Индекс смещения

При взвешивании коромысло весов в некоторый момент останавливается. На матовом экране возникает изображение участка микрошкалы с двумя —тремя оцифрованными штрихами, ни один из которых не совпадает с отсчетным индексом, нанесенном на экране. Оператор поворачивает рукоятку 7 до тех пор, пока ближайший к индексу оцифрованный штрих микрошкалы не совпадет с индексом. Смещение изображения участка микрошкалы достигается при повороте оцифрованного барабана за счет одновременного поворота плоскопараллельной пластины. В результате на матовом экране против отсчетного индекса оказывается изображение оцифрованного штриха микрошкалы дополненное цифрами, нанесенными на оцифрованном барабане. Кинематическая связь между поворотом барабана и отклонением плоскопараллельной пластины выполнена таким образом, что цри полном обороте барабана пластина смещает изображений на матовом экране на одно оцифрованное деление. Таким способом расстояние между соседними штрихами микрошкалы удается разделить на 10, 50 или 100 частей. [c.42]

Предложенный в работе [76] для быстрой предварительной классификации органических соединений по масс-спектрам параметр, названный индексом смещения ионных серий 5= (где 1т — интенсивности пиков обычного спектра в % [c.95]

Связь между величиной 5, определенной таким образом, и спектрами ионных серий очевидна, хотя и не обсуждается в работе [33]. Индекс смещения ионных серий рассчитывается по совокупности 14 значений 1т по уравнению, сходному с (4.6) [c.97]

Задание адреса с помощью базового регистра и смещения имеет два преимущества по сравнению с непосредственным указанием его в команде. Во-первых, уменьшается длина команды, так как вместо 24 двоичных разрядов для адреса памяти в команде используется 16 (4 разряда базовый регистр и 12 разрядов — смещение). Во-вторых, обеспечивается независимость программы от ее положения в памяти. Действительно, изменяя содержимое базового регистра (базовый адрес), можно загружать программу и данные в любую область памяти без дополнительной переработки программы. Содержимое регистра индекса позволяет изменять адреса операндов в процессе выполнения программы и не влияет на начальную загрузку. [c.173]

Индекс вне скобки указывает на семейство характеристик, вдоль которого производится смещение точки к и дифференцирование. Если точка к смещается по направлению касательной к характеристике второго семейства, то приращения (6Г1)2 и (бГг)2 равны [c.115]

Последовательность выполнения работы. 1. Поместить спектрограмму вверх эмульсией на столик компаратора под левый микроскоп так, чтобы линии в спектре излучения СМ сходились влево. Переместить спектрограмму винтом с левой стороны столика компаратора так, чтобы в поле зрения левого микроскопа была бы видна верхняя часть спектра. Ослабить винт под столиком компаратора в левой части и, перемещая столик вручную, проверить, не смещается ли по вертикали изображение спектра в левом микроскопе. Если наблюдается смещение спектра, то повернуть на небольшой угол планку, на которую опирается НИЖНИЙ край спектрограммы. Установить четкое изображение спектра в поле зрения левого микроскопа маховичком фокусировки. Установить четкое изображение индекса в поле зрения микроскопа вращением муфты окуляра. Вновь подкорректировать изображение спектра и индекса. [c.68]

Здесь индексы они сверху показывают, для какой акустической величины (напряжения или смещения) берется К- Согласно задаче 1.1.1 амплитуда напряжения (давления) связана с амплитудой смещения соотношением а = игш, где ш — круговая частота, z — волновое сопротивление среды (стали). Формулы для /Си и Ки можно найти по соотношениям, приведенным в [4], они равны [c.74]

Оптическая схема микрофотометра МФ-2 дана на рис. 88. Свет от лампы накаливания 1 направляется конденсором 2 через поворотную призму <3 на нижний объектив 4, через который освещается небольшой участок фотопластинки 5, расположенной на горизонтальном столике микрофотометра. Верхний объектив 6 дает при помощи экрана 7 изображение участка спектра на экран < . В середине экрана 8 расположена вертикальная щель переменной ширины. Свет, пройдя через эту щель, попадает на вентильный фотоэлемент 9, который соединен с зеркальным гальванометром 10, установленным на задней части корпуса микрофотометра. Гальванометр 0 служит для измерений фототоков, возникающих при освещении фотоэлемента световыми потоками, прошедшими через фотопластинку 5, Отсчет показаний гальванометра 10 производится таким образом. Свет от тон же лампы / через конденсор II падает на зеркальце 12 гальванометра /0 после отражения от него системой зеркал 13 и 14 направляется на экран 15. Объектив 16 дает на экране 15 изображение шкалы 17, которая расположена в средней части конденсора 11. Смещение изображения шкалы на экране 7 относительно индекса пропорционально углу поворота зеркальца 12 гальванометра 10. Так как угол поворота зеркальца пропорционален интенсивности светового потока, прошедшего через данный участок пластинки, то эта интенсивность будет пропорциональна смещению шкалы. [c.233]

Усовершенствование дифракционной аппаратуры обоих типов (фотографической и дифрактометрической) привело к полной или почти полной автоматизации экспериментальной части структурного исследования. При фотографической технике регистрации используются автоматические микроденситометры — приборы, в которых производится измерение степени почернения пятен лот-снятой и проявленной рентгеновской пленки с одновременным определением координат каждого пятна, а следовательно, и его дифракционных индексов. Прибор работает с управляющей вычислительной машиной, которая не только дает распоряжения о смещениях столика [c.77]

На наш взгляд новым и перспективным методом повышения ресурса сварных элементов со смещением кромок является наложение дополнительных валиков с заданными характеристиками, обеспечивающими достаточную работоспособность при последующей эксплуатации оборудования. На рисунке 7 даны различные варианты наложения дополнительных валиков, которые обуславливают ту или иную механическую неоднородность. На этом рисунке 7 индексы Ш, ОМ, ЗТВ, Шу соответственно означают принадлежность параметра к шву, основному металлу, зоне термического влияния и шву усилительного дополнительного валика. В литературе недостаточно сведений по оценке ресурса таких сварных соединений, имеющих смещение кромок, мягкие и твердые участки (прослойки). [c.10]

Для того чтобы выразить прирост потенциальной энергии, связанный с небольшими смещениями от равновесных положений, необходимо знать всего лишь две силовые постоянные. Пользуясь прежними обозначениями и отметив индексом 1 центральный атом, получим [c.454]

В режиме идеального смещения движущая сила во всем объеме аппарата одинакова и постоянна, т. е. и (индекс [c.251]

Как известно, грани положительной тригональной призмы на полярной диаграмме скоростей роста кристалла кварца соответствует седловая точка в сечении хг ей соответствует минимум, тогда как в сечении, перпендикулярном к оси г,— резкий максимум. Это обстоятельство приводит к неустойчивости этой грани. При малейшем отклонении от точной ориентировки, соответствующей кристаллографической плоскости (1120), на ней появляются ступеньки граней других индексов. Обычно образуются ступеньки сингулярных граней гексагональной призмы и граней положительной тригональной дипирамиды < + 5>. По мере нарастания кристалла такие грани образуют паразитные пирамиды На рис. 21 видно образование паразитных пирамид <+5> при наращивании кристаллов по плоскости (1 Г20) в щелочной и фторидной системах соответственно. Хорошо прослеживается укрупнение рельефа по мере роста вследствие слияния более мелких ступенек граней в более крупные. Видно также, что по мере нарастания основной грани <- -л > ступеньки < + 5> во фторидной системе испытывают значительное тангенциальное смещение, тогда как в щелочной системе такого смещения почти не наблюдается, что объясняется различием соотношений скоростей роста граней +х и +5 в указанных двух системах. [c.98]

Реально под числом шагов п подразумевается число отрезков времени фиксированной длины так что — это средний квадрат смещения частицы за время / = псЬ. Далее в обозначении этой величины предваряющий индекс п будет опускаться. [c.637]

В обозначениях пьезоэлектрических параметров используют буквенные и цифровые индексы. Верхний буквенный индекс указывает величину, постоянную при его определении Т - механическое напряжение, - деформацию, Е - напряженность электрического поля, О - диэлектрическое смещение. Индексы 5 и Г относятся к электрическим параметрам, Е и О - к механическим. Первый нижний цифровой индекс характеризует направление электрического поля, второй - механического напряжения. [c.121]

Рассмотрим движение ядер в гармоническом приближении. Обозначим эффективную потенциальную функцию для ядер просто Ф. Функция Ф относится к конкретному электронному состоянию. Отдельные ядра системы будем различать с помощью индексов й=1, 2,. .., п, где п — полное число ядер в системе. Обозначим массу ядра к через гпп, его -прямоугольные координаты —через Ха к) (а=1, 2, 3), а его смещение относительно положения равновесия х°а.(к)—через иа(А). [c.11]

Здесь А и 5 - амплитуды смещений частиц в падающей и отраженной волнах = со - волновое число (О - круговая частота индекс "О" соответствует падающей волне, штрих - отраженной. Знак у второго члена выражения для звукового давления является следствием того, что отраженная волна распространяется в отрицательном направлении оси х. Во второй среде существует только прошедшая волна [c.47]

Индекс показывает, что дифференцирование проводится в условиях постоянной величины смещения внешних границ, которые не свободны от приложенных напряжений. Уравнение (12.3) [c.341]

ГД6 Го,1 — вектор, определяющий положение узла идеальной кристаллической решетки, и(гои) — смещение тг-го атома из узла решетки Гоп- Подставляя (2.21) в (2.19) и опуская нижние индексы в обозначении вектора Гои, получим [c.22]

Здесь индекс О относится к начальным концентрациям бутенов, а индекс т—к концентрациям, соответствующим времени т. Таким образом, начальные участки кинетических кривых были аппроксимированы прямой линией. При этом вычисляемые оценки скоростей накопления реагентов будут смещенными, причем смещения зависят от скорости реакции. Чем более активно в химическом отношении реагирующее вещество, тем большее смещение будут иметь соответствующие константы скорости. В таблице приведены значения констант и их ошибок, полученные по данным планированного эксперимента и методом нелинейных оценок (МНО). [c.254]

Интересно сопоставить рассчитанные значения индексов смешения с характеристиками моделей смесей, приведенных на рис. VII. 1- Каждая смесь была получена заполнением 600 клеток в решетке из 5000 клеток [21]. На рис. VII.1, а изображена совершенно несмешанная система, в которой все 600 частиц объединены в один агрегат. На рис. VII. , г представлена идеально смешанная система, в которой координаты всех 600 частиц выбраны по таблице случайных чисел. Распределение частиц в промел<уточных смесях (рис. VII, б и в) получено смещением максимума нормального распределения к началу координат. [c.208]

Несомненный интерес для определения класса органических соединений по масс-спектрам имеют еще более сжатые формы масс-спектрометрической информации, в частности предложенный Дромеем в 1977 г. так называемый индекс смещения ионных серий [33]. Такой индекс представляет собой число, рассчитываемое исходя из обычного масс-спектра по следующей формуле [c.97]

Выключить мотор после смещения верхнего столика до деления 16, псшернуть винт редуктора в положение выключено и вращением маховичка 7 поставить индекс верхнего столика в положение О по шкале. 15. Закрыть шторку, нажав на кнопку 15. 16. Установить маховичком 9 изображение миллиметровой шкалы или спектра железа на белом экране. Вращением маховичка 7 последовательно устанавливать деления миллиметровой шкалы или отдельные, заранее выделенные линии в спектре железа, на входную щель за белым экраном. Установив нужное положение ннжнего столика, сделать паузу 5— [c.58]

Рис. П.10. Коэффициенты прозрачности по амплитуде смещения (с индексом и) и напряжения (с индексом о) для границы оргстекло (среда с индексом 1) — тонкий слой масла —сталь (с индексом 2), / —продольные, / — поперечные волны а)—из 2 в Г, б) — из 1 в 2. Сравнить с рнс. 1.14 Лц = =0"цц0 1и =0 1иг0 12п Ли= 0 111г "ш1 =

Степень окисления обычно характеризуют числом электронов, смещенных от менее электроотрицательного атома элемента (положительная степень окисления) к более электроотргщательному (отрицательная спепень окисления). Индекс О обозначает нулевую степень окисления (Н5, N5, О и т. п.) знаки +и — указывают на положительную и отрицательную степень окисления — связь поляризована. В отличие от обозначения зарядов ионов 1Ва +, (РО ) и т. п.] знаки + и — при обозначении степени окисления ставят [c.119]

Это позволяет рассчитать индексы линий в случае Tig О у. Если бы имело место триклинное искажение тетрагональной ячейки рутила без смещения узла ячейки в меж доузлие, то вместо одиночных линий рутила с индексами 110 101,200 и 111 должно появиться соответственно 2,4,2 и 4 линии на самом деле их больше. Особенно показателен случай первой из этих линий, довольно далеко отстоящей от других, что позволяет легко выделить соответствующую ей группу линий Ti g 0 7. В районе лииии 110 рутила имеются четыре яркие линии вместо двух. Это может служить указанием на то, что при преобразовании ячейки получаются нецелочис- [c.119]

Анализ индексов реакционной способности по координате реакции показывает, что положительный заряд на атоме углерода карбкатиона С, уменьшается, а отрицательный заряд на атоме С5 мономера возрастает. Дефицит электронов на а-углеродном атоме также постепенно возрастает за счет смещения 7Г-электронов двойной связи в направлении к атому С5. Суммарный заряд на противоионе Чо 1С1зОН) не претерпевает заметных изменений. Порядок двойной связи Сз=Сб уменьшается от 2 до 1. Одновременно ослабляется связь 0-С, (вплоть до разрыва) и формируются связи С -О и С -С Небольшое изменение положительного заряда на атоме С, карбкатиона и одновременное существенное ослабление двойной связи свидетельствуют о значительной роли перекрывания орбиталей на этой стадии взаимодействия. Очевидно, внедрение следующего мономерного звена осуществляется по вновь образованной ионной связи Сб 0, так как ее параметры (длина 0,142 нм, порядок 0,89) близки к параметрам исходной связи С1-О ионной пары. Условием внедрения должно быть планарное расположение атомов С , С5, Н4 и Н5. [c.91]

Природа а-, р-перехода кварца долгое время оставалось невыясненной. Однако в результате детального теоретического и экспериментального изучения этой проблемы в последние два десятилетия можно утверждать, что а-, р-переход кварца относится к типу так называемых переходов со смещением. Такого рода фазовые переходы хорошо исследованы для некоторых классов твердых тел, в частности, для сегнетоэлектриков, ферромагнетиков и так называемых ферроэлаотиков. При таких переходах происходит не кардинальная перестройка структуры, а лишь изменение ее симметрии в результате небольших смещений или (и) поворотов атомов. Обычно при понижении температуры более высокотемпературная и, как правило, более высокосимметричная модификация в результате потери устойчивости определенного типа присущих ей колебаний (так называемой мягкой моды ) скачком (фазовый переход I рода) или без скачка (фазовый переход И рода) уменьшает симметрию. Группа симметрии низкотемпературной фазы обязательно является подгруппой группы симметрии высокотемпературной фазы. В результате такого перехода кристалл может распасться на п закономерно ориентированных доменов (где п — индекс высокосимметричной группы по низкосимметричной подгруппе), В тех случаях, когда п равно 2, такие домены могут быть названы двойниками. Следует отметить, что такими доменами, на которые разбивается р-фаза при переходе в а-фазу [33], являются дофинейские двойники в кварце. [c.108]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология