Форма роста кристаллов

Дендритный рост как особая форма роста кристаллов наблюдается в тех случаях, когда процесс кристаллизации протекает очень быстро, например, при резком охлаждении расплава или раствора. Если переохлаждение намного больше критического, то не происходит даль- [c.334]

Механизм роста кристаллов фторфлогопита. Механизм роста определяется как порядок отложения кристаллизуемого вещества на гранях. Его отражают морфология поверхности и формы роста кристаллов. Для кристаллов слоистой структуры характерен слоевой механизм роста. [c.41]

Одна из возможных форм роста кристаллов асбестов—нитевидная. Под нитевидными подразумевают кристаллы с большим отношением длины к диаметру, составляющему не более 25 мкм. Нитевидные кристаллы достаточно широко распространены в природе. Прочность нитевидных кристаллов в сотни раз больше прочности соответствующих крупнокристаллических веществ и приближается к теоретической, рассчитанной на основе сил межатомного взаимодействия. [c.103]

Рассмотренная группа работ является хорошим примером эффективности электронной микроскопии в изучении тонких деталей механизма роста кристаллов. Установить спиральную форму роста кристаллов и определить высоту ступенек можно также при помощи фазоконтрастных микроскопов (см., например, [1]), однако для определения ширины ступенек, обнаружения зародышей и для изучения процесса зарождения дислокаций Рис. 43. Схема строе-необходима высокая разрешающая способ- ния микрокристалла [c.171]

Рис. 12. Форма роста кристаллов гексаметилентетрамина (а) и форма, образовавшаяся при закаливании этих кристаллов (б). Индексы граней а — (011) 6 —(001),

Ситуация значительно усложняется, если температурное ноле зависит от двух пространственных координат. В этих условиях требуется определить не только закон перемещения границы раздела фаз, но и эволюцию ее формы в ходе процесса. Здесь возникает проблема устойчивости различных форм роста кристаллов [25, 26], которая может решаться как при стационарном режиме кристаллизации, так и в нестационарных условиях (см., например, [27]). [c.11]

При анализе четвертого допущения следует отметить следующее. Одной из важнейших задач современной теории роста кристаллов является установление устойчивых форм роста кристаллов в различных условиях. При определенных условиях плоский фронт кристаллизации оказывается неустойчивым [26, 351. Это явление весьма важно, в частности потому, что многие особенности структуры слитка определяются именно морфологией границы раздела фаз при формировании литой структуры. Нарушение устойчивости плоского фронта кристаллизации вследствие независимого зарождения кристаллов в объеме переохлажденного расплава перед ним или в результате выбрасывания дендритов естественно отражается на конечной структуре слитка. [c.24]

Следует подчеркнуть, что обычно анализируется устойчивость плоского фронта кристаллизации, движущегося с постоянной скоростью V. При этом, однако, не рассматривается вопрос об условиях реализации постоянного значения г и о времени, которое необходимо для установления соответствующего квазистационарного состояния. Специально проведенные теоретические исследования приводят к заключению, согласно которому относительно устойчивой зависимостью длины кристалла от времени при последовательной кристаллизации является у ( ) — 1/ i. Таким образом, необходимо развитие теории устойчивости форм роста кристаллов в нестационарных условиях. [c.249]

Особые формы роста кристаллов........ [c.8]

ОСОБЫЕ ФОРМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ [c.333]

В работе [139, с. 122] для выращивания монокристаллов сульфида кадмия контролируемого состава из паровой фазы предложена специальная конструкция эвакуированной кварцевой ампулы, заполненной аргоном. Крупные монокристаллы dS получены методами сублимации в разных условиях в вакууме при температуре 1200° С и температурном перепаде АТ = 100°, среде аргона при температурах 1150—1775° С [162, с. 20, с. 1357 164]. В работах Б. М. Булаха изучены условия роста монокристаллов dS из паровой фазы при участии газа-транспортера. Выяснено, что главные факторы, определяющие возникновение различных форм роста кристаллов, — это соотношение исходных компонентов и температура в зоне роста предложена модель, объясняющая происхождение этих форм. На основании того, что рост происходит в условиях, когда имеется нестехиометрическое соотношение исходных компонентов, предполагается образование в паровой фазе различных по структуре комплексов атомов d и S в разных соотношениях, например ( d—S) , ( da—S) или ( dj—S) . Различная ориентация этих комплексов определяет те или иные формы роста, которые наблюдаются на практике (призмы, пирамиды, углы, пластинки, усы). Описан термодинамический метод определения условий синтеза монокристаллов dS из газовой фазы, получены зависимости температур испарения исходных элементов от температуры кристаллизации [162, с. 20]. [c.53]

В присутствии поверхностно-активных веществ резко изменяются формы роста кристаллов — это может иметь значение при образовании кристаллов лекарственных препаратов. [c.89]

Были развипы следующие мегоды неравновесной термодинамики метод термодинамических функций Ляпунова (вблизи и вдали от равновесия), вариационный принцип минимума производства энтропии, анализ производства энтропии дпя определения движущих сил и закономерностей в кристаллизации. Движущие силы кристаллизации помимо разности химических потенциалов содержат также энтальпийную составляющую, характеризующую тепловую неравновесность системы. Рассмотрена роль этих вкладов для систем с высокими тепловыми эффеетами при кристаллизации, например, ортофосфорной кислоты Анализ производства энтропии системы с фазовыми превращениями позволил подтвердить распределение Хлопина для макрокомпонента и примеси (случай полного термодинамического равновесия), получить новые закономерности (и проверить их на ряде систем) для распределения компонентов при частичном равновесии. На основе вариационного принципа минимума производства энтропии определены закономерности для стационарных форм роста кристаллов, предельного пересыщения и т.д. Используя метод избыточного производства энтропии нашли новый класс осцилляторов, роль которых могут играть процессы кристаллизации, протекающие за счет химической реакции Используя кластерную теорию пересыщенных растворов, методы нелинейной динамики, было создано математическое описание, учитывающее колебания (в том числе и на термодинамической ветви) в кристаллизации, определены причины их возникновения. Разработаны алгоритмы управления (с обратной связью и без неё) хаотическими колебаниями в системах с кристаллизацией [c.21]

Реальные формы роста кристаллов всегда отражают не только симметрию точечной группы кристалла, но и влияние внешних условий роста положение кристалла во время роста, наличие соседних кристаллов, действие силы тяжести, влияние концентрационных потоков, равномерность или неравно- [c.364]

Зарождение кристаллов 65. Основные представления о росте кристаллов 66. Равновесная форма кристаллов 67. Реальные формы роста кристаллов 68. Макроскопические дефекты кристаллов [c.391]

Таким образом, читатель найдет в книге двух авторов изложение фундаментальных проблем кристаллизации на двух уровнях , что несомненно расширяет сферу действия этой книги. Здесь рассматриваются термодинамические движущие силы кристаллизации, дефекты кристаллов, зарождение кристаллов, строение поверхностей кристаллов в равновесии и в процессе кристаллизации, кинетика процессов на этой поверхности и в объемах прилегающих к ней фаз, термодинамически равновесное и неравновесное распределение примесей, образование форм роста кристаллов и их устойчивость, возникновение дефектов при росте монокристаллов. Все эти вопросы обсуждаются на основе как теоретических, так и, в несколько меньшей мере, экспериментальных результатов. [c.6]

Овсиенко Д. E. Влияние примесей на субструктуру и образование дислокаций в металлических кристаллах при росте из расплава.— В кн. Рост и дефекты металлических кристаллов. Киев, Наукова думка , 1972, с. 135—169 Бирман Б. И. О критерии устойчивости фронта кристаллизации и размерах субструктур роста при выращивании кристаллов из перемешиваемого расплава.— Там же, с. 169—177 Чернов А. А. Устойчивость форм роста кристаллов.—Там же, с. 75—95. [c.132]

С) устойчива моноклинная сера ( -сера). Она имеет более бледную окраску, чем ромбическая. Как и все кристаллы моноклинной сингонии, кристаллы -серы растут преимущественно в одном направлении, поэтому имеют игольчатую форму (рост кристалла в направлении одной из осей в данном случае не вызывает изменения углов между фанями). Кристаллы моноклинной серы легко наблюдать, если расплавленную серу частично закристаллизовать и затем слить жидкую фазу. При комнатной температуре образовавшиеся иглы сохраняют свою форму, но постепенно превращаются в конгломерат микроскопических кристалликов а-серы. [c.437]

Согласно приведенной теории, кристалл данного вещества может иметь только одну характерную для него форму. Однако это противоречит хорошо известным фактам о существенном изменении габитуса кристалла в зависимости от условий его роста (степени пересыщения раствора, температуры и т. д.). Таким образом, теория Гиббса — Кюри — Вульфа не может быть использована для объяснения конечных форм роста кристаллов, на что непосредственно указывал и сам Гиббс, предлагая свой вывод лишь для кристаллов, находящихся в равновесии с раствором. Следовательно, речь здесь может идти только о кристаллах субмикроскопических размеров, для которых, очевидно, еще сохраняется зависимость растворимости от их размера . В самом деле, по мере увеличения размера кристалла уменьшается относительная роль поверхностной энергии в значении полного термодинамического потенциала. Нарушение же термодинамического равновесия при изменении формы кристалла может компенсироваться неоднородностью состава и температуры окружающего раствора, а также количеством и качеством дефектов, возникающих на различных гранях кристалла во время его роста. [c.83]

Малкин В. И., К вопросу о зависимости формы роста кристаллов от ско рости роста, в сб. Проблемы металловедения и физики металлов № 4, 955, стр. ПЗ. [c.272]

В предыдущих разделах мы рассмотрели вопросы, связанные с тем, что является движущей силой кристаллообразования. Нельзя не упомянуть вопрос о том, какую форму принимает кристалл в процессе роста. Пусть описываемая система находится в стационарных условиях /i = onst, i= onst, A",, = onst. Под стационарной формой роста кристалла понимается форма, которую принимает кристалл при перечисленных условиях в случае, когда скорости роста граней постоянны во времени и в процессе роста кристалла сохраняется ориентация граней (рост кристалла рассматривается в кинетической области). В работе [70] получено соотношение, характеризующее стационарную форму роста кристалла [c.112]

Под влиянием этих факторов наряду с размерами кристаллов могут изменяться также форма и ориентация кристаллов, т. е. их взаимное относительное расположение. Преобладание определенной ориентации кристаллов в осадке, т. е. такое расположение кристаллов, когда одно или два кристаллографических направлений оказываются преобладающими, обычно называют текстурой. Чем больше кристаллов, имеющих данное направление роста по отношению к общему числу кристаллов, тем выше степень ориентации, или степень совершенства текстуры. В некоторых случаях текстура, так же как и размер кристаллов, является существенным фактором, определяющим те или иные свойства электролитических осадков (блеск, твердость и др.). Закономерности форм роста кристаллов подробно изучены К. М. Горбуновой [3] и И. А. Пангаровым [5]. [c.338]

Формы роста кристаллов определяются относит, пересыщением р-ра, к-рое в условиях Э. соответствует величине ехр (-nFr /RT) - 1 (Л - газовая постоянная), а также концентрацией разряжающихся ионов, условиями массопереноса, адсорбцией примесей. При малых плотностях тока через электрохим. ячейку и, соотв., низких перенапряжениях т наблюдается рост единичных кристаллов, в частности нитевидных. Кол-во металла, вьщеляющегося на еяинице площади пов-сти растущих граней при электролизе, сохраняется постоянным при разл. величинах силы тока и, соотв., общая площадь растущих фаней подстраивается к заданной плотности тока. Быстро растущие фани кристаллов вырождаются в процессе роста, кристалл оказывается оформленным медленно растущими фанями. В отсутствие тимесей кристаллы с гранецентрир. или объемпоцентрир. кубич. решетками обычно оформлены фанями (111), (100), (ПО). [c.431]

Источником материала для роста кристаллов железа служит мелкодисперсное железо, образующееся при распаде комплексов. При его недостатке разрастаются только активные участки кристалла, т. е. его ребра и вершины. Более сложные формы роста кристаллов железа — сростки (см. рис. 19, г) и ден-дриты. Наблюдается концентрация этих форм включений в поздних генерациях слюды, образовавшихся из остаточного расплава. Дендритный рост обусловлен наличием градиента концентрационного пересыщения и происходит в направлении <111>, что характерно для металлов с объемно-центрированной кристаллической решеткой. С дендритами железа сокристаллизуются остаточные силикатные и фторидные фазы лейцит, норбергит, хондродит, селлаит. [c.49]

Растворы хлоридов (СаСЬ, РеСЬ, Mg , Na l) являются минерализаторами при синтезе в кислых растворах железосодержащих амфиболов типа актинолита, ферроактинолита, рибекита. Ионы железа и кальция, входящие в состав амфибола, находятся в растворе в виде подвижных элементов, в то время как кремнеземсодержащая остается менее подвижной атомной группировкой. В этом случае также возникает анизотропия роста и амфибол кристаллизуется в виде волокон. Катализирующие растворы хлоридов и NaP способствуют возникновению волокнистых форм роста кристаллов и значительно ускоряют реакции образования амфиболов. [c.110]

Посвящена теоретическому анали-зу процессов возникновения и роста новой фазы в парообразных, жидких и твердых системах. В основу рассмотрения заложена — впервые выдвинутая автором — идея о том, что возникновение зародыша новой фазы непосредственно связано с флуктуацион-ными явлениями. Явления формирования новой фазы описываются с применением введенных Гиббсом термодинамических потенциалов. Впервые на этой основе автором было дапо исчерпывающее освещение проблемы пересыщения системы нри спонтанном зародышеобразовании и вскрыта природа метастабильности . На базе работ Р. Каишева и Н. Странского рассмотрен вопрос о равновесных формах и формах роста кристаллов. [c.2]

К постоянным простым формам роста кристаллов принадлежат куб, ро.мбододекаэдр и октаэдр, к нере.менным иолиэдрнческим формам — все остальные простые формы (h/г/ , для которых двугранные углы кристалла могут принимать различные значения. [c.52]

VII.81. КВг. Если КВг выращивается из водного раствора при переохлаждении ДГ <С 0,3° С, то образуются прозрачные совершенные кубические кристаллы. При переохлаждениях, больших 0,3° С, кристаллы растут непрозрачными, с большим количеством включений и полостей. Выше ДГ = 4° С образуются блочные кристаллы [Mason, Stri kland- onstable, 1966]. В этом случае перемешивание также оказывает лишь вторичное влияние на форму роста. Кристалл кажется состоящим из большого числа соприкасающихся кубиков. Эти кубики, однако, являются частями единого кристалла, хотя они и не вполне параллельны друг другу. Рентгеновский анализ показывает рассогласование до 3°. [c.252]

Саратовкин Д. Д., Куликов В. А., К а у ш а и с к а я П. И., Стереоскопические наблюдения скелетных и дендритных форм роста кристаллов. Известия Томского политехнического института, 95, 206 (1958). 273 [c.273]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология