Частота столкновений неупругих

Для квантовомеханического осциллятора, в котором уровни энергии отстоят друг от друга на величину, значительно большую кТ, будут эффективными только те столкновения, при которых изменение колебательной энергии близко к hv, где v — частота осциллятора. Это накладывает еще большие ограничения на возможность неупругого превращения энергии. [c.153]

Тесная связь между поведением ионов в ИЦР-спектрометре с природой взаимодействия и частотой их столкновений с нейтральными молекулами является основой экспериментальных подходов, имеющих своей целью получение количественной информации о столкновениях, как приводящих, так и не приводящих к реагированию. Строго говоря, следует, конечно, делать различие между упругими столкновениями (не приводящими к изменению внутреннего состояния иона) и не приводящими к реакции, неупругими столкновениями (приводящими к изменению внутреннего состояния, но не в химическом составе), однако для тех экспериментальных данных, которые мы собираемся обсудить в этом разделе, такое разграничение несущественно, и все соударения данного типа мы будем относить к категории не приводящих к реакции (неэффективных). [c.372]

ДЛЯ чего необходимо преодолеть потенциал обратного знака между О и Л. При больших ускоряющих потенциалах у бомбардирующих электронов после таких неупругих столкновений остается часть энергии, что и приводит к новому усилению тока. Но при 9,8 в имеется достаточно энергии, чтобы возбудить два атома ртути, в результате этого ток снова быстро падает. Было показано, что между резонансным потенциалом V и частотой V результирующего резонансного излучения существует соотношение Уе = hv, а излучение представляет одну из линий в обычном спектре ртути. [c.16]

В таком виде критерий адиабатичности был впервые предложен Зинером [13] в очень подробной статье, посвященной неупругим столкновениям при малых скоростях. В этой работе изменение внутренней энергии при столкновениях рассматривалось по аналогии с классической задачей взаимодействия двух линейных осцилляторов переменной частоты, движущихся навстречу друг другу. Зинер вывел приближенную формулу для вероятности перехода системы из состояния т в состояние п [c.218]

Было обнаружено, что рассеяние видимого света молекулами частично сопровождается изменением его частоты по сравнению с частотой падающего света. Происхождение этого эффекта основано на взаимодействии квантов света (Л О с молекулой. Его можно сравнить с неупругим столкновением между двумя молекулами, так как часть энергии кванта света поглощается молекулой, порождая атомные колебания, а остаток выделяется в виде световой волны с меньшей энергией, а следовательно, с более низкой частотой. Если же, наоборот, с квантом света взаимодействует молекула, и.меющая колебательный или вращательный уровень выше основного уровня молекулы, то передача энергии, сопровождающая столкновение, происходит в обратном направлении и рассеянный свет будет обладать большей энергией и более высокой частотой. Получаемые таким образом линии называются антистоксовскими линиями. Изменения в частоте, сопровождающие комбинационное рассеяние света любой длины волны, идентичны и называются комбинационными частотами или линиями, обозначаемыми знаком Ду . [c.196]

Упругие соударения фотонов с молекулами вещества вызывают рэлеевское рассеяние. При неупругом столкновении несколько изменяются энергия фотона и его частота. [c.348]

Любое изменение частоты света при прохождении его через вещество должно быть связано с переходом молекул, рассеивающих свет, из одного энергетического состояния в другое. При поглощении света наиболее вероятными будут переходы с наименьшего уровня энергии Е , который занимают большинство молекул, на более высокий. В спектре рассеянного света имеются частоты V — которые меньше частоты падающего света V. Это объясняется тем, что в результате неупругого столкновения с фотоном /IV часть молекул из основного состояния переводится в более высокое энергетическое состояние Е , на что затрачивается энергия АЕ=Е1— Е . Поэтому рассеянный фотон будет иметь меньшую энергию [c.55]

После столкновения электрон либо ускоряется, либо тормозится полем в зависимости от направления его движения. Кинетическая энергия части электронов растет до тех пор, пока в конце концов не становятся возможными неупругие соударения, приводящие к ионизации, образованию свободных радикалов, возбуждению молекул. Эти столкновения происходят с частотой, характерной для рассматриваемой системы. Вектор скорости электрона содержит большую хаотическую и малую дрейфовую компоненты. Энергия, сообщаемая электронам, определяется функцией Ejp, где Е — напряженность электрического поля, а р —давление газа. [c.105]

При неупругом столкновении молекула или кластер в основном колебательном состоянии получает энергию от рассеиваемого фотона, возбуждающего их до более высокого колебательного состояния. Энергия рассеиваемого кванта теперь составляет h vQ -1/,). Рассеянный квант, регистрируемый под прямым углом к падающему, характеризуется частотой (i/fl - Vi) линий, называемых стоксовыми, показанными на рис. 2.42. [c.92]

Так возникает в спектре стоксова линия. Заменив символ Шра . на получим формулу (7). Стоксова линия имеет частоту меньшую, чем рэлеевская, т. е. смещена относительно последней в красную область спектра. Вероятность неупругого столкновения во много раз меньше, чем упругого, поэтому его испытывает, небольшая доля квантов, вследствие чего интенсивность стоксовой линии во много раз меньше, чем рэлеевской. [c.76]

Vg - частота неупругих столкновений электрон - тяжелая частица с возбуждением (дезактивацией) электронных состояний атома, молекулы, иона [c.220]

Средняя энергия электронов е Ъ11)кТ . Суммарная частота неупругих столкновений в этих условиях [c.302]

Происхождение комбинационного рассеяния можно понять, используя представления квантовой теории рассеяния. При столкновении с молекулами кванты света рассеиваются. Если столкновение полностью упругое, они отклоняются от первоначального направления своего движения (от источника), не изменяя энергии. Если же столкновение неупругое, т. е. происходит обмен энергией между квантом и молекулой, молекула может потерять или приобрести дополнительно энергию Д в соответствии с правилами отбора. Приче.м ДЕ должна быть равна из.менению колебательной и (или) врапдательной энергии и соответствовать разности энергий двух разрешенных ее состояний. Излучение, рассеянное с частотой, меньшей, чем у падающего света, называют стоксовым, а с частотой большей — антистоксовым. Стоксово излучение сопровождается увеличением энергии молекул (такой процесс может произойти всегда), и линия его более интенсивна (на несколько порядков), чем антисток-сова, так как в этом случае молекула уже должна находиться в одном из возбужденных состояний (рис. 32.9). [c.770]

Вторым исходным положением количественной теории высокочастотного пробоя Хольштейна служит выведенное им в работе [2195], заключение, что в интервале давлений, для которого частота электрического поля меньше, чем частота упругих столкновений электронов с частщгами газа, и в то же время больше, чем частота их неупругих столкновений, распределение электронов по энергиям в высокочастотном поле очень близко к их распределению в постоянном поле. В этом случае ффектив-1тое значение пробойной напряжённости поля Е для плоско- [c.664]

Вероятность неупругого перехода увеличивается с увеличением жесткости столкновения. Эта жесткость измеряется отношением времени колебания к времени столкновения tJx ow = Уц/2л а, где ст — сфера действия молекулярных сил , v — частота осциллятора, а Vr — относительная скорость в момент столкновения. [c.153]

Возникновение спутников основной частоты получило название комбинационного рассеяния (КР) света или эффекта Рамана (в зарубежной литературе). Оно было открыто независимо и одновременно советскими физиками Мандельштамом и Ландсбергом и индийскими физиками Раманом и Кришнаном. Вероятность неупругого столкновения мала, поэтому стоксовы линии слабые, интенсивность их в миллионы раз меньше релеевской, при фотографировании требуется длительная, часто многочасовая экспозиция. Еще более слабы ан-тистоксовы линии, так как вероятность сверхупругого рассеяния еще меньше (при низких температурах доля возбужденных молекул ничтожна). Сравнение интенсивности релеевской, стоксовой и антистоксовой линий приведено на рис. 68. [c.146]

Так, например, при неупругих столкновениях обшивок ракет и самолетов с молекулами воздуха, за счет накопления энергий неупругих соударений, обшивки могут оплавляться, а молекулы азота и кислорода вступать в каталитические реакции с образованием окислов азота и другие [25-27]. Поэтому, если в каталитических и ферментативных реакциях для их ускорения необходимо повышать частоту и энергию неупругих соударений, то для снижения сопротивления трения газов и жидкостей на твердой поверхности требуется снижать частоту и энергию неупругих соударений. Автором монографии разработаны и внедрены в промышленность принципиально новые и более экономически эффективные способы повышения частоты и энергии неупругих соударений реагирующих веществ с катализаторами, которые способны повышать активность всех имеющихся в мире промышленных катализаторов [17], а также экономически эффективные способы снижения частоты и энергии неупругих соударений обтекающих газов и жидкостей о твердую поверхность, в результате которых снижается сопротивление их трения до 20% , а следовательно, сокращают расход топлива на единицу мощности двигателя, также на 20% [28]. Эти же методы повышения или понижения частоты неупругих соударений можно применить и для повышения нли понижения скоростей ферментативных реакций в клетках животных и растений, так как термодесорбируемые субстраты неупруго соударяются внутренними поверхностями "кармана" (щелей) глобул ферментов, а изотермически десорбируемые субстраты (химически превращаемые вещества ферментом) неупруго соударяются с поверхностью глобул фермента [15]. Отметим, что полярные С и М-концевые и боковые группы белковой части ферментов расположены на поверхности глобул ферментов [29-31], их вращательные и колебательные движения совершаются с целью повышения частоты и энергии неупругих соударений субстратов с поверхностью глобул ферментов. Поэтому скорость ферментативных реакций в 10 " раз превышает скорости химических [29]. [c.46]

Примерами нелинейного рассеяния являются гиперкомби-национное рассеяние, вынужденное комбинационное рассеяние, когерентное антистоксово рамановское рассеяние (КАРС). Гиперкомбинационное рассеяние света заключается в том, что в отличие от линейного рассеяния (см. разд. 5.2.5) в неупругом столкновении с частицей А( ) участвуют два фотона с частотой VI. В результате образуется молекула в другом энергетическом состоянии и один фотон, имеющий энергию hvj. А(Е )+2 Av, [c.125]

Здесь (Зюп — скорость ионизации газа а. (/3)-частицами и оп — частота ионизации электронами плазмы (Зег — скорость электрон-ионной рекомбинации Пе(г), /ге(г), т(г) концентрация, ПОДВИЖНОСТЬ И коэффициент диффузии электронов (ионов), соответственно ( е) — средняя энергия электронов С — коэффициент диффузии энергии электронов — термоэлектрический коэффициент еь — г] — I — вехе П — энергетическая цена образования элек-трон-ионной пары, которая в первом приближении равна удвоенному потенциалу ионизации / ехс — энергия вторичного электрона, идущая на прямое возбуждение атомов, которая может доходить до 30% от полных потерь энергии а (/3)-частиц, — скорость потерь энергии тепловых электронов в упругих и неупругих столкновениях. [c.287]

Из вышесказанного можно сделать вывод, что при наложении магнитного поля а плазму спектрального источника уменьшаются тушащие столкновения возбуладенных атомов, в результате чего усиливается интенсивность спектральных линий. Увеличение атомной плотности в плазме путем введения дополнительных веществ способствует повышению степени тушения из-за возрастания частоты неупругих столкновений, что приводит к уменьшению интенсивности спектральных линий микроэлементов. [c.100]

Рассмотрим изменение интенсивности спектральных линий элементов с возрастанием напряженности магнитного поля. Из многих публикаций известно, что интенсивность спектральных линий сначала возрастает до определенного значения, а зате падает. При этом отмечено, что при применении соленоидов скорость вращения облака плазмы увеличивается. Такой ход процесса следует связать, с одной стороны, с уменьшением атомной плотности в результате роста объема плазмы при наложении магнитного поля, что приводит к усилению интенсивности спектральных линий, а с другой стороны — к увеличению частоты неупругих столкновений из-за усиления вращения облака плазмы, вызывающих тушение возбужденных атомов. Подтверждением такого заключения следует считать тот факт, что данное влияние не зависит от природы изучаемых элементов. Причем природа элемента сказывается на относительной интенсивности. Таким образом, при рассмотрении механизма действия магнитного поля необходимо учитывать роль столкновений. [c.101]

Роль богатых энергией частиц, рождаемых в экзотермической реакции и активирующих затем многоатомную молекулу, могут играть и невозбужденные атомы или двухатомные молекулы с относительно малым молекулярным весом, если теплота экзотермической реакции переходит в основном в кинетическую (поступательную и вращательную) энергию этих частиц (горячие частицы). Поскольку кинетическая энергия легко диссинирует при упругих столкновениях с любыми частицами, необходимым условием эффективности рассматриваемого механизма активации является малая степень разбавления реагирующего газа инертной средой [нужно, чтобы частота неупругих столкновений горячих частиц с многоатомной молекулой была одного порядка или больше газокинетического числа столкновений, деленного на т -Ь 12т1ГП2, где гпуит — массы сталкивающихся частиц] . [c.166]

Так как импульс электрона рр велик по сравнению с импульсом фотона в металле [рр (Ио1с), то претерпевают изменения за счет перехода в высокочастотную область только частоты неупругих столкновений, частоты упругих столкновений те же, что в статическом случае [c.363]

Рассмапфивается частота неупругих столкновений в неоне при отношении напряженности поля к концентрации атомов = 1.4x10 [c.303]