Электронная средняя в атоме

Учитывая все сказанное выше, можно утверждать, что взаимодействие алкена с галогеноводородом — двухстадийный процесс, который начинается с присоединения протона за счет легко поляризуемых л-электронов алкена. Протон предпочтительно атакует крайний, а не средний атом углерода по двум причинам. Во-первых, согласно статическим факторам, на нем имеется избыточная электронная плотность, а во-вторых, согласно динамическим факторам, при атаке протоном крайнего атома в качестве промежуточной частицы образуется более стабильный карбокатион [c.11]

Ато.м водорода состоит из ядра и одного электрона. Средняя масса атома водорода 1,00797 (С = 12,0000). [c.613]

У переходных -металлов металлическая связь осуществляется в основном валентными п -электронами. Средняя концентрацяя коллективизированных электронов (электронов проводимости) колеблется от одного до двух на атом. По этой причине -элементы в свободном состоянии — типичные металлы. Они достаточно электропроводны, теплопроводны, пластичны, имеют плотнейшие кристаллические решетки (табл. 17.32). Однако по многим другим свойствам переходные металлы существенно отличаются от [c.492]

ЭЛ Среднее число валентных электронов на атом, тарной ячейки, приходящийся на атом (в нм). [c.246]

В соответствии с преобладающим типом химической связи в бинарных соединениях реализуются различные кристаллические структуры плотно упакованные ОЦК и другие для металлидов (к.ч. 8, 12 и более), менее плотно упакованные (к.ч. б, 8) для солеобразных ионных кристаллов и "рыхлые" структуры с невысокими координационными числами (к.ч. < 4) для ковалентных соединений. В последнем случае возможно также образование слоистых, цепочечных и молекулярных кристаллических структур. Изменение типа кристаллической структуры в зависимости от характера химической связи в бинарных соединениях можно проследить в так называемых изоэлектронных рядах. Изоэлектронным рядом называют последовательность соединений с одинаковым средним числом валент ных электронов на атом. Наиболее известны и показательны в этом отношении изоэлектронные ряды соединений, компоненты которых расположены симметрично относительно элементов IVA-группы. Четыре валентных электрона на атом обеспечивают возникновение пространственных тетраэдрических структур с ковалентным типом связи у простых веществ этой группы. [c.258]

Ширина зон в металлах такова, что зоны часто перекрываются. Для переходных металлов характерно перекрывание 5-и -зон, вследствие которого существенно меняется степень заселенности -зоны. Например, для заполнения З -зоны необходимо 10 электронов на атом никель имеет в сумме десять М- и 4( -электронов, но из-за перекрывания в Зс -зону попадает только часть электронов, а остальные переходят в 45-зону. В -зоне никеля, палладия и платины имеется в среднем около 0,4— [c.13]

Рис. 6. Приблизительная зависимость плотности состояний на поверхности Ферми N Е) от средней концентрации валентных электронов на атом с для переходных металлов первого большого периода и их сплавов [5]. Рассматривается парамагнитное состояние железа, кобальта и никеля.

Рис. 7. Приблизительная зависимость плотности состояний на поверхности Ферми N (Е) от средней концентрации валентных электронов на атом с для переходных металлов второго большого периода [5].

Главную долю сил притяжения, согласно исследованиям Лондона (1930), составляют дисперсионные силы для неполярных молекул они практически полностью определяют взаимодействие. Вследствие постоянного движения электронов каждый атом и каждая молекула, в том числе и не содержащие диполей, в каждый момент времени электрически несимметричны и обладают дипольными моментами, которые в среднем (за некоторый интервал времени) компенсируют друг друга. Такая система электронов действует как флуктуирующий диполь, поляризующий соседние атомы или молекулы, вследствие чего возникают силы притяжения. Эти силы не зависят от температуры. [c.178]

Другими словами, функции Fr являются решениями задачи Хартри—Фока для электрона в состоянии непрерывного спектра. В этом случае среднее хартри-фоковское действие внешнего электрона на атом равно нулю, т. е. задачи самосогласования не возникает. Таким образом, в первом приближении метода искаженных волн полностью учитывается искажение падаюш.ей и рассеянной воля, средним полем [c.603]

Силы притяжения определяются главным образом дисперсионными силами [9] для неполярных молекул практически лишь они одни ответственны за взаимодействие. Вследствие непрерывного движения электронов каждый атом и каждая молекула, в том числе и не содержащие диполей, несимметричны и обладают дипольными моментами, компенсирующимися лишь в виде средних величин за некоторый промежуток времени. Такая система электронов действует как флуктуирующий диполь, поляризующий электронные системы соседних атомов или молекул, вследствие чего возникает сила притяжения. Согласно Лондону [9], взаимодействие зависит от поляризуемости а и ионизационного потенциала обоих когерентных партнеров и не зависит от температуры, как это видно из соотношения [c.73]

Мостиковая В—Н—В-связь схематически изображена на рис. 2,а Что касается трехцентровых связей с участием трех атомов бора, то они, могут быть двух типов. В открытом типе В—В—В-связи, представленной на рис. 2, б, средний атом бора предоставляет в общее пользование / -орбиту и один электрон, тогда как крайние атомы бора вносят в трехцентровую орбиту по /а электрона. В центральной В—В—В-связи орбиты бора могут иметь зр - Т или 5р -характер и каждый атом бора привносит в связывающую молекулярную орбиту по % электрона (рис. 2, б). [c.17]

Для вытянутой молекулы ввиду шарообразной формы облаков валентных 2х-электронов средний атом связывается с обоими крайппд[и атомами (подобно 2/ ,-электронамн в бензоле). Три облака валентных электронов сливаются в одно (слева), которое мон<ет не иметь нн одной перегородки или иметь одну или две перегородки, так что возникают три (указанных в середине на рисунке) молекулярных электронных состояния (в бензоле шесть 2р,-электронов дают шесть л-электрониых состояши ). Справа на рисунке дают энергетические уровни трех состояний (ячеек) для молекулы Од и их заполнение электронами. У молекулы 1Л4 имеются четыре ячейки, из которых только две заполнены четырьмя валентными электронами. [c.40]

Рассмотрим изоэлектронные ряды углерода и кремния. Первый из них включает в себя С—BN—ВеО—LiF, а второй Si—AIP—MgS— Na l. Принцип формирования изоэлектронных рядов состоит в следующем. Возглавляет ряд простое вещество IVA-группы (4 электрона на атом). Остальные члены ряда — это соединения, компоненты которых равно отстоят от IVA-группы. Число валентных электронов у катионообразователя (П1А->1А) уменьшается, а у анионообразователя (VA- VHA) увеличивается. При этом среднее число валентных электронов на атом в формульной единице остается постоянным. Разность ОЭО компонентов соединений в изоэлектрон-ных рядах растет, следовательно, нарастает ионный вклад в химическую связь и закономерно изменяется характер кристаллохимического строения фаз. [c.51]

Различия между простыми и переходными металлами проявляются и в отношении электронной концентрации. Электронная концентрация представляет собой общее количество валентных электронов на один атом. Причем часть этих электронов обобществляется с образованием металлической связи, а некоторая их доля может участвовать в образовании ковалентной. Поэтому понятия электронной концентрации и концентрации электронов проводимости не всегда совпадают. У щелочных и щелочноземельных металлов валентные электроны полностью отданы в коллективное пользование. Поэтому ковалентная составляющая связи как в твердых, так и в л<идких металлах практически отс утствует. У переходных элементов общее число валентных электронов возрастает, но количество электронов, участвующих в образовании металлической связи, колеблется в тех же пределах (в среднем 1—2 электрона на атом). Это и определяет подобие кристаллических структур зр-металлов и -элементов (характерные для металлов плотные упаковки). Однако прочность связи в кристаллах -элементов значительно выше за счет усиления ковалентного взаимодействия, обусловленного возникновением — -связей. Возможность образования этих локализованных связей определяется дефектностью электронной оболочки, наличием вакантных -состояний у переходных [c.371]

