Константа роста кристаллов

Если придерживаться изложенной точки зрения на рост металла, тогда любой анализ кривых ток — время или потенциал — время будет давать результаты, зависящие от тока обмена /о, а, поверхностной диффузии, концентрации и, возможно, от расстояния между ступенями роста. Ясно, что этот анализ нельзя использовать для получения кинетических констант роста кристалла, если [c.306]

Последние две стадии процесса формально можно представить как процесс роста кристаллов. В качестве центров кристаллизации при этом выступают отдельные участки поверхности стенки. То обстоятельство, что рост отложений происходит за счет присоединения частиц дисперсной фазы, а не отдельных молекул, в данном случае принципиального значения не имеет. При таком представлении объединенную константу скорости второй и третьей стадий процесса можно выразить как /31/ [c.84]

Сложность системы, в которой происходит рост кристаллов кварца, естественно, приводит и к сложной зависимости механических (упругих и неупругих) характеристик физико-химических параметров. Следует отметить, что упругие константы, характеризующие кварц как кристаллический материал, от условий роста зависят незначительно, и, во всяком случае, для кристаллов, выросших не с Очень большими скоростями (<0,4 мм/сут), упругие константы синтетического кварца практически идентичны таковым для природного. Так, например, измерения упругих постоянных Sik резонансным методом показали, что при разбросе между абсолютными значениями величин sih для различных образцов в 0,5—1 % (из-за неточности в ориентировках) отклонения этих величин от таковых для синтетического кварца не превышали 2%. Аналогичные данные были получены при изучении упругих свойств синтетического кварца по скорости распространения упругих ультразвуковых волн. Позднее измерения упругих и пьезоэлектрических констант высококачественных кристаллов были проведены в широком температурном интервале. Измерения показали, что по этим характеристикам высокодобротные синтетические и природные кристаллы идентичны. [c.138]

Классифицирующая способность кристаллизаторов со взвешенным слоем может быть проанализирована путем расчетов по разработанной выше модели с учетом численных значении констант в выражениях (1.14) и (1.73 ) для скоростей зародышеобразования и роста кристаллов. На основе разработанной модели можно показать возможность прогнозирования основных технологических параметров работы аппаратов со взвешенным слоем. Анализ результатов моделирования работы кристаллизатора (рис. 3.33) показывает, что основным параметром, который поддается достаточно строгому регулированию является скорость движения раствора в зоне роста кристаллов. Представленные на рисунке зависимости показывают, что выход деловой фракции можно регулировать изменением величины скорости восходящего потока раствора. Другим параметром, влияющим на выход деловой фракции, является содержание твердой фазы во взвешенном слое. Однако ввиду относительной сложности регулирования величины ф в аппарате, эта возможность в данном примере не рассматривается. Среднее содержание кристаллов во взвешенном слое принималось порядка 3 % и поддерживалось во всех случаях постоянным. [c.211]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология