Огранка кристалла

Рекристаллизация порошков с укрупнением частиц, так называемая собирательная рекристаллизация, свойственна не только кристаллическим телам, но и аморфным (стеклообразным). В последнем случае исходные частицы с неправильной формой при рекристаллизации стремятся к равновесной форме, которой является сфера. Равновесная форма дисперсных частиц кристаллических веществ определяется условием минимума поверхностной энергии Гиббса и может быть воспроизведена по правилу Вульфа с уточнением, внесенным Ландау, она будет содержать плоские участки, соответствующие кристаллическим плоскостям с небольшими значениями индексов, при этом размер участков уменьшается с увеличением индексов. Практически это означает, что в равновесной огранке кристалла будет представлено небольшое число плоских поверхностей, которые не пересекаются вдоль прямых, а соединены закругленными участками. [c.214]

Уже отмечалось, что изменение энергетического состояния поверхности сопровождается изменением величины коэффициента переноса. Результаты расчета, проведенного на основании уравнения (XXI.9), хорошо иллюстрируют это положение. Как видно из табл. 52, коэффициент переноса на грани (100) выше, чем на грани (111). Было также отмечено, что значения а для поликристаллических электродов близки к величине коэффициента переноса на монокристаллическом электроде с гранью (111). Это, по-видимому, не случайно, так как огранка кристаллов меди плоскостью (111) наиболее выгодна в энергетическом отношении. Рентгеноструктурный анализ подтвердил, что электролитические осадки меди, как правило, огранены плоскостью (111). [c.526]

Описанные эффекты могут проявляться и во внешней огранке кристаллов (образуются входящие углы, аналогичные двойниковым), и в возникновении оптических аномалий. Таким [c.11]

Примеси могут влиять на скорости роста кристаллов в чрезвычайно малых концентрациях. Так, используемые при производстве КС1 и остающиеся в реактивах примеси аминов в количестве всего 10" —10 % по массе меняют огранку кристаллов с кубической на октаэдрическую и приводят к резко выраженному отравлению граней, проявляющемуся в том, что кристаллы не растут в широкой области пересыщений. Многочисленные примеры резкого воздействия ничтожных концентраций примеси на рост кристаллов (I и меньше частиц на миллион) указаны у Г, Бакли [1954]. [c.52]

Для заполнения точками и дугами большого круга остальной части проекции в принципе можно применить обычный метод развития зон, используемый при анализе внешней огранки кристалла. [c.405]

В такой постановке задача определения оптимальной формы пластинчатого включения является двухмерным аналогом задачи о равновесной огранке кристалла, рассмотренной в работе Л. Д. Ландау [149]. То обстоятельство, что нам известен явный вид коэффициента линейного натяжения (24.9), позволяет произвести полный количественный анализ оптимальных форм. [c.218]

В результате всех этих приемов создается общее представление о форме кристаллов, которое фиксируется в виде зарисовки или фотографии. Фотография является, конечно, наиболее точно документирующим материалом она сохраняет величину углов и соотношение размеров элементов огранки кристаллов, но дает представление о виде кристалла при одном данном положении фокуса микроскопа. [c.10]

Влияние скорости роста или растворения на огранку кристалла [c.39]

Таким образом, метод качания вполне пригоден для определения дифракционного класса. Преимуществом его перед полихроматическим методом является то, что определение это может быть произведено как бы мимоходом — по тем же рентгенограммам, ио которым определяются размеры элементарной ячейки. Применять для решения этих двух задач при хорошей огранке кристалла два разных метода нет никакой необходимости. > [c.258]

При неизменном потенциале катода должна сохраняться неизменной и плотность тока. Так как при росте кристалла поверхность граней его, вообще говоря, увеличивается, то должна увеличиваться со временем и сила тока. Наблюдения за ростом кристалла серебра подтверждают это. Однако закономерный вначале рост силы тока может замедлиться со временем (сила тока может даже уменьшиться). Это объясняется тем, что величина поверхности кристалла не обязательно постоянно увеличивается с ростом его объема. Поверхность зависит от характера огранки кристалла. Возможно, что развитие кристалла приведет в некоторый момент к уменьшению поверхности за счет исчезновения некоторых граней (например вытянутый кристалл неправильной формы превратится в куб). [c.507]

При использовании данного метода (назовем его методом потоков) наблюдают аа поведением индикаторов примеси и кристаллизанта, введенных в материнскую фазу в определенный момент сокристаллизации. Тотчас после добавления в систему индикаторы позволяют проследить исключительно за переходом молекул примеси и кристаллизанта из среды на поверхность и в периферийную зону твердой фазы. Покажем это на примере сокристаллизации, протекающей в однородной среде при однородной огранке кристаллов и при единственной форме примеси в твердой фазе. Представим скорости изменения массы примеси и кристаллизанта в твердой фазе как результат сложения полных межфазовых потоков [c.241]

На первый взгляд может показаться, что возникновение конвекционных токов приводит к интенсивному перемешиванию раствора, в результате он будет во всей толще однороден и огранка кристалла будет происходить без нарушений. Однако практически это могло бы иметь место только в том случае, если растущий кристалл все время находился бы в центре маточного раствора (был как бы подвешенным), что на самом деле исключено при работе на часовом или предметном стекле, когда большинство образующихся кристаллов лежит на поверхности стекла. [c.19]

При близком сходстве размеров ионов они могут замещать друг друга в решетке совершенно беспорядочно, образуя смешанные кристаллы или твердые растворы, которые могут содержать изоморфные ионы в любом отношении. Рост кристаллов одного вещества на другом в параллельной ориентировке возможен только при наличии сильной химической связи между веществами. Эта связь определяется в основном силами, действующими между соседними атомными слоями. Обычно изоморфная примесь отлагается в наиболее близких друг к другу параметрах решетки. Полного совпадения параметров, как правило, не бывает, поэтому примеси будут откладываться на плоскостях (гранях), близких по параметру, т. е. в определенных местах роста. А так как обычно примеси тормозят скорость роста, то происходит неравномерное изменение роста,, а вместе с ним и огранки кристалла. Образуется новая форма кристалла. [c.21]

По внешней огранке кристаллы можно разбить на две группы. К первой группе относятся многогранники простой формы, которые состоят из одинаковых и симметрично расположенных граней (рис. 11, а—г). Ко второй группе относятся кристаллы, обладающие различными по очертаниям и величине гранями и представляющие собой комбинации различных простых форм (рис. 11, —з рис. 2, г—и). [c.23]

Заболоцкий Т. В., Н е л ю б и н В. К., Изменение огранки кристалла нитрата аммония под влиянием различных ионов, ДАН СССР, новая серия, 75, № 2, 215 (1950). [c.271]

Рис. 5.6. К определению равновесной огранки кристалла

Если прямая Оз расположена внутри треугольника Орг, то грань не пересекается с двумя уже существующими гранями и, следовательно, не может быть гранью кристалла. Если же эта прямая расположена вне треугольника, то грань пересекается с гранями PQ и QR и, следовательно, должна присутствовать в огранке кристалла в какой-то момент его роста. [c.252]

На рис. 5.10 представлен разрез кристалла, растущего при перемещении граней параллельно самим себе. Грани а и 6 являются медленно растущими и принадлежат к равновесной форме грань с — быстро растущей, по мере роста ее площадь быстро сокращается и затем исчезает из огранки кристалла. [c.259]

Механизм действия примесей на форму кристаллов может быть разным. В частности, он может быть обусловлен взаимодействием примеси как с раствором, так и с твердой фазой. Так как форма кристаллов зависит не только от химического состава системы, но и от прочих условий кристаллизации, действие примеси может заключаться в изменении этих условий. Допустим, что огранка кристаллов изменяется при изменении скорости кристаллизации. Сама скорость т зависит от Ас. Если речь идет о периодическом процессе, т существенно зависит от Асо. Пересыщение раствора при данной концентрации кристаллизуемого вещества зависит от Сед. Таким образом, изменение растворимости может повлечь за собой и изменение формы кристаллов. Влияние же примесей на растворимость может быть весьма разнообразным. Оно может быть связано с изменением ионной силы раствора, высаливающим эффектом, химическим взаимодействием примеси с растворенным веществом и т. п. [c.110]

Примеси, введенные в расплав, также активно влияют на габитус кристаллов циркона. Например, добавка 1 % меди в виде СиО способствует кристаллизации циркона в виде идеально ограненных короткопризматических кристаллов. Механизм действия примеси может быть объяснен наличием на растущих гранях адсорбционного слоя, который нивелирует анизотропию скоростей роста разных габитусных граней, что приводит к наблюдаемой огранке кристаллов. [c.242]

В тех случаях, когда расщепляются грани только некоторых простых форм, расщепление ликвидируют, устранив рост таких граней. Это можно сделать чисто механически. Например, кристаллы К2СГ2О7 приклеивают к платформе расщепляющейся гранью. Можно добавкой соответствующих примесей добиться, чтобы скорость роста расщепляющихся граней была равна нулю, а другие грани росли. Эти примеси, однако, не должны портить кристалл в других отношениях. Для КН2РО4, например, подходящей примесью с этой целью являются ионы [М0О4Р . Наконец, подходящими примесями можно добиться того, чтобы расщепляющиеся грани вообще исчезли из огранки кристалла или хотя бы сократились по площади (глицерин, пентаэритрит для бифталата калия). [c.130]

Тем не менее хорошо сформулировавшиеся пачки благодаря параллельной укладке цепных молекул в них являются достаточно упорядоченными образованиями и могут поэтому обладать правильной геометрической формой, напоминающей огранку кристаллов. Вместе с тем возникновение пачек не сопровождается фазовым переходом, без которого невозможна кристаллизация. Более того, как показали эЛектронномикроскопические исследования, пачки могут образовываться из сополимеров и даже из смеси полимеров, когда фазовый переход вообще исключен, в первом случае из-за того, что обычно в сополимерах отсутствует не только стереорегулярность, но и правильное размещение разноименных мономерных остатков по цепи, а во втором — вследствие наличия смеси веществ. Следовательно, пачки не являются кристаллическими частицами этот вывод подтверждается результатами электронно-графических исследований. [c.436]

Рие. 46. Строение кристалла фталоцианина платины. а — габитус кристалла б схематическое представление плоскостей (20Г) во фталоцианине платины в связи с огранкой кристалла. Плоскость АВСВ соответствует плоскости (001). [c.191]

Как ноказывдат эксперименты, в пересыщенном растворе скорость роста кристаллов флуктуирует. Флуктуации скорости роста для частиц одного размера являются следствием целого снекгра физико-химических причин, относительная роль которых может быть различна В частности, колебания скорости роста крисгаллов вызываются особенностями огранки кристалла, случайными изменениями рельефа поверхности частицы и неоднородностью пересыщения по обьему системы. Флуктуации скорости роста кристаллов проявляют себя в том, что первоначально монодисперсный состав кристаллов затравки обнаруживает определенный разброс в конце процесса. В математических моделях флуктуации скорости роста частиц учитывают введени- [c.342]

Через этот узловой ряд проходят, следовательно, такие узловые сетки, как (110) и (011). Плоскость (oil) имеется во внешней огранке кристалла (на проекции точк а I). Проекцию плоскости (110) легко находим по поясу, проведенному через точки s (Hi), р (001) и d (ill). Точки ti и 2 суть выходы нормалей к плоскостям (ПО) и (Тю). Следовательно, пояс txlti—тот пояс, полюс к которому есть выход узлового ряда [111]. [c.247]

Последнее обстоятельство важно потому, что взаимная ориентация веществ может быть определена микроскопически лищь при наличии хорощей огранки кристаллов осадка. Поэтому при изучении кристаллизации из раствора на анизотропной подложке следует избегать образования сплошной корки осадка, а также дендритного роста. [c.20]

В большинстве работ Бакли явления, наблюдающиеся при изменении огранки кристаллов, объясняются адсорбцией ионов примеси на активных центрах согласно теориям роста идеальных кристаллов Косселя и Странского. Как было показано ранее, согласно этим теориям, пристройка новых частиц осуществляется вдоль рядов у так называемых изломов. Если частица примеси адсорбируется у излома, то это может прервать црпоч-ку отлагающихся частиц кристаллизуемого вещества и тем самым замедлить скорость роста соответствующей грани [99— 102]. Очевидно, при таком механизме ничтожное количество примесей может вызвать существенные изменения облика кристаллов. [c.235]

По огранке кристаллы СаНР04 2НаО (рис. 1) очень похожи на кристаллы гипса, с которыми преципитат изоморфен. [c.177]

То, что примеси играют большую роль при получении монокристаллов, широко известно и довольно широко изучается. Что же касается влияния примесей на физические свойства поликристаллических продуктов, то его исследование пока проводится слабо. Вместе с тем и в данном случае зависимость физических свойств от содержания примесей очень интересна и в теоретическом, и в практическом плане. Достаточно вспомнить, что именно при помош,и примесей достигаются известные положительные результаты по снижению слеживаемости и гигроскопичности [36—38]. Основным в изучении связи между физическими свойствами и содержанием примесей является учет местоположения последних. Другими словами, характер влияния примеси на свойства зависит от того, образует ли она твердый раствор, адсорбируется на гранях или образует механические включения. Проблема установления связи между содержанием примеси и физическими свойствами имеет первостепенное значение для получения как высокочистых соединений, так и веществ с наперед заданными свойствами. Решение ее требует организации широких экспериментальных исследований различного типа. Они же в свою очередь требуют разработки специальной аппаратуры и методик. Вопрос об изучении влияния примесей на огранку кристаллов следует рассмотреть особо. Работ в этом направлении выполнено очень много [39—41], но полученный экспериментальный материал до сих пор не позволил разобраться в 1грироде наблюдаемого явления. Очевидно, для ее установления требуются более тщательные и целенаправленные эксперименты. Следует только отметить, что осо-эенно ярко выражено влияние органических примесей [40]. [c.15]

При увеличении пересыщения [57—59] и температуры огранка кристаллов становится более простой, но пересьйцение не должно быть чрезмерно большим, так как в этом случае вырастают кристаллы неправильной [c.67]

Одна из первых работ по влиянию примесей была выполнена Роме де Лилем [4, с. 121 ], который наблюдал изменение огранки кристаллов хлористого натрия в присутствии карбамида. Из содержащих карбамид растворов Na l кристаллизовался в виде октаэдров, а не кубов, которые образуются в чистых водных растворах. Подобное же изменение "формы кристаллов хлорида натрия нроисходит в присутствии хлоридов кальция и калия, а также в присутствии борной кислоты. Большое число экспериментальных данных о влиянии на форму кристаллов различных органических веществ приведено в монографии Бакли 115]. Им изучалось действие примесей на форму кристаллов сульфата калия, перхлората аммония, хромата калия и ряда других солей. [c.107]

Тильманс предполагал, что действие примесных ионов сводится к увеличению скорости ориентации зародышей, что по идее должно приводить к образованию более упорядоченных структур. Важно подчеркнуть, что под действием электрических полей ионов имелось в виду влияние силовых полей в адсорбционном слое на границе раздела фаз. Это положение подтвердилось аддитивным влиянием различных примесей. Одна примесь полностью или частично могла заменить по своему действию другую. Установление такой закономерности позволило предположить, что на огранку кристаллов действует один и тот же фактор, связанный со строением электронной оболочки и присущий ионам всех металлов. [c.111]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология