Электронные уровни обозначения

Фотохимическое возбуждение молекул. Возбуждение молекул, наблюдаемое при поглощении света, может быть изучено с помощью кривых потенциальной энергии (стр.565), показанных на рис. 23-3. На каждом рисунке основное состояние молекулы изображено кривой потенциальной энергии, обозначенной буквой g. Когда квант света поглощается в видимой или ультрафиолетовой области, то происходит переход на более высокий Рис. 23-2. Зависимость скорости реак- электронный уровень, обозначен-ции от ионной силы ный буквами е ни. На рис. [c.688]

Сверхтонкое взаимодействие с ядрами расщепляет каждый зеемановский электронный уровень (рис. 1-8) на два эти уровни показаны на рис. 3-2. Спектр можно объяснить, если предположить, что допускаются только переходы, обозначенные на рис. 3-2 сплошными линиями, имеют одинаковую длину, так как hv постоянно. [c.51]

На рис. 2.4 представлена диаграмма, иллюстрирующая распределение различных уровней энергии. Показаны два электронных уровня Е и Е". Нижний уровень Е" включает ряд колебательных уровней, обозначенных колебательным квантовым числом у" = О, 1, 2,. .., а каждый колебательный уровень имеет свои собственные вращательные уровни, обозначенные вращательным квантовым числом /" = О, 1,2. ... Точно так же верхний электронный уровень Е включает колебательные уровни о = 0, 1,2,. .. и каждый колебательный уровень имеет вращательные уровни / = О, 1, 2. ... [c.34]

Я, а одновременно со мной советский химик В. И. Гольданский и некоторые другие исследователи несколько лет назад выдвинули предположение, что еще одна группа переходных элементов, сходная с лантанида-ми и актинидами, может начинаться приблизительно с элемента 120. Из квантовой теории следует, что эта группа может образовываться путем добавления 18 электронов на внутренний ё -уровень (обозначение g в дан-лом случае появляется в периодической системе впервые) или 14 электронов на внутренний 6/-уровень, однако порядок заполнения этих уровней удалось предсказать только с помощью расчетов, проведенных в вычислительном центре в Лос-Аламосе. [c.29]

Главное квантовое число п определяет энергию электрона и степень его удаления от ядра оно принимает любые целочисленные значения, начиная с 1 (п = 1, 2, 3,. .., оо). Исторически энергетическим уровням атомов были приписаны обозначения К, Ь, М, N. О, Р. Эти обозначения используются и в настоящее время параллельно с указанием значений главного квантового числа п. Так, ДГ-оболочкой называют энергетический уровень, для которого п — 1, -оболочкой — энергетический уровень с п = 2 и т. д. [c.26]

Состояние электрона в атоме описывается четырьмя квантовыми числами. Первое квантовое число — главное (п) — характеризует величину энергии электрона (его энергетический уровень) и принимает любое положительное целочисленное значение от единицы до величины, соответствующей номеру периода, в котором находится данный элемент. Для обозначения энергетического уровня вместо цифр (1, 2, 3 и т.д.) используют также буквенные обозначения К, М, N ч т. д.) [c.10]

Два электрона гелия занимают 1з-уровень, имеют одинаковое главное квантовое число, один и тот же орбитальный момент, а следовательно, могут отличаться только спином. Для антипараллельных спинов + /2 и — /2 суммарный спин равен нулю. Суммарный орбитальный момент (два электрона с / = 0), также равен нулю. Для обозначения суммарного орбитального момента Ь и суммарного спинового момента 5 принято исполь- [c.53]

Переход электрона может привести молекулу на очень высокий колебательный уровень (на рис. 7.2 он обозначен линией А, расположенной выше правой ветви кривой Еч)- Тогда возбужденная молекула расщепляется при первом же колебании. [c.310]

Для описания электронного строения атомов в основном состоянии часто применяется условное обозначение их электронной конфигурации группами символов п/, где п—главное квантовое число, указывающее энергетический уровень электрона, /—орбитальное квантовое число подуровня (вместо него обычно указывается соответствующий символ 5, р, 4 или а X — число электронов на данном подуровне. Например, электронное строение атома лития описывается конфигурацией 1.5 25 . Приведем еще не- [c.82]

Если над валентной полосой и близко от нее расположен примесный уровень, не занятый электронами 1 на рис. 245, а), то из валентной зоны на Этот уровень могут перейти электроны, и в валентной полосе появятся дырки (обозначенные кружками), в результате чего вещество приобретает свойства полупроводника / -тииа. Соответствующие примесные уровни называются акцепторными. [c.216]

Указаны главное квантовое число и буквенное обозначение орбитали высшего энергетического уровня. Поскольку все перечисленные конфигурации включают только один электрон за пределами замкнутой оболочки, спиновая мультиплетность всех уровней равна 2, а I численно совпадает с /. Таких уровней не существует. " Отрицательная величина означает, что уровень с + 1/2 расположен ниже уровня с — 1/2. [c.171]

ПО энергии ниже, чем соответствующее синглетное состояние, как это изображено на рис. 19-19. Для простоты рассмотрим только один процесс поглощения (обозначенный буквой Л), который, допустим, будет переходом из основного электронного состояния (О) на возбужденный колебательный уровень возбужденного синглетного состояния, скажем 5г. [c.655]

После этого перехода молекула может терять поглощенную энергию различными путями. Каждый путь зависит от кинетики различных конкурирующих процессов, некоторые из них указаны на рис. 19-19. Например, молекула, заселяющая возбужденный колебательный уровень электронного состояния 5г, может терять энергию в результате излучения фотона, равного по энергии разности между его существующим состоянием и основным состоянием. Однако в растворе эта излучательная потеря энергии имеет гораздо меньшую константу скорости ( 10 с 1), чем конкурирующий процесс колебательной релаксации (обозначенный буквами У/ на рис. 19-19). Колебательная релаксация заключается в переносе колебательной энергии к соседним молекулам и в растворе происходит очень быстро (йа 10 з с- ). По сравнению с этим в газовой фазе возбужденная молекула испытывает гораздо меньше столкновений, поэтому здесь колебательная релаксация является менее эффективной в газовой фазе обычно наблюдается испускание фотона, энергия которого равна поглощенной энергии. Этот процесс называется резонансной флуоресценцией и ему будет отведено-значительное место в рассмотрении атомной флуоресценции в следующей главе. [c.655]

Состояние электрона в атоме характеризуется четырьмя квантовыми числами n — главное, / — побочное, от — магнитное, — спиновое, определяющими соответственно энергетический уровень орбиты электрона, момент количества движения, орбитальный магнитный момент и магнитный момент электрона, обусловленный его вращением. Совокупность электронов с одинаковым главным спиновым -ЧИСЛОМ называют слоем, в котором электроны разделены на подгруппы — S, р, d, f. Число электронов в подгруппе указывают показатели степени при буквенном обозначении подгруппы. Например, атом фтора можно обозначить так Is 2s 2/0 . [c.18]

Здесь обозначения 6s и 6р указывают главное и побочное квантовые числа валентного электрона, переходящего с уровня на уровень 0. [c.430]

Были представлены доказательства хемосорбции кислорода на поверхности окиси цинка [31, 32]. Уровень энергии для первого электрона обозначен через Ез. Второй поверхностный энергетический уровень, связанный с адсорбцией и определенный по измерению электропроводности, как уже указывалось, лежит на 0,8 эв ниже зоны проводимости у поверхности. Было высказано предположение, что этот уровень связан с двукратной ионизацией адсорбированного кислорода. [c.319]

Рис. 20. Кривая потенциальной энергии молекулы газообразного водорода в состоянии с наименьшей энергией электронов. На рисунке обозначен нижний колебательный уровень и показана величина энергии диссоциации водорода (104 ккал/моль).

I — Азимутальное квантовое число — определяет момент количества движения электрона, принимающий только квантованные значения. I Характеризует электронные подслои (подуровни энергии), составляющие слой (уровень) п, и имеет число значений, равное п, от О до (п — 1). Так, при п = 4 (для четвертого слоя) / может иметь 4 значения О, 1, 2 и 3, т. е. этот слой состоит из четырех подслоев. Используя обозначения, принятые в спектроскопии, подслой с / = О называют 5-подслой (подуровень) с / = 1 — /7-подслой с I = 2 — ( -подслой с / = 3 —/-подслой (и далее по алфавиту). [c.34]

Поверхность и объем полупроводника при установившемся электронном равновесии имеют общий уровень Ферми РР (рис. 35), т. е. одинаковый электрохимический потенциал. Однако вследствие искривления зон положение уровня Ферми в энергетическом спектре кристалла (его положение относительно энергетических зон) будет, вообще говоря, различным при различной степени удаления от поверхности. Положение уровня Ферми мы будем характеризовать его расстоянием от потолка валентной зоны, которое обозначим через или расстоянием от дна зоны проводимости, которое обозначим через е (рис. 35). Очевидно, += е+(х) и = е (х), причем г х) + г х) = и, где и — ширина запрещенного участка между зонами. Примем обозначения [c.94]

Энергетические уровни дефектов удобно обозначать таким образом, чтобы можно было быстро определить их атомную природу и характер ионизации. При этом возникают некоторые трудности. Дело в том, что положение энергетического уровня определяется энергиями присоединения или отрыва электронов от данного центра. Однако переход электрона на вакантный уровень или удаление электрона при освобождении занятого уровня изменяет состояние ионизации дефекта. Поэтому, строго говоря, один и тот же уровень энергии электрона в занятом и вакантном состояниях следует обозначать различным образом. Например, если занятый уровень нейтрального дефекта А -обозначен А , то тот же вакантный уровень следует обозначить А , где точка указывает на положительный заряд. Если энергетический уровень вновь образовавшегося центра А занят, этот уровень также нужно обозначить А . Необходимость использования различных обозначений для одного и того же уровня (в зависимости от его заполнения электроном) и одного и того же обозначения для разных уровней (а именно для пустого и занятого уровней дефекта в разных состояниях ионизации) вносит определенную путаницу. [c.154]

Автор этой книги использует систему обозначения уровней, в которой за основу принимается дефект, захвативший электрон. Так, например, занятый уровень, обусловленный дефектом А , обозначается А , в то время как вакантный уровень для того же дефекта решетки обозначается А. [c.155]

Энергетические уровни с орбитальными квантовыми числами больше I = 3 никогда не встречаются в спектрах свободных атомов в нормальном состоянии, даже в случае наиболее тяжелых элементов. Введение сокращенных символов S, р, d VL f для числовых значений I позволяет кратко и точно определить тип связи электронов у атомов всех элементов. Для этого перед символом числового значения орбитального квантового числа ставят значение главного квантового числа, характеризующего данный уровень. Число электронов в атоме, находящихся на уровне, характеризующемся данными значениями главного и орбитального квантовых чисел, если оно больше единицы, пишут в виде верхнего индекса у символа орбитального квантового числа. Если электроны расположены на различных энергетических уровнях, то символические обозначения этих уровней просто записывают один за другим. [c.130]

Сказанное можно дополнительно пояснить с помощью потенциальных кривых, общепринятых для обозначения подобного рода процессов. Изобразим на рис. 1 исходный энергетический уровень, на котором находятся частицы А и Ог до взаимодействия. При сближении этих частиц они должны испытывать общее для всех электронных систем взаимное отталкивание, а следовательно, подъем потенциальной энергии по некоторой кривой. С другой стороны, изобразим на том же рисунке конечное состояние партнеров после тушения, расположенное ниже исходного на величину электронной энергии возбуждения А. Если сближать частицы А и Оа, то они также будут отталкивать друг друга и приводить к подъему потенциальной энергии при их сближении, что изображено правой кривой. Левая и правая кривые пересекаются в некоторой области, образуя своеобразный пик, или потенциальный барьер, мешающий переходу системы слева направо, т. е. препятствующий процессу тушения. Для того чтобы имелась возможность беспрепятственного и плавного (адиабатического) перехода системы с левого уровня на более низкий правый, необходимо, чтобы в переходной области тесного соприкосновения частиц, т. е. в переходном комплексе АОз, имело место [c.75]

Несвязывающие неподеленные электроны наименее фиксированы в молекуле на связывающих орбитах л-электроны обладают большими энергиями, чем соответствующие о-электроны, в то время как на разрыхляющих орбитах существует обратное соотношение (рис. 1). Так, в спектрах простых молекул полосы, вызванные п- п переходами, обычно лежат при больших длинах Уровень Обозначения [c.321]

Азимутальное квантовое число I определяет момент количества движения электрона, принимающий только квантованные значения I характеризует энергетические подуровни (электронные подслои), составляющие уровень (слой) п, и принимает столько значений, чему равно п, т. е. от О до (га - 1). Так, при п = 4 (для четвертого уровня) I может иметь 4 значения 0 1 2 и 3, т. е. этот уровень состоит из четырех подуровней. Используя обозначения, Еринятые в спектроскопии, подуровень с I = О называют подуровнем (подслоем) с / = 1 — р-п одуровнем с I = 2 — ё-п одуровнем с / = 3 — /-подуровнем (и далее по алфавиту). Обычно в атомах значения I не превышают 2—3. [c.39]

Укажите спектральные обозначения термов электрона в атоме водорода для и = 3. Сколько компонент тонкой струк-т ры имеет уровень атома водорода с главным квантовым числом и [c.33]

Орбитальное (побочное, нли азимутальное) квантовое число I определяет орбитальный момент количества движения электрона уИ= - //(/+1) и характеризует форму электронного облака. Оно принимает все целочисленные значения от О до ( — ). Каждому п соответствует определенное число значений орбитального квантового числа, т. е. энергетический уровень представляет собой совокупность энергетических подуровней, несколько различающихся по энергиям. Число подуровнрй на которые расщепляется энергетический уровень, равно номеру уровня (т. е. численному значению п). Эти подуровни имеют следующие буквенные обозначения [c.36]

Основным (наинизшим) уровнем является уровень соответствующий невозбужденному атому. Шкала ординат дается в электрон-вольтах (эв) или обратных сантиметрах см ) (1 эв соответствует 8066 сж ). Спектральные линии, возникающие при переходе оптического электрона с одного уровня на другой, указаны наклонными линиями, соединяющими термы. Для обозначения их выписываются рядом два терма — сначала низший, затем более высокий. Часто перед обозначением терма ставится [c.49]

На рис. 187 приведена старая схема, из которой видно, что четыре 15-электрона атомов С и О в молекуле СО остаются на атомных орбиталах, не меняя глубины уровня назовем эти уровни в молекуле условно как 10 и 2о . Два 25-электрона кислородного атома спускаются довольно глубоко на новый молекулярный а-уровень, который условно обозначен у нас теперь для краткости как За-связевой орбитал (в дальнейшем мы убедимся, что заполнение уровня происходит очень сложным образом в связи с гибридизацией). [c.393]

Энергии электронов на орЬиталях а2р и л2р близки, и в некоторых молекулах (Вг, Сг, N2. Ог) совтношение между ними обратное приведенному уровень о2р лежит выше п2р. Указанная последовательность определяет порядок заполнения молекулярных орбиталей — при образовании молекулы электроны располагаются на орбиталях с наиболее низкой энергией. Под символами орбиталей во второй строке приведенного ряда написаны другие их обозначения, предложенные Малликеном (перед символами молекулярных орбиталей поставлены буквы латинского алфавита в обратной последовательности). Эти обозначения делают запись более компактной. В литературе используются обе системы обозначений. [c.198]

Двувалентный углерод, повидимому, действительно встречается в ряде соединений (например в СО, имеющем все признаки насыщенного соединения, в изонитрилах и т. д.). Четырехвалентный кислород в оксониевых соединениях может получиться переходом одного из электронов при возбуждении на один из уровней л = 3 (не обозначенных в таблице). Возможно также возбужденное состояние и для гелия,когда один из электронов переходит на уровень л = 2. Действительно, Антропов (1932) и др. получили ряд бинарных соединений гелия с другими элементами. Некоторые затруднения представляет пятивалентный азот. В аммиакатах можно предположить ион N+, потерявший один валентный электрон, что освобождает место для четырех неспаренных электронов (подобно С ). Полученный четырехвалентный N+ образует (NH4)+ и уже полярно соединяется с 0Н , С1 ипр. по тому же типу, как Na l и другие полярные молекулы. Труднее объяснить образование N2O5. [c.320]

В обозначениях различных электронных состояний, к сожалению, не существует единообразия. Совокупность квантовых состояний, для которых главное квантовое число п имеет определенную величину, называют оболочкой или слоем . Так, говорят о К, Ь, М, Л ...-оболочках или о К-, Ь-, М-, ЛГ-слоях. Группа квантовых состояний с одинаковыми квантовыми числами п и I образует субоболочку , пли подгруппу. Так, говорят о 2 -. 3 - или о 2р-, Зр- и т. д. подгруппах. Весьма часто подгруппу I называют просто состоянием и говорят о 1 - или 2р и т. д. состояниях электрона. Распространено также употребление термина уровень для обозначения подгруппы, и поэтому можно встретить выражение 2я-уровень или Зй-уро-вень . Употребляется для обозначения подгруппы и термин ячейка так, говорят о 2/>-ячейке или Зй-ячейке. Такое обилие наименований не приводит, однако, обычно к затруднениям в понимании текста. Когда это не будет приводить к смешению понятий, мы также будем пользоваться различной терминологией. Прим. ред.) [c.15]

Два электрона атома гелия занимают 15-уровень они имеют одинаковые главные и орбитальные квантовые числа, следовательно, они должны различаться по спиновому состоянию. В результате антипараллельного расположения спинов, +1/2 и —1/2, общий спин оказывается равным нулю. Общий орбитальный момент количества движения (два электрона с / = 0) также равен нулю. Для обозначения общего момента количества движения и общего спина используют символику термов. Общий [c.64]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология