Микроэлектроника

Особое место в создании распределенных систем занимают локальные вычислительные сети, объединяющие достижения вычислительной техники, микроэлектроники и техники связи. Главной причиной появления локальных сетей можно считать стремление к обеспечению следующих качеств [12] создание высокопроизводительных систем путем объединения нескольких микропроцессоров повышения надежности и живучести системы благодаря сетевой организации обработки данных сокращения затрат на линии связи и кабельную продукцию, когда источники данных находятся в одном месте, а средства обработки — в другом интеграции вычислительных ресурсов и более эффективного использования ресурсов наиболее дешевых микропроцессоров и микроЭВМ. [c.69]

Таким образом, основная цель научных исследований в теории ИИ — не замена разума человека машиной, а имитация мышления человека на ЭВМ для целей передачи ЭВМ большего числа видов интеллектуальной творческой деятельности и для более глубокого обоснования принимаемых человеком решений трудных НФЗ как в традиционно использующих разнообразный математический аппарат (собственно математика, физика, химия, химическая технология, экономика, электротехника, микроэлектроника и др.) и математически слабо формализованных областях знаний (медицина, биология, генетика, геология, сельское хозяйство, военное дело и др.), так и в различных сферах творческой деятельности при экспериментальных и теоретических исследованиях (при проектировании, сооружении и эксплуатации сложных промышленных объектов). [c.27]

Задачи автоматизации ХТС определяются статическими и динамическими свойствами этих систем. Существует тесная связь между автоматизацией и технологией (рис. IX.1). Для ХТС задачи автоматизации обусловлены основными тенденциями развития науки о процессах и аппаратах. Эта связь еще более усиливается, если для автоматизации применяется управляющая вычислительная техника на базе микроэлектроники. Так, в химико-технологических процессах прослеживается тенденция к повышению их скоростей, что связано с особо жесткими условиями проведения таких процессов (например, высокие температуры, давление и концентрация). Тем самым достигается, с одной стороны, больший выход целевых продуктов реакций, а с другой, — возникает большая чувствительность процессов по отношению к возмущениям. [c.343]

Свойства современных химико-технологических установок, с одной стороны, и внедрение микроэлектроники в автоматизацию, с другой, — требуют разработки нового поколения систем автоматизации (АСУ ТП), являющихся составной частью ХТС. Цель совместного синтеза и проектирования ХТС и АСУ ТП состоит в создании новых химико-технологических установок, которые имеют более высокие технико-экономические показатели, в частности [c.344]

I. Развитие новых концепций на основе разных иерархических структур с использованием вычислительной техники на базе микроэлектроники и создание соответствующих методов проектирования систем автоматизации для химико-технологических установок. [c.344]

Таким образом, задача автоматизированной оптимизации решена, если для каждого момента времени t определены и реализованы оптимальные управляющие воздействия в соответствии с выражениями (IX.1)—(IX.7). Следует однако подчеркнуть, что задача управления (1Х.1)—(IX.7) математически очень сложна и обычно неразрешима в реальном масштабе времени. Для этого имеются следующие причины. Во многих случаях не существует даже способа решения такой сложной задачи. Если же он существует, то высокая размерность задачи оптимизации (необходимо определять до 15 и более управляющих воздействий) требует для определения управляющих воздействий столько машинного времени даже на современных УВМ (на базе микроэлектроники), что управляющие воздействия не могут успевать за возмущениями. Тем самым теряются устойчивость системы и ее способность к оптимизации в реальном масштабе времени. Кроме того, точное решение сформулированной задачи автоматизированной оптимизации требует реализации на УВМ весьма сложных алгоритмов управления. о, в свою очередь, ведет к понижению надежности программного обеспечения АСУ ТП. [c.347]

В промышленности, главным образом в микроэлектронике, широко применяют пленки, полученные в плазме. Плазмохимические пленки могут быть кристаллическими или аморфными. Их толщина колеблется от долей до сотен микрометров. При осаждении в плазме тонких полимерных пленок на пористых основах образуются мембраны, применяемые в мембранной технологии для разделения растворов солей, органических соединений и газовых смесей. Такие пленки получают двумя методами — полимеризацией углеводородов или деструкцией полимеров. Плазмохимической поверхностной обработке можно подвергать различные материалы — от металлов и их сплавов до полимеров. В результате обработки полимеров в неравновесной плазме изменяются смачиваемость, молекулярная масса и химический состав поверхностного слоя (толщиной до 10 мкм). [c.298]

Классическая химия, наиример, имеет дело с веществами, синтезированными в лаборатории или принудительно изъятыми из естественной природной системы. Исследователи часто игнорируют факт, что вещество в природе и в лаборатории отличается не в меньшей степени, чем дистиллированная вода от речной воды. Любое вещество является не индивидуальным чистым компонентом, а системой веществ. Даже сверхчистые вещества, используемые в микроэлектронике, являются системой с содержанием основного компонента 99.99999%, и включающего остальные соединения в количестве 0.00001%. Но количество этих малых компонентов бесчисленно велико. Эти компоненты несут информацию по происхождению вещества, его эволюции в природе. [c.45]

Современные материалы иа основе ЛЦУ и их практическое применение. Ориентированные пленки для микроэлектроники. ЛЦУ транзистор. Командные поверхности. Упрочняющие и антифрикционные покрытия. Высокоэффективные биосовместимые покрытия. ЛЦУ нити - шовный материал для хирургии, сверхвысокопрочные волокна, волокнистые адсорбенты. [c.19]

Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова Институт микроэлектроники и информатики РА Н [c.55]

В связи со все более широким проникновением микроэлектроники в аналитическую практику и использованием в лабораториях все более сложных и эффективно действующих аналитических приборов и систем иногда недооценивают значение точных химических методов анализа. Студент-химик должен как можно раньше понять, что во всех современных физических методах серийных анализов, например основанных на использовании явлений атомной абсорбции, УФ-эмиссии или рентгено-флуоресценции, необходимо применять градуировку, которую [c.100]

Вполне очевидно, что методы рентгено- и фотоэлектронной спектроскопии с успехом могут применяться для изучения явлений коррозии, отжига и т. п., связанных с окислением металлов и сплавов, а также диффузии, сегрегации элементов, например, на изломах при термической обработке и т. д. Широко используются рассматриваемые методы в современной микроэлектронике, открывая уникальные возможности контроля качества и обнаружения неисправностей уст- [c.164]

Какие преимущества дает комплексное применение методов ЭСХА, ОЭС и СОМ при изучении поверхностей (в катализе, микроэлектронике и т, д,) [c.166]

При рассмотрении учения о фазовых равновесиях автор стремился раскрыть термодинамическую сторону проблемы и показать теоретически происхождение фазовых диаграмм, широко используемых при развитии физико-химических основ легирования полупроводников и металлов. При этом не рассматриваются их геометрический строй и вопросы кристаллизации сплавов различного состава, что подробно изучается в курсах материаловедения. Существенное внимание в книге уделено теоретическим основам электрохимии, так как она, с одной стороны, играет важную роль в отдельных процессах технологии электронной техники и микроэлектроники, а с другой — приобрела за последние два десятилетия исключительное значение в раскрытии механизмов поведения примесей в полупроводниках. [c.3]

В настоящее время, как известно, твердые тела используются в радио- и микроэлектронике как многофункциональные устройства. Отметим, что сформулированная проблема относится и к молекулярной биологии. Молекулы глобулярных белков (гемоглобина, пепсина и др.) обладают достаточно жесткой структурой, испытывающей определенные трансформации при выполнении этими молекулами специфических функций в биохимических процессах жизнедеятельности организмов. [c.9]

Платиновые металлы с добавками рутения и их сплавы (Р(1 — КЬ, Р6 — Аи, Pd — Pt — 1г, Рс1 — Аи — Р1, Рс1 — Ае — Со, Р1+0з и др.) применяются для изготовления электрических контактов, используются в потенциометрах, термопарах и термометрах сопротивления. Они незаменимы в изделиях для микроэлектроники, автоматики, радиотехники, точного приборостроения. Сплавы рутения с лантаном, церием, скандием и иттрием обладают сверхпроводимостью. [c.410]

Широко известна роль химии поверхности и адсорбции при поглощении отравляющих веществ и в гетерогенном катализе. С химией поверхности связана коррозия, приводящая к огромным потерям материалов и авариям и требующая создания устойчивых защитных покрытий. Химическое модифицирование поверхностей природных и искусственных материалов, наполнителей полимеров, формующих устройств для изделий из полимеров, строительных материалов, в частности полимерных, может придать этим поверхностям совершенно новые свойства. Например, химическая прививка к поверхности гидрофильного материала углеводородных групп делает эту поверхность устойчиво гидрофобной. Химия поверхности полупроводниковых материалов и изделий для микроэлектроники играет важную роль в современных электронных приборах. Химическое модифицирование поверхности используется и в этих случаях. [c.5]

Использование химических реакций в ряде производственных процессов позволяет резко повышать производительность труда и качество продукции, получать новые материалы. В качестве примера можно привести применение электрохимической обработки металлов в машиностроении, физико-химических методов получения полупроводников и микросхем, используемых в электротехнике, микроэлектронике, радиотехнике, вычислительной технике и других отраслях. [c.8]

Особенно возросла роль химии в развитии микроэлектроники, радиотехники, космической техники, автоматики и вычислительной техники. Для развития новой техники необходимы материалы с особыми свойствами, которых нет в природе сверхчистые, сверхтвердые, сверхпроводящие, жаростойкие и т. п. Такие материалы поставляет современная химия. Безусловно, роль химии в будущем еще более возрастет. Химия играет и будет играть важную роль в создании материальной базы коммунизма. [c.9]

Особенно возросла роль химии в развитии электротехники, микроэлектроники, радиотехники, космической техники, автоматики и вычислительной техники. [c.8]

Галлий со многими металлами образует сплавы, которые обычно имеют низкие температуры плавления так, эвтектический сплав, содержащий 90% Оа, 8% 8п и 2% 2п, плавится при 19°С. Этим свойством пользуются, создавая холодные припои, удобные для применения в микроэлектронике. [c.306]

Нитрид кремния используется в качестве компонента жаростойких и химически устойчивых композиционных материалов. Он нашел также применение в микроэлектронике в качестве диэлектрика и высокотемпературного полупроводника. Карбид кремния — абразивный материал для шлифовальных кругов, матрица для порошковой металлургии, компонент для огнеупоров. К тому же карбид кремния является основой полупроводниковых диодов и фотодиодов. [c.214]

Новиков В. В. Теоретические основы микроэлектроники. Высшая школа, 1972, с, 292—310. [c.139]

Из остальных металлов ША-группы в последнее время стали применять галлий (входит в холодный припой). Имея очень низкую температуру плавления ( 300 К), он может растворять другие металлы (например, медь) и, затвердевая, создавать паяный шов это свойство незаменимо для производства элементов микроэлектроники. 1п и Т1 применяют также в соединениях (сурьмянистый индий — полупроводник и т. д.). [c.404]

Для развития новой техники, космонавтики, ядерной энергетики, микроэлектроники, автоматики нужен целый арсенал разнообразных веществ, которых нет в природе полимеры и полупроводники, сверхчистые и сверхтвердые, жаростойкие, ферромагнитные и другие вещества. Современная химия решает эти задачи и создает новые методы обработки материалов, в связи с чем резко повысилась ее роль в получении новых материалов. [c.4]

Наиболее широко применяют мощные ОКГ в микроэлектронике, где они позволяют производить сварку различных соединений для микросхем, травление микросхем, изготовление р—га-переходов и т. д. [c.440]

Транзистор — это наиболее распространенный в микроэлектронике. прибор с р— -переходом. В основе его работы лежит рассмотренная выше инжекция носителей. Плоскостные транзисторы могут быть р— —р- и —р— -типов. В качестве примера рассмотрим транзистор п—р— -типа. Он состоит из монокристалла германия или другого полупроводника, имеющего узкую центральную область р-типа, ограниченную с обеих сторон материалом -типа [17]. Напряжение подводится к трем металлическим электродам так, что один —р-переход (эмиттер) смещен в прямом направлении, в то время как другой переход (коллектор) смещен в обратном направлении. Область, разделяющая эмиттер и коллектор, называется базой (рис. 190). [c.462]

Все предложенные до настоящего времени теории зарождения и роста НК и пленок игнорируют реальное состояние поверхности раздела, участие во многих случаях химических реакций в процессе кристаллизации из газовой фазы, следствием которых является наличие слоя хемосорбированных молекул на поверхности раздела. При наличии хемосорбции непосредственный обмен между подложкой и средой практически отсутствует и хемосорбционный слой в известном смысле можно считать промежуточной двумерной фазой . Рост кристалла в этом случае, по-видимому, происходит в результате актов химического распада молекул хемосорбционного слоя, механизм которых совершенно не изучен. Особая трудность возникает при обсуждении возможных механизмов роста эпитаксиальных пленок сложных соединений при жидкофазном осаждении в связи с тем, что молекулярная форма нахождения большинства этих соединений в растворах и расплавах в настоящее время неизвестна. Поэтому единой достаточно удовлетворительной теории зарождения и роста НК и пленок при газофазном осаждении пока не существует. Необходимо дальнейшее накопление надежных экспериментальных данных о реальной структуре (атомной и электронной) поверхностей раздела, о явлении хемосорбции, о так называемой закомплексованности и других определяющих явлениях. Важным также в теории гетерогенного зародышеобразования пленок является установление соотношения между процессами статистического зародышеобразования на чистых подложках и на активных центрах. Имеются сведения (Л. С. Палатник и др. 1972 г.) об образовании и длительном существовании в тонких пленках термодинамически неравновесных фаз. Поэтому пределы применимости к тонкопленочным системам (приборы микроэлектроники, оптические покрытия и др.) диаграмм состояний, разработанных для систем массивных материалов, требуют подробного анализа и обсуждения. [c.485]

Классическая химия изучает вещества, синтезированные в лаборатории или изъятыми из естественной природной среды. Исследователи часто игнорируют факт, что вещество в природе и в лаборатории отличается не в меньшей степени, чем дистиллированная вода от речной воды и является системой бесконечного числа веществ. Даже сверхчистые вещества, используемые в микроэлектронике, являются системой с содержанием основного компонента на 99,99999% и включающая остальные соединения в количестве 0,00001%. Но качественное влияние и роль примесных компонентов огромно. Эти компоне1Ггы обладают каталитическими и ингибирующими функциями и придают веществу комплекс уникальных электрофизических свойств, что хорошо известно специалистам в области электроники и химии сверхчистьгк веществ.[30-34]. Компоненты, именуемые примесями спутники основного вещества, передают информацию о его технологии, космическом происхождении, эволюции в природе и являются частью памяти вещества о его природном и техническом прошлом. Более того, в ряде процессов вещество участвует только как единое целое. По этой же самой причине лекарственные вещества, полученные из природных компонентов и синтезированные в лаборатории, являются разными веществами, так как имеют разные системы компонентов-спутников. Отсюда различное действие природньге и синтетических препаратов на человека. [c.9]

В производстве малотоннажной химической продукции установлены задания по обеспечению в 2000 г. выпуска около 114 тыс. т синтетических красителей за счет преимущественного развития производства их прогрессивных групп, до 380 тыс. т текстильно-вспомогательпых веществ для текстильной и других отраслей промышленности. По сравнению с 1985 г. предусмотрено в 2—2,3 раза увеличить производство химических добавок для полимерных материалов, организовать выпуск новых добавок для повышения качества пластических масс, каучука, шин и резинотехнических изделий. Возрастет производство особо чистых веществ, их ассортимент расширится в 2 раза против запланированного на 1985 г., а биохимических реактивов и препаратов — в 3,5 раза. Путем освоения высокоэффективных цветных фото-и кинопленок, прогрессивных видов бессеребряных фотоматериалов намечено снизить расход серебра на их изготовление при одновременном увеличении производства п повышении качества кинофотоматериалов. Возрастет выпуск химических продуктов для цветного и черно-белого телевидения, для люминесцентных ламп, позволяющих уменьшить энергопотребление. Существенно будет расширен ассортимент особо чистых веществ для микроэлектроники и волоконной оптики. [c.183]

Эта специфика состоит в том, что такие вузы, как МИЭТ, МИФИ, МФТИ и др., даже для технологических специальностей отличаются повышенным уровнем математической подготовки и наличием в учебных планах солидного курса теоретической физики. Это позволяет, с одной стороны, шире использовать язык формул, с другой — усилить отдельные части курса и, в частности, уделить более серьезное внимание химической термодинамике и основам учения о фазовых равновесиях, учитывая исключительно возросшую роль этих разделов науки в технологии производств электронной техники и в особенности микроэлектроники, за счет исключения таких разделов, как строение вещества, статистическая механика, и некоторых других. [c.3]

После выхода первого издания учебного пособия Глубокая очистка веществ (1974 г.) исследования в области получения высокочистых веществ ознаменовались новыми успехами. С середины 70-х годов проблема высокочистых веществ оказалась связанной с развитием волоконной оптики, для которой потребовались новые материалы с низким содержанием примесей. Возросли требования и к чистоте веществ, используемых в микроэлектронике и полупроводниковой технике. В соответствии с этим актуальной стала проблема максимальной очистки веществ от примесей, в виде взвешенных частиц субмикронного размера. Для решения этой задачи был разработан новый метод очистки — пленочная ректификация с воздействием на пар температурного градиента (термодистилляция). Большое значение придается подбору малозагрязняющих конструкционных материалов и созданию технологических комплексов, которые исключали бы контакты очищаемого вещества с исходным сырьем. В эту цепочку включают методы аналитического контроля. [c.3]

Наиболее важные области применения тантала — машиностроение и электронная техника. В танталовых тиглях плавят металлы. Из него делают нагреватели высокотемпературных печей. В электронике он применяется для изготовления анодов мощных ламп, сеток, а в микроэлектронике (Та и ТазОз)—для изготовления пленочных схем. Карбиды [c.287]

Это доказывает слабость кислотных свойств гипотетической кислоты НРеОо. Отметим, что на разрушении феррита натрия водой основан известный в прошлом способ Левига переведения карбоната натрия в едкий натр. Ферриты различных металлов широко используются в микроэлектронике как магнитные материалы. Сама окись железа Рб20з используется в качестве красителя (желтая краска — охра, красная — мумия) и дешевого материала для полировки стекол (крокус). [c.125]

Наиболее важные области применения тантала — машиностроение и электронная техника. В танталовых тиглях плавят металлы. Из него делают нагреватели высокотемпературных печей. В электронике он применяется для изготовления анодов мощных ламп, сеток, а в микроэлектронике (Та и Тз20б) —для изготовления пленочных схем. Карбиды ниобия и тантала отличаются исключительной твердостью и используются для изготовления режущего инструмента в металлообрабатывающей промышленности. [c.320]

Развитие химии и химической промышленности является обязательным условием построения материально-технической базы коммунизма в нашей стране. вpeмeннaя химия играет весьма заметную роль в развитии микроэлектроники, электроники твердого тела, в технологии изготовления радиоаппаратуры, автоматических и вычислительных устройств, полупроводниковых и вакуумных приборов. Вследствие этого знание основ химии имеет не только общенаучное и методологическое значение, но и специальное значение для инженеров. [c.5]

Кроме диоксида кремния, известен моноксид SiO, который в природе не встречается. Он может быть получен по реакции SiOg + Si = = 2SI0 при 1250 С (в вакууме). Черно-бурое аморфное вещество, обладающее изолирующими свойствами даже при светло-красном калении. Может наноситься в виде пленки в вакууме на металлические подложки, в связи с чем используются в пленочных конденсаторах и для других целей в пленочной микроэлектронике. [c.294]

Новые материалы. Микрометаллургия [1] обеспечивает не только успешное решение проблемы микроэлектроники, но и дает возможность решить ряд материаловедческих задач по созданию новых конструкционных материалов [8] Одна из них — виксери-зация волокон, т. е. наращивание на волокнах НК- Это обеспечивает повышение сопротивления на сдвиг в матрицах композиционных материалов (( м. гл. IV). Например, использование для указанных целей тугоплавких и высокопрочных НК на волокнах углерода повышает сдвиговую прочность углепластика на 20— 30% по сравнению с применением невискезированного волокна. [c.505]