VIIA) увеличивается. При этом среднее число веилентных электронов на атом в формульной единице остается постоянным. Разность ОЭО компонентов соединений в изоэлектронных рядах растет следовательно, нарастает ионный вклад в химическую связь и закономерно изменяется характер кристал.лохимического строения фаз. [c.258]

Решение. В этих. сплавах 8,28 орбитали доступны для занятия электронами, находящимися сверх заполненной ойолочки аргона. Сплав, содержащий 44% N1 и 56% Си, имеет в среднем Л0.56 таких электронов на атом. Из этих электронов 6 являются связывающими, которые занимают 6 из 8,28 орбитали. Оставшиеся [c.497]

ПОЗИТРОН, стабильная элементарная частица самая легкая из частиц, обладающих массой покоя и положит, элементарным электрич. зарядом. П.—античастица электрона их массы покоя и спины в точности равны, а электрич. заряды и магн. моменты равны по абс. величине и противоположны по знаку. Принадлежит к лептонам (см. Элементарные частицы). Может возникать в процессах рождения электронно-позитронной пары, при Р-распаде атомных ядер, в результате превращ. элементарных частиц. Время жизни П. в в-ве ограничивается аннигиляцией с электроном. ПОЗИТРОНИЙ, атом, состоящий из позитрона е+ и электрона е . Обозначается Р5. Сходен с атомом водорода, в к-ром протон замещен позитроном. Образуется при торможении своб. позитронов в в-ве в результате присоед. позитроном электрона одного из атомов среды, реже — при распадах ядер или элементарных частиц, обуслопленных электромагн. взаимодействиями (см. Элементарные частицы). Неустойчив, т. к. при взаимод. позитрона с электроном происходит аннигиляция, в результате к-рой П. превращается в 2 или 3 -у-кванта. Среднее время жизни П. до аннигиляции на 2 7-кванта — 1,25-10 с, на 3 у-кванта — [c.453]

К отрицательно заряженному катоду молекулы органических веществ доставляются путем диффузии и попадают при этом в сферу действия электрического поля, градиент изменения напряженности которого в приэлектродном слое очень высок (порядка 10 В/см). Процесс восстановления возможен, по-видимому, лишь тогда, когда заряды в молекуле будут распределены таким образом, что она может принять электроны от электрода обычно акцептором электрона является атом или группа атомов с наименьшей электронной плотностью. Следовательно, одним из главных необходимых условий перехода электронов с катода на молекулу восстанавливающегося вещества является ее полярность (или полярность отдельных фрагментов). С этой точки зрения вполне оправданы попытки некоторых исследователей (Войткевич, Гороховская и др.) установить определенную связь между значениями дипольных моментов и способностью веществ к электрохимическому восстановлению ( интенсивностью восстановления , по Войткевичу). Параллелизм между легкостью восстановления и значением соответствующего ди-польного момента восстанавливающейся группы наблюдали также Страдынь и Гиллер [22, с. 38]. Гороховская сделала попытку количественно связать значение 1/2 с полярностью элек-троактивных групп некоторых органических соединений и с полярностью среды [23]. В результате исследований карбонильных соединений, нитро-, а также галогенсодержащих соединений Гороховская предложила эмпирическое уравнение, согласно которому логарифм потенциала полуволны связан линейно с дипольным моментом электроактивной группы (х и средним ди- [c.33]

Шкала электроотрицательностей по Малликену. Первый потенциал ионизации /1 показывает, какую энергию нужно затратить, чтобы оторвать от атома один электрон, а величина сродства к электрону Е является мерой легкости присоединения к атому одного электрона. Можно принять, что чем меньше /] и Ей тем меньше и сродство атома к электрону. Среднее арифметическое из этих величин Р. Малликен назвал степенью электровтрицательности (хм). Этот подход отличается ясностью и простотой, однако имеет один недостаток его ограничение обусловлено тем, что не всегда с высокой надежностью можно определить значение 1. При этом нужно помнить следующий принцип Если атом переводится в ион, то энергетические уровни электронных орбиталей изменяются , причем необходимо знать эти новые уровни энергии вновь образовавшегося иона и внести коррективы в значения Л и Е] соответственно. Малликен получил величины электроотрицательностей для многих элементов (табл. 2.11). Эти значения легко сопоставить с электроотрицательностями (д ), полученными другими способами, путем пересчета д м = 0,336 (л м — 0,615). [c.71]

Q ), где О обозначает дефект, большая цифра — номер группы периодической системы, в которой находится атом соединения, а малая цифра 4 обозначает число атомов, связи которых направлены в сторону дефектов, и выражает наличие четырех несвязывающих орбиталов у обоих сортов атомов. Введение этих обозначений приводит к тому, что среднее число валентных электронов на атом будет равно четырем в соответствии с уравнением [c.193]

Когда молекула подходит со сторотты СНа-группы как молекула НХ, то ч ггот хлор может передать два электрона. Если бы молекула подошла к среднему атому, то присоединить пару электронов было бы просто трудно. Этим все и объясняется. [c.218]

А— АВ— АВ(С2) и т. д. Структура цинковой обманки близка к структуре алмаза, но в ней атомы не все идентичны, а имеются правильно чередующиеся атомы двух видов. Это изменение структуры алмаза идет далее в СиРеЗз (стр. 451). В структуре ZnS необходимо, чтобы среднее число орбитальных электронов на атом равнялось четулрем, и поэтому в структуре ZnS кристаллизуются также такие соединения, как AIP и ul. [c.175]

Гриммом и Зоммерфельдом [1] были предложены на основе рассмотрения экспериментальных данных следующие правила образования тетраэдрической координации для бинарных недефектных соединений—аналогов элементарных полупроводников четвертой группы а) компоненты должны принадлежать к группам, равноотстоящим от четвертой группы, и б) среднее число валентных электронов на атом соединения должно равняться четырем. Этим правилам действительно удовлетворяет большинство известных бинарных соединений со структурой сфалерита и вюрцита. однако имеют место и исключения (сульфид и селенид марганца, а также ряд бинарных соединений элементов, принадлежащих нижним периодам системы Менделеева). [c.387]

Решение. В этих сплавах 8,28 орбитали доступны для занятия электронами, находящимися вне оболочки аргона. Сплав, содержащий 44% N1 и 56% Си, имеет в среднем 10,56 электрона на атом. Из этих электронов 6 являются связывающими, которые занимают 6 из 8,28 орбитали. Оставпшеся 4,56 электрона занимают остальные 2,28 орбитали поскольку отношение числа алектронов к числу орбиталей в данном случае равно 2, все эти электроны снаренные. Отсюда следует, что в рассматриваемом сплаве нет неспаренных электронов, и поэтому он не обладает ферромагнетизмом. [c.515]

Соединения А В7 относятся к кристаллохимической группе алмазоподобных веществ с дефектной структурой со средним числом электронов на атом, равным 4,8. Если же учесть, что на каждую молекулу А ВР приходится одна вакансия, то среднее число электронов на структурную единицу этого соединения, включая и вакансию, окажется равным 4, что формально необходимо для образования тетраэдрической координации. Формула соединения в обозначении Парте [7] имеет вид ЗаОбз с четырьмя несвязывающими орбиталами, соответствующими одному незанятому структурному положению. Формулу дефектных соединений данного типа Ньюмен [55] обозначает как Л <>в7 . В работе об упорядочении структуры соединений Л в7 Ньюмен [55] теоретически рассмотрел возможные пути упорядочения вакансий и сделал заключение о необходимости учета вакансии как отдельного компонента твердого тела. [c.203]

Смотреть страницы где упоминается термин Электронная средняя в атоме: [c.50] [c.370] [c.211] [c.22] [c.96] [c.192] [c.142] [c.22] [c.22] [c.211] [c.417] [c.19] [c.237] [c.71] [c.203] [c.205] [c.497] [c.318] [c.243] [c.649] [c.388]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология