Интерференция лучей

Рис. 57. Кристалл как дифракционная решетка, вызывающая интерференцию лучей Рентгена (схема)

Рассмотрим некоторый однородным, изотропный слой на поверхности однородного, изотропного образца (рис. 9.8). При отражении света от поверхности образца происходит интерференция лучей 1, 3, 5,. .. [c.181]

При прохождении через решетку кристалла рентгеновские лучи неравномерно рассеиваются и интерферируют между собой, усиливаясь или ослабляясь. Максимумы интерференции лучей отраженных от определенного семейства параллельно расположенных плоскостей кристаллической решетки, выражаются уравнением Вульфа—Брегга [c.60]

Рис. 9.35. Результат интерференции лучей, поляризованных во взаимно перпендикулярных направлениях, в зависимости от разности хода между ними.

Первое и второе слагаемые определяют долю интенсивности, обусловленной интерференцией лучей, исходящих от атомов компонентов, третье и четвертое определяют вклад в интенсивность, обусловленную взаимной интерференцией рассеянных на атомах обоих компонентов. Первая сумма содержит членов, вторая — N2 , а третья и четвертая — по Л 1Л 2 членов, которые отличаются взаимным расположением разносортных атомов. [c.84]

И электронографии, основанные на дифракции и интерференции лучей Рентгена или электронов. Рентгенограммы обнаруживают резкое изменение структуры каучука при кристаллизации. Кристаллизация каучука вследствие большой длины его молекул представляет собой более сложное явление, чем кристаллизация обычных низкомолекулярных веществ. [c.85]

Анализатор АА разлагает луч 1 на два взаимно перпендикулярных 1 и 1". Колебания 1" анализатор погасит, потому что они совершаются в плоскости, перпендикулярной АА. Через анализатор проходят только колебания в плоскости АА, В нашем примере в анализаторе окажется луч 1. С некоторым опозданием в анализатор попадает луч 2 и также будет разложен на два взаимно перпендикулярных луча 2 и 2", из которых 2" будет погашен. Итак, через анализатор проходят два когерентных луча Г и 2, колебания которых совершаются в одной плоскости. Это и вызывает интерференцию между ними, в результате чего из анализатора выходит световой поток, интенсивность и спектральный состав которого определяются интерференцией лучей света Г и 2, что и обусловливает цвет и его интенсивность, которые приобретает кристаллическая пластинка в скрещенных николях (николи -Ь). Этот суммарный цвет кристаллической пластинки называется ее интерференционной окраской. [c.99]

Если трещину наблюдать в отраженном свете, то происходит интерференция лучей света, отраженных от нижней и верхней (по ношению к наблюдателю и источнику света) поверхностей створок трещин. Так как усиление луча света соответствует определенной разности хода, то наблюдаемые интерференционные полосы (обозначенные пунктиром на рис. П.23) соответствуют равным расстояниям между створками трещины. Форма и расположение интерференционных полос соответствуют форме, расположению и размерам трещины. Таким образом, по наблюдаемой [c.85]

В установке Лау эталоны ставятся параллельно между собой на столь большом расстоянии друг от друга, на котором интерференция лучей, многократно отраженных между эталонами, уже невозможна. Фон при этом будет примерно вдвое меньше, чем в случае одного эталона. [c.108]

Действие дифракционной решетки легко понять, рассмотрев интерференцию отдельных плоских волн, испытавших дифракцию на щелях решетки. В результате интерференции лучей, исходящих из соседних щелей, будут наблюдаться максимумы, когда разность хода лучей А2 — будет равна целому числу волн (рис. 2.1). Элементарное геометрическое рассмотрение позволяет определить положение максимумов, задаваемое известной [c.46]

Пластины эталона изготавливаются из стекла или плавленого кварца их толщина обычно 5—15 мм, а диаметр 20—60 мм. Пластины не должны быть плоскопараллельными, иначе на интерференционную картину, даваемую эталоном, наложатся кольца, образовавшиеся в результате отражения интерференционной картины от поверхностей пластин, а также вследствие интерференции лучей в плоскопараллельной пластине. Эти кольца могут создать помехи при измерениях. Поэтому поверхности пластин образуют угол в 1—2°. Точность изготовления не покрытых отражающим слоем поверхностей не должна быть чрезмерно высокой. Вполне достаточна точность, требуемая при изготовлении обычной проектирующей оптики, т. е. та Х/2. Точность же изготовления отражающих поверхностей должна быть чрезвычайно большой, так как именно ошибки этих поверхностей ограничивают разрешающую силу и контрастность современных эталонов. [c.176]

Действительно, рассмотрим интерференцию лучей = Ха -[- ДА,. Они повернуты по отношению к лучам, на малый угол е (рис. 8.2) [c.211]

Необходимо иметь в виду возможный источник ошибок при применении ступенчатого ослабителя. В результате интерференции лучей света, отраженных от двух поверхностей ослабителя, могут образоваться интерференционные полосы, которые часто бывают хорошо видны при освещении щели спектрографа источником сплошного спектра. Если интерференционные полосы параллельны щели, а спектр линейчатый, то их вообще нельзя обнаружить. Наличие таких полос может исказить соотношение яркости измеряемых линий на несколько процентов. Поэтому каждый ослабитель для точных измерений необходимо исследовать с помощью источника сплошного спектра. Если даваемые им полосы заметно искажают почернения в спектре, то необходимо вносить соответствующие поправки. Небольшие изменения в положении ослабителя относительно щели могут заметно изменить интерференционную картину. [c.304]

Проведем сперва анализ рассеяния одним электроном, затем рассмотрим рассеяние атомом как группой свободных электронов без учета интерференции лучей, рассеянных каждым электроном, и, наконец, учтем эту интерференцию в разделе 2. [c.163]

Согласно дифракционной теории, изображение, которое дает объектив, микроскопа, является результатом интерференции лучей, испытавших дифракцию на объекте. [c.442]

Рис. 73а. Схема интерференции лучей в кристалле.

Строго говоря, следует интегрировать по всему объему кристалла или после получения выражения для амплитуды, рассеянной столбиками, рассмотреть интерференцию лучей, рассеянных разными столбиками. Но в этом сейчас нет необходимости, так как, зная структуру нашего кристалла, мы уже выбрали направление такой трехмерной дифракции. [c.482]

Рис. 27. Схема интерференции лучей (из Некрасова, 1954 .

Коэффициент рассеяния представляет собой довольно сложную функцию длины волны и атомного номера, поскольку требуется учитывать как когерентное, так и некогерентное (квантовое) рассеяние и принимать во внимание интерференцию лучей, рассеянных электронами атома. Практически это осложнение не играет большой роли, так как обычно коэффициент рассеяния значительно меньше коэффициента поглощения и его можно вовсе не учитывать. [c.156]

И отражающей плоскости, в которых интенсивность сложения (интерференции) лучей, дифрагированных на всех узлах структуры, максимальна. Этот угол 0 определяется по формуле Вульфа — Брэгга [c.78]

Когда на поверхности раздела фаз имеется тончайший переходный слой—пленка, возникают явления интерференции лучей, отраженных от внешней поверхности пленки и от поверхности раздела пленка—основная фаза. В результате интерференции интенсивность суммарного луча может повыситься или понизиться по сравнению с интенсивностью отражения от границы раздела, не имеющей переходного слоя. [c.94]

Отсюда следует, что рассеяние рентгеновских лучей электроном происходит независимо от угла рассеяния, и для атома, все электроны которого считали бы сконцентрированными в одной точке, рассеянное излучение не ослаблялось бы за счет интерференции лучей, рассеянных от разных электронов. Рассеивающая способность, или формфактор f, такого атома не зависит от (sin 0)/А,. Если формфактор выражается в единицах рассеивающей способности одного электрона, то он будет равен постоянной величине Z — атомному номеру атома. [c.181]

С увеличением угла дифракции наблюдается ослабление рассеяния за счет интерференции лучей, рассеянных от разных электронов, и величина f уменьшается с увеличением (sin 0)/Я,. Кривые атомного рассеяния для всех атомов приведены в Интернациональных таблицах (т. 3, стр. 201). [c.181]

При прохождении излучения через дифракционную решетку (см. рис. 5.4) лучи, дифрагирующие от каждой из щелей под углом Ф, собираются линзой Л в фокальной плоскости. Здесь происходит сложение колебаний — интерференция лучей. При числе щелей, [c.186]

Жидкости также способны вызывать диффракцию рентгеновских лучей, но получаемые результаты несколько труднее поддаются интерпретации. В этом случае интерференция получается не только благодаря рассеянию атомами одной молекулы, т. е. не только благодаря внутримолекулярным эффектам, но и благодаря тому, что еще накладываются междумолекулярные эффекты, которые обусловлены интерференцией лучей, рассеянных двумя или большим числом соседних молекул. [c.153]

Важными характеристиками кристаллов являются тип решетки, т. е. характер расположения составляющих ее атомов относительно друг друга и расстояние между атомами. Такие характеристики можно получить при исследованиях с помощью рентгеновских лучей. Длины волн рентгеновских лучей приблизительно в 1000 раз меньше длин волн видимого света и по порядку величин (10 см) равны расстояниям между атомами в кристаллической решетке. Поэтому при проникновении рентгеновских лучей в такую решетку происходит явление интерференции. Луч, отраженный от одной из плоскостей кристалла, встречается с лучом, отраженным от другой параллельной первой плоскости. При определенной рознице в длинах путей этих двух лучей может произойти усиление или ослабление луЧей (интерференция)-. Соот- [c.323]

Пленки, дающие цвета побежалости, обнаруживаются по появлению характерной окраски поверхности металла. Как известно, цвета побежалости, или окраска тонких слоев, есть явление оптическое, а не результат окраски продуктов коррозии, образующих пленки. Цвета побежалости появляются в результате интерференции лучей света, отраженных от [c.14]

Из рис. XXII 1.1 видно, что в точке С произойдет интерференция луча, отразившегося от верхней плоскости, и луча, отразившегося от следующей плоскости. Разность хода этих двух лучей А, как это следует из рис. XXIII.1, равна А = АВ + АС. Если А равна целому числу волн, то рассматриваемые два луча будут максимально усиливать друг друга. [c.494]

Рентгеноструктурный анализ основан на применении рентгенографии. При прохождении рентгеновских лучей через тонкий слой вещества наблюдаегся дифракция и интерференция лучей. На фотопленке, расположенной за объектом перпендикулярно падающему лучу, получается рентгенограмма, на которой можно видеть интерференционные кольца и пятна вокруг центрального иятна от неотклоняющегося луча. Интерференционные кольца и пятна в случае высокомолекулярных веществ могут получаться от правильного чередования одинаковых звеньев молекул, отдельные составные части которых повторяются через определенное расстояние. Это расстояние между одинаковыми элементами соседних звеньев молекул носит название периода идентичности. Ширина интерференционных полос на рентгенограмме зависит от периода идентичности чем меньше период идентичности, тем больше ширина кольца. Таким образом, ио ширине колец может быть вычислен период идентичности. [c.50]

Методы определения координат атомов в кристаллической решетке с помощью рентгеноструктурного анализа хорошо отработаны и продолжают совершенствоваться. В основе их. лежит изучение картины дифракции рентгеновских лучей на кристаллической решетке. Пучок рентгеновского излучения рассеивается на атомах решетки, причем в результате интерференции лучей, рассеянных в определенном направлении от разных областей решет ки, происходит практически полное гашение рассеянного пучка. Взаимное усиление п])оисходит лишь в некоторых определенных направлениях, удовлетворяющих уравнению. Лауэ [c.309]

Лазерный луч попадает в световод /ив элементе связи 2 поровну делится между световодами 7 и i. В выходной элемент связи, играющий роль фазового анализатора, приходят волны с одинаковыми амплитудами, но различными фазами. Обычно световод I изолируется от внешних воздействий и ф] = onst. Световод 3 помещается в зону контроля и подвергается нагреву или деформации (в последнем случае он жестко крепится к объекту контроля). При этом меняется фаза ф2 проходящей через него волны и соответственно яркость картины, возникающей при интерференции лучей, выходящих из световодов / и J. Недостатком данной схемы является невозможность определения знака изменения фазы ф2> т.е. знака внешнего воздействия. [c.496]

В 1922 г. Кезом и Смедт [14] установили наличие максимумов и минимумов рассеяния в жидком аргоне—типичной одноатомпой жидкости. Тем самым было окончательно доказано, что причиной появления максимумов и минимумов рассеяния в жидкости может быть не только интерференция лучей, отраженных от атомов, входящих в одну и ту же молекулу, внутренний эффект или внутримолекулярная интерференция, но и интерференция лучей, отраженных от разных молекул, внешний эффект или межмолекулярная интерференция. [c.121]

При проведении контроля изделий наличие интерференции лучей определяется проверкой местоположения дефекта при измерениях па разных частотах. Если при изменении частоты местоноложение щупа, соответствующее максимальной амплитуде отраженного сигнала,, не [c.109]

Появление таких полос связано с интерференцией лучей в тонких пластинках, образуемых двумя близко расположенными поверхностями. Эти полосы могут образоваться в результате интерференции в тонкой пластинке, расположенной перед щелью прибора. Рис. 3.21. К вопросу об интерференции при При использовании желатиновых сту-отрашении от двух оптических поверхностей. пеНЧатЫХ фиЛЬТроВ ОТ НИХ ЧаСТО ТруДНО [c.92]

При нагревании полосы металла с одного конца на ней образуется клинообразный слой окислов (фиг. 23). Это будет вызывать интерференцию лучей света, отраженных от металла и от окисла, если длина пути этих лучей отличается на пХ/2, где п — нечетное целое число, а X — длина световой волны. Если у — толщина окисла и. [X — его показатель преломления, то %п12 2р.у. Обычно поверх ность металла шероховата и толщина окисла непостоянна. Следова- тельно, происходит интерференция пучка волн разной длины. ПО мере утолщения пленки сначала произойдет интерференция на синем конце спектра. Окисел поэтому будет представляться крас [c.54]

Осями координат этого узора будут векторы, параллельные а, b v. с (для кристаллов ортогональных синго-ний), а осевые трансляции а, Ь и с по величине обратны трансляциям пространственной решетки. Иными словами, трехмерно периодичное распределение максимумов интерференции лучей, рассеянных всеми центрами кристалла, образует в пространстве размерностью [L ] правильный узор, введенный формально в гл. 3 как обратная решетка . Вообще говоря, обратное пространство , или пространство векторов дифракции К, есть, согласно (6.3), Фурье-образ плотности распределения рассеивающих центров в кристалле. При изучении рассеяния рентгеновских лучей рассеивающим центром является электрон, поэтому обратное пространство в этом случае является Фурье-образом распределения электронной плотности в кристалле. [c.178]

В главной фокальной плоскости объектива Роб на схеме (рис. 20.1) изображена одйа система из трех максимумов Л, В и С. Очевидно, что при различии кристаллической структуры или разных ориентировках частиц должны возникать различные системы дифракционных максимумов. Интерференция лучей А, В, С дает в плоскости селекторной диафрагмы 10 промежуточное микроскопическое изображение частиц объе кта. С помощью диафрагмы 10 можно ограничить изображаемый участок объекта. Промежуточная линза 5 (рис. 20.1, а) переносит изображение выбранного участка в плоскость полевой диафрагмы И, а главная проекционная линза [c.442]

В практике металлофизических исследований часто встречается случай интерференционного контраста, связанный с интерференцией лучей, претерпевших дифракцию на двух разных кристаллах при близких межплоскостных расстояниях или на кристаллах одного и того же вещества, но слегка разориентированных. На рис. 20.24 показаны схемы расположения кристаллов (зерен, слоев), схематический вид дифракционных картин от каждого кристалла (рис. 20.24, а, б) и суммарная картина (рис. 20.24, е). Апертурная диафрагма объективной линзы в центральном положении (для светлопольного изображения) не пропускает лучи, дифрагированные каждым из кристаллов в отдельности, но пропускает дважды дифрагированные (рис. 20.24, в). В случае слегка разориентированных кристаллов (рис. 20.25, б) расстояние между интерференционными полосами Ощ в электронно-микроскопическом изображении связано с межплоскостным расстоянием йнкь и углом разориенти-ровки е простым выражением От=с1нкь1г,. (20.13). [c.463]

Определим зависимость амплитуды дифрагированных лучей от толщины кристалла, рассматривая, как и раньше, рассеяние электронов кристаллом как простое оптическое явление — интерференцию лучей, отраженных от параллельных атомных плоскостей одного семейства, но с учетом изменения амплитуды луча, падающего на каждую отдельную атомную плоскость. На рис. 21.8 представлена схема, не реализующаяся в дифракции быстрых электронов, но более удобная для анализа. В отличие от схемы рис. 21.7 здесь отражающие плоскости расположены параллельно поверхности кристалла. Принципиальных различий в схемах 21.7 ( лауэвский случай) и рис. 21.8 ( брэгговский случай) нет. Если q см. уравнение (21.9) и (21.10)] — доля амплитуды, которая теряется прямым пучком на отражение при прохождении через одну атомную плоскость, то, продолжая оптическую аналогию, можно принять за амплитуду от- [c.490]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология