем в которых служили различные коксы. Совершенство кристалличе ской структуры коксов изменяли, варьируя температуру обработки Средняя теплопроводность, приведенная к нулевой пористости, сопостав лена в работе [61] с измеренным рентгеновским методом диаметром областей когерентного рассеяния. Обнаружена прямая пропорциональная зависимость между этими величинами (рис. 48). Из имеющихся данных также следует, что тепловое сопротивление хорошо графитированных образцов изменяется линейно в зависимости от обратной величины диаметра кристаллитов. Все это свидетельствует о том, что в хорошо графитированных материалах средний свободный пробег фононов обусловлен рассеянием фононов на границах кристаллитов. [c.108]

Величина отклонения энергии активации для изучаемого материала от о линейно зависит от параметра структуры п LglLg (см. рис. 49) причем экспериментальные точки для различных углеродных материалов коксов и графитов, прошедших различную термическую обработку, которая привела к изменению степени совершенства их структуры, легли на прямую линию. Таким образом, отличие величины энергии активации от максимальных значений для углеродных материалов может быть объяснена меньшей степенью совершенства их кристаллической структуры. [c.119]

Величина коэффициента теплоотдачи при нагреве образцов возрастает линейно при увеличении и при температуре, близкой к температуре плавления, для всех солей составляет величину, приближающуюся к 200—220 ккал м час-град. Последнее, по-видимому, объясняется сходственностью кристаллической структуры солей. [c.374]

Переработка полипропилена методом формования несколько затруднена вследствие присущей ему кристаллической структуры. Относительно резкий переход полимера из твердого состояния в жидкое требует поддериония температурного режима в узких интервалах [1]. Прп низкой температуре требуется применять высокие давления формования, а также затрудняется хорошее воспроизведение конфигурации формы, а при высокой — формуемый материал легко разрывается или деформируется и часто прилипает к модели или форме. Полипропилен характеризуется меньшей удельной теплоемкостью, чем линейный полиэтилен, поэтому его прогрев перед формованием и последующее охлаждение занимают на 15—20% меньше времени. На рис. 11.1 [2] показана зависимость температуры пленки от продолжительности нагревания. Температуру формования обычно поддерживают в пределах 165—175°С. Для прогрева заготовок чаще всего применяют излучающие электронагреватели мощностью 200—450 вт/дм . При формовании изделий из листов толщиной более 3 мм предварительный разогрев заготовок целесообразно осуществлять в сушилке при 110—140°С. Это дает возможность сократить продолжительность рабочего цикла и уменьшить усадку изделий [3], [c.278]

Деформационные свойства кристаллических полимеров. Кристаллические полимеры, как было сказано в гл 1, состоят из кристаллических и аморфных участков Кристаллические участки деформируются как упругие твердые тела за счет смещения атомов в решетке, деформации связей и углов. Аморфные прослойки в зависимости от условий (температуры и скорости) могут деформироваться как стеклообразные при Г Гс), высо-коэластические (Гт>7 >7 с) или вязкотекучис (7 >Гт)- Кристаллические полимеры отличаются от аморфных повышенными значениями модуля упругости, пО Шженной податливостью, меньшей восстанавливаемостью. Но сочетание жестких кристаллических и податливых (аморфных) участков делает кристаллические полимеры менее хрупкими, чем стеклообразные. Деформационная кривая кристаллического полимера по внешнему виду напоминает кривую стеклообразного полимера (рнс. 5.28). На ней также можно выделить три участка. На первой стадии расгяжс.чия (линейный участок) развиваются упругие обратимые деформации, увеличивающие свободный объем в полимере. Модуль упругости (наклон прямой) тем больше, чем выше степень кристалличности. На этой стадии разрушается исходная кристаллическая структура На // стадии проис.ходит перестройка исходной кристаллической структуры и образование новой в условиях напряженного состояния Этот процесс называется рекристаллизацией. Образец в каком-то месте (на [c.314]

Приобретение глюкоманнаном после слабого кислотного гидролиза кристаллической структуры, по-видимому, объясняется образованием при гидролизе более коротких линейных цепей, которые в противоположность нативному полисахариду имеют сильную тенденцию к кристаллизации. При частичном гидролизе глюкоманнанов ели отношение маннозных остатков к глюкозным падает по сравнению с нативными полисахаридами с 3,6 1 до 2,9 1, что объясняется более легкой гидролизуемостью маннозидных связей по сравнению с глюкозидными [9]. Глюкоманнан является главным полисахаридом гемицеллюлоз еловой древесины, содержащим >-маннозу. [c.167]

Молекулярные структуры. Молекулярный характер структуры и практически линейные группы -0-Hg-Hg-0- обнаружены при исследовании кристаллической структуры Hg2(BrOз)2 [54]. Пары (Hg2) расположены почти параллельно оси х, ближайшие расстояния между ними составляют 4,5А. Расстояние Hg-0 в группе -0-Hg-Hg-0-paвнo 2,1бА, кроме этого в соединении имеются еще расстояния Hg...O 2,66 и 2,69А, с учетом которых координационное окружение атомов ртути можно описать как искаженный тетраэдр. Между молекулами Hg2(BгOз)2 существуют слабые контакты О...О 2,57А, связывающие их в линейные цепочки вдоль оси г. Ряды ртутных пар чередуются с двойными рядами ВгОз -анионов вдоль оси х [c.32]

Рис.24. Проекция кристаллической структуры эдойлерита (Н8 )зСг 0452 на плоскость хг. Восьмичленные кольца из почти линейных S-Hg-S фрагментов, чередуясь под углом 110", образуют ступенчатые ленты, параллельные [101]

В качестве общего заключения по всем рассмотренным структурам можно сказать следующее. Для всех характерно наличие плотно заполненных плоскостей, в которых лежат центры ртутных группировок и отдельных атомов ртути и хлора. В пространстве эти плоскости пересекаются под углами, близкими к 60% а линии их пересечений представляют ряды с разным законом чередования атомов или центров их компактных групп. В кубических структурах эти ряды идут вдоль тройных осей и, следовательно, есть четыре одинаковых системы параллельных рядов разных направлений. Как следствие, возникают взаимно перпендикулярные плоскости с квадратными сетками атомов. В моноклинных и ромбических структурах представлено, как правило, одно направление регулярных рядов-линий пересечений трех плоскостей, составляющих угол около 60°, но более низкая симметрия допускает разнообразные вариации их заполнения. Таким образом, главным структурообразующим фактором в рассмотренных структурах следует считать концентрацию основных атомов или центров их компактных фрагментов на симметрично связанных кристаллографических плоскостях с межплоскостными расстояниями в интервале 3,23 —2,50А, пересекающимися под углом около 60°. Эти плоскости часто дают интенсивные рефлексы на порошкограм-мах и могут быть выделены по этим признакам, даже если кристаллическая структура вещества неизвестна. Атомные позиции концентрируются возле линий пересечения таких плоскостей, образуя линейные ряды, характер заполнения которых определяется химическим составом соединения. В то же время стремление к минимальным трансляциям, свойственное всем структурам, принуждает разные по составу атомные ряды к соразмерности, что наблюдалось в анализированных структурах и отмечалось в тексте и на рисунках. [c.114]

Смотреть страницы где упоминается термин Линейно-кристаллическая структура: [c.520] [c.10] [c.51] [c.108] [c.58] [c.368] [c.91] [c.30] [c.141] [c.339] [c.20] [c.17] [c.12] [c.13] [c.15] [c.36] [c.42] [c.57] [c.122] [c.145] [c.233] [c.367]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология