Подложки анизотропные

Обычное мокрое травление имеет изотропный характер и в случае субмикронных структур не позволяет сохранить размеры изображения в допустимых пределах. Сухое плазменное травление дает возможность проводить травление подложки анизотропно и с высокой точностью. Обработка плазмой используется для проявления скрытого изображения (сухие резисты, см. раздел VI. 3) и часто для полного снятия слоя резиста после травления подложки. [c.59]

Полученная подобным образом мембрана имеет анизотропную структуру — тонкий (примерно 0,25—0,5 мкм) поверхностный слой на микропористой подложке (примерно 100—200 мкм). Основная масса с крупнопористой структурой не представляет собой селективного барьера, а обеспечивает лишь механическую прочность мембраны и служит как бы подложкой для поверхностного слоя, связанной с ним в одно [c.48]

Сформованные потребителем или производителем подложки могут быть анизотропными. Если исходные частицы анизотропны (пластинки или иглы), операция формования может ориентировать их в направлении потока. Например, таблетированные или сформованные катализаторы, полученные иэ вешества, кристаллизующегося в виде пластинок, могут иметь на поверхности своеобразную кожуру, В некоторых случаях это может привести к тому, что скорость реакции будет лимитироваться диффузией. [c.355]

Различают в осн. М.р. монолитные (сплошные, диффузионные), проницаемость к-рых связана с диффузией газов или жидкостей в объеме мембраны (поры отсутствуют) пористые с системой сквозных сообщающихся пор постоянного размера асимметричные (двухслойные, анизотропные), состоящие из пористого высокопроницаемого слоя (подложки) и тонкого селективного слоя-мелкопористою или монолитного (толщина его может составлять ок. 0,25% общей толщины М. р.). [c.32]

Мембрана с анизотропной структурой состоит из тонкого поверхностного слоя на микропористой подложке . Разделение происходит на поверхностном активном слое, и практически весь перепад давления приходится на этот слой. [c.563]

Пористые мембраны нашли широкое применение прежде всего в процессах обратного осмоса, микро- и ультрафильтрации, реже-для разделения газов. Они имеют как анизотропную, так и изотропную структуру. Мембраны с анизотропной структурой имеют поверхностный тонкопористый слой толщиной 0,25-0,5 мкм (называемый активным, или селективным), представляющий собой селективный барьер. Компоненты смеси разделяются именно этим слоем, располагаемым со стороны разделяемой смеси. Крупнопористый слой толщиной примерно 100-200 мкм, находящийся под активным слоем, является подложкой, повышающей механическую прочность мембраны. Мембраны с анизотропной структурой характеризуются высокой удельной производительностью, более медленной закупоркой пор в процессе их эксплуатации. Срок службы этих мембран определяется главным образом химической стойкостью материала мембран в перерабатываемых средах. Для мембран с изотропной структурой характерно быстрое снижение проницаемости вследствие закупорки пор коллоидными или взвешенными частицами, часто содержащимися в разделяемых растворах. [c.315]

Реакции образования твердых кристаллических зародышей на чужеродной подложке подчиняются в принципе тем же закономерностям, что и образование некристаллических зародышей. Специфическими особенностями кристаллических зародышей являются а) значительно более высокие значения и.п.э. б) граненная, а не шаровидная форма в) анизотропность свойств, т. е. разные значения и. п. э. о,- для разных граней i кристалла. [c.302]

Такое анизотропное строение мембран предопределяет сложный — комбинированный— способ их формования на первой стадии происходит формирование поверхностного плотного слоя за счет испарения растворителя (стадия сухого формования), затем неполностью высушенная мембрана подается в осадительную ванну, в которой формуется подложка. [c.181]

При использовании микроволнового излучения в плазме образуются частицы с большим временем жизни, которые молено отвести к подложке, размещенной вне плазмы. Этот способ неприменим, однако, для материалов, для травления которых необходимы излучения с высокой энергией (например, АЬОз) или анизотропные условия [99]. [c.60]

В настоящей работе изложены результаты измерения двойного лучепреломления граничной фазы нитробензола и оптической анизотропии граничных слоев бензола. Для определения двойного лучепреломления граничной фазы нитробензола использовалась описанная ранее [2] экспериментальная установка, в которой стеклянные подложки были выполнены в виде прямых трехгранных призм (рис.1,а), что позволило придать оптически анизотропной граничной фазе нитробензола,находящейся в щелевом зазоре между ними, форму клина (рис.1,6). [c.49]

Ориентированную кристаллизацию на анизотропных поверхностях нельзя смешивать с образованием преимущественных ориентировок в слоях, образующихся на аморфных подложках. Более подробно различия этих двух явлений рассмотрены ниже (гл. 6, п, 4). [c.6]

Отсюда можно сделать некоторые выводы относительно ориентировок зародышей. Если конфигурации из трех (равносторонний треугольник) или четырех атомов (квадрат) стабильны, то они должны обусловить соответственно ориентировки плоскостей (111) и (ЮО) параллельно поверхности подложки. Поскольку скорость образования критических зародышей уменьшается с увеличением их размера, то при прочих равных условиях более выгодна ориентация (111). Однако на анизотропных подложках конфигурация адсорбционных мест может благоприятствовать другим ориентациям. В любом случае, однако, должны преобладать плотноупакованные плоскости с низкими индексами. [c.206]

Форму кристаллических структур можно изменять, используя в качестве поверхностей кристаллизации подложки из различных материалов. Так, при кристаллизации полиэтилена на подложке из политетрафторэтилена у поверхности пленки возникает большое число центров кристаллизации и образуется плотноупакованный кристаллический слой. Этот слой состоит из перпендикулярно расположенных у поверхности продолговатых (анизотропных) кристаллов, по форме напоминающих слоевые структуры, показанные на рис. 1.20, а. [c.26]

Используя подложки, выполняющие роль структуро-образователя (например, фторопласт), авторы показали, что возникновение большого количества центров кристаллизации приводит к образованию у края пленки плотноупакованного упорядоченного слоя, построенного из анизотропных элементов структуры, расположенных перпендикулярно к зародышеобразующей поверхности. Образование такого упорядоченного слоя препятствует возникновению сквозных отверстий в образцах, полученных даже при медленном охлаждении. Такая связь процессов диффузии с размером и формой надмолекулярных образований объясняется, по-видимому, тем, что диффузия в значительной степени протекает на границе раздела сферолитов. Защитное действие упорядоченного слоя связано с его сплошностью, отсутствием резко выраженных границ раздела между составляющими его структурными элементами. [c.40]

Полученная подобным образом мембрана имеет анизотропную структуру — тонкий (примерно 0,25 мкм) поверхностный слой на микропористой подложке (примерно 100—200 мкм). Основная масса мембраны с крупнопористой структурой пе представляет собой селективного барьера, а обеспечивает лишь механическую прочность мембраны и служит как бы подложкой для поверхностного слоя, связанной с ним в одно целое. Разделение происходит именно в поверхностном — активном слое, и практически весь перепад давления приходится на этот слой. Отсюда возникла идея приготовления плотных ультратонких мембран (0,02—0,04 мкм), прочно соединенных с крупнопористой основой [51, с. 121]. Ультратонкие мембраны получают поливом раствора, например ацетата целлюлозы в цикло-гексаноне, на поверхность воды. [c.31]

Таблица 2.14, Влияние структуры анизотропных материалов на механические свойства системы покрытие — подложка для покрытий

Пленка образующегося соединения будет сплошной, без пор и трещин, если молекулярный объем соединения больше или равен молекулярному объему элемента М. После образования сплошного слоя соединения (которое соответствует общим закономерностям образования зародышей новой фазы на посторонней анизотропной подложке) дальнейшее протекание реакции должно быть связано с диффузией реагентов через кристаллическую решетку соединения. [c.378]

Определение интегрального коэффициента проницаемости асимметричных мембран замет о усложняется. Это обусловлено анизотропностью структуры пористой подложки и неопределенностью границы диффузионного слоя (фактически имеется не граница, а область перехода от сплошной матрицы мембраны к пористой). Расчет скорости массопереноса пористых сред анизотропной структуры основан на использовании дифференциальных функций распределения пор, зависящих от координаты [9]. Экспериментальная оценка этих функций трудоемка и ненадежна, поэтому опытные значения Л асимметричных мембран часто относят к условной толщине селективного слоя, полагая сопротивление массопереносу пористой основы пренеб- [c.84]

Рост новой фазы при разложении органических веществ в газовой фазе может происходить не только в объеме, но и на поверхности (подложке). При отложении углерода на подложке формируются плотные анизотропные пленки пироуглерода, обладающие турбостратной структурой. В этом случае роль зародышей играют дефекты структуры подложки. Разложение в газовой фаде характеризуется высокими значениями энергии активации (460—750 кДж/моль), ( ответствующими разрь)-ву связей в органической молекуле и образованию радикалов - зародышей [5]. [c.6]

Целью настоящего исследования было изучение поперечного магнитосоиротивления (МС) пироуглеродов с различным совершенством структуры, которая создавалась термической обработкой. Анизотропные по структуре образцы пироуглерода получались путем пиролиза метана на графитовую подложку при температуре 2100° С с последующей термообработкой в интервале температур 2300 — 3000° С. Характеристики кристаллической структуры образцов контролировались методом рентгеновской дифракции с помощью дифрактометра ДРОН-2,0. Измерения величины МС пироуглеродов проводилось при температурах 4,2° К, 77° К и 300° К. Проведены измерения полевой зависимости МС в слабых магнитных полях. [c.144]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

При бомбардировке поверхности ионами, которая ведет к распылению ее материала, можно проводить анизотропное травление. Ионы с высокой энергией способны paspy.JHTb связи в кристаллической структуре подложки, вследствие чего протравливаемая [c.61]

В обзоре Блатта перечислены следующие основные требования, которые предъявляются к мембранам они должны обладать определенными размерами пор, пропускать раствор с достаточно высокой скоростью и иметь минимальную адсорбирующую способность. В настоящее время ряд фирм выпускает мембраны для фильтрации, в большей или меньшей степени удовлетворяющие этим требованиям (табл. 4). Наибольшее распространение получили анизотропные мембраны, состоящие из плотной, очень тонкой пленки-мембраны с избирательной проницаемостью, которая прикреплена к пористой подложке. В табл. 4 указана величина молекулярного веса веществ, задерживаемых мембраной, но в действительности мембраны задерживают не 100% соответствующих макромолекул, а несколько меньше. Отсюда следует, что для более полной задержки следует брать мембрану с меньшими, чем указано в таблице, величинами пор. Например, для альбумина (мол. вес 67 ООО) лучше использовать РМ-30, чем ХМ-50. Следует также помнить, что способность проходить через мембрану зависит не только от молекулярного веса, но и от формы молекулы и ее гибкости. Кроме приведенных вдабл. 4, следует упомянуть и о выпускаемых фирмой Sartorius (ФРГ) изотропных ультрафильтрах, изготовленных из регенерированной целлюлозы (серия SM 115, величина пор у разных фильтров серии 150—5 нм), ацетата целлюлозы (серия SM 117, величина пор 35—5 нм) и нитрата целлюлозы (серия SM 121, величина пор 15—5 нм). [c.27]

Возникновение анизотропных деформаций наблюдали при росте нитридных пленок на несоразмерных подложках их причиной могут явиться также процессы постростового охлаждения либо присутствие в пленке точечных дефектов (легирующих примесей) [c.37]

Анизотропная мембрана (рис. 5.2) состоит из двух слоев верхнего (активного) толщиной до 0,25 мкм, представляющего собственно разделяющую часть мембраны, и нижнего крупнозернистого слоя (100—200 мкм), который является подложкой и обеспечивает механическую прочкость мембраны. Ацетилцеллюлозные мембраны могут использоваться в относительно широком диапазоне давлений (1,0—8,0 МПа), но узком интервале температур (273— 303 К) и рН=3-ь-8. Срок работы этих мембран резко сокращается при применении более высоких давлений, а отклонение от указанных значений pH приводит к гидролизу ацетилцеллюлозы с соответствующим изменением свойств мембраны. [c.103]

Подчеркнем, что из исследования электронных спектров поглощения двух электронных переходов молекул- зондов фенантрена, мы получаем новую информацию о структурных изменениях 4,6-полиуретана. Наблюдая в спектрах ИК-поглощения 4,6-полиуретана перечисленные выше изменения колебательных частот уретановых групп макромолекул, мы могли бы отнести эти изменения, например, лишь за счет изменений в распределении электронной плотности в уретановых группах. Однако наблюдаемые сложные изменения в спектрах молекул- зондов — анизотропные изменения — свидетельствуют об изменении в характере упаковки макромолекул (см. выше). В результате можно предполагать изменения либо в структуре уретановых групп макромолекул (искажения валентных углов, появление напряженных структур), либо предполагать, что образуется некоторая новая кристаллическая модификация полимера. В известной в настоящее время литературе по 4,6-полиуретану нет никаких данных в пользу какого-либо из этих предположений. Для 4,6-полиуретана, закристаллизованного и подвергнутого отжигу, согласно [19—21], характерна лишь одна кристаллическая модификация — триклинная паракристаллическая псевдогексагональ-ная структура наблюдается лишь у образцов полимера, подвергнутых закалке [19—20]. Наблюдается ли в нашем случае еще какая-то, ранее не известная кристаллическая модификация 4,6-полиуретана — ответ на этот вопрос, в принципе, могли бы дать рентгенографические исследования кристаллической структуры. Однако, как уже отмечалось, изменения в структуре пленок наблюдаются только когда пленки на подложке присутствие кристаллической подложки является помехой для регистрации рентгенограмм полимера. При отделении же от подложек, пленки испытывают релаксацию, и структура их становится такой же, как у свободных пленок. [c.121]

До 1960 г. были известны только изотропные или слабоанизотропные фазоинверсионные мембраны. В настоящее время широкое применение получили два типа мембран, негомогенных по толщине анизотропные и мембраны, поверхность которых покрыта барьерным слоем. Покрытой поверхностным барьерным слоем, или асимметричной, является структура, в которой Тонкий (0,1—Ю,25 мкм) плотный поверхностный слой связывается в единое целое последовательно с толстым ( 100 мкм) пористым слоем. Поверхностный барьерный слой определяет и проницаемость, и селективность мембраны, тогда как пористый выполняет в основном роль подложки для поверхностного слоя. [c.265]

Стойкость к термическим напряжениям отличается от термостойкости (способности Тела выдерживать неоднородные напряжейия). Термические напряжения возникают, если расширению одной чйсти подложки препятствует соседний материал, который не расширяется. Это может возникать по ряду причин [73]. Примерами являются анизотропные поликристалЛЯ-ческие тела и такие двухфазные материалы, как стеклокерамики, глазурованные керамики или глазурованные металлы. При наличии температурных градиентов термические напряжения могут возникать и в однородных телах. Так, например, во время нагревания и охлаждения поверхность подложки быстрее реагирует на наведенные изменения, чем внутренняя часть, поэтому перпендикулярно поверхности возникает температурный градиент. Поперечные градиенты вызываются электрической нагрузкой тонкопленочных компонентов, покрывающих только часть подложки. Трудно подобрать количественные величины для оценки стойкости подложек к напряжениям. Качественно они, вероятно, связаны с термостойкостью и расположены в том же порядке, что и величины в табл. 5. Отказы, обусловленные одними лишь чрезмерными напряжениями, вероятно, очень редки. Растрескивание или выкрашивание краев подложек, скорее всего, обусловлено комбинацией факторов, включающих как механические и термические нагрузки, так и термические напряжения. [c.530]

Последнее обстоятельство важно потому, что взаимная ориентация веществ может быть определена микроскопически лищь при наличии хорощей огранки кристаллов осадка. Поэтому при изучении кристаллизации из раствора на анизотропной подложке следует избегать образования сплошной корки осадка, а также дендритного роста. [c.20]

Все сказанное выше относится к случаю кристаллизации веществ на изотропной подложке и объясняет возникновение и изменение с температурой текстур зарождения (см. гл. 6, п. 4). В последующих работах [47, 48] Диксит распространил эту гипотезу на случай кристаллизации на анизотропной подложке. [c.284]

Долгое время существовала неправильная точка зрения, что при перестройке рещетки, осуществляемой по диффузионному механизму, ориентированные кристаллы новой фазы возникают лишь при охлаждении, тогда как при нагреве кристаллы новой фазы после фазового превращения ориентируются произвольно. Это представление, противоречащее теории образования зародышей новой фазы на анизотропной подложке, было опровергнуто в работах Садовского с сотрудниками [55]. Ниже на при-хмере сталей мы покажем, что наличие ориентационных связей между фазами при нагреве и охлаждении имеет очень важное практическое значение. [c.340]

Угловое распределение обратнорассеянного излзгчения в большинстве случаев анизотропно при атомном номере материала подложки Z<30—40 -излучение преимущественно направлено под углами, близкими к поверхности подложки, а при Z>30—40 — в сторону нормали к ней. При 2 30—40 угловое распределение -излучения практически изотропно [5,45]. Можно принять, что поправка на обратное рассеяние для подложек из А1 и РЬ почти не зависит от геометрии, если отношение расстояния между счетчиком и источником к внутреннему радиусу счетчика не меньше чем 2,0—2,5 (для цилиндрических и прямоугольных счетчиков отношение длины чувствительного объема к расстоянию может быть несколько меньше указанной величины). [c.349]

Внутренние напряжения в покрытиях, сформированных на анизотропных волокнистых подложках, существенно зависят от направления волокон и значительно превыщают внутренние напряжения в покрытиях, сформированных на изотропных подложках. Прочность пленок на древесине также превыщает прочность свободных пленок (рис. 2.36). Анизотропный характер распределения внутренних напряжений в покрытиях, сформированных на древесине, выражается в том, что напряжения, измеренные в направлении, перпендикулярном направлению волокон, в 8—10 раз больше, чем вдоль волокон. Это связано, вероятно, с ориентацией структурных элементов в направлении, перпендикулярном направлению волокон, по аналогии с явлениями, проявляющимися при формировании клеевых слоев [78]. Эффект анизотропии в распределении внутренних напряжений проявляется только при определенной величине адгезии пленкообразующего к волокнам, определяющей степень ориентации структурных элементов. [c.85]

Согласно Грею [1], для нематических жидких кристаллов известны четыре текстуры планарная, центрированная, геометрическая и каплевидная. Планарная (гомогенная) текстура образована молекулами, лежащими параллельно стеклам и формирующими двулучепреломляющие области с пpeдпoчтиfeльнoй ориентацией их оптических осей. В препарате наблюдаются линии (темные или светлые в зависимости от угла поворота предметного столика поляризационного микроскопа), видимые и в обычном свете, расположенные как на стекле, так и в глубине образца. В месте касания подложки линия практически неподвижна, а в толще препарата способна легко менять свою форму. Иногда можно видеть, как линия бесследно исчезает в объеме. В предыдущих главах уже указывалось, что такие линии являются разрывом оптической однородности анизотропной среды и по аналогии с дислокациями в кристаллах названы ди-синклинациями [5]. Такая аналогия позволяет считать дисинклинации границами доменов, внутри которых сохраняется определенная ориентация (или определенный закон изменения ориентации) оптических осей молекул. [c.115]

Воздействие электрического поля даже с использованием изолирующих прокладок всегда может сопровождаться генерированием в препарате электрического тока. В случае растворов ПБГ сила тока не превышает 10 А. Возможной причиной считают ионизацию концевых групп (—СООН) молекул ПБГ, причем ионы водорода образуют двойной электрический слой на катоде [56]. Хотя и принимают, что столь слабый электрический ток практически не влияет на ориентацию молекул ПБГ в поле, тем не менее фиксацию созданной в растворах ориентации в высаженных полимерных пленках более корректно проводить с использованием магнитного поля. В таких экспериментах тонкий слой полностью анизотропного раствора (с>с ) помещается на поверхность подложки (стекло, тефлон, ртуть) и медленно (в течение 24—48 ч) высушивается в магнитном поле. Несмотря на то что предельное значение Яззоо в случае магнитной ориентации раствора значительно ниже, чем в случае электрической, в сухих пленках степень ориентации, определенная рентгенографическим методом, одинаково высока (80—85%) в обоих случаях [57]. Это указывает на то, что в магнитном поле на высыхающую пленку действуют некоторые кооперативные факторы, связанные с испарением растворителя и способствующие молекулярной доориентации. [c.137]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология