Дефекты, влияние примесей

В пирамиде <+л > волокнистые примесные сегрегаты возникают в результате постепенного вырождения плоскости -Ьх и вытеснения ее фрагментами граней тригональных бипирамид, которые, адсорбируя неструктурную примесь, образуют паразитные секторы в объеме пирамиды <+л >. Необходимо подчеркнуть, что на включение неструктурной примеси не оказывает никакого влияния положение растущего кристалла относительно вектора силы тяжести и направления движения конвекционных потоков раствора. Увеличение содержания неструктурной примеси в кварце с повышением скорости роста зафиксировано различными методами. В частности, происходит значительное возрастание интенсивности полос поглощения, связанных с алюминием и ОН-дефектами (наблюдается для образцов, скорости роста которых превышают значение пороговой скорости грани пинакоида v ). В случае, если выращивание осуществляется со скоростями, не превышающими значение даже значительные колебания скорости не вызывают существенных изменений инфракрасных спектров <с> и, наоборот, после того, как неструктурная примесь начинает входить в кварц в одном и том же секторе роста, поглощение на 3394, 3570, 3384 и 3440 см возрастает примерно пропорционально увеличению концентрации примеси в кристалле. Увеличение скорости роста приводит к непропорциональному изменению интенсивности полос поглощения в секторах <с>, <—л >, <+5> и <+л > на различных частотах (рис. 30, 31), что, по всей вероятности, связано с некоторыми вариациями состава неструктурной примеси, [c.117]

Переопределение 0-точки может проявиться в некоторых эффектах, связанных с влиянием концов, разветвлений и дефектов в макромолекуле [27 ]. — Прим, перев. [c.127]

Кейер и Чижикова [71 ] исследовали окисление окиси углерода на окиси цинка, па окиси ципка, содержащей от 0,5 до 1,2% атомн. лития, и на окиси цинка с 1 % атомн. галлия. Они нашли, что 1) присутствие лития повышает энергию активации электропроводности окиси цинка, 2) адсорбция кислорода понижает электропроводность за счет уменьшения концентрации электронов, 3) примесь лития тормозит адсорбцию окиси углерода и ее окисление на ZnO и 4) энергия активации окисления окиси углерода повышается при прибавлении лития, но остается неизменной при прибавлении галлия. Отсюда был сделан вывод, что механизмы окисления на ZnO и NiO сходны. Литий изменяет электронно-обменные свойства ионов цинка, связанные с наличием дефектов в ZnO и, таким образом, в значительной степени понижает концентрацию свободных электронов. Полученные данные объясняются влиянием примесей, о которых упоминалось ранее. Адсорбция кислорода не определяет скорость. Тем не менее она в значительной степени влияет на стадию, которая определяет скорость окисления. Такой стадией может быть либо адсорбция СО, либо взаимодействие адсорбированного кислорода с окисью углерода из газовой фазы. В последнем случае повышение энергии активации реакции с концентрацией лития приводит к понижению скорости реакции. [c.335]

Развиваемые здесь и выше представления основаны на принятии критического механизма, по которому после достижения критического напряжения трещина прорастает со скоростью звука. Эти взгляды не разделяются советскими учеными, представления которых основаны на учете влияния флуктуационной тепловой энергии. Кроме того, за исключением хрупкого разрушения, характер дефектов в полимерах по форме не соответствует трещинам, поэтому термин трещина , по-видимому, применим только к хрупкому разрушению, если он вообще применим к полимерам. — Прим.. ред. перев. [c.189]

Если вводить в кристалл не донорную, а акцепторную примесь, то в области низких концентраций свойства кристаллов будут такие же, как и в случае донорной примеси. Но когда концентрация акцепторов станет достаточно большой, то при любой температуре условие электронейтральности примет вид Ад ] = / концентрации ионизированных акцепторов и дырок будут расти пропорционально Р а концентрации электронов и ионизированных вакансий будут убывать пропорционально Р (рис. 4.5, виг). Полученный результат соответствует общему правилу взаимного влияния ионизированных дефектов или примесей растворимость (концентрация) ионизированной примеси или дефекта возрастает, когда в кристалле присутствуют ионизированные дефекты противоположного знака и, в свою очередь, повышает концентрацию (растворимость) этого дефекта если же они несут заряды одного знака, то их концентрации (растворимости) взаимно снижаются. [c.187]

Влияние поверхности твердой фазы может быть обусловлено различными причинами. Если примесь далека по своему строению и составу от кристаллизующегося вещества, действие ее на скорость зародышеобразования может заключаться в предварительной адсорбции веществ из раствора с последующим образованием зародышей новой фазы в адсорбционном слое. Далее в процессе приготовления пересыщенного раствора твердые частицы кристаллизующегося вещества могут сохраниться в трещинах или других дефектах поверхности примеси, тогда они становятся готовыми центрами кристаллизации. То же относится к дефектам поверхности кристаллизатора. Это наиболее простой случай. [c.53]

От положения примеси в твердой фазе существенно зависит и то влияние, которое она оказывает при прочих равных условиях на свойства вещества. Например, если примесь образует механическую смесь, ее влияние зачастую может свестись к простому сложению значений данного свойства двух веществ с учетом доли каждого из них. Разумеется, это касается тех характеристик, которые по своей природе обладают свойством аддитивности. К ним, в частности, относятся удельный вес, диэлектрическая проницаемость и т. п. Если же примесь образует твердый раствор, изменение физических и химических свойств вещества будет обусловливаться теми изменениями, которые будут возникать при этом в самой кристаллической решетке. Сюда относятся различного рода дефекты, вакансии, искажения. Особенно сильно влияние внедряющихся в решетку примесей на так называемые структурно-чувствительные свойства [33]. [c.93]

Когда примесные атомы создают заряженные центры, их концентрации входят в условие нейтральности и поэтому могут оказывать влияние на концентрацию заряженных собственных дефектов кристалла. Грубо говоря, общий эффект от присутствия примесных атомов двух разных типов представляет собой алгебраическую сумму эффектов для примесных атомов каждого типа. При одинаковых зарядах примесных центров (например, если оба они являются либо донорами, либо акцепторами) эффекты складываются при противоположных зарядах (одна примесь — донор,а другая — акцептор) эффекты вычитаются если суммарный заряд равен нулю, то эффект отсутствует. [c.516]

При наличии очень небольших, но контролируемых количеств примесей в правильной кристаллической решетке, либо при небольшом избытке одного из компонентов твердого вещества, или же просто при наличии вакансий в кристаллической решетке образуются так называемые дефектные кристаллы. Каждый из таких дефектов— примесь, избыточный компонент или вакансия — обусловливает недостаток или избыток валентных электронов, необходимых для образования связи между частицами кристалла, и поэтому придает веществу новые свойства. Например, в кристалле элементарного кремния атом кремния может быть замещен атомом алюминия, что обусловливает недостаток в один электрон, поскольку атом алюминия имеет только три валентных электрона, а атомы кремния — четыре. Появление в решетке атома, которому недостает валентных электронов для образования должного числа ковалентных связей, приводит к образованию электронной вакансии, или так называемой дырки. При наложении на кристалл электрического потенциала дырка начинает мигрировать и в результате у кристалла появляется особый вид электропроводности подобные кристаллы называют полупроводниками. Если замещающий атом обладает избытком электронов, лишние электроны не принимают участия в образовании ковалентных связей и могут свободно перемещаться по кристаллу под влиянием приложенного внешнего потенциала. Такой полупроводник относится к п-типу (его проводимость обусловлена наличием свободных отрицательных зарядов, отрицательный по-английски negative), а полупроводники с недостатком электронов относятся к р-типу (их проводимость обусловлена наличием свободных положительных зарядов — дырок, положительный по-английски positive). Строение полупроводников этих типов схематически изображено на рис. 10.22. [c.183]

Ал. Ал. Берлин. Я хочу сказать о механизме полимеризации в твердой фазе. Основным вопросом в данном случае является влияние решетки на акт роста. Во многих случаях такое влияние уже доказано. Если же такое влияние суш,ествует, то, безусловно, реакционная способность мономеров в твердой фазе отличается от жидкой фазы. До тех пор, пока не доказано для каждого данного случая отсутствие влияния кристаллической решетки, из составов сополимера не следует делать категорических выводов о механизме полимеризации. Несколько слов об ингибировании в твердой фазе. Ингибирование в твердых растворах может быть связано с тем, что сокристаллизующаяся добавка (сомономер) представляет дефекты для полимерной цепи, поэтому естественно, что примесь не сокри-сталлизуюш,аяся и не дает ингибирования. [c.130]

В хорошо отожженном твердом теле при любой заданной температуре должно быть равновесие концентраций дефектов Шоттки и Френкеля, а относительная концентрация каждого из этих типов дефектов зависит от величины соответствующих энергий их образования. Мотт и Герни [20] вычисляли число дефектов Френкеля, находящихся в термодинамическом равновесии при температуре Г, следующим образом. Пусть N означает число однотипных атомов, имеющихся в кристалле, М — общее число возможных мест в междоузлиях. Примем, что п атомов покинули свои регулярные места в узлах кристаллической решетки, образуя п равновесных дефектов Френкеля. Тогда, допуская, что 1) концентрация дефектов столь мала, что они по существу не взаимодействуют друг с другом, 2) объем кристалла остается постоянным, так что энергия дефектов пе зависит от температуры, 3) присутствие дефектов Френкеля не оказывает влияния на собственные частоты колебаний решетки, можно записать [c.217]

Поглощаемая в процессе облучения мономерными кристаллами энергия может оказать существенное влияние не только на акты зарождения цепей, но и на условия их роста. Как указывалось выше, энергия возбуждения обычно локализуется на примесях либо на дефектах, где инициируется рост цепей. Процесс роста цепей можно также рассматривать как процесс развития новых дефектов в кристалле, а активный конец цепи — как примесь или дефект Например, дефект аналогичный дефекту Шотке, характеризующийся наличием вакансии или микрополости в решетке мономера, непосредственно у активного центра, может возникнуть в результате уменьшения линейного размера полимерной цепи по сравнению с мономерной заготовкой, из которой она образовалась. [c.101]

Рассмотрим кристалл состава М, в который вводятся две примеси, образующие с кристаллом М твердые растворы замещения. Примем, что одна примесь обладает донорными свойствами (О), а другая — акцепторными (А). Примеси вводятся в кристалл из паровой фазы, где они обладают парциальными давлениями Ра и Рв, соответственно. На основании ранее изложенного легко убедиться в том, что для изучения состояния полного равновесия рассматриваемой системы при температуре Т надо учитырчть следующие соотношения (пренебрегая влиянием врожденных точечных дефектов) [c.190]

Изучение химических эффектов ядерных превраш,ений с помощью эффекта Мессбауэра было выполнено Несмеяновым [160—163]. Исследования радиационного захвата нейтронов в окислах олова показали, что валентное состояние стабилизированного 118т5п зависит от условий облучения в ядерном реакторе и от температуры облучаемого вещества. Температурная зависимость мессбауэровских спектров окислов олова после облучения нейтронами и температурного отжига обнаружила влияние дефектов решетки образованных в результате реакций в горячей зоне и эффектов облучения и самооблу-чения) на форму, в которой происходит стабилизация. Некоторые интересные результаты были получены при исследованиях влияния конвертированных изомерных переходов в 12 " Те (в НвТеОв и ЫагН4ТеОв) [164] и " Зп (в ЗпО) на химическое состояние мессбауэровских атомов. Искаженные спектры испускаемых у-лучей в случае соединений Те были интерпретированы как результат частичного перехода из Те + в Те и, возможно, в Те . Вследствие конвертированного 63,5 кэв изомерного перехода в и " 3п около 4% олова образовывалось в форме 5п(1У), как, например, ЗпОа.— Прим. ред. [c.494]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология