Фоторезистов растворы

Очень интересны фоторезисты — материалы, которые под действием света приобретают способность избирательно растворяться. Такие материалы наносят на поверхность твердого тела в виде [c.137]

Исходным материалом при химическом способе служит фольгированный диэлектрик, т. е. изоляционный материал, на поверхность которого с одной или двух сторон наклеена медная фольга толщиной 35—50 мкм. На поверхность медной фольги вначале наносят защитный рисунок (рельеф), соответствующий заданной электрической схеме. Незащищенными остаются пробельные места. Защитный рисунок схемы выполняют стойкими к воздействию травильных растворов материалами (красками или фоторезистами). [c.104]

Технология изготовлеиия печатных плат состоит в следующем [21]. На поверхность медной фольги наносят фоторезист экспонируют печатную схему, проявляют и вытравливают рисунок. В двусторонней или многослойной печатных платах для соединения металлических слоев между собой высверливают отверстия, которые подвергают химическому меднению. Для увеличения толщины слоя меди на поверхности и внутри отверстий применяют электрохимическое меднение. Печатные схемы имеют сложный рисунок (рис. 133). В печатной схеме для компьютера — около 10 ООО отверстий. Изготовляют печатные платы толщиной от 3 до 40 мкм. Наиболее ответственный этап в технологии изготовления печатных плат — металлизация отверстий и достижение надежного контакта между слоями. Для этого, например, применяют травление диэлектрика (см. табл. 21). Раствор для травления должен удалять даже полимер, подвергнутый деструкции во время сверления. [c.259]

Пульверизация обычно дает лучшие и более воспроизводимые результаты, так как имеется возможность лучшего контроля времени и температуры, непрерывно используется чистый растворитель, который можно при этом фильтровать. Расход растворителя и пожароопасность при пульверизации значительно выше, чем при окунании. Поэтому часто используется комбинация обоих методов. При окунании образуется набухший гель, который затем растворяется или частично смывается при промывке пульверизацией. Преимуществом окунания является однородный контакт растворителя с пленкой фоторезиста, однако контроль времени проявления менее точен, потому что эта операция обычно проводится вручную. При пульверизации необходимо правильно установить сопло, чтобы вся поверхность подложки обрабатывалась однородно. В результате испарения растворителя при пульверизации понижается температура, поэтому ее необходимо корректировать это можно осуществлять автоматически. [c.52]

Перенос рельефного изображения фоторезиста в материал подложки достигается ее травлением по рисунку рельефа резиста. Для травления используют как растворы травителей, так и плазму. [c.57]

Во франц. пат. 2442862 рекомендуется использовать в качестве верхнего слоя по аналогичному подслою 20 %-ные растворы промышленных марок фоторезистов KPR или TPR и таким образом, получать литографские пластины повышенного срока годности и прочности. [c.168]

При многослойном монтаже в производстве больших ИС резистный микрорельеф, полученный с помощью фотолитографии, может выполнять функцию межслойной изоляции. Однако по условиям технологии одновременно с этим он должен быть термостойким—выдерживать температуру до 500 °С. Слои многих фоторезистов обладают электроизоляционными свойствами (а. с. СССР 398916, см. раздел IV. 2). Однако для получения термостойкого рельефа необходимо применять специальные полимеры. Среди них чаще всего используют полиамидокислоты — продукты конденсации ангидридов тетракарбоновых кислот ароматического ряда с ароматическими диаминами, известны и кремнийсодержащие полиамидокислоты [42]. Полиамидокислоты в растворах неустойчивы и склонны к гидролизу. Изучению их синтеза и свойств посвящено большое число работ. При нагревании они претерпевают внутримолекулярную циклизацию, приводящую к образованию имидных циклов в цепи полимера. Полиимиды отличаются высокой термостойкостью, отличными механическими, электроизоляционными, а также пленкообразующими свойствами. При реакции полиимидов с основными аминами (этилендиамин, гидразин) происходит рециклизация, сопровождающаяся разрывом полимерной цепи, вследствие чего резко повышается растворимость полимера. [c.190]

Оборудование для очистки печатных плат на всех этапах технологической обработки построено по агрегатному принципу. Оно состоит из типовых унифицированных секций, отличающихся видом щеток, их количеством и давлением, оказываемым на поверхность платы, а также составом раствора, поступающего на щетки и обрабатываемую поверхность. Секция А (рис. 39) имеет щетки только с одной стороны, которые удаляют заусенцы, оксидную пленку и тонкий слой меди. С обратной стороны плата прижимается стальным роликом. Секция Б производит очистку с помощью нейлоновых щеток с обеих сторон с участием моющей жидкости. Две одинаковые секции В с помощью щеток и чистой воды удаляют щеточную и металлическую пыль, промывают платы от моющей жидкости. При использовании рассматриваемого оборудования на операции удаления фоторезиста на щетки подается соответствующий растворитель, например керосин с эмульгатором, и давление щеток ослабляется для того, чтобы не повредить металлический рисунок. [c.126]

Растворяя подвергнутый действию света полимер, получают рельефное изображение фотографируемого объекта. Этот принцип используется в полиграфии для изготовления пластмассовых или металлических (с помощью травления кислотой) матриц, а также в радиоэлектронике для изготовления микромодульных элементов печатных схем. Фоторезисты, не обладая в отличие от других светочувствительных материалов зернистой структурой, позволяют получать рельефное изображение с разрешающей способностью, измеряемой нанометрами (молекулярный уровень). [c.272]

На лабораторных занятиях студенты знакомятся с современными способами изготовления печатных плат (ПП) и протекающими при этсм химическим и электрохимическими процессами. При анализе физико - химических процессов большое внимание уделяется теоретическим основам химического меднения, активации поверхности, особенностям применяемых растворов, получению защитного рельефа, в том числе использования различных фоторезистов [c.50]

Сама смола обладает слабокислыми свойствами и растворима в щелочных растворах, но сенсибилизатор исходно нерастворим в воде и защищает пленку. Однако инденкарбоновая кислота, образующаяся при облучении, будет растворяться в щелочном проявителе, поэтому вся освещенная пленка будет растворена, а нерастворенной останется пленка на неэкспонированных участках. Два важных негативно работающих фоторезиста зависят от фотополимеризации, а не от изменения растворимости полимера, как описано в последнем абзаце. Фотополимеризацию можно классифицировать в зависимости от того, требует ли каждое увеличение относительной молекулярной массы своей собственной фотохимической стадии активации или большое число стадий термической полимеризации происходит после поглощения кванта света. [c.257]

Поливиниловый спирт используется в фотолитографии на его основе готовятся фоторезисты (гл. ХП, 8 и 9). Для поливинилового спирта характерны все свойства спиртов. В присутствии минеральных кислот он реагирует с альдегидами, образуя поливинилацетали. Спиртовые растворы поливинилацеталей используются как высококачественные клеи, например, для изготовления безосколочного стекла (триплекс) и в смеси с резольной фенол-формальдегидной смолой (как клей БФ). На основе поливинилацеталей готовятся высококачественные электроизоляционные эмальлаки (винифлекс), которые используются для приготовления эмалированных (обмоточных) проводов. Винифлекс был впервые разработан Всесоюзным электротехническим институтом имени В. И. Ленина. [c.387]

В настоящее время для получения люминофорной мозаики на экране цветного телевидения почти исключительно пользуются фотопечатью. Для этого приготовляют суспензию люминофора данного свечения в водно-спир-товом 2—4%-ном растворе поливинилового спирта (см. гл. XIII, 5), содержащем 0,4—0,8% (ЫН4)2Сг207. Суспензию распределяют по экрану поливом. Цокрытие сушат, засвечивают через фотографически полученную маску определенные места ( точки ) фоторезиста, затем удаляют с незащищенных мест фоторезист с люминофором (проявление). Процесс повторяют для люминофоров другого цвета свечения, закрепляемого таким же фотолитографическим методом на других участках ( точках ) [c.459]

Исследования, проведенные с фоторезистом, в состав которого входят 12 компонентов, показали, что в растворах NaOH (раствор снятия) и КагСОз (раствор проявления) происходит его растворение в технологическом процессе и загрязнение промывных вод. Установлено, что при увеличении кислотности раствора до рН=2-3 происходит полимеризация компонентов фоторезиста и его эффективное извлечение, причем в присутствии СОз процесс протекает более эффективно. Время флотации составляет 3-5 минут. Положительное влияние на процесс оказывают ионы меди (II), железа (II и III), алюминия (III), олова (II), кальция и магния. [c.54]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

Литографические свойства резиста определяются рядом факторов (гл. I). Полимеры для негативных фоторезистов обычно линейны, их ММ 10 —10 . Из их растворов в летучих растворителях формируют на подложке пленки микронной и субмикроннон толщины. Необходимо, чтобы светочувствительный компонент поглощал в области эмиссии используемого источпика света, а изменение физико-химических свойств пленки, требуемое для создания различий в свойствах экспонируемых и пеэкспонируемых участков в расчете на 1 квант света, было как можно большим, так как оба фактора определяют время экспонирования. Полимерный рельеф должен иметь хорошую адгезию к подложке, чтобы исключить подтравливание краев при последующих операциях травления подложки (растворами сильных кислот или щелочей), а также уменьшить пористость слоя. [c.13]

Предложены характеристики невзаимозаместимости и фотографической широты [72]. Известна методика, определяющая свойства слоя по сенситометрической (характеристической) кривой. Она отвечает зависимости й — lgЯ, где й — толщина слоя, Н 1/3 — экспозиция, т. е. величина, обратная светочувствительности. Для негативных составов начальный момент возникновения фоторельефа — появление на подложке нерастворимой в проявляющем растворе пленки с минимальной толщиной 0,03 мкм — определяет пороговую чувствительность композиции (5пор). Часто оценивается также светочувствительность при рабочей толщине слоя, обычно 0,5 мкм [5о,5 см2/(Вт-с)]. Мерой интенсивности процесса служит коэффициент контрастности — тангенс угла наклона прямолинейного участка характеристической кривой (он может принимать значения от единиц до нескольких десятков единиц). Эта методика разработана для определения интегральной и спектральной чувствительности негативных и позитивных фоторезистов. На ее основе получают ряд параметров, характеризующих фототропизм слоя [73]. [c.47]

Проявление двухкомпонентных позитивных фоторезистов осложняется набуханием не сильно потому, что алкилноволаки, конорые образуют основную часть слоя, ннзкомолекулярны и растворяются в основаниях послойно с минимальным набуханием поверхностного слоя. Это одна нз причин, по которой у позитивных фоторезистов хинондназидного типа достигается высокое разрешение. Оптимальная концентрация проявителя определяется скоростью растворения экспонированного резиста при разных концентрациях оснований. [c.51]

Из приведенного материала следует, что триплетная сенсибилизация для 2-диазо-1-нафталинона по меньшей мере бесполезна, если желательно повысить квантовый выход кетена и соответственно инденкарбоновой кислоты. Известно, что введение триплетных сенсибилизаторов— кетона Михлера, бензофеноиа, трифенилена — в раствор 2-дназо-1-нафталинона в бензоле или хлороформе с небольшими добавками спиртов, а также в пленку нафтохинондиа-зидного фоторезиста А2-1350 не влияет на скорость распада хинондиазида [37]. Изучая сенсибилизацию красителями фотораспада 2-диазо-1-нафталинона и его замещенных (фрасп = 1-Ь 3 % ), авторы нашли, что наиболее эффективны красители с малым энергетическим барьером 5 — Г в твердой матрице, склонные к переносу электрона механизм сенсибилизации сложен и требует выяснения [26]. [c.74]

В подавляющем большинстве хинондиазидных фоторезистных композиций полимерным компонентом служат НС [41]. Они кислотостойки, растворяются в щелочах, гидрофобны. У новолаков, получаемых из смеси крезолов и используемых в композициях фоторезистов, 500900, Мч /Мп А — 70, температура [c.79]

Образовавшиеся при фотолизе хинондиазидов замещенные инденкарбоновой кислоты способны при нагревании декарбоксилироваться, участки слоя с введенными в иего производными индена теряют способность растворяться в щелочах. Тем самым создается возможность обращения материала — превращения позитивного слоя в негативный. Модификация обработок слоя позитивного хииоидиазидного резиста для создания негатива позволяет получить лучшее разрешение и меньшее число дефектов в негативе, чем в случае слоя на основе собственно негативных резистов. Кроме того, позитивные фоторезисты менее чувствительны к кислороду, чем негативные, что упрощает технологию. Наконец, использование обращаемой системы избавляет от необходимости иметь запас реактивов и материалов для различающихся по материалам и обработкам собственно негативных и позитивных композиций. [c.89]

На основе эфиров о-нитробензилового спирта и его производных могут быть получены светочувствительные пленкообразующие полимеры и сополимеры с различными свойствами. Примеры таких систем, включающий полициклические, гетероароматические и замещенные о-нитробензильные соединения и сополимеры их эфи ров с ненасыщенными кислотами, приведены в пат. США 3849137 и пат. ФРГ 2150691. На подобной основе разработан также и пленочный фоторезист [пат. ФРГ 2922746]. Его получают, например, из сополимера 40 ч. о-нитробензилакрилата, 54 ч. метилметакри-лата, 1 ч. акриловой кислоты и 1 ч. азодиизобутиронитрила, добавляя пластификатор и черный краситель. Экспонированная часть несколько выцветает, что обеспечивает хороший цветовой контраст. Проявляют водно-органическим раствором триэтаноламина. Резист хорошо выдерживает травление кислотой, растворами РеС1з, СиСЬ и (МН4)23208, а также в щелочах он может быть использован и как гальванорезист. [c.101]

В СССР и других странах выпускаются серии фоторезистов ФН-5ТК, KPR, KPR-II, П1, IV, KPL, Way oat I , FPR, TPR, OPR, S R и проч., являющихся 10—20 %-ными растворами в органических растворителях поливинилциннаматов с ММ 100000— 200000, включающими сенсибилизатор. Другие добавки, как правило, не вводятся. В самом полимере допускается присутствие ацетатных групп, степень этерификации спирта 60—100 %. Негативные поливинилциннаматные фоторезисты очень стойки в агрессивных средах, обладают адгезией практически к любым подложкам, отличаются малой чувствительностью к уровню освещенности при экспонировании. Их разрешающая способность после травления в пределах 200—600 линий мм [23]. [c.163]

Отличительная черта поливинилциннаматных фоторезистов, в большой степени определяющая внимание к ним эксплуатационников, это — стабильность свойств [24] при длительном (более года) хранении как растворов, так и слоев, получаемых, например, на алюминии и меди. Как указывалось ранее, азидсодержащие составы разрушаются при нанесении на медь, а диазосмолы реагируют с алюминием, поэтому хранение таких форм или печатных плат малоцелесообразно. [c.163]

Композиции обладают хорошей стабильностью при хранении добавка 0,01—5 % стабилизатора (аминонафталина, о-метилгидро-хинона, фенотиазина и др.) увеличивает их стабильность. Для повышения кислотостойкости вводят соли с катионами Zn +, А1 + Mg +, Са2+, Fe2+ или Fe +. Проявителем служит 0,05%-ный раствор NaOH. При использовании этого фоторезиста легко достичь хорощей воспроизводимости растровых точек — высоколиниатурнык растр воспроизводится практическ11 полностью, [c.170]

Недостатком циннамалиденацетатных фоторезистов является невозможность их длительного хранения в растворах и слоях происходят темновые реакции структурирования, сопровождающиеся образованием гелей. [c.173]

В настоящее время составы фоторезистов, в которых под действием света проходит циклодимеризация полимерного компонента, продолжают использоваться в производстве печатных плат и полупроводниковых приборов. Особенно следует отметить их применение в защитных масках печатных плат, создаваемых под пайку навесных элементов из олова или свинца. Это, а такл<е их использование в двухслойных вариантах светочувствительных покрытий способствует сохранению устойчивого интереса к циклодимеризую-щимся системам. Число патентных разработок последних лет в этой области фоторезистов невелико, однако теоретическое изучение фотоциклодимеризации в растворах и слоях проводится довольно интенсивно, что позволяет надеяться на создание новых ценных композиций фотодимеризующихся резистов. [c.177]

Смотреть страницы где упоминается термин Фоторезистов растворы: [c.29] [c.106] [c.368] [c.10] [c.19] [c.66] [c.86] [c.100] [c.147] [c.149] [c.155] [c.162] [c.171] [c.191] [c.193] [c.198] [c.202] [c.279] [c.279] [c.279] [c.120] [c.122]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология