Кристаллы плоские

В более сложных случаях связывание силикатных групп приводит к образованию плоских сеток или объемных решеток, образующих остов кристалла. Плоские сетки образуются в слюдах и в некоторых минералах глин (каолините, монтмориллоните), обусловливая свойственную им слоистость (рис. [c.29]

Полихроматический метод. Схема рентгеновской камеры для получения рентгенограмм по методу Лауэ (лауэграмм) представлена на рис. 32. Пучок рентгеновских лучей ММ направлен на неподвижный кристалл плоская кассета с пленкой расположена за кристаллом. На пленке фиксируется лишь часть дифракционного спектра, даваемого кристаллом, хотя, в принципе, мож- [c.67]

В кристаллах плоские квадратные комплексы часто вступают в стэкинг -взаимодействие, при этом атомы металла располагаются один над другим. Даже если расстояния металл — металл слишком велики для образования настоящих связей, слабое взаимодействие между i-орбиталями соседних атомов металла может иметь [c.515]

Рис. 1.10. Грани кристалла — плоские сетки пространственной решетки, ребра — ряды пространственной решетки.

При этом полагают, что процесс роста осуществляется как ряд последовательных повторяемых шагов. Считается, что поверхность кристалла плоская, рост происходит при незначительном пересыщении, а работа присоединения частицы в структуре равна сумме энергий ее взаимодействия с соседними частицами. Энергия повторяемого шага, т. е. присоединения частицы, составляется из энергий трех процессов, смысл которых показан на рис. 321,о 1) — частица отлагается в произвольном месте грани 2) — частица начинает новую цепочку частиц 3) — частица продолжает начатую цепочку на поверхности. [c.359]

В разделе VI.19 были изложены три главных требования к удовлетворительной теории роста кристаллов. Мы уже видели, что теория спирального роста Бартона, Кабреры и Франка способна объяснить высокие значения коэффициента а и закон роста высшего порядка. Вопрос в том, насколько эта теория удовлетворяет росту кристалла плоскими гранями, требует дальнейшего обсуждения. [c.185]

Впервые интерференционные эффекты были обнаружены экспериментально в 1959 г. Като и Лангом при исследовании динамического рассеяния на клиновидных участках некоторых кристаллов [23]. При детальном анализе полученного экспериментального материала Като показал, что одно из фундаментальных исходных положений динамической теории во всех ее формах, а именно, падение на кристалл плоской волны, требует обобщения. Им было установлено, что определенный тип наблюдаемых интерференционных картин может образоваться только, если па кристалл падает расходящийся пучок волн. В связи с этим Като разработал вариант динамической теории в приближении падающей сферической волны [24, 25]. [c.13]

Динамическая теория рассеяния рентгеновских лучей в идеальных кристаллах, изложенная в гл. 2—4, имеет одним из исходных условий — падение на кристалл плоской монохроматической волны. В конце гл. 3 мы отметили возможность других экспериментов, в частности использование пучка с ограниченным волновым фронтом и набором направлений падения, перекрывающим угловую ширину максимума отражения. В гл. 5 рассматривался случай волнового фронта падающей волны, малого по сравнению с толщиной кристаллической пластинки. [c.146]

По внешнему виду кристаллы нафталина, выделенные из раствора и осушенные на центрифуге, различаются между собой. Часть из них имеет вид четко определенной плоской пластинки ромбовидной формы, остальные представляют собой сростки мелких кристаллов плоской и неопределенной формы. [c.125]

Первый тип процесса — складывание кристаллической пачки с многократным поворотом на 180°. Сложенные таким образом пачки подстраиваются друг к другу, образуя плоский элемент кристалла. Плоские структуры взаимно наслаиваются с образованием кристалла полимера. [c.253]

И отличаются только ориентировкой в пространстве. Они, так сказать, росли в разных направлениях. Ясно, что при этом должна возникнуть какая-то переходная область, такая, что расстояние между атомами соседних кристаллов будут отличаться от межатомных расстояний внутри каждого кристалла. Плоский пример приведен на рис. 50, где изображена (в плоскости) встреча двух квадратных решеток. Продолжать рисовать неискаженные решетки — нельзя, но и предположение, что между двумя кристаллами возникает трещина , пустота, подобная нарисованной на рис. 50, кажется маловероятным. По-видимому, вероятнее возникновение области, где атомы будут смещены со своих мест, где будет беспорядок. Такое предположение о структуре границы (его содержание следует из назва- [c.163]

В заключение отметим, что в случае электронов образование муара соответствует падению на кристаллы плоской волны и симметричному отражению. В случае рентгеновских лучей может иметь место использование сферической падающей волны и асимметричного отражения. [c.176]

По данным многих исследователей, причиной появления примесных полос роста являются флуктуации температуры в расплаве в процессе кристаллизации [255, 256]. Независимость периода полос малой интенсивности от скоростей вытягивания и вращения кристалла позволяет предположить, что их происхождение связано с температурными флуктуациями вблизи фронта кристаллизации. Кристаллы плоской формы, полученные из расплава через формообразователь, имеют резко выраженные полосы, вызванные, очевидно, наличием больших температурных градиентов в области фронта кристаллизации. Опыты показали, что при выращивании плоских монокристаллов способом Степанова, интенсивность (контрастность) полос роста может быть уменьшена, а их период — стабилизирован применением теплового экранирования зоны кристаллизации. [c.160]

Вогнутая в кристалл Слегка вогнутая в кристалл Плоская [c.163]

Свободная тиоугольная кислота может быть получена действием сильных кислот на крепкие растворы ее солей сперва происходит переход цвета от красного к желтому, а затем в виде маслянистой жидкости частично выделяется H2 S3. Молекула S (SH)2 полярна (р, = 2,13). В кристалле плоские группы S3 [ZS S = 120°, d( S) = 1,69 Ч-1,77 А] соединены друг с другом водородными связями S—H---S [d(SS) = 3,5 3,7 А]. Хотя тиоугольная кислота (т. пл. —27°С) постепенно распадается на S2 и H2S, она все же несравненно устойчивее угольной кислоты. Ее кислотные свойства (Ki = 2-10- , Ki = 7-10 ), также выражены гораздо более сильно. [c.518]

С помощью рентгеновских лучей в 1912 г. было установлено наличие в кристаллах плоских сеток, от которых эти лучи отражаются по закону Вульфа—Брэгга Art = 2dsin 0 , где Я, —длина волны рентгеновских лучей п — простые числа (1, 2, 3 и т. д.), показывающие порядок отражения d — межплоскостное расстояние 0п —угол отражения соответствующего порядка. [c.14]

Наряду со сказанным надо отметить ряд экспериментальных фактов, выявленных в специально поставленных опытах, и относящихся главным образом к области небольших пересыщений. Из этих опытов особого внимания заслуживают те, в которых процессы роста и растворения протекали на кристаллах, в исходном состоянии ил1евших форму выпуклой или вогнутой сферы, и, следовательно, в этих процессах принимали участие все мыслимые тины граней. С этих опытов мы и начнем. Внешней фазой во всех этих опытах был раствор, и уже это определяет трудности теоретической интерпретации экспериментов, выводы из которых могут однако иметь общее зпачепие. Шлифованные или полированные кристаллические шары в процессах роста становятся матовыми, за исключением определенно ориентированных блестящих и мерцающих областей. На матовых участках поверхность продвигается вперед быстрее. В результате возникает ограпение кристалла плоскими гранями. В дальнейшем грани распространяются, а матовые промежуточные области сокращаются в конце концов образуются углы и ребра. Одновременно выявляются различия в скоростях роста граней, что приводит в итоге к исчезновению наиболее быстро растущих из них. Конечная форма роста, таким образом, оказывается ограниченной только некоторым — относительно малым — числом плоских граней в дальнейшем эта форма сохраняется неизменной. Отсюда следует, что мы можем различать три вида поверхностных мест 1) сохраняющиеся на кристалле истинные грани роста-, 2) промежуточные грани роста, 3) не четко выраженные части поверхности. [c.107]

При анализе выражения (11.12) понятия простоты для математической и физической модели существенно различаются. Простые функции p(>v) могут иметь очень сложный физический смысл. Особенно трудно объяснить наиболее простую с математической точки зрения равномерно неоднородную поверхность, когда p(X)= onst. Функция p( )= onst не может быть связанной со структурной неоднородностью поверхности, так как ей отвечает одинаковое количество адсорбционных мест для элементов кристаллической решетки с различной размерностью (точечные дефекты, линейные дефекты и ребра кристаллов, плоские поверхности), что принципиально невозможно. [c.26]

К магнитному полю, позволило точно определить ориентацию групп гема в этих кристаллах. Плоская группа гема содерлсит парамагнитный атом железа, иеспареиные электроны которого попадают в магнитное поле различной напряженности, зависящей от угла между приложенным внешним полем и локальным полем асимметричного гема. Так как частота в экспериментах с ЭПР имеет, как правило, величину порядка 10 гц, небольшие молекулы (разумеется, речь идет не о белковых молекулах) за время одного периода успевают несколько раз переменить свою ориентацию. Такая переориентация приводит к усреднению поля, в котором находятся иеспаренные электроны, по многим молекулам и в результате — к сужению линий в спектре ЭПР. Крупные молекулы типа белков не подвержены действию такого усреднения, и поэтому, если требуется сравнить их спектры со спектрами небольших молекул, в обоих случаях нужно пользоваться твердыми образцами или замороженными растворами. У свободных радикалов механизм релаксации отличается от механизма релаксации рассмотренных выше молекул, содержащих парамагнитный ион, поэтому для свободных радикалов можно получить хорошо разрешенные спектры и при комнатной температуре. [c.182]

Ниже приводятся некоторые физические свойства молибденита, определенные Руфом 4] блеск—металлический цвет — от серо-голубого до черного твердость 1 —1,5 по Моосу плотность 4,80 форма кристалла — плоская гекса- или тригональ-ная температура возгонки 450 °С. [c.94]

Двойное лучепреломление при течении. Как известно обычный свет колеблется во всех плоскостях. Если такой свет проходит через кристалл кальцита в соответствующем направлении, то луч света преломляется на два луча. Это может быть показано при рассматривани предмета через кристалл кальцита. При вращении кристалла кальцита кажется, что появляется двойное изображение, Найдено, что имеется одно " направление, в котором свет может проходить через кристалл кальцита беа преломления на два луча. Это направление отвечазт оптической оси кристалла. Кальцит, как и, многие другие кристаллы, анизотропен, т. е. у него показатель преломления различен в двух направлениях. Оба луча света испускаемые таким кристаллом, плоско-поляризованы, причем плоскости колебаний двух лучей расположены, под прямым углом друг к другу. Свет, плоскость колебаний которого параллельна оптической оси, называется необыкновенным лучом, а свет, плоскость колебаний которого перпендикулярна к этой оси, известен как обыкновенный луч. Двойное преломление измеряется по разности между показателями преломления обыкновеннога луча (по) и необыкновенного луча ). Если то [c.313]

Интересна упаковка молекул цистина в кристалле. Плоские группы 2Nl з0l02 всех молекул лежат почти перпендикулярно к осп с II связаны друг с другом водородными связями N — Н.... ..О (2,789 А 2,809 А) в бесконечные слои, наноминающпе одинарные слои в структуре а-глпцпна (рис. 59, а). Днсульфидные мостики [c.97]

Классическим примером является дифенил, молекулы которого имеют различные конформации в газовой фазе и кристалле. В кристалле молекула дифенила плоская [242], тогда как в парах, согласно электронографическому исследованию [243], фенильные кольца повернуты под углом 42° одно относительно другого. ]Плоские молекулы, грубо говоря, имеют меньший объем, и им легче упаковаться в кристалле, что обеспечивает большую плотность упаковки. Гомологи дифенила—терфенил ( -дифе-нилбензол) [244] и кватерфенил [п,л -бис-(фенил)-дифенил] [245] также имеют в кристалле плоскую конформацию молекул, несмотря на то, что в этой конформации расстояния между ортоатомами водорода значительно сокращены по сравнению с равновесными. [c.209]

Коссель ввел для объяснения роста кристаллов понятие" об атомномолекулярных свойствах поверхности образующейся твердой фазы. Он впервые показал, что если новая фаза кристаллическая, то она образована путем наслаивания на поверхность любой грани растущего кристалла плоских или двухмерных зародышей. Скорость наслаивания новых слоев на разные грани кристалла будет различной, а поэтому и форма кристаллов далекой от термодинамически равновесной. Растущий кристалл приобретает правильную форму на более поздних стадиях за счет перераспределения скорости роста граней путем таяния одних и ускоренного роста других граней. [c.40]

Во всех рассмотренных случаях полимерные цепи оказываются имеющими в кристаллах плоскую транс-конфигурацию или спиральное строение. Иными словами, в кристалле реализуются те или иные поворотные изомеры, возникающие при внутреннем вращении вокруг единичных связей. Очевидно, что определение углов внутреннего вращения, отвечающих поворотным изомерам, фигурирующим в кристаллах, представляет весьма важную характерпстику полимерной цепн. Как будет показано далее значение этой характеристики но ограничивается кристаллическими полимерами знание поворотных изомеров, устойчивых в кристаллах, существенно и для понимания свойств изолированных макромолекул (стр. 255). Симаноути и Мидзу-сима вывели математическое выражение для конфигурации цепи как функции длин связей, валентных углов и углов внутреннего вращения. [c.221]

Согласно (20.5), потенциал взаимодействия нейтронов с кристаллической решеткой, колеблющейся под действием ультразвуковой волны, можно представить в виде суммы двух слагаемых. Первое описывает дифракцию частиц в статической решетке, второе — периодическое во времени возмущение, представляющее собой суперпозицию бегущих по кристаллу плоских волн. На этих волнах, как и на статических, создаваемых первым слагаемым, возможна дифракция, сопровождаемая, в отличие от статического случая, изменением энергии частицы на величину, кратную hQ. Как следств1 е, возмущение, описываемое вторым слагаемым, может вызвать резонансные переходы между энергетическими [c.136]

Дальнейшие данные о блестящих и полублестящих никелевых покрытиях, даны в работе [37]. Получение блестящих оловянных покрытий из сульфатных ванн с добавкой вязких нефтяных продуктов в октилсерной кислоте обсуждается в статье [38]. Получение блеска на никелевых покрытиях, по-видимому, не связано с небольшими центрами кристаллизации, но, достигается, когда свободная поверхность кристаллов плоская и параллельна поверхности основного металла, некоторые ориентации связаны с внутренним растрескиванием и хрупкостью [39]. Электрополировка после процесса блестящего осаждения считается желательной, так как сильно снижает расходы на ручную полировку. При надлежащем контроле результаты становятся более воспроизводимыми, чем это возможно при ручном процессе. Некоторые блестящие ванны пока что приводят к чрезмерному внутреннему растрескиванию в покрытии случаи растрескивания и отслаивания также обычны. Однако, исследование и контроль могут преодолеть их. Имеется такое мнение, что блестящие ванны дают покрытия менее защитные, чем матовые или полуматовые покрытия, получаемые из старых ванн с последующей обработкой вручную или механически. Даже, если это так, то все же можно, модифицируя блестящие валны, получить хорошие результаты. [c.560]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология