Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Испарение параметры процесса в равновесных условиях

    Для таких пересчетов обычно требуется знать параметры процесса испарения, но не в равновесных условиях, а при переходе вещества из стандартного состояния жидкости в стандартное же состояние идеального газа. Ранее ( 7) были описаны соотношения между параметрами процессов испарения в стандартных и в равновесных условиях. Для области невысоких давлений насыщенного пара, в пределах применимости к нему законов идеальных газов, эти соотношения могут быть представлены в простом виде  [c.302]


    Собственно процесс испарения в промышленных аппаратах протекает при кипении, т. е. в условиях образования пара на поверхности, через которую подводится тепло. Возникающий на поверхности теплообмена противоточного испарителя пар некоторое время соприкасается с жидкостью, из которой он образовался, а затем переходит в общий поток пара, контактирующий с жидкостью в объеме аппарата. Наличие контакта жидкости и пузырька пара в момент его образования позволяет принять допущение о равновесности их концентраций. С учетом этого допущения можно установить достаточно простые соотношения между параметрами процесса. [c.295]

    Все параметры процесса испарения органических соединений закономерно изменяются в рядах гомологов, обладающих аналогичным строением, и закономерно зависят от строения изомеров. Это дает возможность во многих случаях уверенно оценивать недостающие значения. Однако следует учитывать различие характера этих закономерностей в зависимости от условий испарения (стандартных или равновесных). Наиболее отчетливо это различие проявляется в значениях энтропии. [c.303]

    Параметры процесса испарения нормальных первичных спиртов при 298,15 К в равновесных условиях и при стандартных состояниях веществ по данным [c.304]

    Параметры процесса испарения некоторых углеводородов при 298,15 К в равновесных условиях и при стандартных состояниях, а также при нормальной температуре их кипения по данным [c.305]

    Процесс фазового разделения, индуцированного химической реакцией, который является важнейшим фактором, определяющим структуру, морфологию и свойства конечного полимера, рассматривается в [37, 38], где отмечается, что описание его возможно с помощью классической теории Флори-Хаггинса. Однако, предлагаемые уравнения справедливы для равновесных условий и не учитывают таких факторов реальных олигомерных систем, как длина цепи, молекулярно-массовое распределение, полидисперсность, зависимость параметра взаимодействия X от концентрации раствора при испарении растворителя. Отклонения критических параметров системы полимер - растворитель от классической теории Флори-Хаггинса под влиянием давления и температуры, флуктуационных изменений при большом количестве звеньев в цепи, изучены также в работах [39, 40]. [c.231]

    В настоящее время справочные термодинамические данные (в особенности для органических веществ) нередко являются значительно более полными для газообразного состояния веществ, чем для жидкого и кристаллического. Это приводит к необходимости определения термодинамических свойств жидкостей и кристаллов по данным о свойствах тех же веществ в газообразном состоянии. В других случаях возникают и обратные задачи. Справочные данные для газов относятся обычно к стандартному состоянию. Поэтому для таких пересчетов необходимы термодинамические параметры процессов испарения не в равновесных, а в стандартных условиях, т. е. параметры процесса перехода вещества из стандартного состояния жидкости (или кристалла) в стандартное же состояние идеального газа (а не в состояние насыщенного пара). [c.47]


    Если испарение вещества не осложняется никакими дополнительными процессами, то отмеченные особенности фактически приведут только к некоторой неопределенности температуры пара, к которой необходимо относить полученные значения молекулярных параметров. Одиако ири наличии химических процессов в газообразной фазе состав пара в условиях электронографического исследования может ие отвечать термодинамическому равновесию твердой (жидкой) и газообразной фазы при измеряемой температуре соила, в результате чего данные электронографического метода могут отличаться от данных других физико-химических методов исследования пара, относящихся к равновесным условиям. [c.246]

    Современные методы расчета равновесных параметров процесса испарения описаны во многих книгах, и здесь нет необходимости вновь излагать их. В новом издании монографии Люиса и Рен-далла, переработанной Питцером и Брюэром содержится ценный материал по термодинамике процессов испарения в разных условиях. Практические методы расчета теплот испарения и давления насыщенного пара жидкостей описаны в книге Рида и Шервуда Весьма полный обзор методов расчета давления насыщенного пара различных неорганических и органических веществ дан в книге М. X, Карапетьянца и Чен Гуанг-Юе Обзор методов [c.49]

    В табл. VI], 30 для углеводородов, принадлежащих к разным гомологическим рядам, в более краткой форме приведены также параметры процесса испарения в равновесных условиях, при стандартных состояниях веществ и 298,15 К. Эти данные показывают, в какой степени ири 298,15 К стандартные значения указанных величин отличаются от их равновесных значений. В таблице приведены также теилоты испарения (АЯщ, а) и изменения энтронии (А5 , а) для нормальной температуры кипения. Для этих температур параметры равновесного процесса отличаются от стандартных значений соответствующих величин только в небольшой степени, зависящей от степени нендеальности пара в этих условиях. [c.304]

    Современные методы расчета равновесных параметров процесса испарения описаны во многих книгах, и здесь нет необходимости вновь излагать их. В новом издании монографии Люиса и Рендал-ла, переработанной Питцером и Брюэром , содержится ценный материал по термодинамике процессов испарения в разных условиях. Практические методы расчета теплот испарения и давления [c.49]

    Среди различных методов сравнительного расчета термодинамических параметров химических реакцйй и других процессов своеобразное место занимают методы, основанные на сопоставлении этих процессов не при одинаковой температуре, а в условиях, от-вечаюпгих одинаковым значениям их констант равновесия (или, в более общей форме, одинаковым значениям AG°IT = — R In К). Сюда относятся, например, процессы испарения жидкостей при температурах кипения их при атмосферном (или другом одинаковом) давлении, процессы термической диссоциации карбонатов при температурах их разложения при атмосферном (или другом одинаковом) давлении, термической диссоциации окислов и других соединений (в форме гетерогенных или гомогенных процессов), сопоставление стойкости разных кристаллогидратов при заданной влажности воздуха и др. Первым в хронологическом отношении обобщением в этой области, нашедшим широкое применение, явилось известное правило Трутона, относящееся к процессам испарения жидкостей. Ле Шателье и Матиньон обнаружили, что аналогичная закономерность имеет место и для процессов термической дуссоциации кристаллогидратов солей, аммиакатов, карбонатов и других веществ при температурах, при которых давление диссоциации их равно 1 атм. Равновесное изменение энтропии в этих условиях оказывается равным примерно 32 кал/(К-моль). То же можно вывести из формулы Нернста, устанавливая при этом некоторую зависимость величины АН°/Т от температуры, при которой давление диссоциации в данном процессе равно 1 атм. Далее было показаночто приближенное постоянство равновесных изменений энтропии имеет место и при других химических реакциях, если сопоставление ограничивать реакциями, достаточно однотипными, причем такая закономерность наблюдается не только для условий, когда константа равновесия равна единице, но и когда она при другом численном значении одинакова для этих реакций. [c.185]

    Хирс и Паунд провели точный расчет метастабильной равновесной концентрации адатомов на поверхности кристалла. Величина этой концентрации определяется процессом появления (диссоциация и диффузия) и процессом исчезновения (активация и десорбция) адатомов ([35], стр. 92). Одновременное решение уравнений, отражающих каждый этап процесса испарений, привело к общему уравнению для потока испаренного вещества, откуда можно получить численные значения коэффициентов испарения в каждом отдельном случае. Важным параметром в этих уравнениях является среднее расстояние между моноатомными ступеньками на поверхности кристалла. Для граней с малыми индексами расстояние между ступеньками превосходит среднее расстояние, проходимое адатомом при диффузии. Отсюда следует, что скорость испарения будет определяться как генерацией ступенек на краях кристалла, так и диффузией адатомов по поверхности. При этих условиях коэффициент испарения для моноатом-ных паров должен стремиться к минимальной величине = 1/3. На гранях кристалла с высокими индексами на поверхности создается много ступенек, расстояния между которыми сравнимы со средним диффузионным расстоянием, которое проходят адатомы, прежде чем они активируются и десорбируются. Эта ситуация приводит к г= 1. Были рассмотрены также и другие случаи, которые включали возможность затрудненной диссоциации атомов со ступеньки вследствие ограничения на энтропию, а также возможность большой энергии активации, необходимой для диссоциации атомов из узлового состояния. Для обоих этих случаев < 1/3. Малые величины а могут быть связаны и с адсорбированными примесями. Влияние этих примесей связано с тем, что, адсорбируясь на краях кристалла, они не позволяют образовываться новым ступенькам, с которых происходит испарение. Следовательно, адатомы поставляются только с уже существующих ступенек, которые вырастают до макроскопического размера и уменьшают скорость испарения. Экспериментальных данных, полученных на совершенных монокристаллах для подтверждения приведенных выше концепций, очень мало. Сирс [53] показал, что испарение с краев кристалла облегчается, если внешнее давление уменьшить на 2% по сравнению с равновесным давлением. Однако испарение с одиночной поверхности того же самого кристалла не происходит совсем, если внешнее давление уменьшить на половину равновесного давления. Это подтверждает то положение, что края кристалла являются источниками ступенек испарения. Теория поэтапного испарения может быть распространена на случаи несовершенных кристаллов и поликристаллических веществ ([35], стр. 107). Испарение этих веществ подчиняется тем же кинетическим законам, что и испарение совершенных кристаллов, за исключением различия в расстоянии между ступеньками испарения. Спиральные дислокации, например, служат дополнительным источником моноатомным ступенек, причем расстояние между последними следует считать таким же, как и в случае ступенек, возникших на краях кристаллов. Следовательно, несовершенные кристаллы должны иметь коэффициенты испарения, близкие к коэффициентам испарения для совершенных кристаллов (а 1/3). В поликристаллических веществах источниками ступенек служат границы зерен, трещины, края кристаллов и дислокации. Число таких центров велико, поэтому среднее расстояние между ступеньками мало, что приводит к величине коэффициента испарения, близкой к единице, несмотря на то, что процесс подвержен ограничению как по энтропии, так и по примесям. [c.44]



Смотреть страницы где упоминается термин Испарение параметры процесса в равновесных условиях: [c.47]    [c.164]    [c.484]    [c.309]    [c.144]   
Методы практических расчетов в термодинамике химических реакций (1970) -- [ c.47 , c.48 , c.308 , c.310 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Параметры условий

Равновесные процессы

равновесных условиях



© 2025 chem21.info Реклама на сайте