Коэффициенты кристалла

Входящие в интеграл столкновений времена релаксации Ц Т[/ имеют весьма сложную температурную зависимость, которая только при низких температурах является в определенном смысле универсальной. Но прежде чем обсуждать кинетические коэффициенты кристалла при низких температурах, уместно дать строгое определение этой температурной области и кратко охарактеризовать равновесные свойства фононного газа при таких температурах. [c.165]

Было предпринято много попыток установить связь между перенапряжением водорода на данном металле и каким-либо другим его физическим свойством каталитической активностью по отношению к реакции рекомбинации свободных атомов водорода, теплотой плавления металла или теплотой его испарения, работой выхода электрона, минимальным межатомным расстоянием в решетке кристалла, коэффициентом сжимаемости и т. п. В результате исследований было отмечено, например, что чем выше температура плавления, тем ниже перенапряжение водорода однако это наблюдение нельзя рассматривать даже как приближенное правило. Бонгоффер (1924) нашел, что чем выше каталитическая активность металла по отношению к реакции рекомбинации атомарного водорода, тем ниже на нем перенапряжение водорода [c.399]

Добавление посторонней соли к раствору увеличивает ион-ну о силу этого раствора и уменьшает коэффициент активности той соли, которая находилась в растворе до введения посторонней добавки. Уменьшение коэффициента активности приводит к увеличению растворимости, имевшейся в первоначальном растворе соли, поскольку активность кристаллов постоянна, [c.515]

Третья глава посвящена проблемам определения параметров кристаллизации (коэффициентов массоотдачи скоростей роста, растворения кристаллов, зародышеобразования параметров агрегации и дробления частиц). Приведены подробные методики определения скоростей роста и зародышеобразования в ячейках различного типа (смешения, трубчатого типа и т. п.). [c.6]

Явления четвертого уровня иерархии определяют гидродинамическую обстановку в локальном объеме аппарата. Под локальным объемом понимается объем, который мал по отношению ко всему объему аппарата, но его размеры таковы, что в нем содержится достаточно много кристаллов дисперсной фазы. Основными количественными характеристиками данного уровня иерархии являются нормальные и касательные напряжения, значения деформаций и скоростей деформации, коэффициенты вязкости, диффузии, теплопроводности, скорость собственно кристаллизации и т. д. [c.10]

Здесь <71 —внешний поток тепла, при отсутствии лучистой передачи тепла можно принять закон теплопроводности внутри несущей фазы в виде ql = —X VT , Я,,—коэффициент теплопроводности материала фазы 1. По аналогии с (1.36) введем выражение для изменения поверхностной энергии кристаллов размера (объема) г за счет перехода их из группы в группу при росте или растворении [c.23]

Определим кинетические коэффициенты 3 %.. На поверхности кристалла имеются адсорбированные частицы. Из-за обмена частиц между ступенью и адсорбционным слоем на поверхности частицы присоединяются к кристаллу в изломах и около ступени устанавливается значение химического потенциала адсорбированных частиц, близкое к цгл [70—71]. Адсорбционные частицы совершают тепловые колебания в трех направлениях перпендикулярном к поверхности кристалла и двух параллельных ей. Флюктуации первого колебания ведут к отрыву частицы от поверхности кристалла и в дальнейшем к переходу в несущую фазу, колебания второго типа обеспечивают диффузионную миграцию частиц вдоль поверхности кристалла к ступеням [70, 71]. Пусть перемещение элементарной ступени происходит вследствие плоской диффузии в одном направлении. Тогда поток вещества к излому на ступени мож- [c.79]

В качестве второй системы рассматривались раствор и кристаллы щавелевой кислоты. Были проведены эксперименты в пределах температур 303—323 К, концентраций 13—21%, при различных массах кристаллов (0,2-7 мг) по растворению кристаллов щавелевой кислоты в трубе ячейки. Система уравнений, описывающая движение, растворение кристалла совместно с явлениями тепло- п массообмена, аналогична предыдущей. В [72] исследовалась данная система, в качестве движущей силы было принято пересыщение ii—с, (растворение идет в диффузионной области), была найдена зависимость Sh = /1 Re" для определения м- В настоящей работе в качестве движущей силы было взято соотнощение (1.238). Неизвестным параметром являлся коэффициент массоотдачи. В результате расчета системы для кристаллов различных размеров при различных условиях с учетом (1.238) была подтверждена зависимость (8Ь = Л Re ) ошибка в определении скорости растворения кристаллов по найденному соотношению снизилась на 7% по сравнению с ошибкой, определенной в [72]. [c.80]

Рассмотрим массообмен между частицей и сплошной средой, когда сопротивление переносу сосредоточено в самой частице. В этом случае изменением концентрации во внешнем потоке можно пренебречь. Такие задачи будем называть внутренними. Так, если к внешним задачам относили определение коэффициентов массоотдачи, то к внутренним — нахождение кинетических коэффициентов роста и зародышеобразования кристаллов. Вид кинетических коэффициентов определяется из теорий роста, экспериментальных данных. Все существующие теории роста кристаллов можно разделить на три категории [33] 1) теории, описывающие рост кристаллов с чисто термодинамической точки зрения, имеющие дело с идеальными кристаллами (без дефектов решетки) 2) дислокационные теории, учитывающие, что источником ступеней при росте плоскостей кристалла являются дислокации 3) теории, описывающие рост кристалла, как кристаллохимические реакции на поверхности. [c.262]

Зависимость среднего коэффициента кристалли 1аццп О для радия в системе 2804—11а304—И О от общей концентрации ионов Ка при 25° [c.254]

I) возникают при измерениях и в области фазовых переходов, что обусловлено, с одной стороны, высоким температурным коэффициентом кристалла и, с другой - громоздкостью и высокой теплопроводностью нахреваемых узлов измерительных установок на СВЧ, что приводит к неприемлемой в области переходов нестаг-бильности температуры образца. Вероятно, это является главной причиной того, что диэлектрический спектр ВаТ Оз в области фазовых переходов до настоящего времени не исследовался несмотря на очевидность большого значения таких измерений для получения новых данных о кинетических процессах сегнетоэлектрического упорядочения, предшествупцего фазовым переходам. [c.57]

Десублиматоры выполняют в виде аппаратов с теплообмеиными поверхностями. Работа данных аппаратов осложняется тем, что на поверхностях теплообмена оседают кристаллы продукта, что ухудшает коэффициент теплопередачи кроме того, кристаллами зарастает также и сечение аппарата. Особенно интенсивно происходит зарастание аппарата, когда имеет место так называемая десублнма-ция в объеме, т. е. вследствие переохлаждения [c.185]

Фильтрационная характеристика может изменяться из-за селективной виутрипо-ровой кольматации, которая происходит, например, в результате химического взаимодействия раствора тринатрийфосфата с пластовой водой. Кристаллы выпадающи.ч при этом солей закупоривают поры, промытые водой, способствуя лучшему вытеснению нефти из непромытой зоны и, следовательно, увеличению коэффициента охвата лласта [c.103]

П фактор. Образование малорастворнмых кристаллов солей происходит в результате взаимодействия сульфат и сульфат-ионов с солями кальция. Получающиеся при этом кристаллы сульфата и сульфоната кальция частично закупоривают наиболее промытые водой поры и трещины, увеличивают в них кажущуюся вязкость вытесняющей воды, способствуя тем самым движению закачиваемых масс воды в направлении нефтенасыщенных пор, что в конечном счете приводит к выравниванию фронта вытеснения и увеличению коэффициента охвата пласта заводнением. Лабораторными исследованиями установлены зависимости нефтеотдачи от наличия кристаллических осадков солей в пористой среде (рис. 72). При больших концентрациях нерастворимых солей в вытесняющей среде эффект будет снижаться, а кривая в общем случае имеет математический максимум. [c.136]

Понятие о координационном чнсле применяют не только ири рассмотрении окружения атомов в кристаллах, но и в свободных молекулах (в газах) и в многоатомных ионах, существующих в растворах. Для большинства металлов в кристаллах к. ч. равно 12, что соответствует наиболее плотной упаковке. Радиусы атомов и ионов зависят от к. ч. Значение радиуса Га или ri при другом к.ч. можно найти умножением г при данном к.ч. на определенный коэффициент. Так, при уменьшении к.ч. от 12 до 8,6 и 4 Га, отвечающий к.ч. = 12, нужно умножить соответственно на 0,97 0,96 и [c.51]

Книга состоит из четырех глав. В первой главе, посвященной качественному анализу структуры процесса массовой кристаллизации как сложной ФХС, вскрываются особенности данной ФХС как на языке смысловых, лингвистических построений, так и на языке точных математических формулировок, причем в последнем случае обсуждаются два подхода — феноменологический (детерминированный) и стохастический. На уровне детерминированного подхода формулируется обобщенная система уравнений термогидромеханики полидисперсной смеси с произвольной функцией распределения кристаллов по размерам с учетом роста, растворения, зародышеобразования, агрегации и дробления кристаллов. Особое внимание уделено описанию процесса вторичного зародышеобразования. На основе термодинамического подхода получены теоретические зависимости для структуры движущих сил вторичного зародышеобразования при бесконтактном и контактном зародышеобразовании. Стохастический подход представлен методом пространственного осреднения, развитого в последние годы в механике гетерогенных сред, а также методами фазового пространства и стохастических ансамблей для описания стохастических свойств процессов массовой кристаллизации. На основе метода пространственного осреднения получено уравнение типа Колмогорова— Фоккера — Планка с коэффициентом диффузии, учитываю- [c.5]

В качестве первой исследуемой системы выбирались раствор и кристаллы алюмоаммонийных квасцов. Система уравнений, описывающая движение, рост кристалла совместно с явлениями тепло-и массообмена (следствие из системы (1.58)), решалась для двух значений температур (вариант I—7 i=--293K варпант II—7 j= = 295 К при Сц=126 кг/м в обоих вариантах) при различных начальных значениях масс кристаллов (0,5—1,2 мг). Неизвестными являлись кинетический коэффициент е и параметр Ua в (1.251). Неизвестные параметры определялись из сопоставления экспериментальных и расчетных данных по скорости осаждения, методом сканирования в достаточно широком диапазоне значений. Для всех вариантов величины параметров (е = 43,8 см/с f7<.= 13 250 Дж/ /моль) совпали (относительная ошибка менее 8%). Одинаковые величины объясняются независимостью параметров е и от массы кристаллов. Коэффициент B vd, где < - 10 см, v s[10 — [c.80]

Легко видеть, что уравнение (1.547) получается из уравнений (1.539), (1.545), (1.546). Тем самым показано, что для одной стадии кристаллизатора МЗМРН коэффициент вариации на вес составляет 50%- Чтобы получить коэффициент вариации 20%, легко достигаемый в циклическом процессе (аппараты типа РС ОТВ), потребовалось бы 22 последовательных стадии. Очевидно, что сам по себе ступенчатый процесс является весьма неэффективным способом сужения распределения кристаллов по крупности даже при предположении, что условия образования центров кристаллизации не встретятся ни на какой стадии, кроме первой. [c.140]

Здесь die, dsi, d —диаметры частиц, составляюших 16, 84, 50% мае. соответственно. В работе [122] составлена таблица распределения кристаллов и коэффициента вариации V для большого числа различных материалов, полученных на нескольких полупромышленных и промышленных установках. Для аппаратов типа MSMPR коэффициент вариации колеблется от 25 до 54%. Для аппаратов типа F и DTB (с классифицированным отбором) колеблется от 12 до 30%. [c.142]

Построим математическую модель процесса массовой кристаллизации в аппарате типа SPR с принудительной циркуляцией. Полагаем, что основная масса зародыщей возникает в нижней части аппарата. Такое предположение наиболее вероятно, так как в нижней части пересыщение раствора и объемная концентрация твердой фазы больше чем во всех остальных участках аппарата. Тогда для моделирования процесса кристаллизации в данном аппарате (при установившемся режиме работы) рассмотрим трехскоростную однотемпературную среду. Первая фаза—раствор, поднимающийся вверх со скоростью v , вторая фаза — кристаллы, опускающиеся вниз под действием силы тяжести со скоростью v , и третья фаза — кристаллы, увлекаемые потоком жидкости и поднимающиеся вверх со скоростью до тех пор, пока сила гидродинамического давления не уравновесится силой тяжести кристаллов. Функцией распределения кристаллов по размерам будем пренебрегать (так как для аппаратов этого класса коэффициент вариации мал). Полагаем, что в поперечном сечении аппарата кристаллы, принадлежащие /-й фазе (/ = 2, 3), являются сферами одного диаметра зависимость равновесной концентрации от температуры раствора в узком диапазоне температур можно представить в виде линейной ,=aiT- -bi. Система (1.62) при принятых допущениях принимает вид [c.212]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология