Некоторые однокомпонентные системы

Некоторые однокомпонентные системы [c.293]

Остановимся теперь вновь на некоторых однокомпонентных системах. На рис. VII 1.3 представлена проекция на плоскость р—Т фазовой диаграммы углерода по Банди . Согласно этому автору существуют [c.293]

Остановимся теперь вновь на некоторых однокомпонентных системах. На рис. 114 представлена проекция на плоскость р—Т фазовой диаграммы углерода по Банди. Согласно этому автору, существуют три кристаллические модификации углерода графит, алмаз и особая плотнейшая металлическая модификация, устойчивая при давле- [c.316]

Некоторые однокомпонентные системы........ [c.390]

В однокомпонентных системах эти особенности обусловлены в основном разной концентрацией вещества в различных фазах и в некоторых случаях более или менее закономерной ориентацией молекул в поверхностном слое. В системах же, содержащих более одного компонента, и состав поверхностных слоев отличается от состава внутренних частей фаз. [c.355]

Весьма часто применяется также слово компонент . Пока мы ограничимся утверждением, что компонент — это вещество (или вещества), составляющие систему. В данном разделе речь будет идти об однокомпонентных системах, т. е. системах, состоящих из одного вещества, например только из воды или голько нз углерода и т. д. Каждое вещество может находиться в трех агрегатных состояниях твердом, жидком и парообразном. В некоторых интервалах условий, т. е. температуры и давления, вещество может существовать одновременно в двух или трех агрегатных состояниях, каждое из которых составит отдельную фазу. Здесь, как уже упоминалось, пойдет речь о равновесии между [c.98]

Равновесие любой системы, гомогенной или гетерогенной, зависит от условий ее существования — температуры, давления, концентрации компонентов, наличия различных полей и др. Число условий, которые можно менять (в определенных пределах) без изменения числа и вида фаз в системе, называется числом степеней свободы системы. Жидкая вода и водяной пар могут находиться в равновесии при некоторых различных температурах и давлениях, но каждой температуре отвечает строго определенное давление и, наоборот, каждому давлению водяного пара соответствует строго определенная температура. Следовательно, равновесная однокомпонентная система жидкость — газ имеет одну степень свободы. [c.15]

Необходимы некоторые пояснения к структуре книги, поскольку в ней нет достаточного соответствия между значением тех проблем, которым посвящены отдельные главы, и объемом глав. При распределении объема между ними авторы стремились обеспечить возможность для более подробного изложения тех вопросов, которые в наименьшей степени освещены в нашей литературе. Так, очень коротка гл. И, и это обусловлено тем, что равновесия в однокомпонентных системах, свойства индивидуальных газов и жидкостей, методы их расчета с большой полнотой изложены в монографии Р. Рида, Дж. Праусница и Т. Шервуда Свойства газов и жидкостей (Л. Химия, 1982 г.). [c.3]

В однокомпонентных системах эти особенности обусловлены в основном разной концентрацией вещества в различных фазах и в некоторых случаях более или менее закономерной ориентацией молекул в поверхностном слое. [c.349]

Подвижность атомов в системах, которые начинают спекаться, была впервые экспериментально изучена на простых однокомпонентных системах. В частности, по простым металлам Тамман и его последователи собрали очень большое количество материала, на основании которого развивается современная порошковая металлургия. Кроме того, Тамман изучил условия подвижности атомов в однокомпонентных окисных системах, которые во многом сходны со спекшимися металлическими порошками и не менее важны для современной керамики из чистых окислов. Несмотря на принципиальное различие между металлической и ионной или молекулярной связями, характеризующими эти группы материалов, существуют некоторые общие для них свойства, которые станут понятнее после краткого изложения теории Таммана. [c.692]

В однокомпонентных системах для покрытий используют блокированные или скрытые изоцианаты . Такие блокирующие агенты, как фенолы, некоторые ароматические амины и другие вещества, реагируют с изоцианатами с образованием блокированных аддуктов [c.18]

Именно на этом основана развитая в последнее время теория соответственных состояний для расплавленных солей [58]. В своем первоначальном виде теория соответственных состояний относилась к однокомпонентным системам, однако Рейс, Майер и Кац отметили, что в случае расплавленных солей существенную роль играет только один параметр длины (расстояние наибольшего приближения аниона и катиона). В связи с этим исходную теорию соответственных состояний легко переформулировать на случай солей, содержащих частицы двух сортов. Несмотря на некоторый произвол, являющийся следствием пренебрежения рядом усложнений, связанных с диэлектрической проницаемостью [что иллюстрируется, например, появлением производных по плотности в уравнении состояния (47)], вычисленные термодинамические данные хорошо согласуются при сравнении ряда солей, [c.161]

НОЙ системе можно уподобить нормальной кристаллизации. Вероятно, консервативное выращивание нз раствора удобнее всего вести по схеме, показанной на фиг. 2.11, о, которая почти одинакова со схемой фиг. 2.4, в. В данном случае пересыщение достигается медленным охлаждением раствора. Для предотвращения спонтанного зародышеобразования полезно (но не обязательно) затравку поддерживать при более низкой температуре, чем раствор. Распределение примеси можно рассчитать непосредственно методами, выведенными для консервативного роста, но с учетом того, что температура кристаллизации меняется по мере осаждения растворенного вещества на кристалле. Изменение температуры кристаллизации приводит к изменению константы кй и, следовательно, делает невозможным прямое распространение уравнений и графиков, описывающих однокомпонентный консервативный рост, на консервативное выращивание из многокомпонентной системы. Однако часто либо константа о слабо зависит от температуры, либо интервал охлаждения незначителен. В таких случаях можно пользоваться с некоторыми поправками или даже без них выражениями для распределения примеси в однокомпонентных системах. [c.87]

Впервые термин автоадсорбция, т.е. адсорбция в однокомпонентных двухфазных системах, был введен, по-видимому, автором [1] (во всяком случае в [1] отсутствуют ссылки на более ранние работы). Несмотря на то, что он якобы использует метод изложения, близкий к методу, примененному впервые Гиббсом , на самом деле это не совсем так, о чем свидетельствует хотя бы то, что вводится понятие толщины неоднородного межфазного слоя, принципиально чуждое методу Гиббса [2]. Нельзя согласиться и с тем, что однокомпонентные системы, с точки зрения определения адсорбции, ничем не отличаются от многокомпонентных (см. ниже). Термин автоадсорбция не получил широкого распространения, но все же иногда встречается (см., например, [3]). Обычно под автоадсорбцией подразумевают уплотнение вещества в поверхностном слое, так как молекулы на поверхности сильнее взаимодействуют с молекулами, находящимися внутри фазы, чем последние между собой [3]. Ссылаются также на изменение структуры (конформации) и ориентации молекул на межфазной границе. Одно время обсуждалась гипотеза, согласно которой, в некоторых однокомпонентных системах возможно повышение плотности на границе фаз по сравнению с ее значением в жидкой фазе, т.е. немонотонное изменение плотности при переходе из одной фазы в другую. Но не было найдено ни экспериментального, ни теоретического доказательства, и вопрос по-прежнему остается открытым. Реальное распределение плотности в межфазной области однокомпонентной системы неизвестно, хотя в молекулярных моделях обычно принимается, что оно монотонно (см., например, [4]). [c.109]

Фазовые равновесия. Основные понятия и общие закономерности фазовых переходов. Фазовые равновесия в однокомпонентных системах. Диа1раммы состояния веществ. Бинарные растворы и основные их свойства. Фазовые равновесия в двухкомпонентных системах. Теоретические основы различных процессов разделения бинарных смесей. Некоторые сведения из фазовых равновесю в трехкомпонентных системах. Теоретические основы экстракции. Физико-химический анашз. [c.8]

На диаграмме состояний однокомпонентной системы существует лишь одна рфитиче-ская точка, в бинарных системах существуют линии критических точек (критические кривые), при этом возможны критические точки равновесия жидкость - газ, двух жидких фаз, дв)- газовых или твердых фаз. Переход системы из однофазного состояния в двухфазное вне критической точки, и изменение состояния в самой критической точке существенно различаются В первом случае при расслаивании на две фазы переход начинается с появления небольшого количества (зародыша) второй фазы, свойства которой отличаются от свойств первой фазы, что сопровождается выделением или поглощением теплоты ФП. Поскольку возникновение зародышей приводит к появлению поверхности раздела фаз и поверхностной энергии, цля его рождения требуется определенная энергия. Это означает, что такой переход (1-го рола) может начаться лишь при некотором переохлаждении (перегреве) вещества, способствующем появлению устойчивых зародышей новой фазы. [c.21]

Однокомпонентная система невозможна, так как, согласно 2-му закону термодинамики, происходит рост ЭРП. Согласно теореме Пуассона [И], при Р-->0, что возможно при очень большем числе компонентов системы, имеем систему с пуассо-новским характером распределения свойств (чистые вещестна, некоторые газовые системы). [c.22]

В однокомпонентной системе коэффициент D имеет физический смысл коэффициента самодиффузии D,,. В двухкомпонентной системе растворитель — растворенное вещество частицы обоих компонентов, находясь в совместном броуновском движении, обладают собственными различными коэффициентами самодиффузии. В этом случае их среднее квадратичное смещение определяется коэффициентом диффузии Djj, представляющим собой некоторую функцию обоих коэффициентов самодиффузии. [c.209]

Выражение (П1.111) определяет статистический интеграл как функцию макроскопических параметров 0, N , Oi,. .., fls- В случае однокомпонентной системы при отсутствии внешних силовых полей (кроме потенциала, создаваемого стенками сосуда) Z = Z (Q, N, V). Среднее значение некоторой функции динамических переменных [c.78]

НЕКОТОРЫЕ СООТНОШЕНИЯ ТЕРМОДИНАМИКИ ПОВЕРХНОСТИ РАЗРЫВА В ОДНОКОМПОНЕНТНОЙ СИСТЕМЕ [c.14]

Две фазы, например жидкость и пар в однокомпонентной системе, могут сосуществовать в равновесии друг с другом только при наличии устойчивой границы раздела между ними. Устойчивость поверхности раздела фаз, по Гиббсу, определяется (при постоянной температуре) ростом свободной энергии системы при увеличении площади поверхности раздела фаз 5 с] /(15>0 это позволяет связать с поверхностью некоторый избыток свободной энергии — свободную поверхностную энергию в, пропорциональную площади поверхности раздела фаз [c.14]

Таким образом, основным варьируемым параметром при изучении границы раздела между конденсированными фазами в двухкомпонентных системах является температура, что в некотором смысле сближает подобные границы раздела фаз с поверхностью жидкость — пар (или твердое тело—пар) в однокомпонентной системе (см. гл. I, I). Рассмотрим природу температурной зависимости поверхностного натяжения границ раздела между конденсированными фазами и связь поверхностного натяжения с характером межмолекулярных взаимодействий компонентов на межфазной поверхности. [c.100]

Для определения величины адсорбции на поверхности необходимо прежде всего фиксировать положение поверхности. В поверхностной области средние значения свойств системы непрерывно изменяются вдоль перпендикуляра к поверхности можно, однако, провести некоторую гипотетическую поверхность раздела. В однокомпонентной системе положение поверхности выбирается так, чтобы произведение концентрации одной объемной фазы и ее объема плюс соответствующее произведение для другой объемной фазы вместе давали полное количество вещества в системе. В двухкомпонентной системе поверхность можно провести подобным же образом по отношению к одному из компонентов, который мы будем называть компонентом 1 обычно это компонент, присутствующий в большем количестве. При таком положении поверхности сумма произведений концентрации и объема для компонента 2 неравна полному количеству компонента 2 в системе. Может наблюдаться как избыток, так и недостаток компонента 2. Избыток компонента 2 в расчете на единицу поверхности называется поверхностной концентрацией и обозначается Гг- В 1876 г. Гиббс показал, что [c.247]

Однокомпонентные системы. На фазовой диаграмме однокомпонентной смеси типа изображенной на рис. 5.1 каждая из фаз представлена в виде открытой зоны, твердая фаза — в зоне выше линий АВ и левее линии ВО. Вдоль линии типа АВ две фазы находятся в равновесии, в данном случае это твердая и газовая фазы. В точке пересечения трех линий, точка В, три фазы находятся в равновесии это наибольшее число фаз, способных сосуществовать в равновесии в однокомпонентных системах. Как будет показано позднее, чистые твердые фазы могут иметь несколько стабильных кристаллических форм, поэтому зона твердой фазы АВО может быть представлена несколькими областями. Поскольку некоторые классы веществ могут образовывать жидкие кристаллы, зона ВВС также может состоять из нескольких областей. Точка С — критическая точка диаграммы, по достижении которой исчезают различия между свойствами жидкости и газа. Критические точки, соответствующие другим парам фаз, отсутствуют. Штриховыми линиями показаны границы зон метаста-бильной переохлажденной жидкости и перегретого пара. [c.252]

Вклад градиентных членов в свободную энергию гетерофазной системы наиболее ощутим в области резкого изменения параметров ф, т. е. вблизи межфазной границы, где параметры испытывают скачок. Наличие градиентного взаимодействия приводит к размытию скачка на некоторый переходный слой. Необходимо отметить, что полевая модель предполагает [27], что в кристалле изменение любого параметра ф/ сопровождается смещением узлов решетки. Следовательно, плотность свободной энергии зависит от градиентов смещения — деформаций. Упругое поле, возникающее вследствие контакта фаз с различной собственной деформацией, простирается на глубину порядка радиуса поверхности контакта, и энергия упругого взаимодействия оказывается пропорциональной не площади поверхности контакта, а объему фаз. Это приводит к тому, что происходит частичная трансформация межфазной поверхности энергии в объемную энергию фаз, что может приводить как к смещению равновесия, так и к снижению барьера для зарождения. В случае превращения графита в алмаз, т. е. в однокомпонентной системе, образование более плотной модификации углерода сводится к изменению взаимного расположения узлов решетки и может быть описано как некоторая деформация. При этом деформация является единственным параметром превраше-310 [c.310]

Рассмотрим подробнее некоторые детали диаграммы состояния. Точка А (см. рис. 1 и 2) соответствует равновесию твердой, жидкой и паровой фаз. Такое равновесие в однокомпонентной системе будет, как уже указывалось, нонвар 1антным оно может осуществляться при строго определенных величинах температуры и давления. Изменение хотя бы одной из этих величин обязательно поведет к изменению числа фаз. Например, повышение температуры при постоянном давлении вызовет переход твердой и жидкой фаз в пар (этому процессу соответствует движщше фигуративной точки вправо по прямой, параллельной оси температур, и переход ее в поле пара). [c.16]

Состояние однокомпонентной системы определяется двумя параметрами, чаще всего температурой и давлением. При дивариаптных равновесиях обе эти величины можно изменять (в некоторых пределах, конечно) независимо друг от друга. Например, пар и жидкость или твердое тело могут находиться при самых разнообразных температурах и давлениях. В монова-риантных системах произвольно задается один из этих параметров например, если жидкость находится в равновесии со своим паром, то температура системы вполне определяет его давление, и наоборот. Так, вода и пар нахо- [c.28]

Рассмотрим теперь некоторые конкретные ситуации, возникающие при одновременном переносе через вентильное устройство энтропии (в виде потока тепла) и частиц, составляющих области / и 2. В качестве объекта исследования выберем однокомпонентную закрытую в целом систему. Теперь области заведомо одинаковы по составу. Так как частицы, составляющие однокомпонентную систему, электронейтральны, наличие электрического поля никак не будет сказываться на свойствах системы. Воспользуемся потоками и силами в форме (5.10.2). Для однокомпонентной системы множество равенств (5.10.2) сводится к уравнению для потока числа молей частиц вида к, составляющих систему, и уравнению для потока тепла [c.331]

Если процесс деформации начинается при некоторой температуре, при которой сетка находится еще в аморфном состоянии, и если уравнение имеет форму (120), отношение ЦТ будет линейно расти с увеличением L до момента начала кристаллизации (точка А). Эта точка характеризует температуру плавления сетки при заданной силе и удлинении. С возрастанием степени кристалличности длина образца растет (участок АВ). Для однокомпонентной системы сила должна оставаться неизменной вплоть до полного завершения перехода (точка В). Меньший из двух корней уравнений (128) и (129) определяет это равновесие. Предполагается, что далее напряжение будет возрастать очень резко (почти по вертикальной прямой) в результате перехода системы в точке В в жесткое кристаллическое состояние. [c.178]

Кривые 1 и 6 — кривые охлаждения соответственно для чистого ВеРг и чистого СаРг- Снижение температуры резко обрывается, когда чистое вещество начинает кристаллизоваться. Затем после небольшого участка переохлаждения температура становится постоянной, поскольку при данном давлении не остается степеней свободы для двухфазной однокомпонентной системы с постоянным давлением Р = С—Р+1 = 1—2+1=0). В течение некоторого времени температура остается неизменной (Р = 0), поскольку для полной кристаллизации необходимо отвести значительное количество тенла. Тепло выделяется здесь за счет энтальпии кристаллизации (—ДЯпл). Когда кристалли- [c.186]

Расчеты по математической модели, построенной для однокомпонентной системы, показали, что циклический режим плавления реализуется при превышении высоты погруженной в расплав шихты некоторого критического значения [1]. В этом сл) чае при отсутствии тепловыделения в расплаве, заключенном между зернами шихты, его полная кристаллизация происходит при условии [c.652]

Говоря о проблемах однокомпонентной динамики, следует заметить, что в некотором смысле система (1) — (5) является простейшей. Она не учитывает ряда важных факторов для определенных сорбционных систем. Отметим некоторые из них. [c.155]

Но если таких причин нет, то экспериментатор обращается в первую очередь к способам выращивания из расплава. Общие основы выращивания кристаллов из расплава уже рассматривались в гл. 2 и 3. Как отмечалось, разделение систем на одно- и многокомпонентные применительно к выращиванию из расплава в некоторых граничных случаях несколько условно. Тем не менее такая классификация полезна. Строго говоря, рост в однокомпонентной системе не должен включать никаких систем, в [c.174]

Возможно, что некоторые из этих эффектов обусловлены процессами в газовой фазе, аналогичными концентрационному переохлаждению. При выращивании из газовой фазы концентрационное переохлаждение может иметь место и в много- и в однокомпонентной системах. В однокомпонентных системах в силу того, что градиент концентрации обусловлен диффузией или конвекцией, парциальное давление в некоторых частях системы может превышать равновесное парциальное давление над твердым веществом при температурах ниже рассматриваемых. Такую ситуацию в паре можно рассматривать как аналогичную концентрационному переохлаждению. Вопрос о концентрационном переохлаждении при выращивании кристаллов иода из газо-ррй фазы анализируется в работе Рида и Ляфлера [14]. [c.242]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология