Электрон, рассеяние когерентное

Многие исследователи считают, что структура полимера в растворе и блоке близка к модели хаотически переплетенных цепей и только при кристаллизации образуются упорядоченные области в виде кристаллитов. Этим объясняется, что структура полимеров в кристаллическом состоянии изучена лучше. Кроме того, прямые структурные методы (рентгенографические, электронно-графические и др.) дают наилучшие результаты при исследовании области когерентного рассеяния, т. е. для кристаллических структур с дальним порядком в расположении атомов, атомных групп и цепей. [c.34]

При исследовании резонансного рассеяния -квантов в кристалле существенным является то, что у-кванты резонансных энергий будут рассеиваться резонансно только в тех узлах решетки, где находятся атомы, содержащие ядра соответствующего изотопа. В то же время все без исключения атомы решетки будут рассеивать падающее излучение на своих электронных оболочках подобно рассеянию обычных рентгеновских лучей. Таким образом, процесс рассеяния мессбауэровских у-квантов пойдет по двум каналам резонансному и релеевскому. Как впервые было показано в работах [1] и [2], оба эти канала рассеяния мессбауэровских 7-квантов когерентны >ежду собой и могут интерферировать друг с другом. [c.226]

Рассеяние рентгеновских лучей электронами может быть когерентным (без изменения длины волны) и некогерентным. Во втором случае часть энергии рентгеновского кванта при упругом соударении передается электрону (эффект Комптона, который наблюдается в основном для жесткого рентгеновского излучения). Интерференция когерентно рассеянного излучения приводит к дифракционным эффектам. Поскольку длины волн рентгеновских лучей сравнимы с межплоскостными расстояниями в кристаллах, то кристаллы играют роль дифракционных решеток. Представим кристалл как комплекс параллельных плоскостей, на которых расположены атомы. Вследствие периодического строения расстоя- [c.12]

При прохождении излучения через пробу наряду с поглощением происходит его небольшое когерентное рассеяние (т. е. без изменения длины волны). Помимо этого, часть квантов рентгеновского излучения упруго рассеивается на слабо связанных электронах (эффект Комптона или некогерентное рассеяние). Вследствие потерь энергии комптоновское излучение по сравнению с первичным характеризуется большей длиной волны. [c.202]

Наибольший вклад в когерентное рассеяние вносят внутренние электроны атома. Внешние электроны атома обусловливают интенсивное когерентное рассеяние при малых углах. Это отчетливо видно из рис. 2.3,а, на котором представлено радиальное распределение электронной плотности 15 25 2р 35 3р электронов иона К . Там же показаны (рис. 2.3,6) соответствующие им /-кривые рассеяния. Из рисунка видно, что чем дальше от ядра находится данная группа электронов, тем быстрее убывает соответствующая ей /-функция с углом рассеяния. Действительно, сравнивая /-кривые для Ь -,25 - и Зз -электронов иона K видим, что значение/1 , обусловленное рассеянием Ь -электронов (Г1 = 0,03 А), почти не изменяется с углом рассеяния / п — кривая, обусловленная рассеянием 25 -электронами г = 0,18 А), монотонно спадает, в то время как для /з -кривой (гз = 0,6 А) характерно быстрое убывание с переходом в область отрицательных значений с последующей сильно затухающей осцилляцией около оси абсцисс. Амплитуда суммарного рассеяния иона [c.31]

Когерентное рассеяние электронов состоит из ядерного и электронного член, содержащий г , определяет долю интенсивности рассеяния ядром, член с Р(5) — интенсивность рассеяния оболочкой атома, наконец, член, содержащий ZF (S), определяет интенсивность рассеяния электронной оболочкой и ядром. Общая интенсивность рассеяния электронов убывает обратно пропорционально 3 . В случае рентгеновских лучей интенсивность рассеяния спадает обратно пропорционально 5. Уменьщение интенсивности с углом рассеяния объясняется тем, что длина волны этих излучений меньше размеров атомов. Вследствие этого происходит интерференция волн, рассеянных каждым атомом в отдельности. [c.37]

При рассеянии электронов наряду с когерентными распространяются электроны, потерявшие часть своей энергии вследствие неупругого рассеяния на атомах. Это рассеяние вызывает фон, интенсивность которого вычисляют по формуле [c.37]

На рис. 2.10 показаны атомные амплитуды когерентного рассеяния рентгеновского излучения, электронов и нейтронов. Наиболее сильная зависимость атомной амплитуды от угла рассеяния у электронов, менее сильная — у рентгеновского излучения и совсем она отсутствует у медленных ней- [c.40]

Пусть параллельный пучок монохроматических рентгеновских лучей, длина волны которых X, падает на слой одноатомной жидкости. Рентгеновские лучи рассеиваются электронами атомов по всем возможным направлениям. Рассеянное излучение подразделяется иа когерентное и некогерентное. Когерентно рассеянное рентгеновское излучение имеет ту же длину волны, что и лучи, падающие на слой жидкости. Когерентно рассеянные лучи, по определению, имеют постоянные фазовые соотношения, зависящие от положений рассеивающих частиц жидкости, поэтому они интерферируют. [c.115]

Повышения интенсивности рассеянного света можно добиться с помощью достаточно интенсивных световых потоков или мощных лазеров. Качество регистрации рассеянных квантов можно повысить, имея совершенное оптическое и электронное оборудование. Применение лазеров стимулировало развитие этой, уже ставшей классической, области спектроскопии. Лазеры не только повысили чувствительность спектроскопии обычного (спонтанного) комбинационного рассеяния, но и стимулировали развитие новых методов, основанных на вынужденном, например на антистоксовом, комбинационном рассеянии, носящем название когерентного антистоксового рассеяния света (КАРС) или, в частности, резонансного комбинационного рассеяния (РКР). При возрастании интенсивности падающего лазерного излучения становится значительной интенсивность рассеянного стоксового излучения. В этих условиях происходит взаимодействие молекул одновременно с двумя электромагнитными волнами лазерной vл и стоксовой V т = Vл — v , связанных между собой через молекулярные колебания с VI,. Такая связь (энергетическая) между излучением накачки и стоксовой (или антистоксовой) волной может привести к интенсивному поляризованному излучению на комбинационных частотах, другими словами— к вынужденному комбинационному рассеянию. Причем в этих условиях оказывается заметной доля молекул, находящихся в возбужденном колебательном состоянии, и в результате на частотах Гл + VI, возникает интенсивное антистоксово излучение. [c.772]

Это простое описание процессов рассеяния можно расширить для объяснения получаемых в ПЭМ изображений решетки или атомов (как показано на рис. 10.2-3). Изображение с атомным разрешением основано на когерентной интерференции электронных волн образца и волн рассеянных электронов, приводящей к возникновению участков с интенсивностью, которая коррелирует с расположением атома и распределением интенсивности рассеянных электронов. [c.327]

Электронография при исследовании окалины занимает особое место Сущность метода заключается в использовании явления дифракции электронов, возникающего в результате когерентного рассеяния кристаллической решетки вещества пучка электронов с длиной волны X < < 1(1 (где с1 - наименьшее изучаемое межплоскостное расстояние) Метод дает возможность получать такие же данные о кристаллической структуре веществ, как и рентгеновский метод. При этом для расчета электронограмм используется известное в рентгенографии уравнение Вульфа — Брэгга [c.22]

Коэффициент поглощения рентгеновского излучения веществом убывает с увеличением его частоты. Монотонность этой зависимости скачкообразно нарушается (скачки поглощения) в областях частот, при которых энергия рентгеновских квантов становится достаточной для освобождения из атома электрона с А-, 1-, М-... оболочек. Направленный пучок рентгеновских лучей сечением 1 см , проходя через слой вещества, испытывает ослабление в результате взаимодействия с его атомами. Ослабление рентгеновских лучей обусловлено процессами когерентного и некогерентного рассеяния на атомах вещества (коэффициент рассеяния о) и истинным поглощением (коэффициент поглощения т). При порядковых номерах элементов 10—35 и длине рентгеновских лучей 0,1—1,0 им преобладающую роль в процессах ослабления играет истинное поглощение рентгеновских лучей. [c.215]

В случае падения на вещество длинноволнового излучения при Х 0,03 нм, когда энергия первичного фотона оказывается соизмеримой с энергией связи электрона с ядром, осуществляется когерентное рассеяние. Первичные фотоны вызывают вынужденные колебания слабо связанных с атомами электронов, которые при этом сами излучают вторичные рассеянные кванты той же длины волны, но в другом направлении (максимум — в прямом и обратном, минимум — в перпендикулярном). Таким образом, когерентное рассеяние фактически состоит в переизлучении полученной энергии в виде фотона с той же частотой, двигающейся в произвольном направлении, но прямое и обратное направления являются предпочтительными. Линейный коэффициент ослабления излучения за счет когерентного рассеяния связан с плотностью вещества и равен [c.294]

Искажения кристаллической решетки, вызванные когерентными выделениями новой фазы, приводят к диффузному рассеянию рентгеновских лучей и электронов, распределенному в непосредственной близости от узлов обратной решетки. Теоретические результаты, полученные в предыдущих параграфах, позволяют получить простые выражения для распределения интенсивностей диффузного рассеяния на картинах дифракции, справедливые в рамках кинематического приближения. Первые результаты такого рода были опубликованы в работе Хуанга [181]. В ней рассматривалось диффузное рассеяние, обусловленное точечным дефектом — дилатационным центром в упруго-изотропной среде. Более общие результаты были получены в [182], где учитывалась упругая анизотропия среды, и в [183, 184], где принималась во внимание произвольная геометрия перестройки кристаллической решетки при фазовом превращении и конечные размеры включений. [c.241]

Размер области когерентного рассеяния электронов, достигающих образца, Ах, т. е. расстояние, на котором электронные волны могут интерферировать со взаимным усилением, определяется выражением [c.405]

На дифракционной картине фасетки проявляются сразу, если онн состоят из небольшого числа определенных решеточных граней, каждый тип которых обусловливает свои характерные дифракционные свойства, что позволяет индицировать фасеточные грани. Отличить рефлексы, создаваемые фасеточными гранями, от рефлексов, вызываемых номинальными поверхностными гранями, можно по способу их перемещения при изменении энергии электронов. Выше показано, что для первичного пучка, падающего по нормали к поверхностной грани, увеличение энергии пучка вызывает симметричное сжатие дифракционной картины вокруг рефлексов (00) однако рефлексы от фасеточных граней не подчиняются этому простому признаку и претерпевают сложное перемещение, зависящее от энергии пучка и индекса фасеточной грани. Это становится очевидным из рассмотрения соответствующих сфер Эвальда, представленных на рис. 3. Фасеточные грани могут находиться как на выступах, так и во впадинах, и различить эти состояния только с помощью дифракционных данных нельзя. Поскольку размер области когерентного рассеяния электронов составляет примерно 50 нм, фасетки, наблюдаемые методом ДМЭ, должны быть весьма большими. [c.410]

Увеличение угловой ширины дифракционных рефлексов по сравнению с угловой шириной первичного пучка рентгеновских лучей или электронов лежит в основе определения размеров и дефектов решетки кристаллитов. Уширение может быть обусловлено как конечностью размеров упорядоченных областей, ответственных за появление дифракционной картины (так называемые области когерентного рассеяния), так и искажениями (по сравнению с идеальным) периодов решетки кристаллических областей. Упорядоченные области полимерных веществ вряд ли можно рассматривать как кристаллические области малых размеров в чистом виде. Полимерные молекулы, скорее всего, образуют не идеальные кристаллиты небольших размеров, а дефектные кристаллы. В последних, к тому же, имеются переходные зоны с меньшей степенью упорядоченности при переходе к аморфным областям. [c.114]

В настоящее время широко используют дифракцию рентгеновских лучей, электронов и нейтронов. Принципы формирования дифракционной картины для них одинаковы, так как они опираются на общую теорию интерференции когерентно рассеянных лучей. Однако имеются существенные различия в интенсивности интерференционных максимумов, связанные с величиной амплитуды [c.160]

Функции атомного рассеяния для всех элементов затабулированы и их можно найти в справочниках и руководствах по рентгеноструктурному анализу. Однако эти значения, как указывалось выше, получены в предположении, что v vo- Если v< vo, то интенсивность когерентного рассеяния мала, так как падающие лучи вызывают лишь слабое возмущение электрона. В области частот V, близких к vo, возникают резонансные эффекты (электрон уже рассеивает не как свободный), которые изменяют амплитуду и фазу рассеянного излучения. В этой области частот, где возникает так называемое аномальное рассеяние, значение атомной функции не совпадает с вычисленным по (6.11), а определяется выражением [c.172]

Потери энергии электронов при прохождении через объект могут происходить по разным механизмам, описанным в гл. 19. Наиболее существенное влияние имеют характеристические потери энергии. При энергии плазмонов Д л 15-=-20 В с увеличением толщины объекта возрастает как доля электронов, потерявших часть энергии на возбуждение плазмонов, так и суммарные потери, обусловленные многократным рассеянием. В случае аморфных объектов разрешающая способность может лимитироваться именно хроматической аберрацией, определяемой через толщину объекта / по формуле б бхр (1/10) I. Для кристаллических объектов благодаря особому характеру рассеяния такой зависимости нет. Хотя те же процессы неупругого рассеяния происходят и при прохождении электронов через кристаллический объект, контраст в изображении за счет интерференции когерентно рассеянных электронов настолько велик, что вклад неупруго рассеянных электронов не так заметен. Однако неупругое рассеяние при изображениях очень толстых объектов все же сказывается как на контрасте, так и на разрешающей способности. [c.453]

Итак, мы имеем два канала, по которым идет процесс рассеяния мессбауэровских квантов в кристалле. Релеевское рассеяние на электронных оболочках атома — процесс, при котором время взаимодействия у-кванта с электроном Тд — 10 с, что намного меньше характерных значений периода колебаний атома в решетке кристалла Трещ— 10 с. Таким образом, за время, необходимое для поглощения и высвечивания у-кванта электроном, атом не успевает сместиться на сколько-нибудь заметную величину из того положения, в котором произошло поглощение фотона, и рассеяние у-квантов на электронных оболочках атомов представляет собой процесс, когда атомы находятся в некотором фиксированном неподвижном состоянии для каждого акта рассеяния. Таким образом, у-кванты падающий и рассеянный когерентны между собой, а импульс Й (к — к ) полностью передается всей решетке кристалла (здесь Йк и Йк — соответственно импульсы падающего и рассеянного у-квантов, а их векторная разность есть не что иное, как вектор Н обратного пространства). [c.229]

Рассеяние рентгеновских лучей обусловлено в основном электронами. Рассеяние от ядер атомов не учитывается ввиду его очень малой интенсивности. Здесь и далее под интенсивностью понимается интенсивность когерентного рассеяния. Предполагается, что поправки на некогерентное рассеяние, поляризацию п поглощен11е уже учтены. [c.114]

Физическая структура нафионовых мембран в нейтральной форме была исследована методами нейтронного и рентгенов ского рассеяния под малыми углами. Первый метод чувствнте лен к флуктуациям при рассеянии когерентных нейтронов, тог да как последний обнаруживает флуктуации электронной плот ности. Флуктуации подобного типа возникают в мембрана> вследствие частичной их кристаллизации, а также из-за того что ионные группы и молекулы воды образуют в гидратировав ных образцах кластеры. [c.463]

При прохождении фотонов через среду возможны следующие процессы взаимодействия с веществом фотоэлектрический эффект, компто-новское (некогерентное) рассеяние, образование электронно-позитрон-ных пар, томпсон-рэлеевское (когереятное) рассеяние, флуоресценция, тормозное излучение, аннигиляционное излучение, когерентное излучение на молекулах, потенциальное (дельбруковское) рассеяние, томпсоновское рассеяние на ядрах, ядерное резонансное рассеяние, ядерный фотоэффект [33]. Наиболее важными для технологии являются первые три явления. [c.43]

В 1958 г. Р. Мёссбаузр открыл уникальное по степени монохроматичности (ДЯ/А, — 10 —10 ) явление ядерного гамма-резонанса [13]. В 1960—1964 гг. была установлена когерентность резонансного рассеяния гамма-квантов на атомных ядрах и рэле-евского рассеяния на электронных оболочках атомов. [c.16]

Изложенная теория рассматривает только когерентное (упругое) рассеяние электронов молекулами, при котором молекулы не переходят в возбужденное состояние. Однако при бомбардировке молекул быстрыми электронами происходит также и яекогвре тмо1 (неупругое) рассеяние электронов, при котором последние отдают часть своей энергии молекулам, переводя их в возбужденное состояние. При этом изменяется длина дебройлевской волны к падающих на моле- [c.294]

Имеются трудности при определении интенсивности когерентного рассеяния электронов. Опыт показывает, что интенсивность рассеяния электронов быстро убывает с ростом угла рассеяния, достигая уже при 5 7 очень малых значений. Это затрудняет измерение интенсивности дальнеуглового рассеяния электронов, содержащей информацию о межатомных расстояниях в исследуемом веществе, о количестве ближайших соседей и особенно о средних отклонениях атомов от равновесного положения. С целью усиления дальних дифракционных максимумов было предложено измерять не 1(8), а 1 8)/р(8), что легко осуществить с помощью вращающегося сектора. Он представляет собой устройство из одного или двух металлических лепестков сердцевидной формы и помещается непосредственно перед фотопластинкой, регистрирующей дифракционную картину. Во время получения электронограммы сектор приводится во вращение, чем достигается различное время экспозиции для малоугловой и дальнеугловой частей дифракционной картины. Частота вращения сектора 800—1000 с". Обычно используют секторы, форма выреза которых задается уравнениями г = 7 ф/360° (для однолепестковых) и г = / ф/180° (для двухлепестковых), где ф — полярный угол Я — максимальное значение радиуса г сектора. Основная задача сектора — уменьшить быстрый спад интенсивности от центра пластинки к периферии и тем самым в десятки раз повысить точность измерений интенсивности дальнеуглового рассеяния электронов. [c.95]

СВОЮ энергию на ионизацию, возбуждение и частично на диссоциацию молекул. Часть этой энергии преобразуется в энергию излучения—сцинтилляции. Фотоны сцинтилляций, попадая на катод ФЭУ, выбивают из него электроны, каждый из которых, ускоряясь в электрическом поле на пути к первому диноду, получает энергию, достаточную для того, чтобы выбить из него п электронов. Этот процесс, развиваясь лавинообразно от дннода к диноду, создает на выходе ФЭУ электрический импульс, пропорциональный количеству электронов, выбитых из фотокатода. С выхода ФЭУ импульс подается на усилитель, а затем на дискриминатор, который выделяет из всего спектра импульсов только те, амплитуда которых соответствует энергии когерентно рассеянных рентгеновских фотонов. [c.98]

И. Д. Набитович, Я. И. Стецив и Я. В. Волощук предложили новый метод определения когерентной интенсивности и интенсивности фона по экспериментальной кривой рассеяния электронов. Изложим сущность этого метода. Известно, что экспериментально измеренная интенсивность рассеяния электронов включает некогерентный фон. Следовательно, [c.104]

На рис. 8.5 представлены кривые интенсивности когерентного рассеяния жидкими орто- и парадихлорбензолом и соответствующие им кривые распределения электронной плотности (рис. 8.6). Там же показаны модели молекул 0-С6Н4С12 и Р-С6Н4С12. Можно констатировать, что различие в расположении атомов хлора в данных молекулах наглядно отражается как на интерференционной картине, так и на кривых распределения. Для кривой интенсивности ортохлорбензола характерно разделение первого максимума на две составляющие, в то время как [c.206]

Элементарные реакции. Для установления М. р. привлекают как теоретич. методы (см. Квантовая химия, Динамика элементарного акта), так и мiioгoчи лeнныe эксперим. методы. Для газофазньк р-ций >io молекулярных пучков метод, масс-спектрометрия высокого давления, масс-спектрометрия с хим. ионизацией, ионная фотодиссоциация, ион-циклотронный резонанс, метод послесвечения в потоке, лазерная спектроскопия-селективное возбуждение отдельных связей или атомных групп молекулы, в т.ч. лазерно-индуцированная флуоресценция, внутрирезонаторная лазерная спектроскопия, активная спектроскопия когерентного рассеяния. Для изучения М. р. в конденсир. средах используют методы ЭПР, ЯМР, ядерный квадрупольный резонанс, хим. поляризацию ядер, гамма-резонансную спектроскопию, рентгено- и фотоэлектронную спектроскопию, р-ции с изотопными индикаторами (мечеными атомами) и оптически активными соед., проведение р-ций при низких т-рах и высоких давлениях, спектроскопию (УФ-, ИК и комбинационного рассеяния), хемилюминесцентные методы, полярографию, кинетич. методы исследования быстрых и сверхбыстрых р-ций (импульсный фотолиз, методы непрерывной и остановленной струи, температурного скачка, скачка давления и др.). Пользуясь этими методами, зная природу и строение исходных и конечных частиц, можио с определенной степенью достоверности установить структуру переходного состояния (см. Активированного комплекса теория), выяснить, как деформируется исходная молекула или как сближаются исходные частицы, если их несколько (изменение межатомных расстояний, углов между связями), как меняется поляризуемость хим. связей, образуются ли ионные, свободнорадикальные, триплетные или др. активные формы, изменяются ли в ходе р-ции электронные состояния молекул, атомов, ионов. [c.75]

Выделим возможные причины, приводящие к обнаруженной разнипе в размере зерен, определенном рентгеновским и электронно-микроскопическим методами. Во-первых, каждое зерно в зависимости от его размера может состоять из одного или нескольких кристаллитов (ОКР). Во-вторых, метод РСА, основанный на измерении интегрального ущирения профилей рентгеновских пиков, позволяет определять размер областей когерентного рассеяния, соответствующих внутренней области зерен, не включающей в себя приграничные сильно искаженные районы, существующие в наноструктурных материалах, полученных ИПД. Ширина таких районов составляет 6-10нм (см. 2.2). Их наличие приводит к умень-щению размера ОКР и, следовательно, к уменьшению измеряемого размера зерен. [c.72]

Помимо того, что поглощение может сопровождаться флуоресценцией (разд. 8.3), взаимодействие рентгеновского излучения с атомами также может привести и к рассеянию, которое может быть упругим (эффект Рэлея) или неупругим (эффект Комптона). При упругом рассеянии электроны атома, вовлеченного в процесс, ускоряются падающим рентгеновским излучением и сами становятся источником излучения, имеющего такие же точно энергию и длину волны, что и падающее рентгеновское излучение. Б отличие от этого, эффект Комптона отражает корпускулярную природу электромагнитного излучения, и его можно рассматривать как столкновение между протоном и электроном, которое приводит к потере энергии и увеличению длины волны рентгеновского излучения в соответствии с законами сохранения энергии и количества движения. С счастью, неупругое рассеяние играет незначительную роль для таких длин волн, как СиКа (1,5418 А) или МоКа (0,7107 А), которые широко используются в рентгеновских экспериментах. Этот эффект, тем не менее, приводит к относительно высокому фоновому сигналу рассеяния. В процессе упругого (когерентного) рассеяния ускоренные электроны приводят к возникновению рассеянного излучения, испускаемого во всех направлениях. [c.389]

В случае применения этого уравнения при обработке фoтo ниiS[кoв. полученных при рассеянии электронов молекулами газа, величиной / обычно пренебрегают, так как когерентное атомное рассеяние не обнаруживает максимумов. Опытные значения наносят на один график в виде функции переменной s, или (4л/> ) sin (ф/2), а теоретические значения / //д, рассчитанные с помошью уравнения Борна при допущении вероятных значений r j, наносят на другой график также в виде функции s. Рассчитанные кривые строятся вновь и вновь с другими значениями до тех пор, пока теоретическая и опытная кривые не совместятся [22]. Если рассеивающая молекула содержит более двух атомов и определению подлежат несколько значений то расчету должны быть предпосланы некоторые сведения о модели молекулы. Эта сложная задача, однако, может, как показали Полинг и Броквей (23], решаться проще при использовании другого метода усреднения. [c.464]

Взаимодействуя с электронами разных оболочек, квант рентгеновского излучения может изменить свое направление движения. При этом возможны два случая либо фотон при столкновении с атомом полностью сохраняет свою энергию, либо передает часть своей энергии одному из электронов атома. В первом случае длина волны рассеянного излучения не изменяется, а во втором — несколько возрастает. Первый вид рассеяния называется когерентным или томпсоновским рассеянием, второй — некогерентным или комптонов-ским рассеянием [c.7]

Например, для мата монокристаллов ПЭ интенсивность менялась в 2—3 раза, для блочного ПЭ — даже в 4 раза. Подобные изменения свидетельствуют о перестройке в стопках из ламелей, представляющих область когерентного рассеяния рентгеновских лучей в малых углах. Эти перестройки могут включать как изменение разности электронных плотностей двух чередующихся участков (межламелярных промежутков и кристаллической сердцевины ламелей), так и изменение геометрических размеров (толщины) этих участков. Вносит вклад в [c.67]

Среди лазеров на основе органических соединений с оптической накачкой наиболее глубоко изучены лазеры на электронных переходах в сложных органических молекулах. В результате техника ЛОС достигла весьма высокого уровня развития, необходимого при использовании таких сложных устройств, как лазеры, а ценные свойства ЛОС обеспечили им очень широкий круг применений в различных физико-химических исследованиях. Применение ЛОС прежде всего в спектроскопии, фотохимии, в исследованиях селективного воздействия лазерным излучением на вещество привело к возникновению или существенному развитию принципиально новых методов исследования, таких как двухфотонная спектроскопия, свободная от доплеровского уширения, многофотонная резонансная ионизационная спектроскопия, спектроскопия когерентного антистоксова комбинационного рассеяния, внутрире-зонаторная абсорбционная спектроскопия и др. Рассмотрению [c.197]

Рассеяние электронов зонда на атомах объекта может приводить к дифракции первичного пучка с образованием максимумов рассеяния под дискретными углами к падающему пучку. Дифракционные явления относятся к упругому (когерентному) рассеянию. При тонких слоях дифракция осуществляется в результате прохождения пучка через пленку, при массивных объектах дифракционные пучки исходят от поверхности. Различают дифракцию медленных и быстрых электронов с энергиями порядка десятков — сотен электрон-вольт и десятков килоэлектрон-вольт соответственно. При дифракции происходит отражение электронов полями атомов, которые являются суперпозицией кулоновского поля ядер и экранирующего поля электронного облака. В кинематическом описании дифракции считают, что падающий электрон испытывает только одно отражение, взаимодействие между падающей и рассеянной волной отсутствует. При динамическом, подходе учитываются многократные взаимодействия отраженных электронных волн в кристалле. Динамические эффекты возрастают с увеличением толщины объекта. [c.219]

Большое разнообразие процессов взаимодействия электронов с веществом (рис. 19.1) делает возможным использовать электроны для изучения разных характеристик вещества. Основной характеристикой электронов, которая определяет характер их взаимодействия с веществом и, следовательно, характер получаемой информации о веществе, является скорость электронов или, точнее, их кинетическая энергия. Когерентное (упругое) рассеяние электронов с энергией порядка сотен электрон-вольт (метод дифракции медленных электронов позволяет исследовать атомно-кристаллическую структуру по.верхностного слоя твердых тел). Дифракция упруго рассеянных электронов с энергией порядка десятков и сотен килоэлектрон-вольт (метод дифракции быстрых электронов) используется для анализа трехмерной атомно-кристаллической структуры. Метод дифракции быстрых электронов в этом отношении подобен методу дифракции рентгеновских лучей. Упругое рассеяние и дифракция быстрых электронов лежат в основе еще одного метода электронно-оптического анализа метода просвечивающей электронной микроскопии. В примене- [c.424]