Кристаллиты зародыши

Здесь Ai (О—общая масса кристаллов в момент времени t i t )—скорость образования зародышей m(t—i )—масса кристалла, зародыш которого образовался в момент f. В основе этой модели лежат следующие предпосылки а) объем пересыщенного раствора разделяется на N oo) элементарных ячеек, причем [c.297]

Процесс осаждения происходит постепенно. Сначала образуются очень мелкие кристаллы — зародыши, которые постепенно вырастают в кристаллы большого размера или группу кристаллов. Время с момента смещения растворов до образования зародышей— мелких кристаллов называют индукционным периодом. Продолжительность этого периода зависит от индивидуальных свойств осадка. Так, в случае образования хлорида серебра это время очень мало, в случае образования сульфата бария этот период значительно больше. [c.163]

Осаждение следует проводить так, чтобы образовывалось по возможности меньшее количество мелких кристаллов (зародышей), тогда при постепенном прибавлении осадителя будут нарастать имеющиеся центры кристаллизации, т. е. будут расти крупные кристаллы. [c.163]

Для получения кристаллов затравки готовят раствор 20 г КОН и 5 г А1(0Н)з в 10 мл воды. Раствор фильтруют при комнатной температуре, а затем встряхиванием в теченне 12 ч добиваются обильной кристаллизации алюмината калия, служащего в качестве кристаллов-зародышей. Получить таким [c.1883]

Таким образом, при дислокационном механизме роста нет необходимости в образовании на грани кристалла зародышей новых атомных слоев — энергоемком процессе, лимитирующем скорость роста идеального кристалла. Роль зародышей играет не исчезающая в процессе роста как бы само-воспроизводящаяся атомная ступенька. Поэтому подобный дислокационный механизм роста кристаллов действует даже при весьма малых пересыщениях, обеспечивая быстрый рост кристаллов. [c.101]

Инициирование процесса образования центров кристаллизации может быть достигнуто добавлением в кристаллизатор с насыщенным или пересыщенным раство-.. ром необходимого количества зародышей, чаще всего в виде раздробленных кристаллов. Зародыши могут образовываться также на месте, в ходе процесса. [c.587]

Монокристаллы легкоплавких металлов, таких, как 2п, Сё, Зп, В1, или солей можно получать способом вытягивания [58—60], который заключается в том, что поверхность металла, поддерживаемого при температуре немного выше температуры плавления, соприкасается со стеклянной палочкой или лучше кристаллом-зародышем, и выращиваемый кристалл равномерно с определенной скоростью (примерно до 12 мм/мин) вытягивается вверх. При этом поверхность расплава обычно покрывают плавающим на нем слюдяным диском с отверстием растущий кристалл охлаждается вдуваемым сбоку азотом. Этим методом трудно получить равномерное сечение кристалла кроме того, часто возникают незначитель-ные изменения в ориентации. Мейснер [61] описал приспо- собление для вытягивания монокристалла в вакууме. [c.206]

Часто, когда продукт реакции может дать ряд модификаций, некоторые из этих модификаций (особенно это касается гидроокисей и основных солей) могут быть получены только путем совершенно определенных химических реакций. Следовательно, если хотят узнать все возможные нест а-бильные и метастабильны е модификации определенного вещества, рекомендуется испытать все способы получения его при различных условиях. Глубокая связь между видом химической реакции, соответственно кристаллическим строением исходного материала или кристаллами-зародышами, присутствующими в нем (или, возможно, только быстро взаимодействующими промежуточными продуктами, которые играют роль зародышей),. [c.307]

Поскольку для выращивания кристаллов зародыши предпочтительно получать не на дне кристаллизатора, а в подвешенном состоянии, необходимо иметь соответствующие держатели. Один из способов подвески состоит в том, что в зародышах сверлят отверстия, в которые и вставляются стерженьки держателей. Однако органические кристаллы в общем случае не поддаются сверлению, и лишь в некоторых случаях удается подвешивать их на тонкой проволоке. По-видимому, более подходящим способом является закрепление кристаллического зародыша в тонкостенной трубке нужного размера из инертного пластика чтобы зародыш прочно удерживался, конец трубки оттягивают и вставляют в него зародыш. С другого конца в трубку вставляют стержень держателя. После окончания процедуры выращивания кристалла из него нетрудно вытащить сначала стержень, а затем и обмякшую трубку. [c.208]

Максимальная температура существования собственных кристаллов-зародышей [c.80]

На рис. 9 (см. вклейку) приведены микрофотографии, из которых видно, что твердые частицы индиго при введении их в полипропилен и изотактический полистирол действительно являются центрами кристаллизации. Форма частиц зародышеобразователя оказывает существенное влияние на форму образующихся кристаллических структур полимера. На рис. 10, а (см. вклейку) показано, что кристалл антрацена является центром роста кристаллических образований в гуттаперче, форма которых геометрически подобна форме кристалла-зародыша. Аналогично кристаллизация полистирола в присутствии крупных кристаллов индиго происходит в первую очередь на их поверхностях, окаймляя эти кристаллы и полностью воспроизводя их форму (рис. 10, б, см. вклейку). [c.240]

Однако все наблюдения и эксперименты показывают, что процесс кристаллизации, напротив, происходит только в малой части пространства, занимаемого системой, а именно на поверхности раздела между уже существующим кристаллом (зародышем или затравкой) и маточной средой. Скачкообразность или пространственная неоднородность процесса выражается в том, что кристаллизующаяся система состоит из двух разных частей, соприкасающихся друг с другом — из жидкой маточной среды и кристалла. [c.362]

В. И. Данилов и В. М. Малкин изучали кинетику роста единичных кристаллов при переохлаждении. Они экспериментально подтвердили теорию роста кристаллов, объяснив ее образованием на гранях кристалла двумерных зародышей. Возникнув на грани кристалла, зародыш распространяется по всей грани. Если предположить, что зародыш распространяется по всей грани за время, малое по сравнению со временем ожидания появления зародыша на грани, то это равносильно предположению, что линейная скорость роста кристалла практически определяется скоростью зарождения двумерных зародышей. В этом случае теория дает зависимость линейной скорости роста от переохлаждения в форме [c.134]

Различные специальные добавки коллоидных (клей, декстрин и др.) и высокомолекулярных веществ (фенол, крезол, карболовая кислота и т. п.) вводятся как правило в электролиты, в которых изменение концентрации ионов осаждаемого металла не вызывает заметного изменения катодной поляризации. Вводимые добавки в электролит адсорбируются поверхностью ка- тода, затрудняя тем самым возможность роста образовавшихся кристаллов (зародышей) и повышая относительную скорость роста новых центров кристаллизации. В результате образуется более тонкая и мелкокристаллическая структура осад- ков. Установлено, что добавки коллоидов и поверхностноактивных веществ вызывают повышение катодной поляризации (фиг. 143). Наряду со спецпальными добавками для улучшения структуры металли-ческих осадков, в некоторые электролиты, например, для никелирования и цинкования, зачастую вводятся особые добавки, позволяющие получить блестящие покрытия. [c.221]

Интересно отметить, что условие образования плоского двумерного зародыша (7.57) мол<ет быть выполнено независимо от структуры и параметров элементарных ячеек кристаллов зародыша и подложки. С другой стороны, при близких параметрах и типах структур условие (7.57) не выполняется, если 00 О, а 0,, = ст. [c.292]

Отсюда можно сделать вывод, что наличие размерного соответствия кристаллов зародыша и подложки не является ни необходимым, ни достаточным условием образования плоских зародышей. [c.292]

Как известно, при образовании осадков следует различать две стадии образование зародышей (центров кристаллизации) прост кристаллов. Зародыши могут возникнуть только после достижения определенной степени пересыщения. После этого зародыши, за- [c.246]

Кристаллизация происходит в отдельных физических точках массы расплава, где зарождаются первоначальные кристаллы (зародыши), а затем от этих точек как центров начинается рост кристаллов. В настоящее время не существует окончательно разработанной теории кристаллизации. Нет ясности и в вопросе о том, что представляют собой центры кристаллизации — самопроизвольно возникающие элементарные монокристаллы или иные образования [2]. Однако можно предположить, что вначале в массе расплавленных солей возникают определенные скопления частиц (ионов, атомов, молекул), которые имеют такую же пространственную группировку. Как и в кристалле. В дальнейшем величина этих комплексных скоплений возрастает, и, наконец, начинается спонтанная (самопроизвольная) массовая кристаллизация расплава. [c.37]

Кристаллизация состоит из образования зародышей и роста кристаллов. Зародыши возникают только при условии пересыщения выше оптимального предела их образуется тем больше, чем больше степень пересыщения. Неодинаковая скорость роста кристаллов приводит к различию в их форме (игольчатая, пластинчатая, прямоугольная, ромбическая и т. п.). Анизометрия кристаллов, определяемая отношением длины I к ширине проекции кристалла уменьшается с увеличением скорости перемешивания и степени пересыщения. Величина частиц зависит от поверхностного натяжения раствора. Чем оно меньше, тем больше будет общая межфазная поверхность на границе раздела т/ж и будут образовываться преимущественно малые частицы. [c.55]

Растворимость кристаллов (зародышей) в растворе зависит не только от их размеров, но и от температуры и величины pH. [c.176]

Количество образующихся центров кристаллизации зависит от многих причин. Рост кристаллов происходит вследствие притока к ним питательного вещества — растворенного сульфата аммония. Если мелких кристаллов (зародышей) в растворе много, то их питание растворенным веществом становится недостаточным, что приводит к получению мелких кристаллов. [c.64]

Переохлажденная или пересыщенная среда може дол1о сохраняться, не изменяясь и не кристаллизуясь. Однако при достижении некоторого предельного при данных условиях пересыщения возникает крайне быстро множество aiperaioB молекул, мелких кристаллов — зародышей, которые растут до достижения системой равновесного состояния (AG = 0). Способность системы долго находиться в пересыщенном метастабильном состоянии свидетельствует об очень высокой энергии активации образования кристаллических зародышей. [c.242]

Считая, что размер блока определяется длиной грани устойчивого двумерного кристалла (зародыша), который ранее при выводе соотношения (5.8) мы положили равньпу I => - [32], получим [c.102]

Следовательно, везде речь шла об условиях роста алмазной фазы, а не просто об образовании мелких кристаллов-зародышей, усов, пленки и т. д., что возможно при определенных условиях углеродвыделяющих реакций практически при любых р-Г-пара-метрах. Ведь пропорциональность AGs площади поверхности зародыша, а AGv и ДСдеф его объему при соответствующей малости г снимает формальный термодинамический запрет на образование алмаза. [c.309]

Существенным для успеха всей операции является образование отдельного зародыша. Нижний конец трубки снабжают тонко оттянутым капилляром [74], поскольку среди образующихся зародышей кристаллов только те получают дальнейшее развитие, для которых ось трубки приблизительно совпадает с направлением наибольшей скорости роста. Тонкий капилляр обусловливает даль-нейшеее развитие лишь одному кристаллу из многих [75]. Определенной ориентации растущего кристалла можно достигнуть вытягиванием трубки под определенным углом или можно поместить на нижний конец трубки кристалл-зародыш и температуру регулировать так, чтобы при нагревании хотя бы часть кристаллика не расплавилась. / [c.207]

Согласно Фрике, понятие частица орннято без доказательства, так как точного определения до сих пор нет даже в случае самых малых кристаллов зародышей или ядер. В этом разделе размеры первичных частиц даются как пределы слипания, определяемые дифракцией рентгеновских лучей частицы размером от более крупных агрегатов или агломератов до вторичных частиц или кристаллитов обычно измеряются с помощью электронного микроскопа (см. А. III, 122 и ниже). [c.271]

Величина поверхности твердой фазы сильно сказывается в начале процесса кристаллизации и характеризует скрытый период кристаллизации пересыщенных растворов. Образовавшиеся в начале кристаллизации мелкие кристаллы имеют малую величину иоверхностн и, следовательно, малую начальную скорость роста. Если добавить извне некоторое количество твердой фазы (затравку), имеющей достаточную величину поверхности, то скорость выделения твердой фазы резко увеличится. При этом новообразование мелких кристаллов (зародышей) будет либо устранено, либо значительно понижено. [c.45]

На основании данных о способе зародышеобразования можно сделать некоторые выводы относительно морфологии конечного кристалла Зародыш типа бахромчатой мицеллы, очевидно, будет удлиняться в направлении цепи молекулы вследствие относительно большой величины поверхностной сюбодной энергии на торцевых поверхностях. Поскольку образованию кристалла, по всей вероятности, препятствуют малоподвижные молекулы, конечные его размеры должны быть малы, а степень совершенства низка. Активной растущей гранью кристалла является поверхность, которую пересекают молекулы. [c.55]

Во всех рассмотренных выше процессах образования собственных кристаллов-зародышей участвовали макромолекулы в расплавах и растворах, находящиеся в недеформированном состоянии- Энтропи молекул в таких фазах с беспорядочной структурой максимальна. Конформация молекул в них лу-чше всего соответствует модели статистического клубка. Деформация макромолекулы до более вытянутой конформации также способствует образованию зародышей и крис таэлизации. Более вытянутые цепи должны иметь меньшую энтропию и лишь незначительно отличаться по энтальпии. В связи с этим температура плавления полимера, равная [c.94]

Гетерогенное зародышеобразование также может быть атермическим и термическим (разд. 5.1.3). Поскольку число гетерогенных зародышей ограничено, термическое зародьш1еобразование гетерогенного характера должно начинаться после израсходования всех существовавших зародышей. По-видимому, образование собственных кристаллов-зародышей - практически процесс атермический (разд. 5.1.4) В любом образце могут находиться все три типа зародышей, однако простое рассмотрение кристаллов не дает возможности четко разделить их на кристаллы, выросшие на термических и атермических заг родышах. Только тогда, когда видны особые детали структуры кристаллов, как, например, на рис. 5.18, можно сделать дополнительные выводы о характере зародышеобразования — гомогенном или на собственных кристаллах-зародьш ах в одном случае или гетерогенном -в другом. [c.100]

Образцы нормального твердения (рис. 10) показывают в основном коллоидные новообразования. Рельеф их состоит из чрезвычайно дисперсных частиц. Видны зерна шлака, возможно, с мельчайшими кристаллами-зародышами магнезиально-железистого оливина. В окружаюш,ей реакционной каемке новообразований их нет. В шлакосиликате, твердевшем при 100° С, видны нитевидные кристаллы, даюш ие характерную сетку (рис. [c.85]

Рассмотрим двумерный зародыш, т. е. группу расположенных друг возле друга молекул, адсорбированных на заполненном слое грани кристалла. Зародыш обладает краевой свободной эиталь-ппей т] на единицу длины, соответствующей поверхностной свободной энтальпии трехмерного зародыша. Если предположить, что зародыш имеет форму диска, то можно рассчитать следующие величины, которые сравниваются с соответствующими величинами для жидкой сферической капли [c.169]

Благодаря высокой начальной поляризации и наличнию активной (одноименной) основы развитие докритического зародыша зависит уже главным образом от условий доставки ионов и происходит мгновенно, возможно, по так называемому лавинному механизму [12]. По этой причине в прилегающей зоне концентрация восстанавливающихся ионов металла резко понижается, что благоприятствует разряду водорода, адсорбции гидратов и поверхностноактивных веществ. В итоге это приводит к прекращению роста и стабилизации кристалла (зародыша). Процесс ( юрмирования пространственного зародыша можно представить следующей с.хемой [c.42]