Зонная диаграмма

Рис. 17. Зонная диаграмма, соответствующая распределению Ферми.

Рис. 3.4. Схема расположения уровней на зонной диаграмме при адсорбции молекул электроноакцепторного (а) и электронодонорного (б) характера стрелками указаны направления электронных переходов (обозначения см. в тексте)

Рис. 36, Зонная диаграмма с изображением уровня ловушек.

В этом контексте рассмотрим энергетическую (зонную) диаграмму границы раздела полупроводниковый алмаз />-типа/раствор электролита (рис. 32). На ней изображены уровни энергии в твердом теле и в растворе электролита, которые сопоставляются с обратимыми потенциалами присутствующих в растворе окислительно-восстановительных систем. Построение таких диаграмм подробно обсуждается в монографии [6] здесь отметим лишь, что положение уровня Ферми алмазного электрода в шкале электродных потенциалов однозначно определяется величиной его потенциала плоских зон Из рис. 32 видно, во-первых, что [c.55]

С позиций статистической термодинамики растворов диаграммы состояния в области составов, соответствующих однофазному состоянию растворов, могут быть дополнены линиями, ограничивающими области существования различных ассоциативных структур гетерофазных флуктуаций, кластеризации молекул, заполнения активных центров макромолекул. Эти области наблюдаются и экспериментально регистрируются в различных системах полимер —растворитель и не являются специфическими для систем полимер—вода (рис. 6.3). По сути дела, именно эти зоны диаграмм фазового состояния и исследуются экспериментально, а получаемая при этом информация используется для характеристики состояния и парциальной подвижности молекул низкомолекулярного компонента в растворах, а следовательно, и для установления механизма взаимодействия компонентов. Следует иметь в виду, что вблизи бинодальной кривой в области по определению Я. И. Френкеля развитых гетерофазных флуктуаций [185], одновременно сосуществуют и кластеры, и локализованные, и свободные молекулы диффузанта, в частности воды. По мере уменьшения p/ps (бинодаль в бинарной системе соответствует p/ps=l), т. е. движения фигуративной точки в область малых концентраций низкомолекулярного компонента, происходит последовательное вырождение указанных выше типов ассоциативных структур. Заметим, что для некоторых систем удается выделить на диаграмме фазового состояния область концентраций, в пределах которой увели- [c.217]

Хотя в ряде случаев несколько диаграмм могут накладываться друг на друга для удобства, обычно их строят с тем, чтобы показать соотношение компонентов при определенных давлении и температуре. Отдельные зоны диаграммы представляют собой композиционные сочетания, в которых одна, две или три фазы могут сосуществовать в равновесии. Поскольку все вещества в принципе по крайней мере слаборастворимы, любая область, занимающая один или несколько углов треугольника, является однофазной. На практике однофазная зона может исчезнуть, если взаимная растворимость фаз очень низка, как, например, показано на рис. [c.253]

Характер изменения звукового давления (или интенсивности) волны вдоль акустической оси преобразователя, под которой понимают перпендикуляр к излучающей поверхности диска, проходящей через его центр, является сложным. В ближней зоне звуковое давление меняется немонотонно, достигает максимального значения при г Гд , а затем в дальней зоне монотонно убывает. В дальней зоне в пределах углового сектора 20 звуковое давление уменьшается по направлению от акустической оси к периферии. Изменение поля в зависимости от угла между направлением луча и акустической осью изображают в виде диаграммы направленности (рис. 4.8). За единицу принимают амплитуду звукового давления р на оси излучателя. В дальней зоне диаграмма направленности не зависит от расстояния до излучателя. При размерах излучателя, меньших длины волны, от него распространяются сферические волны, излучение будет ненаправленным. Наоборот, если размеры излучателя больше длины волны, излучаемая энергия концентрируется преимущественно в направлении акустической оси. [c.100]

Рис. 3.5. Схема расположения уровней адсорбированных мономеров ММА и СТ на зонной диаграмме ЪпО

Рассмотренный механизм можно подтвердить экспериментально путем изучения электропроводности и спектров ЭПР адсорбентов в присутствии адсорбированных мономеров. Рассмотрим, например, адсорбцию паров ММА и СТ на поверхности 2пО. Расположение уровней мономеров на зонной диаграмме пО приведено на рис. 3.5. Из рисунка видно, что расположение уровней таково, что адсорбированный ММА должен проявлять акцепторные, а СТ -донорные свойства. Действительно, измерения фотопроводимости оксида цинка в атмосфере паров ММА и СТ, проведенные авторами книги, подтверждают приведенные рассуждения. Перенос электронов на адсорбированные молекулы ММА [c.52]

Наличие ОПЗ приводит к изгибу зон вблизи поверхности на зонной диаграмме, причем соответствующий изгиб зон способствует локализации на поверхности зарядов одного знака одновременно с этим заряды [c.63]

Рис. 15. Зонная диаграмма кристаллофосфора с уровнями центров, отвечающих равновесному положению ядер (-)

На зонной диаграмме расстояние локального уровня от зоны проводимости отвечает энергии ионизации дефекта с образованием свободного электрона. Принято обозначать уровень символом захватившего электрон дефекта, т. е. дефекта в состоянии, которое является исходным в этом процессе. В процессах, приводящих к освобождению дырки, оно, наоборот, является конечным. Поэтому энергия реакции (111.28) указывается на зонной диаграмме положением уровня У гп, а реакции У гп- У"гп- -Л — положением уровня У"гп по отношению к валентной зоне. Вообще следует помнить, что зонная схема является диаграммой энергий, которые относятся не к дефектам, а к процессам, в которых участвуют эти дефекты, и потому, обозначая уровень символом дефекта, следует указывать, к какому состоянию последнего — начальному или конечному — относится этот символ. [c.89]

Ha зонной диаграмме рис. 82 они указаны стрелками. Обозначение уровней соответствует исходному состоянию дефектов. Урав- [c.180]

Итак, если известна ширина запрещенной полосы g и положение энергетических уровней дефектов, т. е. зонная диаграмма кристаллофосфора, то могут быть вычислены константы равновесия всех процессов ионизации. Существенно подчеркнуть, что в расчетах используются термические энергии ионизации. Экспериментальные способы их определения были рассмотрены в первой части книги. При расчете равновесных концентраций дефектов, отвечающих высокой температуре, необходимо учитывать температурную зависимость энергий ионизации. Ширина запрещенной полосы чаще всего уменьшается при нагревании кристалла. Это изменение Eg в определенном интервале температур может быть выражено формулой [c.187]

Как видно из диаграммы состояния, для перевода чистого вещества из одного фазового состояния в другое можно варьировать двумя условиями—давлением и температурой . Система обладает определенным числом степеней свободы (С), равным числу условий, которые могут быть изменены произвольно (в определенных пределах), не вызывая в системе фазовых переходов. Очевидно, что точки, лежащие внутри трех зон диаграммы состояния, характеризуют систему, обладающую двумя степенями свободы (С = 2) точки на кривых — границах этих зон — присущи системам с С = 1, а тройная точка описывает систему с С = 0. [c.93]

Кристаллический характер структуры фосфоров дает возможность использовать для описания их люминесценции представления физики твердого тела и, в частности, зонной теории твердых тел. Зонная диаграмма кристаллофосфора, содержащего центры свечения одного типа, обеспечивающие электронно-ды- [c.8]

Безызлучательные переходы и вероятность их осуществления определяются структурой энергетических зон фосфоров и не объясняются описанной выше одномерной зонной диаграммой, Для объяснения существования безызлучательных переходов обычно пользуются двумерной энергетической моделью, в которой энергия центра свечения является функцией обобщенного конфигурационного параметра (см,, например. [3]). [c.11]

В работе [33] исследуется влияние адсорбции кислорода на инфракрасную люминесценцию слоев сернистого свинца. На рис. 8 приведена зонная диаграмма РЬ5, иллюстрирующая объяснение процессов тушения, даваемое авторами. Поскольку расчет [38] [c.30]

Первый из указанных процессов происходит при поглощении энергии возбуждения непосредственно центром свечения. Второй про-цес имеет место при поглощении энергии возбуждения в основном веществе, поскольку последнее связано с ионизацией атомов основного вещества, т. е. переводом валентных электронов в зону проводимости (процесс 3 на зонной диаграмме) [c.92]

Рис. 28. Зонная диаграмма кристаллофосфора.

ИЯХ активатора (процессы 6— )) или уровнях прилипания (процессы 9, 10 ) на зонной диаграмме), в общем играющие значительную роль в люминесценции, но зависящие в первую очередь от природы самого кристаллофосфора, а не природы возбуждения. [c.93]

Указанному положению линий поглощения соответствуют локальные уровни, положение которых в зонной диаграмме дано в табл. 2. [c.97]

Рис. 35. Зонная диаграмма СаО,5Ь-фосфора [151].

Определение установившейся структуры поля по измерениям на выходе волокна в дальней зоне диаграммы излучения является более трудоемкой операцией и представляет специальный интерес. [c.188]

Такая ячейка (зонную диаграмму см. рис. 38) содержит фотоанод из полупроводника п-типа и фотокатод из полупроводника р-типа. Площади обоих фотоэлектродов подбирают так, чтобы при их освещении фототоки (зависящие от коэффициента поглощения света, квантового выхода, скорости рекомбинации) были одинаковы по абсолютной величине. [c.73]

Обращаясь к рис. 15, видим что эта смесь поместится в зоне / диаграммы, подобной рис. 15, построенной для температуры кипения при том давлении, которое б дет поддерживаться на станов.е. Пары, выделяющиеся из смеси такого состава, будут богаче анилином, чем остающаяся жидкость. В продолжение процесса простой дестилляции, [c.679]

Кривой 3 будет соответствовать наибольший перепад давления между кондом огра1ниченного пространства и зоной минимального давления н наиболее интенсивная циркуляция, а кривой 2 — наименьшая, так как перепад давления обеспечивает преодоление сопротивлений при движении газов циркуляционной зоны. Диаграммы на рис. 45 показывают также, что количество движения струи до критического сечения почти постоянно и не зависит от соотношения скоростей и но после критического сечения быстро уменьшается. Рассматриваемый эксперимент является, однако, недостаточным для того, чтобы сделать выводы о влиянии соотношения скоростей йУо и на изменение количества движения во второй половине ограниченного пространства, а также в отношении закономерности изменения кинетической энергии по длине струи. [c.93]

Итак, поле наклонного преобразователя рассматривают в плоскостях параллельной акустической оси и перпендикулярной к ней - преломленной геометрической оси пьезопластины плоскости падения и дополнительной плоскости. В плоскости падения в ближней зоне максимумы и минимумы не образуются. В дальней зоне диаграмма направленности в плоскости падения тем шире, чем больше угол наклона. [c.93]

Ео(мма) детально. Наиболее вероятным, видимо, следует считать такой механизм, при котором избыточный носитель (электрон или дырка), мигрирующий в зоне проводимости или в валентной зоне, захватывается адсорбированной молекулой, а образовавшийся при этом ион-радикал рекомбинирует затем с носителем противоположного знака. В общем случае направление переноса электрона между молекулами адсорбата и решеткой определяется конкретным расположением уровней на зонной диаграмме. Типичные зонные диаграммы приведены на рис. 3.4. Уровни, образуемые адсорбатом на поверхности твердого тела, можно построить, пользуясь известными значениями потенщ1ала и0низащ1и I и энергии возбуждения Е молекулы, а также значением работы выхода электронов ф из твердого тела. Сначала следует определить положение уровня электронов в вакууме для чего надо отложить на зонной диаграмме от потолка ВЗ вверх величину ф. Значения ф для многих оксидных адсорбентов можно найти в справочниках [96]. Далее, разность Е — I даст нам уровень основного состояния Е , а величина Евах — I + -уровень первого возбужденного состояния ( 1). Направление переноса электронов будет определяться взаимным расположением уровней Е1 и Ферми (Р). Согласно распределению Ферми при Е <Р уровень адсорбированной молекулы с высокой вероятностью заполнен электроном в равновесных, т.е. темновых условиях. При Еу> ъ условиях электронного равновесия этот уровень будет свободен. Однако при освещении, когда в ЗП появляются избыточные носители, становится энергетически выгодным процесс их захвата на уровень Е с образованием анион-радикала. [c.52]

В тех случаях когда адсорбирующиеся молекулы являются донорами электронов, зоны изгибаются вниз, и вместо обедненного электронами приповерхностного слоя, мы получаем обогащенный ими слой. Влияние адсорбирующегося вещества (адсорба-та) на распределение электронов зависит не только от электроотрицательности его молекул, но и от свойств кристалла-адсорбента — от положения уровня Ферми в его зонной диаграмме. Если поверхностные уровни, образованные адсорбированными молекулами, лежат существенно ниже уровня Ферми, то они будут играть роль акцепторов электронов, т. е. окислитё-лей, тогда как кристалл будет вести себя по отношению к ним как восста- [c.139]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология