Фактор рассеяния

Связь структурного фактора с электронными свойствами металлов. Одним из физических свойств металлов, непосредственно связанных с ближним порядком и энергией взаимодействия частиц, является электропроводность. Развитие квантовой теории твердого тела привело к выводу, что электропроводность жидких металлов можно вычислить теоретически по экспериментальным данным для структурного фактора а(5), задавая Фурье-образ потенциальной энергии взаимодействия электронов с атомами расплава. Основная идея, на которой базируются расчеты электропроводности, состоит в том, что рассеяние электронов проводимости жидкого металла описывается структурным фактором, аналогичным для рентгеновского излучения или нейтронов. Заметим, что структурный фактор рассеяния электронов проводимости ограничен значениями 5, которые для одновалентных металлов находятся слева от первого максимума а 8), а для двух (и более) валентных металлов —справа от него. В то же время, по данным рассеяния медленных нейтронов и рентгеновских лучей длиной волны X = 0,5—0,7 А, структурный фактор определяется до 5 = 15—20 А"1. Выясним, чем же обусловлено такое различие а(5). По современным представлениям, электроны проводимости металла нельзя рассматривать как свободные. Их движение в кристалле модулировано периодическим силовым полем решетки. Непрерывный энергетический спектр свободных электронов в -пространстве распадается на зоны разрешенных энергий — зоны Бриллюэна, разделенные интервалами энергий, запрещенными для электронов. На шкале энергий Е к) зоны Бриллюэна изображают графически в виде полос разрешенных значений энергии и разрывов между ними (рис. 2,13). В трехмерном/г-пространстве они имеют вид многогранников, форма которых определяется симметрией кристаллических решеток, а размеры — параметрами решетки. Для гранецентрированной кубической решетки первая зона Бриллюэна представляет собой октаэдр, а для объемно-центрированной решетки — кубический додекаэдр. [c.52]

Рассмотрим системы, атомы которых не образуют устойчивых молекул (растворы, смеси, сплавы металлов). Пусть эта система состоит из N1 атомов одного химического сорта и — другого. Их атомные факторы рассеяния соответственно равны / 1(5) и Рг 8). [c.83]

Рис. 17.22. Кривая фактора рассеяния для атома углерода.

Каждый раз, когда запускается программа обработки данных по методу наименьших квадратов, она рассчитывает из данной модели структурные факторы (плюс таблица факторов рассеяния, информация о симметрии и т.д.) и, используя матричный метод, который имеет слишком много тонкостей, чтобы его здесь обсуждать, рассчитывает изменение каждого параметра, которое приводит к снижению величины функции [c.402]

Рис. 2.11. Структурный фактор рассеяния жидкого олова

Наличие сверхструктуры обнаруживается в спектрах рассеяния рентгеновских лучей по появлению дополнительных линий, называемых линиями сверхструктуры (при сопоставлении со спектром полностью неупорядоченной системы). Появление линий сверхструктуры объясняется следующим обстоятельством. В неупорядоченном сплаве средние концентрации атомов А и В не меняются от плоскости к плоскости все плоскости равноценны. При наличии же сверхструктуры будут чередоваться плоскости, обогащенные соответственно атомами А или В, и расстояние между идентичными плоскостями будет вдвое больше, чем в случае неупорядоченного сплава (рис. 50, б). В результате этого на рентгенограммах и обнаруживаются дополнительные отражения (линии сверхструктуры). -Эти линии тем интенсивнее, чем сильнее различаются атомные факторы рассеяния для частиц А и В и чем больше степень упорядоченности. [c.339]

Основная помеха при сильной растяжке ординаты спектра — наличие наклонной (неровной) нулевой линии и большого фона, что может быть обусловлено такими факторами рассеяние света, наличие интерференционных полос, поглощение растворителя матрицы или примесей, край поглощения кюветы. Большинство искажений можно исключить, производя при помощи ЭВМ вычитание спектров. Одним из преимуществ метода получения разностных спектров при помощи ЭВМ по сравнению с обычной дифференциальной ИК-спектроскопией является возможность применять его при любом способе приготовления образца. [c.768]

Фактор рассеяния при частоте 1 О гц 25 . ....... 0.0017 — 5.58 0.0015 — [c.378]

Атомные радиусы 1/411, 403 2/1063, 1064 3/208. 227, 228, 413, 1145 4/374, 375, 432 Атомные реакторы 1/778, 785, 786 Атомные спектры 1 /412,405, 408,409, 413, 414 2/1121 4/587, 776, 789 5/640 Атомные факторы рассеяния излучений 2/188, 189 температурный 2/189, 190 Атомные часы 5/656 Атомный вес 1/407 5/508 Атомный номер 1/403 2/220 3/82, [c.553]

При рассмотрении интерференции рассеяния от различных элементов г и У для рассеивающей макромолекулы разной формы необходимо в расчеты вводить поправочный фактор рассеяния (Яе). [c.201]

Фактор рассеяния Рв) определяется как отношение интенсивности рассеяния под углом 0(У 0) к этой интенсивности, экстраполированной к 0 =0°( о°) [c.201]

Для макромолекул любой формы Рв = 1 при 0 = 0°. С увеличением 0 величина Рв уменьшается. Фактор рассеяния связан с радиусом инерции (5 ) и зависит от формы частиц (сферы, тонкие диски, тонкие палочки, цилиндры, статистические клубки, полидисперсные статистические клубки и жесткие клубки). Из-за сложности математическое выражение фактора рассеяния для любой заданной формы рассеивающей частицы здесь не приводится. [c.201]

В реальных условиях фактические кривые рассеяния, как правило, отличаются от кривой нормального распределения и нередко очень существенно. Объясняется это тем, что факторы, вызывающие отклонение выходного показателя, значительно отличаются один от другого по величине и степени воздействия. Рассмотрим некоторые характерные случаи (рис. 1.13). Из рис. 1.13 видно, что на участке а-а в результате действия многочисленных факторов рассеяние полученного размера подчиняется закону нормального распределения, а на участке а-б точечная диаграмма смещена на величину И, что обусловлено действием систематического фактора. Примером может служить процесс развертьшания отверстий в деталях, когда сломанную развертку заменяют новой, имеющей другой фактический дааметр. Если для выборки о-б построить кривую рассеяния, то она будет иметь двугорбый вид. На участке б-в наблюдается систематическое изменение размера, близкое к линейному. Примером является действие изнашивания шлифовального круга. Кривые рассеяния для выборки на участке б-в будут подчиняться закону равной вероятности. Для участка в-г характерно влияние доминирующего случайного фактора. Например, если среди заготовок оказалась партия заготовок, полученных на другом уже изношенном штампе, имеющем большие размеры, то эта партия заготовок будет иметь больший разброс припуска. [c.31]

Для того чтобы найти фактор рассеяния Рв), необходимо знать коэффициент асимметрии. [c.202]

Для нахождения фактора рассеяния P существует два метода обработки экспериментальных данных метод асимметрии и метод Зимма. Первый сводится к определению коэффициента асимметрии z, представляющего собой отношение интенсивностей рассеяния под углами, симметричными относительно 90°. Величина 2 зависит от концентрации раствора, и для получения значений, не зависящих от С, проводят экстраполяцию величины 1/z-l на бесконечное разбавление (С->0), получая так называемое характеристическое значение z, по которому из таблиц находят значение Рв для соответствующей конформации макромолекул. По методу Зимма проводят двойную экстраполяцию на нулевую концентрацию и на нулевое значение угла. Этот метод является более точным и обычно используется для полимеров с конформацией статистического клубка. [c.206]

Коэффициент асимметрии связан также с фактором рассеяния (Ре) [c.202]

Фактор рассеяния (Ре) для частицы с конфигурацией статистического клубка определяется по уравнению Зимма [c.202]

Комплексная (или обобщенная) диэлектрическая проницаемость в этом случае слагается из двух компонент, а именно е — действительной части диэлектрической проницаемости образца и е", которая представляет собой коэффициент диэлектрических потерь. Отношение этих двух компонент называют тангенсом угла диэлектрических потерь, или фактором рассеяния (tg6) [c.165]

Для макромолекул большего размера (диаметр клубка больше Х 20), например для виниловых полимеров со степенью полимеризации более 500, интенсивность светорассеяния зависит от угла, под которым проводится наблюдение. При оценке рассеяния света от различных участков макромолекулы вводится поправочный фактор рассеяния Pft который зависит от конформации макромолекулы. Для макромолекул любой формы Pff = 1 при О, с увеличением Означение уменьшается. В этом случае [c.205]

Рис. 90.Схема определения комплексного фактора рассеяния для кристалла биополимера из найденных экспериментально модулей факторов рассеяния кристаллов незамещенного и изоморфно замещенного полимера

Если структура завершена, то карта АР в любой области элементарной ячейки не имеет пиков или провалов. Если даже положения всех атомов определены, часто обнаруживают, что вокруг атомов, чьи электронные плотности нельзя хорошо согласовать с моделью стационарного атома, возникают странной формы области положительной и отрицательной плотностей. Теперь мы подошли к моменту, требующему введения концепции температурного фактора. Этот фактор отвечает за колебания молекул, вследствие чего атомы следует рассматривать, исходя из их усредненных по времени положений. Атомы можно рассматривать как колеблющиеся либо изотропно (в сферически симметричной форме), либо анизотропно (в форме эллипсоида). Различие состоит в том, что в первом случае для описания движения необходим только один параметр, а во втором случае — шесть. Смысл математического подхода заключается в простой корректировке фактора рассеяния на тепловое движение исходя из того, что размазывание электронной плотности вызывает более быстрое чем обычно уменьшение / в зависимости от 81п0Д. Для изотропного и анизотропного случаев соответственно можно записать [c.401]

Реальные материалы могут быть оптически анизотропными и неоднородными. Оптическая неоднородность сред обусловлена сложной зависимостью диэлектрической проницаемости от пространственных координат. Опт>1ческие свойства дисперсных систем определяются совокупностью четырех факторов рассеянием света на отдельных частицах (рассеивателях), когерентным электромагнитным взаимодействием рассеивателей, интерференцией рассеянного света и некогерентным взаимным облучением частиц рассеянным ими светом [30]. [c.40]

Мезофазные сферы в момент их возникновения и при последующем росте, по данным световой микроскопии в поляризованном свете, а также дифракционного и рентгеноструктурного анализов, являются оптически одноосными положительными кристаллами гегсагональной системы. Показанные на рис. 2-4, а изгибы слоев приводят к тому, что на краях они перпендикулярны к касательной поверхности сферы. Это, по-видимому, способствует начальной коалесценции. В условиях относительно низкой подвижности мезофазы и случайной взаимной ориентации коалесцирующих сфер образования простой слоистой структуры не происходит. При этом возникают структуры, отличающиеся множеством дефектов упаковки слоев линейных, изгибов, нарушений непрерывности. Исследования профилей рефлексов (002) рентгенограмм мезофазы с учетом эффектов гьбсорбции и поляризации рентгеновских лучей, а также фактора рассеяния атомов углерода показывают, что средние значения межслоевого расстояния 002 равны примерно 0,350 нм [2-89]. Отдельные пачки слоев с разными значениями межслоевого расстояния имеют размеры до 2 нм. При нагревании сферы мезофазы могут расщепляться и приобретать относительно плоскую конфигурацию. То же происходит и при графитации мезофазы. Флуктуация межслоевых расстояний у графитирующейся мезофазы наивысшая. [c.46]

Если кривая образования волнообразна, то уравнение (IV.88) дает хорошее приближение при расчете А . Но если кривая образования имеет З-образиый характер, то лучше использовать другие методы расчета констант устойчивости, напримеп использовать фактор рассеяния [13], [21], [27], [28]. [c.112]

Для мёссбауэровского у-излучения помимо рассеяния на электронных оболочках атомов существ, роль может играть резонансное рассеяние на ядрах (напр., Fe), для к-рых наблюдается эффект Мессбауэра, что и используется в структурном анализе. Фактор рассеяния/ зависит от волновых векторов и векторов поляризации падающей и рассеянной волн. [c.99]

У 9оо—рэлеевское отношение при угле измерения 0 = 90° . Рж—фактор рассеяния для 0=90°. Для определения М методом светорассеяния существуют два различных метода обработки экспериментальных результатов 1) метод асимметрии (разд. 13.1.5) и 2) метод Зимма (разд. 13.1.6). [c.201]

Это различие для расстояния О—Н в среднем составляет 0,15.Д. (нейтронограф. 1,0 А рентгенограф. 0,85 А). Эффект несколько меньше для более тяжелых атомов он связан, по-видимому, с несферичностью электронного распределения, обусловленного образованием химической связи. Это сказывается на рентгеновском факторе рассеяния атома (который зависит от орбитальных электронов), но не на рассеянии нейтронов, которое для диамагнитных атомов определяется лишь ядерными свойствами. В методах уточнения структур кристаллов используются рассчитанные атомные факторы рассеяния, так что если предполагается сферическое электронное распределение, а положение атомного ядра определяется как центр тяжести его электронной оболочки, то рентгенографическая позиция атома может отличаться от позиции, определенной нейтронодифракционным методом 1]. [c.26]

Пучок пейтронов из атомного реактора подвергается монохроматизации отражением от кристаллической пластинки (папри-мер, СаРз). Дифрагирующие нейтроны регистрируются счетчиками. Нейтроны рассеиваются ие электронной оболочкой атома, 110 его ядром, и атомный фактор рассеяния определяется протон-110-пе гтр011Н0Й структурой ядра, а пе атомным номером. Поэтому атомные факторы изотопов существенно различаются. Атом- [c.138]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология