Механизм потери энергии при рассеянии

Основной вид взаимодействия нейтронов с веществом — взаимодействие с атомными ядрами. Главными механизмами потери энергии для нейтронов являются упругое рассеяние (как при столкновении бильярдных шаров), неупругое рассеяние (захватное рассеяние) и ядерные реакции. Быстрые нейтроны, претерпевая упругие соударения с ядрами, особенно с ядрами легких атомов (например, водорода), могут порождать заряженные частицы. Нейтроны, участвующие в ядерных реакциях, помимо реакций деления могут также порождать заряженные [c.47]

В определенных условиях, если рассеяние происходит под большим углом, частицы тормозятся при этом испускаются кванты электромагнитного излучения, известного как тормозное. Хотя расходовать энергию на тормозное излучение в неупругих соударениях могут любые заряженные частицы, относительный вклад этих механизмов потери энергии различен для электронов и тяжелых заряженных частиц (протонов, а-частиц, дейт- [c.17]

Местные сопротивления связаны с резкими изменениями площади или формы сечения канала. В таких местах в потоке возникают отрывы пограничного слоя, вихри и тому подобные неупорядоченные течения, вызывающие интенсивное рассеяние энергии на сравнительно коротких участках тракта (А/./О б-г-Ю). Так как механизм потери энергии в данном случае связан, в основном, не с вязким трением, а с действием инерционных сил, то коэффи циент местного сопротивления определяется геометрией данного места тракта и зависит от вязкости только в области малых чисел Ке. [c.330]

Потери энергии электронов при прохождении через объект могут происходить по разным механизмам, описанным в гл. 19. Наиболее существенное влияние имеют характеристические потери энергии. При энергии плазмонов Д л 15-=-20 В с увеличением толщины объекта возрастает как доля электронов, потерявших часть энергии на возбуждение плазмонов, так и суммарные потери, обусловленные многократным рассеянием. В случае аморфных объектов разрешающая способность может лимитироваться именно хроматической аберрацией, определяемой через толщину объекта / по формуле б бхр (1/10) I. Для кристаллических объектов благодаря особому характеру рассеяния такой зависимости нет. Хотя те же процессы неупругого рассеяния происходят и при прохождении электронов через кристаллический объект, контраст в изображении за счет интерференции когерентно рассеянных электронов настолько велик, что вклад неупруго рассеянных электронов не так заметен. Однако неупругое рассеяние при изображениях очень толстых объектов все же сказывается как на контрасте, так и на разрешающей способности. [c.453]

Необходимо также отметить следующее. Как показывает анализ механизма потерь в соединениях, эти потери практически связаны только с мощностью рассеяния (потери на поглощение в соединениях ничтожно малы). В свою очередь, рассеяние мощности в рассматриваемом случае определяется коэффициентом передачи излучения из одного волокна в другое Til 2 или г)2д, где индексы 1,2 и 2,1 относятся к передаче энергии из волокна 1 в волокно 2 и из волокна 2 в волокно 1. [c.199]

В области нехрупкого разрушения полимеров между температурами Тхр и Тс (см. рис. 11.4) рассеяние упругой энергии при росте трещин из-за различных локальных деформационных процессов становится существенным и термофлуктуационный механизм переходит в термофлуктуационно-релаксационный (см. табл. 11.2). Кроме того, механические потери оказывают существенное влияние на динамическую прочность полимеров при циклических нагружениях. Вызываемый ими локальный разогрев в местах перенапряжений ускоряет рост трещин и снижает долговечность и прочность. [c.314]

При определенных условиях (низкие температуры, большие скорости разрушения) тепловые флуктуации не играют существенной роли, и разрыв хрупких тел идет по атермическому механизму. В этом случае только при напряжениях выше критического (ок) растут микротрещииы и твердое тело разрушается. Если пренебречь механическими потерями, то стартовая скорость микротрещин при переходе напряжения через значение 0к сразу стано вится большой, приблизительно равной скорости распространения поперечных упругих колебаний в твердом теле. Если же учесть рассеяние упругой энергии, зависящее от скорости роста трещины, то предельная критическая [c.95]

Выше уже указывалось, что при рассмотрении упругих характеристик твердого тела предполагается, что напряжение I (т) в момент времени т определяется деформацией ст (т) в тот же момент времени, а следовательно, делается предположение о квазистатическом характере упругого деформирования, т. е. (т) = 00 (т), где Ео — статический модуль упругости (для данного типа деформации) идеально упругого тела. Тем самым считается, что при периодическом деформировании напряжение t находится в одной фазе с деформацией ст. Однако для реальных кристаллов это не так состояние равновесия не успевает установиться, и имеют место диссипативные процессы. В настоящее время для кристаллических материалов известно много механизмов рассеяния энергии, среди которых следует отметить релаксационные потери, связанные с наличием тех или иных структурных дефектов, вязкое затухание, обусловленное наличием вязкости и теплопроводности в анизотропном твердом теле, потери, связанные с необратимыми явлениями (механический гистерезис) и резонансное затухание, которое обязано тому, что реальные тела являются колебательными системами с большим числом степеней свободы. [c.139]

Причина этого явления также вытекает из механизма флуоресценции (рис. П-2) вследствие неизбежных энергетических потерь излучаемая возбужденной молекулой энергия всегда меньще поглощенной поэтому длина волны максимума излучения соответственно больше длины волны максимума поглощения. Этот сдвиг максимума излучения по отношению к максимуму поглощения называют стоксовым смещением. Чем это смещение больше, тем легче разграничить области спектра, соответствующие возбуждению и излучению данного вещества, и проще выбрать скрещенные светофильтры, отделяющие рассеянную часть возбуждающего потока от света флуоресценции. Следует подчеркнуть, что стоксово смещение относится только к максимумам в спектрах поглощения и излучения. В отдельных областях, в которых кривые обоих спектров взаимно пересекаются, возможны отступления от первоначального закона Стокса. Эти отступления заключаются в следующем в соответствии с постоянством спектров излучения при возбуждении, например, бериллий-моринового комплекса (рис. П-6) длиной 40 [c.40]

Рассеяние мощности в тонкопленочных микросхемах. Электрическая энергия, подаваемая в микросхему, частично накапливается в емкостных и индуктивных элементах, а частично рассеивается в виде тепла. Если бы потери тепла отсутствовали, температура тонкопленочных компонентов могла бы возрастать безгранично, все время, пока к ним подводилась мощность. Однако в действительности происходит так, что компонент достигает квазистационарной температуры, которая устанавливается вследствие баланса между притоком мощности и энергетическими потерями за счет различных механизмов рассеяния. Для обеспечения стабильной работы микросхемы и длительной работы компонента она должна быть сконструирована таким образом, чтобы средняя максимальная температура не превышалась. Эта задача, легкая в постановке, трудна в разрешении. Сложность проблемы создается рядом факторов. Во-первых, рассеяние мощности за счет теплопроводности трудно рассчитать из-за наличия в подложке боковых и вертикальных потоков тепла. Тепловой поток мо- [c.531]

Условия и механизм обрыва цепи весьма разнообразны. В частности, может произойти столкновение двух растущих цепей и взаимодействие их свободных валентностей свободные валентности могут быть насыщены также путем присоединения посторонних веществ или веществ, применяемых в качестве инициатора полимеризации. Возможны процессы циклизации и изомеризации, что приводит к потере конечных свободных валентностей. Наконец, вероятны все случаи рассеяния энергии активных молекул путем столкновения со стенками сосуда, молекула>1и посторонних веществ и т. д. [c.365]

Дифракционную информацию содержат упруго рассеянные электроны. Часть электронов проходит с потерей энергии, главным образом по механизмам межзонных переходов и плазменных колебаний. Межзонные переходы пребладают на переходных металлах, а плазменные колебания (плазмонные потери) — на легких. Поскольку величина энергетических потерь, как правило, специфична, измерение потерь открывает путь к выявлению и идентификации компонентов. Этот вопрос рассмотрели Филлипс и Лифшин [2]. Зависи.мость энергетических потерь от состава образца обычно заранее не известна, поэтому необходима тщательная калибровка по веществам известного состава. Физическая сущность процесса неупругого рассеяния ограничивает предельное пространственное разрешение примерно 10 нм, и этот предел практически достигнут. [c.399]

Механизм ионизации под действием электронов и а-частиц одинаков, однако в случае электронов существенное значение имеют также другие эффегаы. Взаимодействие электронов с веществом обычно делится на два типа а) неупругое рассеяние ионизация и образование рентгеновских лучей) и б) упругое рассеяние (отклонение полями электрона и ядра без потери энергии). Ионизация является наиболее важным видо а взаимодействия с веществом не только для а-излучения, но и для электронов. В пределах [c.23]

Таким образом, при более высоких концентрациях наполнителя или больших временах воздействия происходит дополнительное рассеяние механической энергии вследствие существования каких-то дополнительных механизмов диссипации энергии. Это наблюдение было подтверждено в работе Льюиса и Нильсена [542], посвященной исследованию наполненной стеклянными шариками эпоксидной смолы (см. рис. 12.3), а также в исследованиях [392] и [430], в которых рассмотрены эпоксидные смолы, наполненные различными порошкообразными наполнителями. Дополнительным источником диссипации механической энергии служит трение между частицами наполнителя или между частицами наполнителя и полимером. Кроме рассеяния энергии, связанного со сдвиговыми взаимодействиями наполнителя и матрицы, вклад в затухание могут давать неоднородности распределения частиц и термические напряжения. На рассеяние энергии оказывает также существенное влияние обработка стеклянных сфер силанами. Обработанные системы характеризуются большими механическими потерями. С другой стороны, механические потери уменьшаются при образовании агрегатов сферических частиц в связи, очевидно, с тем, что полимер внутри агрегатов не дает вклада в рассеяние энергии. Уменьшение относительных механических потерь наблюдали также в других системах, например в поливинилацетате, наполненном Т102 [314], и в бутадиен-стирольном каучуке, находящемся в стеклообразном состоянии и наполненном кремнеземом и углеродной сажей [647] имеются также доказательства уменьшения механических потерь в области 7-перехода в наполненных эпоксидных смолах возможно, благодаря взаимодействию между поверхностью наполнителя и непрореагировавшими эпоксидными группами [392]. [c.320]

Разброс пробегов. Выражение (5) определяет лишь средние значения величин удельных потерь энергии. В действительности имеют место флуктуации как в потере энергии при одном соударении, так и в числе соударений на единице пути частицы в веществе. Флуктуации в доле энергии, теряемой при одном соударении, делаются больше при относительно малых скоростях ионов в тех энергетических областях, где превалирует механизм ядерных потерь и где играют роль процессы попеременного захвата и потери электронов (флуктуация заряда). Кроме того, в результате упругого рассеяния частица отклоняется от линейной траектории, и ее реальный путь в веществе оказывается больше пробега, измеряемого в направлении первоначального движения. Б результате всех этих процессов тождественные вначале заряженные частицы, образующие падающий на поглотитель моноэнергетический пучок, имеют не совсем одинаковые пробеги. В действительности наблюдается некоторое распределение пробегов (см. рис. 18). Количественно оно характеризуется разбросом пробегов S ( страгглингом ) эта величина представляет собой разность между средним и экстраполированным пробегами. Для протонов с, Ей = 8— [c.106]

Интересно, что если к какому-либо образцу мягкого каучука приложить растягиваюп1ую силу — небольшую, сравнительно с максимальной для данного каучука (например, от 10 до 15% разрывной силы), то степень гистерезиса (стр. 403) оказывается совершенно нечувствительной к скорости, с которой прилагается сила, если только эта скорость приложения и снятия нагрузки не чрезмерна. Так, кусок чистого каучука из запаса на вальцах, 60 мин. находившийся под действием нагрузки в 20 кг(см , показал при ) истерезисе потерю 25% произведенной работы между тем в случае дубликатного образца, находившегося под действием нагруз-шт в течение только 1 мин., увеличение потери не выходило 1ГЗ продолов ошибки опыта и, во всяком случае, не превышало 10%. Таким образом, гистерезис не является следствием преобладания эффекта вязкого течения . Рассеяние энергии, очевидно, аналогично трению прп сколья ении и, вероятно, обязано сколь- ,1 ению цепеобразных молекул относительно друг друга. Следует отметить различие в механизме мея ду таким трением й вязким трением в текущей яшдкости (стр. 30). С другой стороны, если в описанном опыте начать ослаблять нагрузку и таким образом понижать натяжение (причем скорость прилон ения и снятия нагрузки одинакова), то в течение значительного промежутка времени после того как началось уменьшение нагрузки, ранее достигнутое удли- [c.421]

В [30], [31] были подробно изучены электрофизические свойства 1по,бб7 [ 0,333 Те. Было показано, что основным механизмом рассеяния электронных волн является рассеяние на катионных вакансиях. Введение примесных атомов (до 1 ат. %) не привело к появлению примесной проводимости (за исключением примесей Bi и Ь) и к изменению концентрации носителей. Исходя из развитых в [32] представлений, авторы объясняют это тем, что величина дополнительного электрического поля, вызванного появлением вакансий, нарушающих периодичность, превышает энергию активации примесных центров, так что образование последних делается невозможным. В [30] был сделан вывод, что сходство названных структур с аморфными — стеклообразными — полупроводниками позволяет считать их промежуточными структурами между аморфными и нормальными кристаллами. Примесь меди к ОагТез в концентрациях 10 до 10 ат. % от числа атомов Ga ведет не только к значительному увеличению периода идентичности (до 2,7%), но и сильному падению АЕ, вплоть до потери полупроводниковых свойств [34]. Механизм явления неясен [10]. [c.554]