Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Кристаллиты и частицы

    Легко установить, что векториальность свойств кристаллов не обусловливается той или иной геометрической формой кристалла. Так, шар, выточенный из слюды, несмотря на полную симметричность его формы, сохраняет анизотропию, и наоборот, какой бы формы многогранник ни был отлит из обычного стекла, оно не приобретает от этого векториальности свойств. Как геометрическая форма, так и анизотропия кристаллов являются следствием особенности внутреннего строения кристаллов. Частицы, из которых состоит кристалл (молекулы, атомы или ноны), не беспорядочно, а закономерным образом расположены в пространстве. Упорядоченность расположения частиц была подтверждена экспериментально, когда после 1911 г. в результате разработки метода рентгеновского анализа открылась возможность определять расстояния между частицами в кристаллах на основе опытных данных. [c.123]


    Металлы. В металлических кристаллах частицами, составляющими решетку кристалла, служат положительные ионы, связываемые между собой электронами, образующими электронный газ. Легкая подвижность этих электронов и придает металлам все те свойства, которые являются характерными для них, т. е. общими для всех металлов свойствами, по которым мы определяем металличность данного вещества. Сюда относятся как физические свойства, например высокая электропроводность и теплопроводность, ковкость (пластичность), металлическим блеск, так и химические — основной характер низших окислов и т. п. [c.135]

    Совершенные кристаллы имеют правильную форму. Это обстоятельство привело ученых к выводу, что частицы, образующие вещество, в кристалле расположены закономерно. Еще И. Ньютон писал (1675 г.) Нельзя ли предположить, что при образовании кристалла частицы... установились в строй и ряды, застывая в правильных фигурах . [c.89]

    П. Д. Данков [22] при изучении строения поверхностного слоя катализаторов методом дифракции электронов указал, что теория активных центров Тейлора неверна. По П. Д. Данкову, это можно доказать рассмотрением схемы кристаллической решетки (рис. 20), кубики которой представляют элементарные частицы. Внутри кристалла частицы скомпенсированы шестью соседями по числу граней куба. Частицы на поверхности связаны с пяти сторон и обладают лишь одной свободной связью. Аналогично частица 1, связанная одной связью с поверхностью, хотя и имеет пять свободных связей, но может реагировать с другой частичкой лишь одной плоскостью. Частицы 2 ц 3 могут связывать другие частицы соответственно двумя и тремя плоскостями. [c.112]

    В этом уравнении некоторые трудности представляет определение значения величины а. Если предположить, что коэффициент а равен 1 и каждая сталкивающаяся с кристаллом частица адсорбируется, то при небольшом переохлаждении скорость роста кристалла будет пропорциональна степени переохлаждения. [c.223]

    По природе входящих в состав кристалла частиц и по типу химической связи кристаллические решетки подразделяются на молекулярные, ионные, атомные (ковалентные) и металлические. В узлах молекулярных решеток располагаются молекулы вещества. Вещества, имеющие молекулярные решетки, обычно имеют низкие температуры плавления и кипения, высокое давление насыщенного пара. К такого типа веществам относятся, например, твердые Нг, О2, N2, галогены, СО2, все благородные газы (хотя они одноатомны) и многие органические вещества. Кристаллические Аг и Ь имеют одинаковые решетки (рис. 4.4). Координационное число для атома аргона равно 12. Связь между частицами в решетке осуществляется силами Ван-дер-Ваальса. [c.161]


    Объемные дефекты — это скопления вакансий, образующиеся пустоты, поры и каналы внутри кристалла частицы, внедрившиеся в кристалл при его образовании (частицы растворителя,, пузырьки газа) зародыши новой кристаллической фазы, воЗ никающие при неравновесных условиях существования кристалла. Эти типы дефектов изучаются также в коллоидной химии. [c.178]

    В кристаллах частицы (атомы, молекулы, ионы) расположены строго закономерно, образуют правильную решетку. Места, где находятся микрочастицы, называют узлами решетки. Наименьшая часть решетки, которая передает все характерные особенности ее структуры, получила название элементарной ячейки (рис. 5.14). В трехмерном пространстве элементарной ячейкой может быть только параллелепипед с ребрами а, Ь, с и углами а, , у. [c.130]

    При любом типе связей в кристалле частицы, образующие пространственную решетку, стремятся расположиться таким образом, чтобы между ними оставалось наименьшее по объему свободное [c.86]

    Особый вид дефектов образуют чужеродные атомы или ионы, оказавшиеся в узле или междоузлии решетки, т. е. внедрившиеся в кристалл частицы тех или иных примесей — их называют иногда химическими дефектами . Их присутствие способно очень сильно изменить каталитические свойства кристалла, а также его полупроводниковые характеристики. [c.279]

    Такими внутренними свойствами являются симметрия в расположении образующих кристалл частиц и как следствие этого анизотропия свойств, т. е. неодинаковость свойств по разным направлениям, что обусловлено и различным чередованием частиц, и различными расстояниями между ними в зависимости от направления. Например, если из кубического кристалла поваренной соли вырезать стержень с поперечным сечением 1 мм пер- [c.151]

    Связь между отдельными кристаллами или сростками кристаллов, отличающихся друг от друга структурой, может осуществляться адгезионно-когезионными силами, сжимающими усилиями высыхающей гелеобразной массы и механическим сцеплением сжатых (силами кристаллизационного давления растущих кристаллов) частиц [119]. [c.39]

    Изображение на фотопленке — рентгенограмма — по сути дела представляет собой своеобразную проекцию элементов кристаллической решетки на фотопленку. По положению пятен на рентгенограмме устанавливают пространственное расположение частиц в кристалле. Расшифровка рентгенограмм позволяет определить параметры кристаллической решетки, межъядерные расстояния и эффективные радиусы образующих кристалл частиц. [c.169]

    Полное решение проблемы точного взаиморасположения всех структурных элементов рибосомной частицы, включая белки и их группы, компактные домены РНК, отдельные спирали РНК и т. д., ждет получения подходящих кристаллов частиц и их рентгенографического, электронографического или нейтронографического изучения, с тем или иным разрешением. Обнадеживает то, что принципиально рибосомные частицы оказались кристаллизуемыми. [c.116]

    Наблюдающаяся геометрическая правильность форм кристаллов заставила исследователей искать причины ее в закономерном внутреннем (атом-пом) строении. Уже И. Ньютон в своей Оптике в 1675 г. писал Нельзя ли предположить, что при образовании кристалла частицы не только установились в строй п ряды, застывая в правильных фигурах, но также посредством некоторой полярной способности повернули свои одинаковые стороны в одинаковом направлении . [c.51]

    В случае эффекта теней центрами испускания быстрых заряженных частиц (протонов, дейтронов, тяжелых ионов) являются сами атомы кристалла. Этого достигают, вводя в решетку а-радио-активные ядра, либо возбуждая ядерные реакции в атомах решетки подходящим облучением. Вылетающие частицы отклоняются от заселенных атомами плоскостей и осевых направлений. Поэтому угловое распределение вылетающих из кристалла частиц имеет резкие минимумы ( тени ) вдоль выходов кристаллографических плоскостей и осей с низкими индексами. Эффект теней можно использовать для определения ориентации кристаллов и тонких монокристаллических пленок и изучения дефектов решетки. [c.210]

    Тип кристалли- Частицы в паре [c.126]

    Таким же образом, если одно и то же тело может быть и в аморфном состоянии и в кристаллическом, то в последнем больше порядка, чем в первом. Действительно, в кристалле частицы (молекулы, ионы, атомы) располагаются в узлах соответствующей кристаллической решетки и поэтому расстояния между ними вполне определяются этой решеткой в аморфном же состоянии расстояния между частицами тела произвольны.  [c.138]

    В кристаллическом состоянии вешества более доступы для такого исследования. В кристаллах частицы вешества располагаются закономерно они не находятся в беспорядочном движении, а колеблются около определенных центров наподобие маятника. При повышении температуры амплитуда колебаний увеличивается, достигая при определенной температуре таких размеров, при которых кристаллическая решетка разрушается и начинается плавление вещества. Колебательное движение частиц в кристаллах можно разложить по трем взаимно перпендикулярным осям. Следовательно, в кристаллах простых веществ атомы обладают тремя степенями свободы движения (кинетическая энергия). Кроме того, они обладают также тремя степенями свободы энергии положения (потенциальная энергия). Следовательно, атомы твердого вещества имеют шесть степеней свободы. Итак, Д.ПЯ твердых веществ [c.100]


    Кристаллография исследует и определяет законы симметрии— законы, которым подчиняется расположение центров тяжести атомов, ионов, молекул, радикалов. Кристаллография ограничивает единицу анализа пространства кристалла элементарной ячейкой и определяет способы и меру трансляции этого единичного объема в пространстве. Связь же структуры кристалла и его физических и химических свойств определяется, помимо мотива структуры, природой и размерами слагающих кристалл частиц, а также родом и силой связи между ними. Связи структуры и свойств кристалла — предмет кристаллохимии, а изучение конкретных свойств кристалла в связи с их структурой — предмет кристаллофизики. [c.90]

    Природа сил отталкивания. Если бы между частицами действовали только силы притяжения и не было сил отталкивания, то сжимаемость жидкостей и твердых тел была бы очень велика. В кристаллах частицы не могли бы занимать устойчивые и онре- [c.55]

    Явление неупругой дифракции, сопровождающееся описанными однофононными процессами, дает эффективный метод изучения динамики кристаллической решетки. Допустим, есть возможность создавать узкий пучок падающих на кристалл частиц и можно фиксировать направления рассеянных частиц, а также измерять их энергию. Тем самым в каждом акте рассеяния нам известны Я1, <12, 1 и Следовательно, если отвлечься от процессов переброса, вклад которых может быть отделен, мы определяем величины к и йсо для участвующего в процессе фонона. Рассматривая различные направления и разные ориентации кристалла, в принципе, можно восстановить функцию со = со (к). [c.146]

    Ясно, что вакансия и междоузельный атом являются дефектами как бы противоположного знака, и это находит проявление в ряде их свойств. В частности, может произойти аннигиляция вакансии и междоузельного атома, сопровождающаяся одновременным исчезновением пары этих дефектов в кристалле. С другой стороны, простейшая схема образования таких дефектов сводится к тому, что атом покидает свое место и переходит в междоузельную позицию, создавая сразу пару дефектов. Эта схема реализуется в процессе облучения кристалла энергичными частицами, когда пролетающая сквозь кристалл частица выбивает некоторый атом из узла, перенося его в междоузлие. [c.176]

    По-видимому, данные автора неточны. Кристаллит частицы сажи имеет в среднем 4 слоя углеродных атомов. — Прим. ред. [c.269]

    Рассмотрим в качестве примера плавление кристаллов. Частицы, обазующие кристаллы, расположены вполне определенным образом (в узлах кристаллической рещетки), а в жидкости они располагаются менее упорядоченно (ближний порядок). Это означает, что гюж > йУк. Поэтому при плавлении кристаллов пропс-ходит увеличение энтропии на величину [c.178]

    Теория Косселя и Странского [35—43]. В этой теории рассматривается идеальный кристалл (без дефектов решетки). Для простоты изложения в качестве примера можно выбрать кристалл типа ЫаС1 с кубической решеткой. Кристалл растет непрерывно посредством одного и того же повторяюшегося процесса. Частицы встраиваются в решетку, располагаясь одна за другой и образуя ряды и плоскости. То, в какое место вероятнее всего попадет частица, зависит от энергетических условий на поверхности кристалла. Частицы прежде всего размещаются в тех места.х, где это наиболее выгодно энергетически, т. е. там, где выполняется условие (3.62). Различные возможные положения частиц [/—4] иллюстрируются рис. 3.6. [c.264]

    Электронная теория катализа допускает существование разных видов связи хемосорбированных частиц из газа на поверхности полупроводника слабой одноэлектронной связи и двух видов прочной двухэлектронной связи — акцепторной и донорной, которые в свою очередь могут иметь ковалентный или ионный характер в зависимости от природы адсорбируемой частицы. Предположим, что адсорбируемая частица является одновалентным атомом электроположительным атомом А (типа Na) или электроотрицательным атомом В (типа С1), а катализатор — полупроводниковый ионный кристалл состава MR (типа Na l), который имеет в узлах решетки и на поверхности кристалла частицы М+, R , М и R. При этом будут наблюдаться следующие шесть случаев химической связи, показанные на схеме (в двух случаях — 2 и 5 — связь не образуется). [c.455]

    Радиусы частиц, из которых состоит кристалл, равны или очень близки по величине. Этому условию отвечают два типа кристаллических решеток гексагональная (рис. 9, а) и гранецентриро-ванная кубическая (рис. 9, б). В таких решетках степень заполнения объема кристалла частицами составляет 74%- Это максимально плотная упаковка частиц одинакового или близких по величине радиусов. Подобный тип решеток свойствен большинству металлов, [c.31]

    Ммеются ступени, разграничивающие участки, уровень плоскостей которых отличается на одно или несколько межатомных расстояний. Ступени могут иметь изломы. Все это приводит к тому, что расположенные на поверхности кристалла частицы граничат с разным числом соседних частиц и поэтому имеют различную энергию связи. В некоторых случаях поверхность может иметь и электрический микрорельеф, особенно в связи с неравномерным распределением возможных примесей. [c.342]

    При распылении водных растворов могут образовываться шарики и кристаллы Частицы мегиленового голубого, полученные таким же способом, как и полистироловые, обычно имеют сферическую форму, но в исключительных случаях могут впоследствии закристаллизоваться (рис 3 7) Хлорид натрия образует кубические кристаллы вплоть до размеров в доли микрона Их форма прекрасно видна на приведенных в работе Бертона электронных микрофотографиях захваченных нитью субмикроскопических кристаллов и на рис 3 8 [c.78]

    MOM столбцах табл. 10. Далее, объемноцентрпрованный кристалл содержит внутри элементарной ячейки количество вещества, соответствующее только двум составляющим кристалл частицам, т. е. одной молекуле отсюда объем [c.485]

    Самопроизвольное размещение однородных коллоидных частиц в плотно упакованные, в высокой степени упорядоченные агломераты представляет собой по существу вид кристаллизации, в которой кристаллы составляются не из молекул, а прямо из частиц. Олфри и др. [365] описали кристаллы, состоящие из латексных частиц. Частицы в таких различавшихся между собой кристаллах имели размеры в области 100—1000 нм. Однако в одном каком-либо выбранном кристалле частицы были очень однородны по размеру. Подобные упорядоченные расположения частиц были отмечены в ряде других систем, особенно имеющих частицы размером 100—300 нм, поскольку в отраженном свете становилось особенно наглядным интерференционное окрашивание. Только в последние годы было признано, что структура благородного опала имеет ту же природу. Поскольку способ формирования больших частиц коллоидного кремнезема в природных условиях и их отложения упорядоченным образом еще неполностью выяснен, то представляет определенный интерес суммировать известные данные, касающиеся образования однородных субмикронных частиц, сил, вызывающих построение упорядоченных агрегатов, а также некоторые примеры получения подобных структур в лабораторных и в природных условиях. [c.551]

    Если скорость роста границы равна или выше скорости диффузии, то концентрация примеси перед растущей гранью постепенно возрастает, вызывая повышение концентрации примеси в слое расплава, примыкающем к движущейся границе раздела фаз. Так как рост грани осуществляется отложением на ней частиц основного вещества, то наличие перед гранью слоя с повышенной концентрацией примеси затрудняет рост 1рани, препятствуя проникновению к кристаллу частиц основного вещества. В этих условиях часто наблюдается образование кристаллов неправильной формы. [c.45]

    Л. Моргенштерн [204] обнаружила, что в прогретых в воздухе щелочно-галоидных кристаллах появляются интенсивные полосы свечения в близкой ультрафиолетовой области с максимумами при 360 mfj. для Na l, 380 mix для K l и примерно в этой же области для бромистого и иодистого калия. Моргенштерн полагала, что свечение возникает благодаря внедрению в кристалл частиц газа, которые не являясь в обычном понимании активаторами, так как не дают своего характерного спектра свечения, вызывают нарушения в решетке, приводящие к появлению свечения самой решетки. Эта гипотеза отличается от предположения Рексера тем, что свечение приписывается самой решетке основания. [c.109]


Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллиты и частицы: [c.151]    [c.633]    [c.183]    [c.86]    [c.107]    [c.208]    [c.217]    [c.192]    [c.192]    [c.77]    [c.233]    [c.89]    [c.633]    [c.109]   
Смотреть главы в:

Катализ вопросы теории и методы исследования -> Кристаллиты и частицы




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте