Удельное сопротивление подложек

Первое условие легко выполнимо для кремния в инфракрасной области. При больших концентрациях носителей диэлектрическая постоянная полупроводников в инфракрасной области является функцией концентрации носителей. Поэтому данным методом легко можно определять толщину пленки на подложке с малым удельным сопротивлением, даже если пленка и подложка имеют один и тот же тип проводимости. Интерференционный метод дает точность 5% однако его трудно применять, если толщина пленки неравномерна. [c.144]

Удельное сопротивление можно измерить стандартным методом четырехточечного зонда лишь на эпитаксиальных слоях, выращенных на подложках с противоположным типом проводимости. На подложку подается смещение, запирающее р—л-переход на границе между подложкой и пленкой. Четырехточечный зонд можно также применять для толстых пленок любого типа проводимости после полного удаления подложки шлифовкой и односторонним травлением в малом количестве азотной и плавиковой кислот. Этот процесс весьма трудоемок и, кроме того, разрушает структуру, полученную после выращивания пленки. [c.145]

Из выражения (7.1) следует, что величина потенциала на поверхности, измеренная относительно металлической подложки, определяется величиной тока бомбардирующих ионов, суммарной плотностью эмиссионных токов всех видов заряженных частиц, толщиной мишени и удельным сопротивлением материала образца. Потенциал будет положительным, если (1-Ь. Ч-и отрицательным, если (1- -/ -+у) положительный заряд, и его величина бу- [c.178]

Рнс. 17. Зависимость удельного сопротивления танталовых пленок от смещения на подложке и от процентного содержания кислорода в распылительной атмосфере при нанесении этих пленок. [c.433]

Другим фактором, который необходимо рассмотреть, является пористость подложки. В поликристаллических материалах наличие пор всегда увеличивает удельное сопротивление, но если поры заполнены второй фазой, последняя может, в зависимости от состава и количества примесей, увеличивать или уменьшать удельное сопротивление. [c.521]

Структурные исследования позволили установить, что даже при высоких те.мпературах конденсации в вакууме планки Ое и 51 имеют значительную концентрацию дефектов. Их возникновение объясняется ростом слоев в условиях значительных пересыщений [123]. Электрофизические свойства конденсатов Ое значительно хуже, чем массивных монокристаллов удельное сопротивление и подвижность носителей в слоях низкие (соответственно 0,02 ом. см и 150 см сек). Независимо от типа проводимости испаряемого металла и подложки пленки обладают дырочной проводимостью. Принято считать, что эти свойства обусловлены (Наличием большого количества дефектов в конденсированных слоях, хотя не исключено также влияние остаточных газов- Последнее предположение связано с тем фактом, что в вакууме 10 мм рт. ст. удается получать слои Ое с электронной проводимостью [112, 113]. Наличие дефектов, сосредоточенных па границах зерен, существенно снижает подвижность носителей вследствие их рассеяния на этих границах. [c.398]

Результаты анализа кремниевой пленки толщиной 32 мкм с удельным сопротивлением 1,8 ом-см, выращенной хлоридным методом в токе водорода прн температуре кремниевой подложки 1200° С, приведены в табл. 5.2. Пленка во время эпитаксии была легирована фосфором. [c.165]

После распыления пленки вакуумной искрой (о чем свидетельствовало появление в спектре масс линий сурьмы) был произведен анализ подложки (удельное сопротивление материала подложки 0,008 ом-см). [c.165]

Загрязнения слоя, возникшие при поглощении конденсатом остаточных газов, являются главной причиной плохой адгезии пленки к поверхности подложки, завышенной величины удельного сопротивления, неустойчивости с течением времени и при протекании электрического тока, а также малой механической прочности слоя. Количество этих примесей, вносимых в конденсат, убывает по мере увеличения толщины пленки. Таким образом, нижняя часть пленки, непосредственно примыкающая к подложке, содержит максимальное количество газа. [c.47]

Эпитаксиальный метод позволяет создавать структуры пп+или рр следующим образом. В качестве подложки выбирают ориентированные монокристаллические пластины нужного типа электропроводности с низким удельным сопротивлением (около [c.272]

В настоящей работе исследовалось растекание октанола-2 по пластинкам германия при наличии вдоль них градиента температуры. Использование этого спирта для изучения растекания удобно в связи с его вязкостными характеристиками, отсутствием химического взаимодействия с подложкой и малым испарением (см. работу [2]). Из монокристалла Ое м-типа с удельным сопротивлением р = 40 ом-сл1 параллельно плоскости 112 вырезались алмазной пилой пластинки размерами 41 х 9,5 X 0,8 мм. Пластинки травились в течение 1 мин в СР-4 при 60° С. Затем образцы устанавливались строго горизонтально, так что их концы лежали на двух стальных подставках, термостатируемых при азличных температурах. Температуры подставок и стационарное распределение температур на поверхности образца, устанавливающееся благодаря его теплопроводности, контролировались малоинерционным термистором. Перемещение образца полностью на одну из подставок позволяло определять кинетику растекания при постоянных температурах. Масса растекающейся капли [c.301]

Авторы настоящей работы наолюдели изменение исходных электрофизических свойств подложки после эпитаксиального паравдзааиь пленки низкоомного кремния по силановой технологии, описанной в работе [1] (удельное сопротивление не превышает 10 ом см). При этом удельное сопротивление подложки падало от 10 ком-см до единиц ом см. [c.35]

Учитывая полученные данные, в процесс автоэпитаксиального наращивания низкоомного кремния на высокоомную подложку была включена стадия медленного охлаждения реактора со скоростью 75°/час до температуры 800°. Бто позволило сохранить удельное сопротивление подложки. Результаты приведены в табл. 2. [c.38]

Для выбора требуемой теоретической С— -кривой (рис. 2) необходимо знать тип проводимости и удельное сопротивление кремниевой подложки, а также толщину слоя окисла в исрледуемой МОП-структуре. По рис. 1 определяют концентрацию примеси в подложке. Выделив определенную группу теорётиче- [c.170]

Рис. 8. Зависимость активного (удельного) сопротивления пленки р от частоты [49] внизу — модель микронеодно-родной пленки между двумя омическими контактами (поперечное сечение) Л/ — вольфрамовая подложка, Ад — серебряный омический контакт, 1 — алмазные кристаллиты, 2 — межкристаллитные границы

Наиболее перспективным считают поливинилиденфторид (ПВДФ) - полимер, обладающий сравнительно большим дипольным электрическим моментом. ПВДФ представляет собой композицию из мелких кристаллических пластинок в аморфной фазе. В отсутствие поляризации их результирующий момент равен нулю, поэтому необходима внешняя поляризация, ориентирующая диполи. Одноосное или двухосное растяжение перед поляризацией усиливает действие последней. Поляризованный материал обладает хорошими пьезоэлектрическими свойствами. Температура стеклования от -20 до -30°С, плавления 1б0...170°С. Растворяется в широко применяемых растворителях. Водо- и атмосферостоек. Удельное сопротивление 10 ...10 Ом м. После растворения кристаллизуется в виде мелких (порядка 1 мкм) кристаллов, что позволяет получить однородные пленки. Для нанесения пленки подложку и растворенную массу нагревают до 55...60°С. Для поляризации проволочное острие помещают на расстоянии 10 мм от пленки и подают на него постоянное напряжение 10 кВ в течение 10 мин при нормальных условиях. Нанесенные подобным образом пленки проверены [47] до частот порядка 10 ГГц (при толщине пленки 1,5 мкм). При удельной поверхностной электрической мощности возбуждения до 100 Вт/см не наблюдалось деполяризации и разрушения пленок [c.97]

Пленки, образующиеся на поверхности, могут значительно изменять свои электрические свойства и химический состав в зависимости от типа мономера и условий опыта. От этих факторов зависят скорость осаждения, адгезия, эластичность, твердость и химическая стойкость [12]. Так, с увеличением напряжения зажигания разряда от 1 до 9 кб и температуры подложки от комнатной до 400° С удельное сопротивление пленок, образующихся на аноде в атмосфере паров бензола, изменяется от 10 до 10 ом-см с одновременным увеличением в них отношения углерод-водород [16, 17]. А нокрытия, получаемые из стирола и метакрилатов, теряют в весе при 100—150° С меньше 10% и, как правило, незначительно растворимы в органических растворителях. Это связано с наличием в них значительной доли сшитого полимера, соосажденного вместе с небольшими количествами мономера и низкомолекулярных фракций [12]. [c.60]

Исследование правильности определения легирующих примесей в кремнии проводили при плотности потока излучения q 1-10 вт1см-ш диаметре пятна фокусировки 100 мкм. В качестве образцов использовали выпускаемые промышленностью подложки монокристаллического кремния с известным удельным сопротивлением, по значению которого установили исходную концентрацию легирующих примесей, согласно кривым Ирвина [11. Полученное содержание примесей сурьмы и бора, найденное из 3—10 параллельных определений, хорошо согласуется с расчетным. Коэффициент вариации в образце составляет 8—17%. Среднее значение коэффициента относительной чувствительности, вычисленного по результатам определения примесей в 5 образцах в интервале концентраций от 3 10 до 1-10 ат.%, равно 0,94 и в пределах доверительного интервала, рассчитанного с 95 %-ной надежностью, можно считать равным 1. [c.183]

Вратни и др, [75]. Они установили диапазоны смещений, при которых 5-тантал переходит в нормальную модификацию с ОЦК структурой (рис. 18). Интересно отметить, что авторы исследовали влияние как отрицательного, так и положительного смещений. Кривая в случае отрицательного смещения качественно подобна кривой на рис. 16, а точный смысл кривой для положительного смещения не яеен. Как отмечалось ранее, сколько-нибудь заметное положительное смещение относительно плазмы получить невозможно. Любая поверхность с таким смещением становится просто новым анодом, а первоначальный анод превращается в дополнительный катод. Возможно, что резкое уменьшение удельного сопротивления при смещении порядка 10 В является следствием разогрева подложки, связанного с относительно большим в этом случае электронным током. Здесь следует отметить, что электронная бомбардировка может привести к десорбции поверхностных примесей. Однако этот процесс характеризуется определенной пороговой энергией электронов и по сравнению с ионным распылением совершенно неэффективен. Так, например, для атомов кислорода на поверхности молибдена по- [c.433]

Дальнейшие исследования удельного сопротивления и структуры пленок, полученных ионным рас-иылением, провел Хьюрль [76], который сравнивал молибденовые пленки, нанесенные геттерным распылением, ионным распылением со смещением и комбинацией этих методов. Пленки, полученные при температуре подложки 350° С одним только ионным распылением со смещением, имели удельное сопротивление 10-10- Ом См, а удельное сопротивление пленок, полученных с помощью только геттерного распыления, составляло 30-10 О.м-см. В пленках же, полученных комбинацией этих методов, удельное сопротивление достигало величины 710 О.м-см. В работах [78, 79] было показано, что режим распыления со смещением существенно влияет на магнитные свойства тонких пленок. [c.434]

Теперь, после обсуждения методов изготовления подложек, будут рассмотрены химические, физические и механичеМие свойства материалов различных категорий. Как ранее утверждалось, свойства стекол в зависимости от их химического состава изменяются в Широких пределах. Типовые составы применяемых стекол приведены в табл. 3 и 4. Главным преимуществом стекол является возможность получения гладких поверхностей непосредственно при вытягивании, что дает возможность получить более дешевые подложки. Взятые отдельно, стекла имеют значительный разброс. по величине объемного удельного сопротивления, тангенса угла диэлектрических потерь и температуры размягчения. Их плохая теплопроводность и трудность получения сложных форм, включая отверстия, препятствуют во многих случаях применению стекол в электронике. [c.501]

Тонкопленочные резисторы. Тонкопленочные резисторы относительно нечувствительны к шероховатости поверхности до тех пор, пока она не превышает толщины пленки. Материалами для подложек, используемых для этой цели, являются стекла, полированный плавленый кварц, кера-.мика и монокристаллические пластины. Сравнение нихромовых пленок, осажденных на спеченную керамику и стекло, показывает, что на более грубых поверхностях получаются пленки с большим сопротивлением на квадрат, меньшими температурными коэффициентами сопротивления и худшей стабильностью во время термического старения [16—18]. Подобно ведут себя кремниевые пленки, осажденные па только что приготовленную окись алюминия [19]. Данные, иллюстрирующие влияние шероховатости на удельное сопротивление нитрида тантала, приведены в табл. 7. Данные Брауна [20] и Коффмана и Тэнауера [21] в табл. 7 дают хорошее совпадение и показывают растущее влияние шероховатости поверхности на удельное сопротивление. Более детальное исследование на подложках с высоким отношением стеклообразной фазы к кристаллической позволило установить, что форма кристалла, отношение стеклянной матрицы к кристаллическому веществу и плотность кристаллитов оказывает более сильное влияние на поверхностное удельное сопротивление, чем шероховатость, измеренная профилографом [21]. [c.514]

Рассмотрим технологию выращивания эпитаксиальных пленок кремния на монокристаллических подложках из кремния, т. е. выбор метода и соответствующей технологии, позволяющих выращивать монокристаллические пленки кремния с заданными электрофизическими свойствами и геометрией на подложках того же материала. В зависимости от назначения подложка служит либо как токопроводящая механическая основа для активных частей устройства, создаваемого в толщине пленки, либо сама обладает нужным комплексом электрофизических свойств для создания в ней активных частей устройства, а пленка играет вспомогательную роль или также участвует в создании активных частей устройства. Особо широко применяется метод наращивания достаточно в7 сокоомных пленок п- или р-типов (1—-10 ом-см) на подложки того же типа электропроводности но с низким удельным сопротивлением (0,001 ом-см). [c.429]

Тщательное исследование условий образования и полупроводниковых свойств тонких слоев dgAsa, получаемых конденсацией паров в вакууме на подложке из стекла, слюды или Na l при температурах от 20 до — 185° С, описаны в работах [84, 85]. Установлено, что для этих тонкослойных образцов электрические свойства — удельное сопротивление и коэффициент Холла — зависят в сильной степени от условий получения такого слоя и прежде всего от температуры подложки. При осаждении паров на холодную подложку,(i = 20° С) получены аморфные слои с концентрацией электронов п 10 слГ [подвижность электронов составляет 10—200 сл1 /(б-сек)1 и большим сопротивлением (10—500 ком, р 1-н10 ом-см). [c.102]

При осаждении dsAsa на горячую подложку (при температуре свыше 140° С) получены грубозернистые кристаллические слои с сопротивлением 8—50 ом (р = 1 Ю —7 10 ом-см), концентрацией электронов л 5-10 —2-Ю сл4 , близкой к концентрации электронов для литого материала, и со значением подвижности электронов 2500—2700 см в-сек) (при комнатной температуре), сравнимой с величиной подвижности электронов для литого dgAsa [ н — 10 000 см в-сек)]. На рис. 3.18 представлены типичные кривые температурной зависимости удельного сопротивления р, коэффи-ш [c.102]

Покрытию стеклом подвергались р—ге-переходы, полученные вплавлением алюмпния в и-кремний с удельным сопротивлением 10—15 ом-см. Одним из токосъемных выводов служил вплавленный алюминиевый столбик. Второй вывод приваривался искровым методом с помощью специальной установки [2] к золотой подложке прибора. После приварки выводов образцы травились в смеси азотной и фтористоводородной кислоты и сушились в течение 2—3 часов при температуре 150°С. [c.207]

ТУ 6—09—197—76 осч 15—4 Удельное сопротивление эпитаксиальных слоев кремния -типа проводимости, выращенных из четыреххлористого кремния на подложках ЭКЭС-0,01, толщиной 12 2мкм >60 Ом см [c.562]

Первоначальным импульсом к развитию процессов ХОГФ эпитаксиальных пленок кремния и германия послужила необходимость улучшения характеристик биполярных кремниевых и германиевых транзисторов. Впоследствии кремниевые эпитаксиальные структуры (монокристаллическая кремниевая подложка с одним или несколькими эпитаксиальными слоями, отличающимися типом проводимости и удельным сопротивлением (степенью легирования)) оказались незаменимыми дпя производства высококачественных микропроцессоров и устройств памяти по КМОП технологии. Эпитаксиальные структуры позволяют получать [28, 29] [c.107]

Если пленки тантала наносятся в процессах магнетронного распыления, то пленки oi-Ta получаются при низких напряжениях, а пленки Э-Та-при высоких напряжениях автосмещения на подложках [46]. Пленки TaN, наносимые с помощью процесса магнетронного распыления, имели удельное сопротивление около 200 мкОмхм [49]. [c.169]

Из физики пленок известно, что чем выше плотность зародышей, тем осажденная пленка имеет более гладкую поверхность. Для увеличения гладкости пленок, осаждаемых в процессе LT VD А (TlBA- H,(j), был использован реактор с дополнительным нагревом реагентов, поступающих к подложке, до температуры большей, чем температура подложки, так называемый реактор с супергорячей стенкой. В этом случае поверхность подложки была пересыщена реагентом, на ней генерировалась высокая плотность зародышей и осаждаемые пленки имели гладкую поверхность. Удельное сопротивление осажденных пленок составляло 2,8-3,4 мкОм-см и небольшое загрязнение углеродом наблюдалось только на их поверхности [12]. [c.174]

Удельное сопротивление эпитаксиальных слоев кремния п-тина проводимости, выращенных из четыреххлористого кремния на подложках ЭКЭС-0,01, толщиной 12 2 мкм, >60 Ом-см Макснмальное содержание примесей, % [c.608]

Тонкие пленки кремния были получены при электронно-лучевом разложении адсорбированного тетраметилкремнин [241], и была изучена скорость осаждения в зависимости от давления паров вещества, температуры подложки и плотности тока. Пленки получались аморфными с минимальным удельным сопротивлением 5-10 ом-см при толщине 1000—1500 А. Термическая обработка образцов при 800 С делает их ноликристаллическими и удельное сопротивление их уменьшается в 1000 раз. Отжиг при 300" С в течение нескольких часов уменьшает удельное сопротивление вдвое, а образцы остаются аморфными. [c.237]

При фиксированной температуре подложки толщина пленки линейно пависит от времени осаждения. Повышение температуры подложки приводит к увеличению скорости роста пленок. Максимальная толщина пленок, при прочих равных условиях, была получена при 190 (, . Однако скорость роста пленок при этих температурах относительно невысока и составляет 0,15 мкм/час. Дальнейшее повышение температуры нагрет подложек приводит к заметному снижению скорости роста пленок. Повышение температуры подложки от 150 до 300° С но влияет существенно па свойства получаемых пленок, так как их удельное сопротивление меняется незначительно [c.271]

При термическом разложении бнс-бензолмолибдепа (т. пл. 150° С) образование пленки начинается при 300° С. При 350° С образуется зеркальная пленка молибдена с хорошей адгезией к подложке. При нагреве подложки выше 400° С образуются темные неравномерные пленки с удельным сопротивлением до 100 ом/квадрат. Оптимальная температура разложения биг-этилбензолмолибдена (т. кип. 140—150"С/2—4 мм рт. ст.) лежит в интервале температур 400—450° С. [c.272]