Область кристаллизации

Для температурной области кристаллизации 300—400 °С отмечается обратная температурная зависимость коэффициента захвата примеси структурного алюминия от скорости роста. При более высоких температурах, вероятно, вследствие увеличения растворимости шихтового кварца и соответственно увеличения содержания алюминия в гидротермальном растворе с одновременным уменьшением концентрации коллоидальных комплексов интенсивность захвата алюминия в структурные позиции кристаллической решетки кварца возрастает. Кристаллы с заданной интенсивностью радиационной дымчатой окраски могут быть выращены на затравках, параллельных плоскости отрицательного ромбоэдра, при температурах 350—370 °С со скоростью 0,4— 0,6 мм/сут из растворов гидроокиси и карбоната натрия. Для проявления потенциальных центров окраски достаточно облучения от источника Со дозами порядка 1—3-10 . Для выращивания морионов необходимо вводить примесь алюминия в исходный шихтовый материал. [c.181]

I — низкотемпературная область II — полиморфный переход III — высокотемператур-пая область IV область кристаллизации V — расплав Л 2 — показатель преломления 3 — остаточное напряжение при сдвиге. [c.126]

По Кривым интенсивности полосы поглощения 720 см для парафинов (см. рис. 33) можно выделить следующие области фазовых превращений расплав, область кристаллизации, высокотемпературная твердая фаза, область полиморфного перехода и низкотемпературная твердая фаза. Появление твердой фазы фиксируется на рефрактометрических кривых по разрыву кривой, а область полиморфного перехода — по резкому изменению показателей преломления, характеризующих анизотропное твердое вещество. ИК-спектры углеводородов церезина 80 , не реагирующих с карбамидом, отличаются от ИК-спектров парафинов. Так, в ИК-спектрах поглощения этих углеводородов после начала кристаллизации наблюдается монотонное возрастание полосы интенсивности 720 см- , причем конец процесса кристаллизации в отличие от парафинов не фиксируется. Полоса 730 см-, а следовательно, и ромбическая структура, появляются сразу после начала кристаллизации, что свидетельствует об отсутствии высокотемпературной твердой фазы. Для этих продуктов выделяются следующие области фазовых превращений область П — одновременного существования аморф- [c.127]

Это привело к интенсификации исследований в области кристаллизации, поскольку без знания условий образования кристаллов (их чистоты, выхода), без надлежащего выбора растворителя невозможна реализация процесса. [c.89]

С и имеющую состав 91—93% антрацена. 1—3% фенантрена и 3— 6% карбазола. Как следует из кристаллизационной диаграммы системы (рис. 74), в областях кристаллизации I. III и V можно получить чистые компоненты, а в областях II и IV их получение невозможно. Путем кристаллизации трудно получить чистые вещества. [c.301]

В настоящее время не имеется достаточных исследований в области кристаллизации отдельных групп углеводородов и их смесей из растворов в жидких углеводородах и в различных растворителях. Этот важный с теоретической и в неменьшей мере практической точки зрения вопрос требует серьезного изучения. [c.202]

На рис. 43 показана проекционная диаграмма простейшей четырехкомпонентной системы с одной четверной эвтектикой. На гранях тетраэдра нанесены соответствующие проекционные диаграммы тройных систем, а от пограничных кривых тройных систем внутрь тетраэдра следуют пограничные поверхности четверной системы, отделяющие области кристаллизации различных фаз. При образовании четверных соединений области кристаллизации этих [c.91]

На этих сечениях можно изобразить поля кристаллизации фаз, которые образуются при пересечении такими плоскостями областей кристаллизации. Но при этом точки составов фаз могут и не попадать в данное сечение. [c.92]

Сопоставление изменений в положении пограничных кривых на различных разрезах позволяет судить об общих изменениях в положении областей кристаллизации. По существу здесь рассматривается влияние четвертого компонента на температуры ликвидуса тройных смесей и смещение полей кристаллизации. [c.92]

Еще большие трудности встречаются при изучении и построении диаграмм состояния пяти и более многокомпонентных систем. Построение сечений с постоянным содержанием двух или большего числа компонентов дает возможность проследить за одновременным влиянием двух, трех и т. д. компонентов на изменение ликвидуса и областей кристаллизации тронных систем. [c.93]

Кроме того, пологий ход кривых ликвидуса в области кристаллизации муллита приводит к тому, что при нагревании смесей, составы которых лежат между составом муллита и эвтектикой с 5102, быстро нарастает количество жидкой фазы. Поэтому во многих случаях глинозем в высококремнеземистых материалах играет роль плавня. [c.114]

Для построения пути кристаллизации соединяем заданную точку с составом первичной кристаллической фазы, т. е. лейцита, и продолжаем прямую до пограничной кривой, разделяющей области кристаллизации лейцита и калиевого полевого шпата. На пограничной кривой начнется реакция между кристаллами лейцита [c.136]

Составы, лежащие в поле кристаллизации муллита или шпинели, имеют более сложные пути кристаллизации. Пограничные кривые между областями кристаллизации сапфирина — шпинели и муллита — кордиерита инконгруэнтны, а инвариантная точка с температурой 1482° между полями шпинели, муллита и сапфирина является точкой двойного опускания. Поэтому пути кристаллизации расплавов могут проходить две тройные инвариантные точки и заканчиваться в третьей. Так, состав а, который относится к фазовому треугольнику сапфирин — муллит — кордиерит, будет иметь путь кристаллизации, проходящий через точку двойного подъема с температурой 1578° (шпинель — муллит — корунд), а затем через точку двойного опускания с температурой 1482° (шпинель — муллит — сапфирин) и заканчивающийся в точке двойного подъема с температурой 1460° (сапфирин — муллит — кордиерит). В точке двойного опускания (1482°) закончат кристаллизацию лишь составы, лежащие в фазовом треугольнике шпинель — сапфирин — муллит. [c.140]

Существуют еще три области кристаллизации однокомпонентных соединений ЗЮг, СаО и АЬОз. [c.143]

Наиболее легкоплавкие эвтектики примыкают к области кристаллизации анортита и геленита — это эвтектики с температурами плавления 1170, 1265 и 1310°. [c.143]

Состав а лежит в области кристаллизации анортита и принадлежит фазовому треугольнику анортит — волластонит — ЗЮг. Выделение первичной кристаллической фазы — анортита начинается при 1400° и идет вдоль линии анортит — точка а до пограничной кривой между анортитом и волластонитом. По пограничной кривой путь кристаллизации пойдет вверх к эвтектической точке с температурой плавления 1170° (точка температурного максимума на этой пограничной кривой лежит ниже, в точке пересечения ее с соединительной прямой анортит — волластонит). Кристаллизация расплава а заканчивается в эвтектической точке с выделением анортита, волластонита и тридимита. [c.143]

Расплав состава точки Ь тоже располагается в треугольнике Сз8—СзА—СгЗ, но в области кристаллизации двухкальциевого силиката. Первыми будут выпадать кристаллы а-Сг8, путь кристаллизации пойдет по продолжению прямой СаЗ—Ь, затем на кривой 4—3 будут совместно выпадать кристаллы а-Сг8 и Сз8. При достижении состава расплава и температуры точки 3 состав твердой фазы будет характеризоваться точкой к. В точке 3 кроме Сз8, частично реагирующего с расплавом, и а-Сг8, продолжающегося кристаллизоваться, начнет кристаллизоваться СзА. Состав твердой фазы будет изменяться от точки к до точки Ь. На этом кристаллизация полностью закончится. [c.149]

Из изложенного следует, что точка 9 — точка двойного подъема температуры. Кривая 11—12 является эвтектической, температура на ней падает в сторону увеличения содержания третьего компонента — в глубь диаграммы. Пограничная между областями кристаллизации СгАЗ и САг кривая И—13 пересекается соединительной прямой СгАЗ—САг в точке т, поэтому температура на участке т—11 падает от точки т к точке 11. Точка 11 — эвтектическая. [c.151]

Если кристаллическое вещество нагревать таким образом, чтобы зона расплава медленно двигалась вдоль пробы, то примеси будут концентрироваться в зоне расплава и двигаться вместе с этой зоной. Если повторять этот процесс достаточное число раз, то все примеси сместятся к одному концу и будет получено чистое кристаллическое вещество. Примеси с более низкой температурой плавления при кристаллизации основного вещества отходят от области кристаллизации. В одном из описанных приспособлений для очистки органических соединений этим методом материал помещают в вертикальную трубку, вдоль которой медленно движется вниз маленький кольцевой нагреватель, охватывающий трубку. Расплавленная зона движется ири этом синхронно с нагревателем. [c.27]

Методом Скрейнемакерса нами обработан ряд изотерм растворимости [7] с целью уточнения состава бинарного соединения — клатрата гидрохинона (Q) с метанолом. Одна из изотерм представлена на рис. 2. В табл. 1 для этой изотермы приводится мапшнная распечатка обработки по программе [4] экспериментально найденных координат точек растворимости и остатка хуУу и Зда) в области кристаллизации клатрата МеОН-Зр. [c.161]

Изложенные выше теоретические исследования в области кристаллизации твердых углеводородов имеют большое значение для регулирования процесса депарафинизации масел в смысле обеспечения надлежащего роста кристаллов, повышения скорости фильтрации и уменьшения содержания масел в гаче. Некоторые положения, основанные на этом материале, изложены ниже в разделе депарафинизации масел. [c.97]

Длина этих соединительных фибрилл может достигать 15 000 А при диаметре 30—300 А. Полагают, что они образуются из цепей, одновременно участвующих в кристаллизации двух соседних ламелей. В этом случае они могут состоять в основном из сильно выпрямленных цепей. Эти фибриллы несут значительную долю ответственности как за прочность сферолита, так и за межсферолитную прочность. Другим фактором, влияющим на механические характеристики кристаллизующихся из расплава полимеров, является происходящее при незначительном переохлаждении в процессе кристаллизации вытеснение из области кристаллизации низкомолекулярных фракций, которые концентрируются на поверхности сферолитов и в межламелярных аморфных областях [22]. [c.53]

Необходимо подчеркнуть, что пути кристаллизации в сечениях не могут строиться по правилам, действительным для трехкомпонентной системы. В четырехкомпонентной системе процесс кристаллизации прослеживается таким образом. Путь кристаллизации первичной кристаллической фазы идет по прямой от точки состава ее внутрь области кристаллизации этой фазы. Дойдя до пограничной поверхности, он продолжается по сложной кривой, лежащей на поверхности раздела областей кристаллизации двух фаз. Кривая образуется при пересечении пограничной поверхности плоскостью, проходящей через точку исходного расплава и точки составов сосуществующих на данной пограничной поверхности твердых фаз. Три твердые фазы будут выделяться по пограничной кривой, к которой примыкают области кристаллизации этих фаз. Закончится путь кристаллизации в четверной инвариантной точке. [c.92]

Четко оконтурены на диаграмме состояния системы НагО— АЬОз—SIO2 области кристаллизации двойных соединений ЫагО-ЗЮг, Ка20-2810г и кремнезема. Области кристаллизации муллита и р-глинозема намечены условно. [c.134]

Если атомы веществ А и В по их радиусам, строению электронных оболочек, энергиям связей близки друг к другу и поэтому могут заменять один другого в кристаллах, образующихся из расплавов (например, Ag и Аи), то возникают непрерывные (неограниченные) твердые растворы (см. гл. IV). Над кривой ликвидуса L (рис. 6) находится область расплава, под кривой солидуса S — область твердого раствора, между ними — область кристаллизации. Если охлаждать расплав, отвечающий по составу вертикали ФФ, до точки а , отвечающей температуре Тi, то начнут выпадать кристаллы состава bi. При охлаждении от точки до точки /Са кристаллы приобретают состав, отвечающий точке Ь , а расплав — точке aj. По мере охлаждения состав кристаллов изменяется по кривой >1 — 2 — 3. а состав расплава — по кривой — Oj — а а. В точке аз при расплав окончательно закристаллизуется. Отношение количеств выпаЕЩих кристаллов и расплава равно отношению отрезков Ка/КЬ по так называемому правилу рычага. Так характеризуется медленно протекающая кристаллизация в равновесных условиях, когда кристаллы успевают обмениваться веществом с расплавом и приближаются по составу к точке Ф. Если охлаждение идет быстро, то образуется механическая смесь кристаллов разного состава. Если удалить первые порции выделившихся кристаллов, то они окажутся обогащенными более тугоплавким компонентом В (например, золотом в системе Ag — Au). [c.36]

Рассмотрим один из сравнительно сложных путей кристаллизации, соответствующий расплаву а, точка состава которого лежит в области кристаллизации лейцита, но относится к фазовому треугольнику SIO2—К2О-АЬОз-6SIO2—КгО-45102- Путь кристаллизации должен закончиться в эвтектической точке с температурой плавления 710°. [c.136]

Эту диаграмму можно рассматривать как диаграмму простей шего типа (рис. 126Л), в которой треугольник АСВ заменен треугольником АНВ и дополнен полем НСВ равновесия твердых безводных солей и кристаллогидрата. Диаграмма в прямоугольных координатах (рис. 127 ) отличается от рис. 126 Б тем, что точка Н будет находиться не в бесконечности, а в точке, отвечающей концентрации С в кристаллогидрате. Поэтому область кристаллизации кристаллогидрата ограничена сверху линией Не, образующей не прямой, а тупой угол НеВ ), а области кристаллизации В и С разделены полем совместной кристаллизации В и И Н НеВ ). [c.327]

Как следует из данных рис. 5.12, соединительная прямая СаЗ—С5А3 пересекает пограничную кривую 7—S между областями кристаллизации этих соединений, поэтому температура на кривой 7—8 падает в обе стороны от соединительной прямой. [c.150]

Кривая 8—10 является эвтектической, поэтому температура на ней падает в сторону увеличения содержания третьего компонента— в глубь диаграммы. Кривая 8—9 разграничивает поля кристаллизации СгЗ и СА, расположена ниже соединительной прямой СгЗ—СА, поэтому температура на ней падает вниз, от точки 9 к точке 8. Таким образом, точка 8 — точка тройной эвтектики. Кривая п—9 является пограничной между областями кристаллизации СгЗ и СгА5, соединительная прямая СгЗ—СзАЗ пересекает эту пограничную кривую в точке п, поэтому температура на пограничной кривой падает от точки пересечения п вниз, к точке 9. Кривая 9—11 разграничивает поля кристаллизации СА и СзАЗ соединительная прямая СгАЗ—СА пересекает пограничную кривую, поэтому температура на ней падает в обе стороны от соединительной прямой. [c.151]

При кристаллизации эвтектического расплава диффузионное разделение жидкости на отдельные составляющие эвтектики приводит к ускоренному росту эвтектического цементита по сравнению с ростом первичных дендридов аустенита. Увеличение переохлаждения расширяет область кристаллизации эвтектики, так как скорость роста цементита превышает скорость образования и роста эвтектического аустенита. Это объясняется тем, что формирование последнего задерживается вследствие замедленной диффузии, т. е. эвтектический распад расплава с появлением механической смеси протекает быстрее, чем выпадение фаз, образующих эту смесь. Эта особенность эвтектической кристаллизации чугунных расплавов, богатых углеродом, расширяет область существования псевдоэвтек-тических структур. [c.52]

Растворимость 38- фосфатов натрия, калия и аммония в воде приведена на рис. 308. Однозамещенные фосфаты натрия более растворимы, чем двухзамещенные, а последние более растворимы, чем трехзамещенные. Области кристаллизации кристаллогидратов фосфатов натрия в системе МагО—Р2О5—Н2О при 25° показаны на рис. 309. [c.275]

Отложим пока анализ показателя т и вспомним, что для кристаллизации полимеров необходимо некоторое переохлаждение. Это обстоятельство не только сдвигает область кристаллизации влево по оси температур по сравнению с областью плавления, но и дополнительно расширяет ее (прежние причины размазывания фазового перехода также остаются в силе). Характер температурной зависимости скорости кристаллизации v можно понять из следующих соображений. При Т кристаллизация невозможна (и = 0). С увеличением степени переохлаждения ЛГ = rUj, — скорость V должна была бы все возрастать, но тут всту пает в игру другой фактор вязкость расплава, которая тоже резко возрастает с увеличением АГ. Но так как процессы нуклеации и роста кристаллов контролируются диффузией, а скорость диффузии звеньев или сегментов обратно пропорциональна вязкости, то это должно вызвать уменьшение V при увеличении АГ. Комбинация двух противоположных тенденций приводит к появлению колоколообразной кривой (рис. П1. 10), причем V обращается в нуль при и а максимуму соответствует примерно О.ВГпл правило Годовского [48]). [c.103]

В системе в твб рдом состоянии обнаружены области кристаллизации а-2пз(Р04)2, -2пз(Р04)2, -у2пз(Р04)2 и Мпз(Р04)2, узкая температурная область сосуществования, р- и у-2пз(Р04) . При небольших концентрациях Мпз(Р04)г возможно растворение у-2пз(Р04)2 в а-2пз(Р04)2- [c.166]

Процесс формирования изумруда включает химическую реакцию между кремнеземом и растворенными в молибдатовом плавне окисью бериллия, окисью алюминия и небольшим количеством окиси хрома. Для протекания этой реакции необходимо, чтобы кремнезем сначала растворился в плавне, а затем диффундировал в ту область, где концентрация всех реагентов достаточна для кристаллизации изумруда. Основание тигля должно быть несколько холоднее, чем остальная часть раствора, если кристаллизация изумруда происходит в этой части. После того как начнут расти первые кристаллы, зарождение новых в других частях тигля маловероятно, так как кремнезем в область кристаллизации поступает с достаточно медленной скоростью и полностью расходуется на химическую реакцию, приводящую к росту уже зародившихся кристаллов изумруда. Поэтому успех этого метода определяется поддерживанием очень медленной миграции Кремнезема через раствор. В альтернативном варианте окиси бериллия и алюминия помещают на дно тигля, а кремнезем также плавает в верхней части раствора. В этом случае изумруд растет в средней зоне, куда можно поместить и подвешенные затравочные кристаллы. [c.51]

Не следует думать, что производство синтетических алмазов в столь огромных объемах упрощает задачу получения алмазов таких размеров и такого качества, которые позволяют отнести их к драгоценным камням. Главное препятствие попыткам получить крупные кристаллы — маленький объем, в котором можно поддерживать экстремальные условия давления и температуры. К тому же для выращивания больших кристаллов требуется длительное время. Спосо-бь1 получения ювелирных алмазов не патентовались до 1967 г., когда Роберт Уэнторф, наконец, добился успеха в выращивании алмаза на затравке [26]. Оказалось, что затравочный кристалл необходим для предотвращения кристаллизации графита даже тогда, когда условия опыта соответствуют области кристаллизации алмаза. Наиболее трудная проблема при выращивании крупных кристаллов алмаза высокого ачества заключается в необходимости поддержания таких условий в области его стабильности, прн которых скорость кристаллизации [c.77]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология