Схематическое изображение элементов

Рис. 11.3. Схематическое изображение гальванического элемента Якоби — Даниэля

Рис. 15.2. Схематическое изображение нити, образующейся при подпленочной коррозии стали показано возникновение элемента дифференциальной аэрации, вызывающего разрушение

Для того чтобы элемент можно было перезаряжать, электродные продукты должны оставаться вблизи электродов и допускать обратное превращение при зарядке элемента. Примером такого элемента является свинцовый аккумулятор, схематически изображенный на рис. 19-7. В качестве анода в нем используется пластина из пористого свинца, и когда свинец [c.169]

Рис. 13.23. Схематическое изображение элементов ситовидной трубки и клетки-спутницы, как они выглядят на продольном срезе в электронном микроскопе. Если ситовидная трубка повреждена, например пасущимся животным, то в ней быстро откладывается дополнительное количество каллозы, закрывающей поры в ситовидной пластинке и тем самым предотвращающей утечку из флоэмы ценных растворенных веществ.

При схематическом изображении гальванического элемента граница раздела между металлом и раствором обозначается вертикальной чертой, граница между растворами электролитов — двойной вертикальной чертой. Например, схема гальванического элемента, в [c.176]

Рис. 42. Схематическое изображение строения простых молекул элементов 2-го периода

Рис. 1.17. Схематическое изображение элементов структуры полимерной цепи (карбоцепной полимер), участвующих в мелкомасштабных движениях (y -, V> Р-процессах) и проявляющих сегментальную подвижность (а-процесс).

Наиболее распространенный тип коррозии — ржавление железа. Этот процесс может зависеть от множества факторов, но здесь мы рассмотрим лишь несколько наиболее важных из них. Железо (или сталь) особенно сильно подвержено коррозии, так как его поверхность обладает высокой реакционной способностью и имеет гетерогенное строение. В электрохимическом отношении железо представляет собой довольно сильно электроположительный элемент по сравнению с водородом, кислородом и другими составляющими атмосферы. Поэтому железо обладает свойствами анода по отношению к примесям, ненапряженным участкам поверхности и другим точкам катодного характера на поверхности металла. Электродные реакции, чаще всего происходящие в процессе ржавления железа и схематически изображенные на рис. 16.13, описываются уравнениями [c.298]

Схематическое изображение элемента Вестона дано на рис. IX. 16. Достоинство элемента состоит в том, что его э. д. с. имеет вполне определенное значение, постоянное во времени и мало и закономерно меняющееся с температурой. Зависимость э. д. с. насыщенного нормального элемента НЭ-65 класса 0,005 (ГОСТ 5.514—73) от температуры дается уравнением Е = Е2о- 0,0000406 (/ - 20) - 0,00000095 (< - 20) + 0,0000001 (I - 20) В, [c.555]

Стандартная э. д. с. элемента равна стандартному электродному потенциалу правого электрода минус стандартный электродный потенциал левого электрода (имеется в виду схематическое изображение элемента) [c.198]

Рис. 6,4. Схематическое изображение элементов симметрии октаэдрического комплекса.

Предложенное соглашение о знаках и схематическое изображение ячеек и полуэлементов не только облегчают эти расчеты, но наглядно иллюстриру[от реальные направления протекающих в них электрохимических реакций и позволяют без каких-либо дополнительных сведений судить, связано ли это с самопроизвольно происходящими процессами или с форсируемыми извне. Обобщая изложенное и исхэда из того, что в потенциометрии почти всегда будем иметь дело с гальваническими элементами, э,д.с. которых следует изгиерять, надо запомнить следующие правила [c.132]

СХЕМАТИЧЕСКОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ [c.269]

Рис. 2.2. Схематическое изображение расположения локальных элементов на поверхности металла

Схематическое изображение процессов, происходящих при нитевидной коррозии, представлено на рис. 15.2. Анализами показано [14], что головка нити пополняется сравнительно концентрированными растворами солей двухвалентного железа. Поэтому именно на этом участке нити имеется тенденция к абсорбции воды из атмосферы. Кислород также диффундирует через пленку, и поэтому на границе раздела между головкой и основной частью нити, а также по периметру головки достигается (относительно поверхности металла) более высокая концентрация кислорода, чем в центре головки. Образуется элемент дифференциальной аэрации, в котором катодами (где происходит накопление ионов ОН ) являются все участки соприкосновения пленки с металлом, [c.256]

Однако независимо от направления написания схемы указанной ячейки, если электроды в ней внешне замкнуть накоротко проводником первого рода, то единственно возможной электрохимической реакцией будет изображенная уравнением (5.2). Это означает, что лишь это направление реакции соответствует электрохимическому процессу, реально происходящему в ячейке при самопроизвольной ее работе. Следовательно, только схематическое изображение (5.2.1) состоятельно для гальванического элемента, э.д.с. которого является мерой работы превращения химической реакции в электрическую. В потенциометрии всегда имеем дело с гальваническими элементами, э.д.с. которых подлежит измерению. Если же в гальваническом элементе [c.126]

Во всех случаях при схематическом изображении электрохимических ячеек (вне зависимости от того, гальванические ли они или электролитические) левосторонним полуэлементом должен быть тот, в котором протекает электрохимический процесс окисления, а правосторонним тот, в котором идет процесс электровосстановления. При этом в гальванических элементах электроду в левостороннем полуэлементе придают знак (-), а электроду в правостороннем полуэлементе знак (+). При форсируемых извне электрохимических реакциях, т.е. в электролитических ячейках, хотя полуэлементы имеют обратное расположение [c.127]

ХП.6. СХЕМАТИЧЕСКОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА [c.136]

На рис. 19.3 схематически изображен гальванический элемент, в котором используется окислительно-восстановительная реакция между Zn и Н [c.208]

Схематическое изображение этого топливного элемента приведено на рис. 19.8. Электроды выполнены в виде полых трубок из пористого спрессованного угля, пропитанного катализатором электролитом служит КОН. Топливный элемент работает до тех пор, пока в него не прекратится подача реагентов. [c.221]

Строить схематические изображения гальванических элементов и электролитических ячеек, указывая в них анод, катод и направления движения ионов и электронов, а также знаки электродов. [c.235]

Для получения спектров в далекой УФ-области (длины волн от 0,8-10- —3,3 10- м) применяют вакуумные спектрографы. Вакуумирование необходимо потому, что в этой области спектра поглощают молекулы многих газов и паров, входящих в состав воздуха. На рис. 7.20 дано схематическое изображение вакуумного спектрофотометра ДСФ-31 со спектральным диапазоном в далекой УФ-области 1,6—3,3-10 м и дифракционной решеткой, выступающей в качестве диспергирующей системы. Регистрация спектра в нем осуществляется фотоэлектрическим способом. Прибор рассчитан на определение в анализируемых пробах таких легких элементов, как углерод, фосфор, мышьяк, сера и др. [c.178]

Рис. 1.2. Атомные спектры некоторых элементов (схематическое изображение).

Рис. 27. Схематическое изображение периодической системы элементов Д. И. Менделеева

Схематическое изображение элементов, ответственных за регуляцию инициации транскрипции, осуществляемой с помощью РНК-полимеразы Е.соИ (гл. 3) и трех эукариотических РНК-полимераз. РНК-полимераза I (poll) транскрибирует гены рибосомных РНК. Ее работа зависит от двух элементов, один из которых находится в окрестности точки инициации транскрипции (нуклеотид + 1), а другой на расстоянии от нескольких сотен до нескольких тысяч пар нуклеотидов до транскрибируемого гена. РНК-полимераза II (pol II) транскрибирует гены, кодирующие полипептиды и некоторые РНК. Ее работа зависит от нескольких сложно организованных регуляторных элементов, одни из которых находятся на расстоянии не далее 100 нуклеотидов от точки инициации транскрипции, а другие-на расстоянии от 300 до 20000 п. н. слева от этой точки в некоторых случаях важные регуляторные элементы находятся также в самом транскрибируемом гене или за ним (заметим, что интроны и один из экзонов расположены так же. как на рис. III.1.). РНК-полимераза III (роММ) транскрибирует гены, кодирующие транспортные РНК, 5S-pPHK и другие низкомолекулярные РНК. [c.8]

Схематическое изображение перекрывания атомных орбиталей и молекулярные орбитали двухатомных молекул элементов второго периода показаны на рис. 42 на рис. 43 приведены значения числа [c.76]

Образующие атомные ядра частицы (нейтроны и протоны) часто объединяют под названием нуклонов (III 3). Схематическое изображение состава атомных ядер различных элементов показано заштрихованной полосой на рис. XV1-11. Как видно из рисунка, соотношение между числом нейтронов [А—Z) и числом протонов (Z) по мере увеличения атомного номера (Z) возрастает. Иначе говоря, ядра тяжелых атомов относительно более богаты нейтронами. То обстоятельство, что. состав ядер выражается не линией, а полосой, обусловлено наличием изотопии. [c.508]

Схематическое изображение перекрывания атомных орбиталей и молекулярные орбитали двухатомных молекул элементов второго периода показаны на рис. 42 на рис. 43 приведены значения числа связей (совпадение с рис. 40), межъядерного расстояния Го(к ) и энергии связи (кДж/моль), причем опять наблюдается обратная связь между Го и . [c.78]

Строение валентной оболочки элементов принято изображать с помощью символической записи электронов в виде точек. При таком схематическом изображении остов атома условно указывается символом данного химического элемента, а его валентные электроны—соответствующим числом точек, окружающих этот символ. Например, для водорода используется запись Н, а для гелия —Не . Схематические изображения всех элементов группы А1 отличаются только своими остовами Ка% К% КЬ- и С8% та.к как атомы этих элементов обладают валентными оболочками с одинаковым строением. Схематические изображения электронного строения элементов с порядковыми номерами от 3 до 10 имеют следующий вид [c.93]

Рис. 1.29. Схематическое изображение элементов типичной системы для препаративной ЖХ. Стрелки указывают поток элюента в циркуляционном методе.

Схематическое изображение элемента opia представ-лерю на рис. 37.2 данные, характеризующие его структуру, приведены в табл. 37.1. Элемент имеет протяженность, равную 5000 пар оснований, и содержит идентичные прямые концевые повторы из 276 пар оснований. Каждый из прямых повторов заканчивается сходными инвертированными повторами. В сайте интеграции образуется прямой повтор из 5 пар оснований ДНК мишени. Среди известных сайтов внедрения общая последовательность не выявлена, хотя региональная предпочтительность, свойственная некоторым бактериальным транспозонам, вероятно, может существовать. Дивергенция между отдельными членами семейства opia [c.474]

Широкое применение вихретоковые преобразователи нашли в виброметрии. Контроль вибращш можно осуществлять как контактным способом (рисунок 3.3.8, а, б), так и бесконтактным (рисунок 3.3.8, в). При контактном способе измерения параметров вибращш используется сейсмическая масса 8 из электропроводящего материала (рисунок 3.3.8, а). В некоторых конструюдаях (рисунок 3.3.8, б) измерительная обмотка преобразует колебательные движения промежуточных элементов За, к которым прикреплены пружины 10, в электрический сигнал, что позволяет значительно увеличить чувствительность преобразователя. На рисунке 3.3.8, в схематически изображен преобразователь, который может быть использован как дтя контактного, так и для бесконтактного контроля. В первом случае измерительная обмотка контролирует колебания сейсмической массы, во втором сейсмическая масса застопорена винтом 9 и осуществляется бесконтактный контроль колебаний электропроводящего объекта 3 [41]. [c.129]

Для определения сопротивления раствора редко измеряют его фактическую величину. Гораздо удобнее определять константу гальванического элемента , что осуществляется путем измерения сопротивления гальванического элемента в растворе с точно известной удельной проводимостью. Очень часто для этой цели применяют раствор хлористого калия (КС1). Сопротивление раствора обычно определяют при помощи хорошо известного моста Витсто-на, схематически изображенного на рис. 39, [c.193]

С другой стороны, при схематическом изображении электрохимической ячейки, работающей самопроизвольно как гальванический элемент и составленной из двух полуэлементов в стандартных условиях, ио ни 15ДИН из которых не является с.в.э., не обязательно, чтобы знаки полуэлементов совпали со знаком электродньгх потенциалов. Например, при общей электрохимической реакции в галььаничео1Сом элементе [c.130]

Примечание. Вертикальные линии в схематически изображенных электрохимических ячейках представляют собой поверхность раздела двух фаз, где имеет место возникновение скачка потенциала. Если при расчетах э.д.с. элемента учитываются разности потенциала на этих границах, то они обозначаются одними вертикальными линиями. Если же ставятся двойные линии, то разность потенциала на этой границе в общей э.д.с. элемента не принимается в расчет. Обычно это может быть на поверхности раздела двух жидких фаз (диффузионный потенциал), где, однако, можно создать гакие условия, чтобы скачок потенциала был пренебрежительно мал по сравнению с общей величиной э.д.с. элемента, вызванной в основном скачками по- тенциала на поверхности раздела жидкой и твердой фаз. Для этой цели чаще всего применяются электролитические ключи (мостики из стеклянной трубки, заполненные раствором электролита, ионы которого имеют практически одинаковую подвижность, например хлорид калия), с помощью которых контактируют две жидкие фазы. [c.133]

Устройство, схематически изображенное на рис. 6.1, называют гальваническим элементом, а каждый из сосудов, содержащий раствор и платиновую пластину, — электродом или полуэлемеитом, хотя собственно электродом часто называют платиновую или другую пластину, служащую проводником электронов. При проведении реакции в гальваническом элементе химическая энергия превращается в электрическую. Электродвижущая сила ЭДС гальванического элемента может быть измерена с помощью потенциометра. Она непосредственно характеризует способность электронов данного восстановителя переходить к данному окислителю. [c.105]

Схематическое изображение изотермического варианта прибора, работающего по методу точек кнпепия, принедено на рис. 2.7. Основной элемент прибора — узкая длинная кварцевая трубка, в запаянном ко1Н1е которой находится навеска исследуемого вещества, а рядом имеется небольшое углубление для одного из горячих [c.47]

При схематическом изображении гальванического элемента границу между металлом и электролитом, через которую идет ток при замь1кании элемента, обозначают вертикальной сплошной линией, а границу между двумя растворами (жидкостное соединение), через которую также идет ток, — вертикальной штриховой. Буква М символизирует металлический провод, [c.478]

Генезис последовательного набора электронных конфигураций элементов Системы можно представить себе как процесс последовательного заполнения вакансий около ядер в ряду постепенно повьш[ающихся их зарядов при соблюдении принципа стремления к минимуму энергии, т. е. при заселении сначала наиболее глубоких по оси энергии уровней. Однако для уяснения строения Системы и длин ее периодов полезно сначала обратиться не к энергетическим, а к геометрическим представлениям, воспользовавшись таблицами условных орбитальных радиусов, вычисленных в 1965 г. Уобером и Кромером, а в 1967 г. также Е. Клементи. На рис. 1 ось ординат взята в интервале радиусов не от О до 2,5А, аотОдо 20Л, из-за чего масштаб мал, но зато видна схематически изображенная область незаселенных (или заселенных возбужденными электронами) отрезков орбитальных линий, которую обычно в учебниках не приводят, хотя она весьма поучительна. На рис. 1 дана далекая экстраполяция в область неполученных еще на практике элементов. [c.11]

На рис. 4.7 приведены схематические изображения бнореакто-ров, реализующих рассмотренные выше различные принципы ввода энергии и перемешивания среды. В представленных схемах основные функциональные элементы включены в реакционный объем аппарата. Согласно другому направлению создания биоре- [c.197]

Рассматриваемый прибор был создан Л. П. Филипповым для измерения теплопроводности электролитов, в том числе и электропроводящих, относительным методом цилиндрического слоя [Л. 1-48]. Схематическое изображение этого прибора дано на рис. 1-12. Исследуемая жидкость заполняет цилиндрический слой 1 между внешней 2 и внутренней 3 стеклянными трубками. Во внутренней трубке диаметром около 2 мм и длиной 8 см помещен нагревательный элемент 8 из константановой проволоки диаметром 0,1 мм, намотанной бифилярно на фарфоровую соломку толщиной 1 мм. В конце трубки 3 имеется спай медно-константановой термопары, провода которой выводятся сквозь каналы в фарфоровой соломке. Весь прибор погружен в ртуть 5, термостатируемую потоком жидкости в стеклянной рубашке б. В ртути находится второй спай 7, вместе со спаем 4 образующий дифференциальную термопару, [c.67]

Гидриды заданного состава получают прямым синтезом из элементов, точно регулируя количества компонентов. Соответствующий прибор, предложенный в работе [6] для синтеза аммиакатов, схематически изображен на рис. 327. Аналогичный прибор был использован при исследовании гидридов различных металлов [7]. Прибор состоит из реакционной трубки / нз стекла дюран, снабженной отводом с краном для впуска Нг высокой чистоты и съемной приставкой 3 для измерения давления по ртутному манометру 7, [c.1165]

Для прямого синтеза из элементов используют прибор, схематически изображенный на рис. 399. Он состоит из струбцины 2, в которой укреплена разъемная трубчатая печь 3 с находящимся в ней автоклавом J. Корпус автоклава 10 с крышкой 8 изготовлен из высококачественной стали, лайнер 11 с крышкой 9 — из тантала. Исходную смесь, состоящую из красного фосфора высокой чистоты, взятого с 150%-ным избытком, и порошка плутония (приготовленного гидридным методом), помещают в лайнер 11, закрывают крышкой 9 и вставляют в автоклав. Автоклав закрывают крышкой с ножевым уплотнением, снабженным медным кольцом 12, и зажимают в струбцину 2. При этом для компенсации термического расширения используют сегментные шпонки 5 и 7, а также керамические теплоизоляторы 5, располагая их в последовательности, показанной на рис, 399. На автоклав надевают трубчатую печь 3, нагревают до 600—700 °С в течение 5 ч и охлаждают. Открывают крышку 8, извлекают таиталовый сосуд 11 и открывают крышку 9, для чего устанавливают круглый стальной брусок на середину крышки и, сильно ударяя молотком по бруску, прогибают ее внутрь. Полученный порошок РиР переносят в танталовую лодочку и отгоняют фосфор в потоке аргона прн 300 °С. Для повышения плотности продукта чистый РиР прессуют в холодном состоянии в таблетки и спекают прн 1850°С в аргоне высокой чистоты в течение 2 ч. [c.1403]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология