Темп охлаждения

Графики изменения температуры калориметров, полученные в опытах и записанные на ленте потенциометра, обрабатывали затем с целью определения темпа т = — (пй)/(3т охлаждения калориметров в каждом опыте. Для этого кривые перестраивали в полулогарифмических координатах lg в — т. Полученные таким образом графики во всех случаях представляли собой прямые линии с постоянным углом наклона, тангенс которого равен темпу охлаждения [c.150]

Как показал Г. М. Кондратьев [Л. 1-8], при отсутствии температурного скачка на границе между наружной поверхностью бикалориметра и окружающей средой, т. е. при а—сю, и при малых градиентах температуры в ядре бикалориметра по сравнению с градиентом температуры в слое жидкости темп охлаждения т и коэффициент теплопроводности связаны следующим уравнением, принятым, в рассматриваемом случае как расчетное [c.97]

Большое влияние на реологические свойства нефтей при термообработке оказывает темп охлаждения. Важное значение имеют и условия охлаждения в статике или в динамике. [c.71]

Эта скорость т, 1/с, называется темпом охлаждения (нагрева). Величина т зависит от физических свойств тела, его формы и размеров, коэффициента теплоотдачи а. Теория регулярного режима разработана Г. М. Кондратьевым. Ее основное содержание составляют две теоремы. [c.148]

Теорема устанавливает пропорциональность между темпом охлаждения т и коэффициентом температуропроводности а материала однородного тела при высокой интенсивности теплоотдачи (коэффициент теплоотдачи а оо) [c.149]

Легко видеть, что при а - О или В - О (практически В < <0,1) распределение температуры в теле будет зависеть лишь от его размеров и физических свойств, поэтому (0 — 1) = (0 — ) и г ) = 1. При а - оо или Вг - оо (практически В1 > 100) благодаря большой интенсивности внешнего теплообмена температура на поверхности стремится к температуре окружающей среды, (0 — ) - О и г ) = 0. Г. М. Кондратьевым было показано, что в этом случае между темпом охлаждения Шсо и температуропроводностью тела а существует следующее соотношение [c.322]

Если кинетические кривые и функции распределения в каждом из этих опытов достаточно хорошо совпадают друг с другом, то предлагаемым методом определения кинетических параметров кристаллизации можно пользоваться. После каждого эксперимента из общего числа кристаллов отбирают случайным образом не менее 15 проб, которые затем фотографируются. После фотографирования определяются размеры кристаллов на этих фотографиях, доля кристаллов определенного размера, с помощью которых затем строятся функции распределения. Фотографирование можно проводить с помощью микрофотонасадки типа МФН-12, смонтированной на поляризационный микроскоп типа МИН-8. По полученным фотографиям определяют распределение кристаллов по размерам (объемам). Таким образом, в результате проведенных экспериментальных исследований становятся известны кривые изменения концентрации, равновесной концентрации, температуры раствора в ходе процесса, функции распределения кристаллов по размерам в некоторых последовательных временных точках. Так, на рис. 3.19 представлены функции распределения кристаллов щавелевой кислоты по объемам в различных временных точках. Эксперименты проводились при различных начальных концентрациях, температурах раствора при различных темпах охлаждения и чис- [c.303]

Нумерация кривых 0 = /(т) (см. рис. 2) соответствует вариантам кривых i=f(r) и х = 1(х), приведенных на рис. 1. Наибольшая интенсивность паровыделения имеет место при максимальном темпе охлаждения (см. рис. 2), т. е. при резком снижении температуры в первом варианте захолаживания массы кокса. При наибольшем паровыделении на 45 с процесса тушения, составляющем 102,33 кг/с, скорость движения пара в устье вытяжной трубы тушильной башни диам. 4,7 м составляет [c.31]

Если на указанной прямой взять два момента времени Т1 и Та и соответствующие им значения избыточной температуры калориметра 1 и 2, то темп охлаждения вычисляется по следующему уравнению [c.25]

При а = оо значение темпа охлаждения т становится прямо пропорциональным коэффициенту температуропроводности тела (первая теорема Кондратьева) [c.26]

Прибор заполняется исследуемой жидкостью и присоединяется к пережимным сосудам. Гидравлическим прессом создается требуемое давление и устанавливается стационарное тепловое состояние при температуре опыта. Затем внутренний цилиндр в течение 1,5—г2 мин нагревается до некоторой избыточной по сравнению с внешним цилиндром температуры. Далее подогреватель выключался и начиналось самопроизвольное охлаждение внутреннего цилиндра. При опыте давление в приборе измерялось образцовыми манометрами, а температура— набором лабораторных термометров с ценой деления 0,1° С. Темп охлаждения внутреннего цилиндра определялся по шкале гальванометра, к которому приключена дифференциальная термопара. [c.101]

Поэтому в то время как со снижением температуры стенки темп охлаждения газов монотонно возрастает, темп конденсации с некоторого момента остается прежним. Наступление состояния критического пересыщения для теплообменника данной конструкции при неизменных скоростях газов зависит от температуры газов и стенки. [c.222]

Экспериментальное определение темпа охлаждения. В регулярном режиме изменение величины 1п во времени носит линейный характер (рис. 2.13). Это позволяет легко обнаружить в эксперименте наступление регулярного режима и при условии фиксации температуры в произвольной точке тела для двух моментов време- [c.149]

Для определения местных тепловых потоков в модели из изолятора делают металлические вставки (рис 8.32). Перетоки теплоты между вставками можно существенно снизить, если помимо применения изоляции размеры вставок выполнить пропорционально ожидаемым значениям местных коэффициентов теплоотдачи. При этом темпы охлаждения для всех вставок будут одинаковы п соответственно будут равны их температуры (т). Полученные значения тепловых потоков относят к начальной разности температур. [c.425]

Рпс. 79. График сравнения темпов охлаждения слитков, выращенных в вакууме 2) и в среде аргона (/) [c.223]

Для определения влияния эффекта смачивания внешней поверхности термосифона (эффекта мокрого термометра) был поставлен сравнительный эксперимент. Обнаружено, что при равных тепловых нагрузках при пленочном увлажнении и обдуве воздухом температура внешней поверхности термосифона снижалась до 5-6°С по сравнению с температурой сухой стенки. При увлажнении зон конденсации термосифонов в условиях верхнего распыливания жидкости и активного воздушного вентилирования в градирне следует ожидать снижения температуры в зоне конденсации за счет внешнего испарения пленки. Это приведет к увеличению теплопереда рщ й способности термосифонов и доохлаждению воды дополнительно на 3-4°С. Были проведены эксперименты с двухфазным термосифоном из нержавеющей стали с длиной Ь = 4,30 м (2/ё = 32,5). Масса заправки двухфазного термосифона дистиллированной водой составляла 0,5 кг. Нижний конец двухфазного термосифона размещался в термостате с нагретой водой (1в= 84°С), а верхний конец охлаждался в условцях свободной конвекции. В ходе экспериментов определялся темп охлаждения нагретой воды, а мощность двухфазного термосифона составляла л 200-300 Вт. При скоростях движения воздуха 1 -3 м/с, имеющих место в градирнях вентиляторного типа и теплообменниках на термосифонах и тепловых трубах, мощность термосифона существенно возрастает. [c.249]

Величина т называется темпом охлаждения. Заметим, что темп охлаждения является постоянной величиной для всех точек тела, т. е. не зависит от их координат и времени, а зависит лишь от интенсивности теплообмена тела с окружающей средой, его физических свойств, геометрической формы и размеров. Для нахождения т достаточно измерить температуры тела 0 и 0" в произвольной точке тела в два фиксированных момента времени т, и То [c.321]

Начальная температура блока составляла 150-160 °С. Темп охлаждения блока в состоянии покоя составлял (1Т [c.595]

Представленные кривые позволяют оценить характер изменения температуры кристалла в процессе его охлаждения. Так, например, для контейнера с координатой г = 20, 5 см (термопара 8) в интервалах значений жо(—11 - —9 см) и (Оч- + 4 см) темпы охлаждения составляют 0,55-10 и 1,2-10 град/см соответственно. Анализ данных показывает, что осевые составляющие градиентов температуры в кристалле в точках с координатами 2, равными 16,5 17 и 20,5 град/см при жо = О не будут превышать 43 45 и 49 град/см, соответственно. Оказалось, что непосредственно за фронтом роста температура кристалла возрастает с увеличением высоты (дх/ду > > 0). Однако после дальнейшего перемещения контейнера распределение температуры меняется на обратное (дх/ду < 0). То есть вертикальная составляющая градиента температуры меняет свой знак по мере движения контейнера с выросшим монокристаллом. [c.116]

Сравнение формул (6-16) и (6-17) показывает, что наличие тепловой нагрузки в виде теплоемкости приводит к замедленному темпу охлаждения в начальный период. Первые два члена разложения (6-17) совпадают с соответствующими членами разложения для случая охлаждения пластин от источника постоянной производительности, равной уво — Кд [24]. [c.92]

Уравнение (6-23) дает возможность проследить влияние параметров Big и т)2 на величину б , определяющую в основном темп охлаждения. Представляет интерес случай, когда значение Bij либо т) велико, тогда температура горячего спая мало меняется со временем. Оказывается, что при большой теплоемкости т]а рост теплоотдачи Big приводит к увеличению 6j и, следовательно, темпа охлаждения. Влияние изменения теплоемкости T)j йа корни уравнения (6-23) при большой теплоотдаче Big имеет менее тривиальный характер. Можно [c.96]

Повышение скорости циркуляции раствора до 0.5 и 1.0 м/сек. уменьшает разницу в размере кристаллов, полученных при различных режимах охлаждения. Этот факт объясняется тем, что с повышением интенсивности движения раствора возрастает и скорость образования кристаллических зародышей [ На этом фоне изменение второго фактора, определяющего скорость возникновения новых зародышей, а именно темпов охлаждения раствора, уже в меньшей степени влияет на процесс кристаллизации и на конечный размер кристаллов. [c.218]

Добавление в раствор кристаллов в большем количестве (Р >5%) приводит к тому, что средний размер частиц в продукте уже практически не зависит от темпов охлаждения раствора и оказывается больше его значения по сравнению с кристаллизацией без затравки. Причем средний размер получаемых кристаллов оказывается довольно близким к его значению для затравочных кристаллов. Это объясняется тем, что присутствие в растворе сильно развитой кристаллической поверхности способствует быстрому снятию пересыщения уже в момент его возникновения частично на рост затравочных кристаллов, а главным образом на образование новых центров кристаллизации 20-22] увеличении интенсивности охлаждения, а следовательно, и пересыщения при кристаллизации, с одной стороны, возрастает скорость роста затравочных кристаллов, а с другой — еще в большей степени увеличивается скорость образования новых зародышей. Оба фактора, по-видимому, перекрывают друг друга в интервале испытанных значений 0, поэтому изменение скорости охлаждения и связанное с этим изменение пересыщения раствора не оказывает заметного влияния па величину d,.p получаемых кристаллов. [c.219]

В настоящем исследовании этому вопросу было уделено особое внимание. Было установлено, что истирание кристаллов возрастает с увеличением скорости циркуляции, а также времени пребывания кристаллов в аппарате, которое увеличивается при уменьшении темпов охлаждения. Кроме того, механическое истирание кристаллов возрастает также и при увеличении их содержания в суспензии. [c.219]

При охлаждении такого растнора наблюдается несколько иная картина (рис. 76, 2). Понижение температуры от а до 6, как и в случае чистого вещества, происходит примерно равномерно. Затем из раствора начинают выделяться кристаллы одного из вещести. Так как температура отвердевания раствора ниже, чем чистого растворителя (см. с. 161), то это произойдет ниже точки отвердевания чистого вещества. При этом состав жидкости будет изменяться, вследствие чего температура ее отвердевания непрерывно понижается. Но выделяющаяся при кристаллизации теплота замедляет темп охлаждения поэтому, начиная с точки Ь, крутизна линии уменьшается. Наконец, наступает момент (точка с), когда раствор делается насыщенным относительно обоих компонентов. Тогда они начинают кристаллизоваться одновременно. Поэтому отвердевание жидкости, начиная с точки с, происходит пр/1 постоянной температуре на кривой охлаждения появляется горизонтальный участок ей. После отвердевания всей массы (точка й) охлаждение возобновляется (кривая с1е). [c.256]

После остановки тушильного вагона и закрытия дверного проема насосом 30 подают тушильную воду в оросительное устройство, применяя преимущественно импульсное орошение, прерывистым, пульсирующим потоком воды. При этом уменьшается количество тушильной воды, так как тушение кокса осуществляется главным образом в атмосфере водяного пара, сокращается время контакта воды с коксом и снижается темп охлаждения кусков, что способствует уменьшению тре-щинообразования и повышению прочности кокса без большого изменения общего времени, требуемого для охлаждения. Кроме того, импульсное тушение улучшает условия конденсации, обеспечивая более равномерное поступление образующегося пара к струйным каскадам. [c.32]

В рассматриваемых опытах время охлаждения Дт изменялось в зависимости от температуры и давления опыта от 20,3 до 194,3 сек и соответственно темп охлаждения Шизм от 0,0506 до 0,0053 сек. [c.101]

По методам, основанным на теории регулярного теплового режима (см. п. 2.4.2), обтекаемое тело сначала изолируют от потока жидкости и газа и перегревают (пли переохлаждают) по отношению к температуре жидкости. В момент времени, принимаемый за начало отсчета, тело приводят в контакт с потоком. Тепловой поток через поверхность теплообмена создается за счет аккумулированной в теле теплоты. Предполагается, что вся теплота передается исследуемой жидкости. Производят запись изменения во времени температуры тела по показаниям термопар. Определяют темп-охлаждения m=d[ln(i—t и)]/dr (для регулярного теплового режима характерно т = =сопз1, причем значения т одинаковы как для тела, так и для заложенного в него измерителя температуры, обладающего в общем случае другой тепловой инерцией). При значениях модифицированного числа Био В1 = ай/Я<0,04, в котором в качестве масштаба длины используется параметр 1 = = КР1У (где /С — коэффициент формы тела, для тел простейших форм значения К при-ведены в п. 2.4,3, методы экспериментального определения описаны в [62]) неравномерностью температуры в теле по сравнению [c.425]

Л1М, с углом наклона конической части 30---45°. Выращивание монокристаллов осуществляли на промышленных печах в вакууме [133,3 кн/м lO (10 мм рт. ст.)] и в атмосфере инертного газа с избыточным давлением среды 30—40 кн м (0,3—0,4 ат). Эффективность экрана оценпвали непосредственным сопоставлением плотности дислокаций в кристаллах, полученных в различных тепловых условиях. Кроме того, при выбранных параметрах выращивания в двух-трех кристаллах измеряли температуры, используя при этом методику, изложенную в главе V. Из опытных данных определяли темп охлаждения слитка [см. (V.6)]. Сравнением этих величин, полученных для кристаллов, выращенных в различных условиях, можно было установить эффективность теплового экранирования, т. е. по скорости охлаждения слитка оценить увеличение или уменьшение теплообмена кристалла с окружающей средой. [c.220]

Критическое пересыщение связано с запаздыванием начала кристаллизации по сравнению с моментом образования пересыщенного раствора (период индукции) [4]. Общепринятого определения понятия период индукции до настоящего времени нет. Взаимосвязь Скр—Ср с периодом индукции Тинд и скоростью создания пересыщения в периодическом процессе изогидрической (т. е. по-литермической с неизменным количеством растворителя) кристаллизации (при охлаждении раствора) показана на рис. 6.4. В первом квадранте процесс изображен в координатах концентрация С — температура ( и нанесены примерно параллельные зависимости Скр и Ср от температуры. В том же квадранте приведена рабочая линия процесса — от начальной точки 1 до момента начала гомогенной кристаллизации в точке 2 и окончания процесса в точке 3. В квадранте IV показан темп охлаждения раствора, на рисунке постоянный. По равновесным линиям квадранта I и линии охлаждения в квадранте IV с помощью вспомогательного квад- [c.326]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология