Фоторезиста рисунки в слое

Можно на полупроводниках по рисунку нанести вакуумным напылением или электролитически, или химическим осаждением проводящие тонкие слои металла (Си, Ag и др.) или, наоборот, стравить по рисунку, например, медь с фольгированного гетинакса, что используется при изготовлении печатных схем. Фотолитографическим методом можно по рисунку удалить слой диэлектрика с полупроводника (например, 5Юо с поверхности кремния), образовать слой диэлектрика на металле или полупроводнике и т. д. Задубленные слои фоторезистов удаляют специально подобранными растворителями. [c.360]

Разновидности Ф. т. наз. взрывная (для получения рисунка на пленках металла) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицат. наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металла на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металлич. слоя, осевшего на маску во втором - на позитивном фоторезисте получают негативный рис ок. [c.171]

Соединения серебра и меди широко используются в изготовлении так называемых печатных схем, микромодулей, твердых и пленочных схем. Особое значение в современной технологии изготовления миниатюрных радиосхем приобрела техника точного травления — точечная и порисунку. Для этого широко применяется фотолитографический метод. Он заключается в следующем. На поверхность твердого тела (кристалла) наносят слой фотоэмульсии, называемой фоторезистом (от фр. resi ter — сопротивляться). Фоторезист способен задубливаться под действием ультрафиолетового облучения, после чего может противостоять действию травителей. Свойствами фоторезиста, например, обладают желатин с добавками бихромата калия, спирта и аммиака, поливиниловый спирт с бихроматом аммония и другие вещества. Фотографическим способом изготовляют шаблон (маски) — четкий чернобесцветный рисунок на фотопластинке. Им закрывают поверхность твердого тела со слоем фоторезиста. Облучают фоторезист через шаблон ультрафиолетовой лампой. На облученных участ,ках фоторезист по-лимеризуется ( задубливается ) и переходит в нерастворимое состояние. С помощью растворителей фоторезист смывают с участков, не подвергавшихся облучению, а облученные участки остаются защищенными плотно прилегающей к поверхности, устойчивой к травителям [c.359]

Технология изготовлеиия печатных плат состоит в следующем [21]. На поверхность медной фольги наносят фоторезист экспонируют печатную схему, проявляют и вытравливают рисунок. В двусторонней или многослойной печатных платах для соединения металлических слоев между собой высверливают отверстия, которые подвергают химическому меднению. Для увеличения толщины слоя меди на поверхности и внутри отверстий применяют электрохимическое меднение. Печатные схемы имеют сложный рисунок (рис. 133). В печатной схеме для компьютера — около 10 ООО отверстий. Изготовляют печатные платы толщиной от 3 до 40 мкм. Наиболее ответственный этап в технологии изготовления печатных плат — металлизация отверстий и достижение надежного контакта между слоями. Для этого, например, применяют травление диэлектрика (см. табл. 21). Раствор для травления должен удалять даже полимер, подвергнутый деструкции во время сверления. [c.259]

Оборудование для очистки печатных плат на всех этапах технологической обработки построено по агрегатному принципу. Оно состоит из типовых унифицированных секций, отличающихся видом щеток, их количеством и давлением, оказываемым на поверхность платы, а также составом раствора, поступающего на щетки и обрабатываемую поверхность. Секция А (рис. 39) имеет щетки только с одной стороны, которые удаляют заусенцы, оксидную пленку и тонкий слой меди. С обратной стороны плата прижимается стальным роликом. Секция Б производит очистку с помощью нейлоновых щеток с обеих сторон с участием моющей жидкости. Две одинаковые секции В с помощью щеток и чистой воды удаляют щеточную и металлическую пыль, промывают платы от моющей жидкости. При использовании рассматриваемого оборудования на операции удаления фоторезиста на щетки подается соответствующий растворитель, например керосин с эмульгатором, и давление щеток ослабляется для того, чтобы не повредить металлический рисунок. [c.126]

Назначение пленок — обеспечить избирательное введение легирующих примесей в кремний с образованием заданного рисунка электрической цепи. Легирование осуществляется при высоких температурах, и поэтому для защиты поверхности используется тонкая пленка диоксида кремния. От рисунка на этой пленке зависит, будет ли кремниевая подложка открыта для введения примесей. Для формирования рисунка и перенесения его на слой диоксида кремния применяются органические материалы, называемые фоторезистами. [c.134]

Разрешение и точность рисунка в маскирующем слое фоторезиста. ..............614 [c.559]

Чтобы уменьшить до минимума влияние дифракции, пластины типа ВР обычно подвергаются проверке на оптимальную резкость и четкость самых тонких линий на рисунке. Если такие линии рассматривать под микроскопом при 1200-кратном увеличении, то можно установить, что они состоят из отдельных частиц серебра размером около 0,25 мкм [55]. Поскольку теоретически тонкие слои фоторезиста могут такую структуру растворить для предотвращения образования разрывов в линиях обычно используются слабо рассеянный поток света, а также эффекты рассеяния. Однако в оптимальных условиях получения узких линий более широкие линии по продолжительности экспонирования передерживаются и поэтому эти линии имеют недостаточную четкость, вокруг них образуется ореол, который становится еще более заметным после экспонирования фоторезиста через такой фотошаблон [55]. [c.585]

Нижний предел по толщине обнаруживается тогда, когда фоторезист избыточно разбавлен, в результате чего в покрытии образуются разрывы. В более толстых пленках, толщиной 1—2 мкм, при травлении и образовании проколов создается дополнительная защита за счет некоторого уменьшения разрешающей способности и образования зернистости в слое фоторезиста. Такие пленки обычно получают нанесением двух тонких покрытий, одно поверх другого. В покрытиях фоторезиста AZ-1350 при увеличении толщины резко уменьшается разрешающая способность. Более подробно этот вопрос рассматривается в разд. ЗД, 1). Толщина покрытия фоторезистов фирмы Кодак должна составлять около 1/3 ширины самой тонкой линии рисунка [55]. [c.599]

Проявление и окончательная сушка фоторезиста. Хотя проявление рисунка рельефа в слое фоторезиста и может быть выполнено окунанием, с последующим замачиванием при одновременном слабом встряхивании, однако более широко применяют и обычно рекомендуют разбрызгивание проявителя на покрытие подложки. Так как в этом случае происходит непрерывное обновление растворителя и умеренное механическое воздействие струи на покрытие, все это ведет к сокращению продолжительности проявления и, следовательно, к уменьшению набухания коллоидной системы, а значит, и лучшему поддержанию требуемых размеров деталей в рельефе и в покрытии [55]. При этом чаще всего применяют короткие выдержки (от 10 до 60 с), с многократным последующим опрыскиванием безводными составами. Остаточный растворитель сдувается с поверхности чистым сжатым воздухом или азотом. Эту операцию удобнее всего проводить в управляемых, автоматических установках для проявления. Такие установки выпускаются промышленностью. В этих установках можно обрабатывать одновременно несколько подложек с автоматическим циклированием проявления и промывания. Растворители наносятся через сопла, встроенные в распылитель, в тот момент, когда подложки удерживаются вакуумными держателями. [c.602]

Основными факторами, которые определяют качество вытравленных рисунков в тонких пленках, являются разрешение и точность рисунка в (защитном) покрытии фоторезиста, степень подрезания (подтравливания) в процессе травления и наличие проколов разрывов в полимерном защитном слое. В дальнейшем и будут рассмотрены этн вопросы. [c.614]

Максимальное разрешение рисунков в слое фоторезиста, полученное на липпмановских пластинах методом контактной печати [c.615]

Фотолитография включает след, стадии нанесение слоя фоторезиста на пленку 8Ю2, покрывающую кремниевую пластину экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора проявление слоя фоторезиста получение оксидной маски травлением пленки 810 через окна в проявленном фоторезисте удаление фоторезиста. Используют фотолитографто контактную (фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекщюнную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю пов-сть пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом (шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию. [c.557]

Ф. обычно включает 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки 2) сушку фоторезиста при 90-110 °С для улучшения его адгезии к подложке 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стжло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения осуществляется с помощью ртутных ламп ( и контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе) 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения imeM удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг. р-рителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрьп ия (маски) при 100-200 С для увеличения его стойкости при травлении 6) травление [c.171]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

Для того чтобы провести стравливание по определенному рисунку, необходимо защищать места, которые не следует подвергать травлению, слоем материала, устойчивого при этой химической операции. Такие материалы называют резистами (англ. resist— устойчивый). Если резист является светочувствительным и это свойство удается использовать для создания слоя резиста с нужным рисунком, то такой резист называют фоторезистом. [c.8]

В процессе длительного использования органических фоторезистов в основном решены вопросы создания однородных слоев с минимальным разбросом толщин. Это и определило идею разработки фоторезистов-диффузантов, обладающих точностью дозировки примесей, а также технологичностью нанесения, присущих фоторезистам. Схема селективного легирования из фоторезиста-диффузанта приведена на рисунке VI. 1. [c.196]

Фоторельефной печатью называют образование рельефного рисунка на подложке путем нанесения сплошного слоя фотополимер-дой композиции ФПК или фоторезиста ФР и последующего избирательного экспонирования рисунка, его проявления и закрепления. Под действием экспонирующего ультрафиолетового излучения (>1=0,35—0,5 мкм) происходит фотолиз — фотонное инициирование химических реакций. Фотолиз протекает как свободнорадикальная цепная реакция, идущая с нарастающей скоростью. Диффузия свободных радикалов в вязкой среде слоя ФПК настолько незначительна, что фотолиз протекает строго в освещенных участках, обеспечивается высокая разрешающая способность. [c.186]

В том случае, когда пленочный фоторезист наносится с целью защиты от вытравливания (негативный процесс) применяют фоторезист толщиной 20 мкм, для защиты от осаждения металла при гальванических операциях используются фоторезисты толщиной 40 и 60 мкм. После накатки СПФ заготовки плат выдерживают в течение 30 мин при комнатной температуре в темном месте для снятия внутренних напряжений, после чего платы подвергают экспонированию. Операция экспонирования заключается в следующем на слой фоторезиста в специальном приспособлении, обеспечивающем точное совмещение рисунка схемы с отверстиями на заготовке, накладывается фотошаблон печатной схемы приспособление помещается в светокопировальную раму, где под действием сильного источника света (ртутно-кварцевые лампы) происходит задубливание фоторезиста на освещенных участках. Продолжительность экспонирования подбирают опытным путем в пределах 0,5—2,0 мин. После экспонирования следует операция проявления, т. е. растворение и удаление фоторезиста с незадубленных светом 216 [c.216]

Так, в фоторезист OMR-83, содержащий циклокаучук и диазид I, вводят 1-ЭТ0КСП-4-(4-N,N-диэтилaминoфeнилaзo)бeнзoл. Эта композиция, нанесенная на кремниевую подложку толщиной слоя 1 мкм, выдерживает 20-минутный нагрев перед экспонированием (60 или 80 °С) без заметного снижения поглощения слоя. После проявления слой обеспечивает разрешение 2,5 мкм и точно воспроизводит рисунок элементов щаблона. [c.149]

Передача рисунка с фотошаблона на фоторезистив-ное покрытие обычно производится контактной печатью, при которой фотошаблон непосредственно накладывается на подложку, покрытую слоем фоторезиста. Таким путем удается получать минимальные размеры в 10— 15 мк. При более мелких размерах малое расстояние между фотошаблоном и подложкой может привести к нежелательным дифракционным эффектам в процессе [c.58]

Фотопечать. Для получения заданного рисунка схемы нро-воднйков на поверхность заготовки наносят сплошной слой светочувствительного материала (фоторезиста), на который накладывают фотопленку с негативным или позитивным изображением печатной схемы. [c.84]

В других методах изготовления масок комбинируют химическое трап-ление с гальваническим нанесением материала для создания послоПных покрытий. Процесс так называемого гальванического покрытия иллюстрируется на рис. 2. Тонкопленочный рисунок, который должен получиться в результате напыления, вначале появляется в виде изображения в слое фоторезиста на плоской медной пластине, толщина которой 0,05 мм. Затем на эту пластину гальваническим методом наносится слой никеля толщиной немного меньше толщины слоя фоторезиста, чтобы избежать за.хлестыва-ния края и перекрытия линий рисунка в слое фоторезиста. После удаления фоторезиста селективно вытравливается медь. Если удалось избежать перетравливания, то получается отверстие, образуемое только тонкой [c.562]

Формирование рисунка фотолитографическими методами основано на использовании поли.мерной пленки заданной конфйгурации, нанесенной на поверхность металлических или изолирующих пленок, покрывающих всю поверхность подложки. Рисунок микросхемы наносится на маскирующее покрытие из полимерной пленки и повторяется в пленке металла или изолирующего слоя вытравливанием незащищенных участков. Маскирующее покрытие ) из полимерной пленки создается с помощью полимерных фото-чувстнительных материалов, называемых фоторезистами, молекулярная структура и растворимость которых изменяются при облучении фотонами. Для того, чтобы выделить те участки, на которых следует изменить растворимость фоторезиста, и чтобы оградить их от воздействия светового излучения, необходимо иметь диапозитив или фотошаблон с рисунком требуемой конфигурации. Этот процесс аналогичен процессу контактной печати, применяемому в фотографии, за исключением того, что вслед за проявлением рисунка в слое фоторезиста, следует травление рисунка в пленке, на которую нанесен фоторезист и удаление полимерного маскирующего покрытия. [c.570]

Изображение с наибольшей разностью с четко проработанными краями рисунка получается тогда, когда плотность резко меняется до О при переходе от непрозрачного участка к прозрачному. Однако, к сожалению, из-за явления дифракции, о которой упоминалось в разд. ЗА, 2), такую резкость достигнуть практически невозможно. Размывание непрозрачных областей в с.межных участках в значительной мере усиливается за счет рассеивания света, особенно в том случае, когда сфокусированное изображение пропечатывается на сравнительно толстом слое серебряной эмульсии. Следовательно, переход от непрозрачного участка к прозрачному является плавным, а на фотошаблонах с довольно близко расположенными линия.ми на этом месте возможно образование вуали, т. е. области, содержащей малое количество серебра по всему промежутку между отдельными линиями. Когда имеет место явление образования вуали, то последующая проработка фоторезиста через такой фотошаблон очень критична, а иногда недостаток, вносимый этой вуалью, практически устранить невозможно. Различие оптической плотности, образованной в проработанных участках, преднамеренно или непреднамеренно называют контрастностью фотошабло- [c.584]

Если для экспонирования пластин со слоем хрома применяются шаблоны с галоидной эмульсией, то никакого выигрыша в увеличении разрешения получить не удается. Тем не менее, применяя соответствующее экспонирование на эмульсионном шаблоне, можно воспроизвести рисунок без изменения оптической плотности на краях линий. Пленку хрома или вытравливают полностью, или поддерживают ее первоначально заданную толщину в защищенных участках, благодаря чему хромовые фотошаблоны обеспечивают получение хорошей контрастности и четкой проработки края. Необходимо отметить, что это не всегда удается, потому что оптические дефекты в эмульсионном фотошаблоне могут повторяться в процессе печа тания. Многие дефекты эмульсионных фотошаблонов имеют или ничтожно малые размеры, или очень маленькую оптическую контрастность и поэтому не могут быть проявлены фоторезистом. Основное преимущество металли зированных хромом фотошаблонов — их высокая износостойкость. Свойствами, которые обеспечивают их долговечность, являются твердость, хо рошая адгезия и химическая инертность металлической пленки. Первое свойство уменьшает возможность образования царапин на рисунке, следующие два обеспечивают возможность удаления фоторезиста такими растворителями, которые будут растворять изображения в эмульсионном слое. Обычно продолжительность использования хромовых фотошаблонов оценивают от 100 до 500 контактных экспонирований, в зависимости от условий работы н искусства оператора. Пленки фоторезиста, которые защищают пленки хрома в процессе вытравливания, примерно в 10 раз тоньше слоя эмульсии галоида серебра и по своей природе они не зернистого строения. Поэтому хромовые фотошаблоны потенциально обладают большей разрешающей способностью, чем липпмановские пластины. Однако для того чтобы реализовать это преимущество, рисунок изображения необходимо создать непосредственно на металлизированной хромом пластине, покрытой слоем фоторезиста, оптическими методами, с применением аппаратуры, обеспечивающей требуемую разрешающую способность. Для этих целей успешно были применены обращенные микроскопические объективы, кото- [c.587]

Имеется большое число органических соединений, структура и растворимость которых изменяются под воздействием света, особенно под воздействием ультрафиолетовой области длин волн. Первыми материалами, которые, как было установлено, обладают такими свойствами, были природные вещества рыбий клей, гудрон, сахар или желатин, сенсибилизированные солями двухромовой кислоты [69]. Коллоидальные органические вещества этого типа в течение некоторого времени использовались для изготовления шкал и координатных сеток и для другого вида фотогравиро-вочных работ. Кроме того, светочувствительные вещества, а на практике это материалы типа фоторезистов, должны также обладать способностью образовывать однородные покрытия с хорошей адгезией, покрытия, которые не разрушаются никакими физическими или химическими методами, кроме травления. И, наконец, необходимо иметь селективные травители, чтобы сформировать, а в конечном счете полностью удалить рисунки в слое. фоторезиста. [c.588]

Нанесение фоторезистов. В том виде, в каком фоторезисты получают от поставщика, они содержат различные от партии к партии количества гелей к инородных частиц. Если эти примеси попадают в нанесенный слой фоторезиста, то они в значительной степени ухудшают качество проявленного рисунка. Поэтому в любом случае перед использованием рекомендуется фоторезисты подвергать фильтрации [84—86]. Обычно это осуществляется с помощью фильтров с очень мелкими порами, стойких к воздействию растворигелеи. Материалы такого типа имеются в промышленности. Это найлон, целлюлоза, а также тефлон с размерами пор от 14 до 0,25 мкм. Обычно во избежание засорения, операцию фильтрации проводят в две стадии. На первой стадии на установках сравнительно грубой очистки пол действием силы тяжести или рабочего давления фильтра удаляются 6o ib-шне частицы. После этого проводится тщательная фильтрация под давлением через фильтры тонкой очистки, с размерами пор или отверстий шириной около 1 мкм. Широко применяется метод, в котором фильтры тонкой очистки встраиваются в установки, с помощью которых фоторезисты наносятся на поверхность подложек. Видоизмененный метод очистки, в котором для удаления сферических частиц из фоторезистов типа KMER применен электрофорез, описан Тейлором [87]. Самый эффективный метод очистки был разработан одним из поставщиков интегральных микросхем [78]. Этот метод состоит из двух операций химической обработки — экст-ракции жидкости жидкостью с последующим центрифугированием, Тща- [c.596]

Фоторезист может экспонироваться любым источником света, имеющим достаточную мощность в области спектра, близкой к ультрафиолетовой. Большие по площади источники света применяются редко и только в случае использования подложек больших размеров. Свет от таких источников — рассеянный и не позволяет выявить мелкие детали рисунка, поэтому он применим только для разрешения широких линий (от 50 мкм до 0.5 мм). Рисунки с тонкими линиями экспонируются точечным источником света, например, от угольной дуги, лампы с высоким давлением, заполненной парами ртути, ксеноновой импульсной лампы, которые создают поток почти коллимированного света, если они находятся на достаточном удалении от подложки. Коллиматорные линзы необходимо отрегулировать эмпирически, потому что если свет отколлимирован тщательным образом, то он разрешает мельчайшие дефекты в защитном рельефе даже серебра, образуя таким образом островки или проколы в слое фоторезиста [62]. Однородность интенсивности света вдоль всей поверхности подложки получается лучше, если точечный источник удален на достаточно большое расстояние, чем в том случае, когда применяются коллиматорные линзы, особенно если эти линзы меньше рабочего поля изображения и если отсутствует апертура, которая перекрывает периферийные участки светового пучка [91]. [c.600]

Тщательное регулирование установки для экспонирования должно выполняться посредством тестовых рисунков [32]. Чтобы обеспечить воспроизводимость, энергопитание источника света должно быть тщательно отрегулировано. Для получения хорошей четкости тонких линий интенсивность излучения при экспонировании не должна отклоняться от оптимального вначения больше чем на 5—10% [65]. Следовательно, интенсивность излучения по всей поверхности подложки должна либо регулироваться непрерывно, либо проверяться периодически. Несмотря на то, что фоторезисты позволяют изменять экспозицию в широких пределах, явления дифракции, влияющие на качество фотошаблонов, вызывают необходимость поддерживать упомянутую выше точность. Передержка, например, приводит к образованию в слое фоторезиста поперечных связей на некоторых участках под защитным рельефом фоторезиста, вне зоны максимальной плотности. Расширение экспонированных участков под слой рельефа производится также и за счет диффузии рассеянного света в слое фоторезиста из-зя отражения от поверхности пленки или подложки, находящейся под ней. В результате этих явлений линии расширяются, иногда на величину до 2,5 мкм. С другой стороны, недодержка приводит к образованию более опасных дефектов, чем те, к которым приводит образование поперечных связей При проявлении изображения может быть вытравлен весь рисунок. В случае позитивных фоторезистов, наоборот, недостаточно экспоин-роваиный pH ynoiK целиком остается под вуалью нерастворенного полимера. Эти выводы также указывают на то, что продолжительность оптимальной выдержки зависит от толщины. [c.601]

Другими возможными причинами расширения линий могут быть неудовлетворительная плоскостность подложки, плохое качество обработки ее поверхности и плохой контакт между поверхностями слоя фоторезиста и фотошаблона. Поскольку излучение от любых источников света в какой-то степени рассеивается, то в соответствии с геометрическими правилами оптики любой зазор между слоем эмульсии в поверхности фотошаблона и слоем фоторезиста приводит к расширению экспонированного участка. Степень влияния этих эффектов на качество рисунка зависит от возможностей установки рисширение линий пропорционально величине зазора между фотошаблоном и подложкой. В одном из конкретных случаев уширение линии с обоих краев составило около 6 мкм, тогда как расстояние между фотошаблоном и подложкой было преднамеренно установлено в 25 мкм 93]. При условии совершенно гладких поверхностей фотошаб- [c.601]

Даже при самом тесном контакте фотошаблона и подложки, в случае пониженного давления остается оптический промежуток между слоем фоторезиста и шаблоном. Для уменьшения этого промежутка экспонирование осуществляют в жидкой среде с соответствующим коэффициентом отражения. Было осуществлено экспонирование при погружении в масло. Уста-иоълто, что в этом случае в рисунке на слое фоторезиста образуется меньше дефектов, потому что царапины в стеклянном фотошаблоне при -этом делаются невидимыми [62]. Тем не менее этот метод на практике широкого распространения не получил. [c.602]

Разрешение и точность рисунка в маскируюшем слое фоторезиста. Разработчиков, - анимающихся изготовлением тонких пленок, прежде всего интересуют следующие вопросы каковы наименьшие размеры рисунка, [c.614]

Адгезия фоторезиста и подтравливание. Для того, чтобы реализовать максимальные разрешение и тoчнotть в защитном покрытии фоторезиста, необходимо, чтобы рисунок находился под слоем фоторезиста и точно повторял рисунок, созданный в полимерном слое, как это показано на рис. 16,0. На практике таких идеальных случаев не встречается, потому что химические травители одинаково воздействуют на материал пленки как в горизонтальной, так и в вертикальной плоскостях. В поликристалли- [c.617]

Дефекты в фотошаблоне и проникновение травителя. Еще одним критерием качества вытравливаемых рисунков является сложность защитного рельефа в слое фоторезиста. При отсутствии ошибок в конструкции чертежей и без учета легко обнаруживае.мых больших дефектов, трещины в вытравленном рисунке могут возникать по двум причинам. Первая — наличие микродефектов в стеклянных фотошаблонах вторая — неудовлетворительная стойкость полимерного защитного рельефа к проникновению травителя под защитный слой. Фотошаблоны на основе стеклянных фотопластин очень восприимчивы к образованию небольших дефектов как в процессе их производства, так и в процессе их эксплуатации. Такими дефектами могут быть — некачественное покрытие эмульсией, наличие проколов, царапин, частичек пыли, волокон на поверхности покрытия. На сформированном слое поли.мерного рельефа такие дефекты являются причиной, приводящей к локально.му изменению контрастности изображения. Характер дефектов, образующихся в тонкопленочном рисунке в результате дефектов уже и.меющихся в фотошаблоне, зависит еще и от типа используемого фоторезиста и от природы материала пленкн, которая подвергается травлению. Детально этот вопрос рассматривался Плаффом с сотрудника.ми [129]. Основные выводы по образованию, развитию дефектов можно сделать по данным, представленным на рис. 13 и в табл. 11. [c.620]

В обычной фотолитографии слой фоторезиста наносится поверх слоя пленки, которая затем подвергается травлению и представляет собой позитивное изображение рисунка, который в дальнейшем должен быть изготовлен, Существуют также и обратные методы, когда негативный защитный рельеф сначала создается прямо на подложке, после чего уже на него осаждается, например, пленка металла, В результате этого пленка осаждается непосредственно на подложке только в незащищенных участках, Последующие операции приведены на рис, 17. На конечной операции зашигный рельеф удаляется растворителем, который взаимодействует только с материалом защитного слоя, но не с материалом пленки. Для того, чтобы этот метод мог быть применим, необходимо хорошее сцепление с подложкой, [c.624]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология