Монокристаллы игольчатые

Кристаллизация полимеров — сложный многоступенчатый процесс. Этим объясняется многочисленность форм кристаллических структур в полимерах. Простейшие элементы структуры — пачки макромолекул. Они состоят из многих рядов цепных макромолекул, последовательно расположенных относительно друг друга. В пачках наблюдается высокая упорядоченность макромолекул, при которой индивидуальность отдельных частиц утрачивается. Дальнейшее упорядочение структуры сопровождается возникновением более сложных надмолекулярных образований. Таковы фибриллы — линейные пачки и их агрегаты, сохраняющие ярко выраженную продолговатую форму, и сферолиты — игольчатые кристаллические образования, радиально исходящие из одной точки. В особо благоприятных условиях пачки складываются в ленты , а последние формируются в пластины. Так возникают единичные кристаллы полимеров, например полиэтилена. Единичные ограниченные монокристаллы — конечая форма кристаллических структур. Необходимо отметить, что у полимеров в отличие от низкомолекулярных веществ не получены монокристаллы достаточно больших размеров. [c.492]

Требование к исследуемому образцу. Для получения дифракционного эффекта требуется кристалл определенного размера. Последний зависит от коэффициента рассеяния и быстроты поглощения лучей в веществе поток электронов полностью поглощается при прохождении через слой в несколько микронов рентгеновские лучи дают достаточную интенсивность рассеяния при пересечении слоя в 1 мм для ощутимого рассеяния потока нейтронов нужны уже не миллиметры, а сантиметры. Поэтому для рентгеноструктурных исследований необходим монокристалл с размерами в пределах 0,1 —1,0 мм. В частности, можно использовать игольчатые (нитевидные) кристаллы очень небольшого поперечного сечения. Для нейтронографического исследования обычно требуется более массивный монокристалл — размером в 0,5—1 см (что, впрочем, существенно зависит от интенсивности первичного пучка нейтронов). Получение таких монокристаллов часто составляет самостоятельную техническую проблему. Наоборот, в электронографии можно пользоваться лишь кристаллическими пленками. Обычно они создаются путем кристаллизации вещества на аморфной, прозрач- [c.172]

Однако примеры таких изменений режима встречаются и среди реакций, в которых образуется защитный слой твердого продукта. Наблюдения, выполненные Л. Дюфуром и Ф. Дюфуром (гл. 3, рис. 26), указывают на существование перехода от параболического режима окисления порошкообразного вольфрама к сигмоидному. Вместо того чтобы образовать, как в параболическом режиме, однородную пленку, окисел вольфрама, без сомнения, получается в виде отдельных монокристаллов игольчатой формы. [c.382]

В качестве металла берут хорошо очищенный цинк. Он не образует силицидов, не реагирует с кварцем почти нет взаимной растворимости его с кремнием в твердом состоянии упругость паров цинка при повышенной температуре довольно высокая хлорид цинка, образующийся в качестве побочного продукта, плавится при 318° С и кипит при 732° С. Тетрахлорид кремния очищают ректификацией. Реакцию ведут в парах в токе водорода или аргона. Газ-носитель пропускают через испарители с 81014 и цинком. Оба потока вводят в обогреваемый кварцевый реактор, где при малой скорости потока образуются игольчатые монокристаллы кремния на стенках реактора, удельное сопротивление которых достигает 140—200 ом-см. О других транспортных реакциях см. гл. IX. [c.50]

К Н. в. близки игольчатые монокристаллы разл. соед. (см. Нитевидные кристаллы). [c.213]

Затравочный алмазный монокристалл крепился игольчатыми рениевыми держателями и помещался внутрь шарового кварцевого реактора, в который после вакуумной тренировки напускался углеродсодержащий газ. Оптическая система регулировалась таким образом, чтобы кристалл находился в фокальном пятне установки, размер которого был больше кристалла. За поверхностью монокристалла во время опыта можно было наблюдать в микроскоп. Его средняя температура измерялась с помощью оптического пирометра во время пауз освещения. В качестве углеродсодержащего газа в основном использовался метан, а также этан, гексан и октан. Затравками служили природные двойники алмаза, ограненные плоскостями (111). [c.104]

В тех случаях, когда одновременно существуют секторы двух типов, важным фактором, определяющим пространственную форму монокристалла, является оптимальное сочетание секторов. Например, сектор [110] (314) обычно наблюдается в сочетании с [100] (101) , а сектор [100] (312) — в сочетании с сектором [100] (201) [6]. Тем не менее, более сильна тенденция к тому, чтобы каждому сектору соответствовала своя специфическая поверхность складывания. В частности, в случае, когда отношение площадей поверхностей обоих секторов приближается к значению, удовлетворяющему условию оптимального сочетания секторов, решающее значение имеет именно это условие в других же случаях, независимо от условий сочетания секторов, отношение площадей изменяется в зависимости от условий кристаллизации. Это приводит к образованию напряженных областей или трещин в пространстве между секторами. Поскольку, как известно, площадь сектора [100] увеличивается при повышении температуры или концентрации раствора, то в принципе в пределе при кристаллизации из расплава можно ожидать преимущественного образования секторов [100] в тонких игольчатых кристаллах, длинной осью которых, как показано на рис, HI.78, служит >-ось ячейки. [c.255]

Результаты исследования плавления отжига и прямого электронно-микроскопического изучения таких игольчатых монокристаллов [c.91]

Приведенные данные по свойствам игольчатых и пластинчатых кристаллов свидетельствуют о значительной макро- и микро-дефектности строения, обусловленной высокими скоростями роста кристаллов. Дефектность существенно снижает прочностные свойства монокристаллов, и поэтому они не могут в этом отношении конкурировать с нитевидными монокристаллами, получаемыми из паровой фазы. Вследствие относительно невысокой прочности игольчатые кристаллы, по-видимому, непригодны для упрочнения металлов и пластмасс. [c.211]

Полиоксиметилен хорошо кристаллизуется как из расплава, так и из растворов (см. рис. 3.44 и 3.111, а также табл. 3.3, 3.5 и 6.8). Кроме того, можно получить кристаллы из вытянутых цепей при полимеризации газоо бразного, жидкого и твердого мономера (см. разд. 6.4.1, 6.4.2.2 и 6.4.3). В связи с этим становится возможным обсуждение равновесного плавления достаточно совершенных кристаллов. Температура плавления кристаллов полиоксиметилена (форма 1, см. табл. 2.14 и рис. 2.49, А) изменяется в пределах от 175 до 206°С [115, 108]. Многие высокие температуры плавления, являются, наиболее вероятно, следзтшем перегрева (разд. 9.4.1), а низкие - результатом цлохой кристаллизации с образованием кристаллов из сложен, ных цепей. Согласно Джаффу и Вундерлиху [ 155], а также Игучи [ 108], наиболее достоверная экспериментально определенная равновесная температура плавления полиоксиметилена 184,2°С. Такой температурой плавления обладают монокристаллы игольчатого габитуса, образующиеся при полимеризации мономера. Длина этих кристаллов не меньше нескольких микрометров, а толщина достигает 0,1 мкм и больше. [c.91]

Графитовые усы — выращенные искусственным путем графитовые монокристаллы (игольчатые монокристаллы) длиной 2 — 10 мм и толщ. 0,5—5 мкм, используемые в качестве волокнистого материала для жаростойких изделий. Прочн. до 2000 кгс/мм (1000 гс/текс), мод. 70 ООО кгс/мм. [c.35]

Насколько высоки резервы прочности ориентированных полимеров, вндно из того, что на практике наибольшая прочность, достигнутая при ориентационной вытяжке капроновых волокон, равна 1—1 ,510 МН/м , что в 20—30 раз ниже теоретической прочности. Наибольшая прочность вдоль оси ориентации 0,36-10 МН/м получена для образцов игольчатых монокристаллов полпоксиме-тилена. [c.282]

Требование к исследуемому образцу. Для получения дифракционного эффекта требуется кристалл определенного размера. Последний зависит от коэффициента рассеяния и быстроты поглощения лучей в веществе поток электронов полностью поглощается при про.хождении через слой в несколько микронов ренггеновские лучи дают достаточную интенсивность рассеяния при пересечении слоя в 1 мм для ощутимого рассеяния потока нейтронов нужны уже не миллиметры, а сантиметры. Поэтому для рентгеноструктурных исследований необходим монокристалл с размерами в пределах 0,1 —1,0 мм. В частности, можно использовать игольчатые (нитевидные) кристаллы очень небольшого поперечного сечения. Для нейтронографического исследования обычно требуется более массивный монокристалл — размером в 0,5—1 см (что, впрочем, существенно зависит от интенсивности первичного пучка нейтронов). Получение таких монокристаллов часто составляет самостоятельную техническую проблему. Наоборот, в электронографии можно пользоваться лишь кристаллическими пленками. Обычно они создаются путем кристаллизации вещества на аморфной, прозрачной для электронов подложке. При этом, как правило, возникает не монокристальная, а поликристалличе-ская пленка. Для структурного анализа, однако, важно, чтобы кристаллики пленки имели в ней некоторую преимущественную ориентацию. Добиться кристаллизации такой текстурированной пленки удается не всегда. [c.128]

Гипс. Формы второй пинакоид Ь 010 , призмы ромбические /п 110 , / 111 . Облик монокристаллов плоскопризматический (/), пластинчатый (2) наблюдаются кристаллы столбчатые, игольчатые в виде волокон. Двойники — в виде ласточкина хвоста по двум законам гальские (5) — плоскость срастания и двойниковая (100), двойниковая ось перпендикулярна к ней парижские 4)—плоскость срастания и двойниковая (101), двойниковая ось перпендикулярна к ней. Спайность совершенная по 010 , менее совершенная по 111 и 100 . [c.192]

Для проведения экспериментов была использована установка радиационного нагрева на основе ксеноновой лампы сверхвысокого давления, разработанной под руководством В. П. Сасорова. Установка позволяла фокусировать излучение от лампы на поверхности затравочного алмазного монокристалла, который крепился специальными рениевыми игольчатыми держателями и помещался в сферический кварцевый реактор. Температура монокристалла измерялась оптическим пирометром. За поверхностью затравочного монокристалла можно было наблюдать в микроскоп. [c.106]

В связи с высокой упругостью паров СггОз и УгОз (0,1 — 0,001 Па) выращивание кристаллов граната, активированного указанными оксидами, обычно ведется под давлением. Конструкция установок СГВК, Сапфир позволяет вести процесс выращивания в атмосфере инертного газа до 1 кПа. Основные особенности технологии выращивания монокристаллов ИАГ с хромом в аргоноводородной среде, в отличие от вышерассмотренной технологии выращивания розового граната, заключаются в том, что процесс кристаллизации граната ведется в атмосфере аргон + водород (9 1) при давлении около 140 кПа. Камера наполняется указанной газовой смесью следующим образом. При вакууме порядка 0,001 Па рабочая камера заполняется аргоном до —80 кПа. Затем напуском водорода давление поднимается до —90 кПа и далее аргона — до 100 кПа. При подъеме температуры давление газа в камере возрастает. Прн повышении давления до 140 кПа избыток газа удаляется через игольчатый натекатель. [c.180]

Технология выращивания монокристаллов граната в аргонво-дородной среде имеет ряд недостатков. При недостаточно глубоком вакууме в установке происходит окисление нагревателя и экранов, которое ведет к ускоренному их изнашиванию. При захвате расплавом оксидов вольфрама и молибдена они восстанавливаются до металлического состояния. Включения вольфрама и молибдена в кристалле обусловливают уменьшение его прозрачности, образование напряжений и трещин. При работе с газом в случаях недостаточно глубокого вакуума перед стадией наполнения рабочей камеры газом нагреватель в процессе опытов покрывается игольчатыми кристалла.ми вольфрама. Нагреватель можно очистить от иголок вольфрама путем прогрева при открытом кол-180 [c.180]

По данным кристаллооптического анализа, алюмокарбонат натрия, полученный при 125—200°, представлен монокристаллами и агрегатами игольчатого габитуса призматической формы. При 200° получаются монокристаллы с длиной до 100 ц и с шириной граней до 4 ц. [c.133]

Для определения очень малых количеств вольфрама (и молибдена) можно прибегнуть к каталитическим реакциям с амперометрическим контролем вольфрам (VI) и молибден (VI) катализируют реакцию между перекисью водорода и иодом измеряя ток восстановления выделяющегося иода, можно определять количество вольфрама или молибдена (см. гл. I), вызвавшее эту реакцию. Этим методом воспользовались А. М. Булгакова и Н. П. Залюбов-скаядля определения следовых количеств (порядка 10 7о) вольфрама и молибдена в монокристаллах сульфида кадмия и фторида лития. Обычно определяют сумму обоих элементов, однако вольфрам (VI) можно замаскировать фторидом калия и определить молибден (VI) отдельно. Силу тока измеряли на установке с двумя платиновыми игольчатыми электродами длиной 10 мм при напряжении 50 мв. [c.194]

С учетом того обстоятельства, что сферолиты не являются полностью кристаллическими образованиями, можно предположить, что такой подход, по крайней мере феноменологически, является оправданным. Однако необходимо заметить, что экспериментальное определение скорости возникновения зародышей сферолитов связано с большими трудностями, к тому же нет полной уверенности в том, соответствуют ли результаты экспериментальных наблюдений истинному механизму зародышеобразования и роста сферолитов. В частности, такой подход предполагает линейный рост кристаллов из одного зародыша, находяш,егося в центре сферолита, по радиусу во всех нанравлениях в пространстве, в результате чего образуется трехмерный сферолит. В то же время, как уже указывалось ранее, сферолиты, по крайней мере в случае полиэтилена, состоят из кристаллических образований игольчатого типа, напоминаюш их монокристаллы, длинные оси которых ориентированы в радиальном направлении [6] (см. рис. 111.84), характер агрегации которых напоминает расположение черепицы на крыше. Единственным следствием этого может быть предположение о том, что зародыши кристаллизации образуются в радиальном направлении сферолитов. Кроме того, следует также принимать во внимание возможное влияние скручивания ламелей на кажущуюся скорость линейного роста сферолитов в радиальном направлении. Таким образом, процесс образова-. ния сферолитов не остается неизменным на всем протяжении кристаллизации [36]. В ходе кристаллизации происходит непрерывное зарождение сферолитов, рост которых, естественно, прекращается после их столкновения друг с другом, тогда как внутри сферолитов продолжается процесс возрастания плотности. [c.267]

Хотя все еще приходится сомневаться в достоверности формул и в правильности идентификации сульфидных минералов свинца и мышьяка, тем не менее в интервале составов РЬ8—АззЗд известна большее число фаз, большинство из которых было синтезировано гидротермальным методом [261]. Некоторые трудности, стоящие перед минералогами при установлении химической формулы минералов этой системы, отражены в недавней работе Новаки и др. [240]. В этой работе описан игольчатый монокристалл, содержащий [c.187]

Полимеризация монокристаллов мономера позволяет в принципе получить максимально ориентированное полимерное тело, в к-ром цепные молекулы с совершенно прямыми осями образуют монокристалл полимера. Инициирование процесса может осуществляться разными способами в результате облучения, катализа, под действием ударных волн и др. Реакция развивается вдоль определенных кристаллографпч. направлений в мономерном монокристалле. Образующееся полимерное тело имеет игольчатую форму. [c.259]

Идеально упорядоченная структура волоков м. б. реализована только в отдельвых случаях, вапр. для монокристаллов полимеров. Так, для полиформальдегидных игольчатых кристаллов при их растяжении в направлении оси цепи достигнута Ор ок. 3,6 Гн м (360 кгс мм ), что очень близко к о . Для гидратцеллюлозных волокон экстраполяция к идеальной структуре экспериментальной зависимости Ор от степени ориентации и степени кристалличности приводит к значениям о =5,1—5,2 Гн мм (510—520 кгс(мм ), что также близко к расчетным величинам. [c.118]

Показательными в методическом отношении являются результаты, полученные при выращивании кристаллов окиси железа. Известно, что гематит а-Ре20з изоструктурен а-А120з и вследствие этого должен кристаллизоваться в пластинчатой форме. В то же время потеря части кислорода гематитом приводит к перестройке структуры по тетрагональному мотиву с образованием маггемита -Реабз, для которого характерной формой монокристаллов должна быть игольчатая. [c.209]

Н А1 кристаллизуется практически чистым в сплаве с 50 ат.% алюминия. Рентгенограмма монокристалла этого соединения показала ромбическую структуру, пространственная группа 0, константы решетки а = 10,8, Ь — 3,27, с = 4,28 А [122]. Элементарная ячейка состоит из четырех молекул Н А1. Пикнометрически определенная плотность алюминида гафния равна 8,94 г/сж , монокристаллы имеют игольчатую форму. [c.345]

Смотреть страницы где упоминается термин Монокристаллы игольчатые: [c.35] [c.245] [c.169] [c.205] [c.13] [c.22] [c.660] [c.52] [c.549] [c.112] [c.118] [c.118] [c.118] [c.112] [c.118] [c.118] [c.88] [c.93] [c.193] [c.166] [c.299]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология