Атомность остатков

Расчеты показывают, что, вообще говоря, значения Qa близки к числу валентных электронов va атома А. Так как заряд атомного остатка компенсируется зарядом валентных электронов, то при Qa>va около атома А концентрируется отрицательный заряд, при Яа< а —положительный. Таким образом, вычислив все Qa, можно установить распределение зарядов в молекуле. По этому распределению оценивают дипольный момент молекулы, химические сдвиги в спектрах ЯМР, некоторые характеристики реакционной способности молекулы и др. [c.51]

До сих пор мы рассматривали электронные спектры молекул, образующиеся в результате квантовых переходов электронов молекулы. При этом пространственные расположения ядер (или атомных остатков) считались неизменными. В действительности же в газовой и жидкой фазах молекула имеет вращательные степени свободы, т. е. может менять свою ориентацию в пространстве, а также колебательные степени свободы, допускающие изменения расстояний между ядрами. Вращения и колебания молекулы подчиняются законам квантовой механики. [c.142]

Ц-. При этом для упрощения снова воспользуемся удаленностью друг от друга молекул А и В. Согласно классической теории электричества, группа точечных зарядов, далеко отстоящая от данной точки, создает в этой точке почти такой же потенциал, какой создают все заряды, сконцентрированные в одной точке, расположенной примерно в середине системы. Это свойство характерно и для системы частиц,, подчиняющихся законам квантовой механики. Поэтому если молекулы А и Б далеко отстоят друг от друга, то энергию взаимодействия заряда ядра атома (или атомного остатка) еь одной молекулы с электронами, расположенными около ядра а другой молекулы (которая строго описывается интегралом 1—еь/г1ь . > с суммированием по всем АО [c.187]

Если химическое взаимодействие между молекулами (или между ионами) велико, то в качестве структурных единиц жидкости иногда могут фигурировать атомные остатки, т. е. атомные ядра и прочно связанные с ними электроны внутренних оболочек. Такие жидкости могут быть расплавленными металлами они могут быть сходны с жидкими галогенидами щелочных металлов и их структура может напоминать строение жидкого аргона с той лишь разницей, что энергия взаимодействия между атомными остатками на два — три порядка больше, чем энергия связи атомов аргона. [c.99]

Следует выделить случай простого проявления этого взаимодействия в виде электростатического. В этом случае молекулы состоят из частей с противоположными знаками заряда (ионов). Этот вид связи (гетерополярная связь) проще, чем гомеополярная, при которой прочность молекулы определяется электрическим взаимодействием между движущимися электронами и атомными остатками и кинетической энергией электронов. [c.590]

Полный потенциал V (г) представляет собой сумму двух частей электрод статического потенциала, обусловленного неподвижными атомными остатками, и потенциала, обусловленного всеми остальными внешними электронами. Блох предположил, что плотность заряда, создаваемая этими электронами, имеет одно и то же среднее значение в каждой ячейке кристалла и, следовательно, также является периодической функцией. Такое предположение удовлетворяет требованию электронейтральности и грубо учитывает электрон-электронное Отталкивание. Таким образом, по Блоху, полная потенциальная энергия V (л)= [c.83]

Алмаз, кремний и германий имеют одинаковую симметрию (см. гл. I), которая расщепляет шесть Зр-состояний на атом таким образом, что верхняя -заполненная зона представляет собой гибридную (8 — р)-зону с четырьмя электронами на атом. Это именно то число, которое обеспечивает полное размещение всех электронов, внешних по отношению к атомным остаткам с замкнутыми оболочками. Следующая разрешенная зона (см. рис. 56) начи- [c.127]

За нулевую энергию часто принимается энергия состояния, соответствующего удалению на бесконечное расстояние друг от друга атомного остатка и внешнего электрона. В этом случае энергия основного состояния равна потенциалу ионизации атома, взятому с обратным знаком. Очевидно, что энергии возбуждения всех состояний не зависят от начала отсчета. [c.34]

Термы атомного, остатка [c.699]

Возникает вопрос, каков механизм явления, позволяющий возбудить собственные инфракрасные колебания молекулы, воздействуя на нее светом гораздо более высокой частоты Ведь обычный механизм воздействия света на молекулу состоит в действии электромагнитной волны, представляющей свет, на электрические заряды (электроны и атомные остатки, иногда ионы), составляющие молекулу. Под действием поля световой волны заряды молекулы раскачиваются (вынужденные колебания). При этом свет высокой частоты (видимый, или ультрафиолетовый) мон<ет воздействовать лишь на легкие электроны. Тяжелые атомные остатки под действием высокой частоты могут раскачиваться лишь крайне слабо. Для того, чтобы сообщить им заметную энергию, надо воздействовать на них светом низкой частоты, т. е. инфракрасным. [c.23]

PaaVab+PbbVba) = Е (АВ) кулоновское притяжение между электронным облаком одного атома и зарядом атомного остатка другого атома [c.58]

Рассмотрим самый простой случай, когда в реакции, участвуют два реагента. Для того чтобы произошла реакция, необходимо сближение реагентов, при котором изменяются расстояния между всеми их ядрами. Решение точного уравнения Шредингера для системы, состоящей из реагентов, ра- зумеется, невозможно. Расчет системы можно проводить в адиабатическом приближении, решая уравнение Шредингера для электронов при разных задаваемых значениях координат адер. Если, к полученной электронной энергии прибавить энергию отталкйвания ядер (илн атомных остатков), определим энергию для каждого набора координат ядер. Поскольку расчет проводится в адиабатическом приближении, [c.175]

Выше мы отметили, что моделью почти свободных электронов можно пользоваться, если ряд, содержащий фурье-компоненты Vg [см. уравнение (160)], быстро сходится. Такая сходимость в общем случае представляется правдоподобной при рассмотрении волновых функций вне атомных остатков и неправдоподоб- [c.124]

Химическая инертность и оптические спектры атомов инертных газов указывают на то, что их электронные оболочки являются полностью заполненными. Потенциалы ионизации служат количественной мерой прочности связи электронов с атомным остатком. Для инертных газов кинетическая энергия, вычисленная по закону равнораспределения, становится сравнимой с потенциалом ионизации только при температурах около 100 000° поэтому при всех температурах, используемых в обычных условиях, термическая ионизация этих атомов исключена и можно считать, что они ведут себя примерно так, как это предсказывается теорией дпя упругих шаров. Атомы инертных газов ближе других отвечают модели таких гипотетических шаров, постулированной в кинетической теории газов. Поэтому их поведение можно сравнить с тем поведением, которого следует ожидать, исходя из сумм но состояниям, вычисленным с помощью квантовой теории. Пусть масса атома равна т, вырожденность — g, а изучаемая система содержит N атомов одного и того же сорта, свободно движущихся при температуре Т в объеме V. Тогда, как было показано в гл. VIII, сумма по состояниям имеет вид [c.331]

Важнейышми функциями (<ошмическими функциями ) в органической химии являются атомные остатки Г- (галоген), -О- (окси), -М (металл), -S- (сера) [c.411]

Для нао основной интерес представляет внешний (оптический) электрон о переходами которого связан спектр излучения атома. ilTOM без оптического электрона называется атомным остатком (" ore"). Обозначив состояние атомного остатка (7 L s ) и оостоя1 ие оптического электрона п1, можно записать терм в рме [c.30]

При расчёте к необходимо учитывать, что оператор У не действует на спиновые первмвшше и на переменные атомного остатка. Используя формулы из (1), получим [c.43]

Na. Атом натрия в основном состоянии имеет электронную конфигурацию ls 2s 2p 3s, которой соответствует один терм S. Сериальная граница состояний ls 2s 2p S)nl расположена на 41 449,65 см" выше нижнего уровня этого атома. Состояния s 2s 2p S)nl состоят из дублетных термов L = /. Термы, возникающие при возбуждении электронов атомного остатка, расположены на 265 ООО см" выше основного состояния S и поэтому не рассматриваются в настоящем Справочнике. [c.892]

Состояния. ..55 5р ( 5)п/ состоят из дублетных термов с = /. Термы, возникающие при возбуждении электронов атомного остатка, имеют энергии возбуждения свыше 130 ООО сж -и поэтому не рассматриваются в Справочнике. [c.895]

Для ряда наиболее важных ионных лазеров в данном разделе приводятся энергетические диаграммы основных переходов. Причем обозначение электронных конфигураций, уровней и термов атомных остатков соответствует таблицам [2]. Все длины волн на рисунках приведены в нанометрах (нм). Шкалы энергии даны в обратных сантиметрах (слева) и в электронвольтах (справа). В этих же единицах приведены ионизационные потенциалы лазерных ионов (и. п.). Лазерные переходы, для которых возможны различные идентификации, вместо сплошных линий на рисунках обозначены штрихами. [c.698]

Спектральные исследования ароматических молекулярных систем показывают, что экспериментальные результаты можно удовлетворительно интерпретировать, если предположить, что поглощение в таких системах в близкой ультрафиолетовой области обусловлено возбуждением лищь наиболее слабо связанных 1Х-электронных оболочек молекулы. В связи с этим в быструю подсистему адиабатического приближения войдут лишь несколько я-электронов, количество которых обычно достигает десятка и составляет, грубо говоря, лишь шестую часть всей электронной системы молекул. Атомные остатки, состоящие из ядер и сильно связанных с ними внутренних электронов, следует отнести к медленной подсистеме. [c.45]

Механизм возбуждения молекулярных колебаний при явлении комбинационного рассеяния совершенно иной. Свет высокой частоты, воздействуя на электронную оболочку молекулы, меняет ес конфигурацию. Но эта конфигурация определяет силы, удерживающие атомы в равновесном состоянии друг около друга. Изменение электронной конфигура-цигт вызывает смещение атомных остатков, которые таким образом приходят в колебание с частотой, свойственной молекуле (собственной частотой). Это колебание атомных остатков в свою очередь может воздействовать на электронную конфигурацию, упрочняя или расслабляя ее, в зависимости от взаимного располоншния атомных остатков. Если это имеет место, то интенсивность рассеянного света, которая зависит от легкости, с которой поддается электронная оболочка вынуждающему действию световой волны высокой частоты, будет меняться с периодом, совпадающим с периодом собственного колебания молекулы. Такое периодическое изменение интенсивности рассеянного света, или, как говорят радиоснециа-листы, такая модуляция света эквива.лентна изменению его частоты. По- [c.23]

Здесь следует также указать па возможность крекинга предельных газов под действием жестких излучений бомбардировки атомными остатками и ускоро 1пыми элементарными частицами и облучения у-лу-чами. В связи с расширением источников жестких излучений исс,ледование подобных процессов приобретает также известный практический интерес. Одной из существенных проблем является установление условий, при которых продукты крекинга не дают не затухающих быстро вторичных излучений. Представляет интерес также выяснение химического влияния па протекание крекинга нестабильных атомоподобных образований тина .-мезоатомов, открытых в недавнее время. Время жизни, например, мезоатомов, в которых электрон заменен отрицательным х-мезоном, составляет сек., т. е. близко по величине к времени жизни радикалов, играющих основную роль нри крекинге. [c.55]

НИЛ, карбоксил, амино- и амидогруппы. В результате реакции имплантации ведут к сильным изменениям свойств поверхности полимера. Например, полимер из гидрофоба превращается в гидрофил. Плазменная обработка часто используется для улучшения адгезии и смачиваемости полимерных материалов. В ходе эксперимента [65] ПЭ-пленка обрабатывалась азотной плазмой и ее поверхность исследовалась с помощью РФС (внутренние уровни С 1з и N 1з). Исходная полимерная пленка дает резкий и симметричный спектр внутреннего уровня С 1з, пик которого появляется на 285 эВ, тогда как спектр N 1з отсутствует. Однако после плазменной обработки пленка дает асимметричный спектр С 1з с хвостом до более, чем 285 эВ и сильный спектр внутренней оболочки N 1з. Сравнение этих спектров показывает, что азотной плазменной обработкой на поверхности пленки получили функциональные черты, связанные с азотом. Подобным образом, кислородная плазменная обработка приводит к формированию на поверхности ПЭ некоторых функциональных особенностей, связанных с кислородом [66]. Очевидно, что плазменная обработка имплантирует атомные остатки в поверхностные слои полимерных материалов. Моноксид углерода, диоксид углерода, моноксид азота, диоксид азота и аммоний применяются в качестве плазменных газов для гидрофильной модификации поверхности. Плазменной обработкой успешно модифицировались ПП, ПЭ, ПС, ПЭТФ, каучук и другие полимеры (но ж ПЭ). Детали процесса имплантации описаны в литературе [67]. [c.218]

Пусть на электрон, находящийся в постоянном электростатическом поле и (х, у, г) (например, в поле атомного остатка одновалентного атома), действует внешнее однородное магнитное поле Н = onst, направленное вдоль оси Z. Согласно формуле Н = rot А (с. 6 гл. П), для векторного потенциала А можно взять компоненты в виде [c.200]

Смотреть страницы где упоминается термин Атомность остатков: [c.53] [c.464] [c.33] [c.47] [c.48] [c.58] [c.58] [c.97] [c.120] [c.162] [c.97] [c.123] [c.129] [c.16] [c.34] [c.43] [c.59] [c.59] [c.894] [c.894] [c.698] [c.160] [c.102]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология