Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Температура простых веществ

    На основании уравнения (П6.8) Гейтс и Тодос рассчитали критические постоянные для ряда металлов. Следует, однако, указать, что, хотя уравнение (П6.8) было рекомендовано Гейтсом и Тодосом для оценки критических температур простых веществ, значения Ткр, рассчитанные по уравнению (П6.8) для таких простых веществ, как гелий и ртуть, существенно отличаются от экспериментальных значений Ткр. [c.1026]


    Таким образом, электронная структура неметаллов четвертой группы придает им особые свойства, которые обусловливают огромное число их соединений, включая органические соединения и силикаты. При комнатной температуре простые вещества достаточно инертны, при повышении температуры реагируют как с неметаллами, так и с металлами, могут быть как окислителями, так и восстановителями. [c.404]

    Скорость большинства химических реакций с нагреванием возрастает. Так, синтез воды из простых веществ при 20° С осуществить практически невозможно, настолько мала скорость реакции при этой температуре. (Для проведения реакции при 20° С даже на 15% потребовалось бы 54 млрд. лет.) Но при 500° С эта реакция протекает всего за 50 мин, а при 700° С процесс осуществляется практически мгновенно. [c.195]

    Физические свойства. В соответствии с характером изменения структуры и типа химической связи закономерно изменяются и свойства простых веществ — их плотность, температура плавления и кипения, электрическая проводимость и др. Так, аргон, хлор р,г/см и сера в твердом состоянии являются диэлектриками, [c.235]

    Изменение стандартных энтропий простых веществ (рис. 127) проявляется в периоде прямо противоположно изменению температуры плавления. В периодах стандартная энтропия вначале уменьшается, [c.236]

    Как видно из рис. 129, энергия Гиббса образования Н 0 при низких температурах имеет отрицательное значение, а при высоких — положительное. Следовательно, этот оксид может образоваться только при низких температурах, а при нагревании он распадается на простые вещества. Поэтому, в частности, при обжиге сульфидных руд ок- [c.244]

    Зависимость А (3 от температуры на рисунке представлена в упрощенном виде. Здесь пе учтены фазовые превращения — плавление и кипение простых веществ и оксидов. [c.244]

    Для окончательного выбора способа и условий получения простых веществ восстановлением соединений необходимо учесть влияние температуры на скорость реакции. [c.245]

    Исключительно активно протекает взаимодействие фтора с большинством простых веществ. С серой и фосфором он взаимодействует даже I ри температуре жидкого воздуха (—190°С)  [c.281]

    Для всех же остальных оксидов азота ДО при всех температурах — величина положительная (рис. 157), так как А5 процесса образования их из простых веществ имеет отрицательное значение. Поэтому прямой синтез других оксидов невозможен. [c.360]


    Простое вещество. В виде простого вещества натрий — легкий (пл. 0,97), мягкий серебристо-белый металл со сравнительно невысокими температурами плавления (97,8°С) и кипения (883°С). [c.488]

    Бинарные соединения Pt (IV) получают прямым взаимодействием простых веществ при температуре красного каления или путем разложения соответствующих комплексных соединений. [c.616]

    Простые вещества. Медь, серебро и золото представляют собой металлы (соответственно красного, белого и желтого цвета) с гранецентрированной кубической решеткой. Поскольку у меди и ее аналогов в образовании связи принимают участие как П5-, так и (п—1) -электроны, то теплоты возгонки и температуры плавления у них значительно выше, чем у щелочных металлов. Медь, серебро и золото характеризуются исключительной (особенно, золото) пластичностью они превосходят остальные металлы также по тепло-и электрической проводимости. Некоторые константы рассматриваемых металлов приведены ниже  [c.621]

    Простые вещества. В виде простых веществ торий, протактиний, уран, нептуний, плутоний, америций, кюрий — серебристо-белые металлы с высокой плотностью и относительно высокими температурами плавления и кипения  [c.650]

    На рис. 1 представлена зависимость ДО от температуры для эндотермической реакции метана с парами воды и для экзотермической реакции образования метана из простых веществ. [c.13]

Рис. 1. Зависимость свободной энергии образования метана из простых веществ и взаимодействия метана с парами воды от температуры. Рис. 1. <a href="/info/629741">Зависимость свободной энергии</a> <a href="/info/413054">образования метана</a> из <a href="/info/3252">простых веществ</a> и взаимодействия метана с <a href="/info/122019">парами воды</a> от температуры.
    Термодинамика термического разложения метана. Общее представление о термической стабильности метана и его гомологов, по сравнению с термической стабильностью ацетилена, можно получить, рассмотрев зависимость стандартной свободной энергии образования углеводородов из простых веществ, отнесенной к одному атому углерода, от температуры (рис. 33). [c.100]

Рис. 33. Зависимость стандартной свободной энергии образования углеводородов из простых веществ, отнесенной к одному атому углерода, от температуры. Рис. 33. <a href="/info/629782">Зависимость стандартной свободной энергии</a> <a href="/info/316391">образования углеводородов</a> из <a href="/info/3252">простых веществ</a>, отнесенной к одному <a href="/info/10974">атому углерода</a>, от температуры.
    Закон Гесса дает возможность рассчитать теплоты множества различных реакций по минимальному числу теплот некоторых реакций. В качестве последних обычно принимают теплоты образования химических соединений. Теплотой образования соединения называется теплота образования (обычно при постоянном давлении) одного моля соединения и 3 соответствующих простых веществ. При этом считают, что простые вещества реагируют в виде той модификации и в том агрегатном состоянии, которые отвечают наиболее устойчивому состоянию элементов при данной температуре и при давлении 1 атм. [c.62]

    Равновесие диссоциации иодистого водорода и образования его из простых веществ изучалось статическим методом. Различные количества иода взвешивали в цилиндрических ампулах, которые затем заполняли водородом, другие ампулы заполняли чистым иодистым водородом. Все ампулы запаивали и затем выдерживали в термостате при постоянной температуре в интервале 300—500 °С. [c.271]

    Для определения удельной поверхности з обычно применяются изотермы адсорбции паров простых веществ (N2, Аг, Кг) при низких температурах (большие значения величины С). При этом за стандарт принята величина для азота, адсорбированного при —195 °С (78 °К) на графитированной саже, равная 16,2 А . Определив с помощью низкотемпературной адсорбции стандартного пара удельную поверхность адсорбента з, легко далее решить и обратную задачу—найти величину (и для какого-либо другого адсорбата, определив на опыте изотерму адсорбции его пара и найдя величину емкости монослоя а из графика, аналогичного показанному на рис. XVI, 9. [c.454]

    Дать сравнительную характеристику свойств образуемых галогенами простых веществ, указав характер изменения а) стандартных энтальпий диссоциации молекул Гд б) агрегатного состояния простых веществ при обычной температуре и давлении  [c.221]


    Причина достаточно проста поскольку наиболее часто проводят расчеты реакций при высокой температуре в газовой фазе, то их удобно вести по термодинамическим функциям газообразных веществ, а не вводить соотношения, учитывающие фазовые переходы. Теплоемкость газообразного бензола при 298 К или любого другого конденсированного вещества находят экстраполяцией экспериментальных данных, полученных при более высоких температурах, когда вещество находится в газовой фазе. [c.52]

Таблица 57. Энтальпии и энергии Гиббса реакций распада индивидуальных углеводородов на простые вещества (графит, водород) и приведенных в табл. 56 модельных реакций коксообразования при температурах 300. 500, 1000 К Таблица 57. Энтальпии и <a href="/info/347217">энергии Гиббса реакций</a> <a href="/info/1333896">распада индивидуальных</a> углеводородов на <a href="/info/3252">простые вещества</a> (графит, водород) и приведенных в табл. 56 <a href="/info/145003">модельных реакций</a> коксообразования при температурах 300. 500, 1000 К
    Естественно, термодинамический анализ реакций разложения начинают с оценки вероятности распада углеводородов до простых веществ или обратной реакции — образования углеводородов из простых веществ. Соотношения для расчета и значения АО°об приведены в гл. X и XI. Влияние температуры на АС°об различных углеводородов показано на рис. 26, причем АО°об отнесено к 1 моль С линии построены по приближенным зависимостям, предполагающим постоянство теплоты реакции при всех температурах. [c.279]

    В следующей главе приведены стандартные термодинамические функции простых веществ и соединений, в том числе большого числа углеводородов. По термодинамическим функциям углеводородов можно найти аналогичные функции их производных (кислород-, азот-, галоген- и серусодержащих), вводя соответствующие поправки. Приводимые в этом разделе значения поправок (табл. П.11) найдены в [27] и нами путем усреднения изменений для конкретных соединений. При расчетах энтальпии образования и энтропии вещества при повышенных температурах можно пользоваться приближенным условием  [c.394]

    Критические температуры простых веществ можно приближенно рассчитать по уравнению Гатеса и То-доса [7] [c.10]

    При необходимости критическая температура. простых веществ может быть приближенно определена также по уравнению Гатеса и Тодеса  [c.21]

    К.ак видно на рис. 126, температура плавления простых веществ в периодах вначале возрастает, затем падает. Наименьшую температуру плавления имеют простые вещества с молекулярной структурой, Б особенности одноатомные простые вещества s- и р-элементов VHI группы (благородные газы). В обычных условиях простые вещества молекулярного строения являются газами, жидкостями или относи-тель(ю легкоплавкими твердыми телами. Наиболее тугоплавки алмаз и кремний, имеющие ковалентные атомно-коордннационные решетки. [c.235]

    Из металлов наибольшую температуру плавления имеют простые вещества (-элементов. Полагают, что в этом проявляется ковалентная св5[зь (за счет i-электрогюв), которая присутствует в их кристаллах наряду с металлической связью (за счет внешних s-электронов). Участие в образовании ковалентной связи в наибольшей степени проявляется у 5с/-электронов, поэтому в подгруппах -элементов температура пла ления с ростом порядкового номера повышается (рис. 126). [c.235]

    Простые вещества. Атомы фосфора объединяются в двухатомные Р2, четырехатомные Р4 и полимерные Р200 молекулы. Молекулы Р2 ( рр= 0,19 нм), построенные аналогично N2, существуют лишь при температурах выше 1000°С. [c.366]

    Валентный слой атома аргона, как и неона, содержит восемь электронов. Вследствие большой устойчивости электронной структуры атома (энергия ионизации 15,76 эВ) соединения валентного типа для аргона не получены. Имея относительно больший размер атома (молекулы), аргон более склонен к образованию межмолекулярпых связей, чем гелий и неон. Поэтому аргон в виде простого вещества характеризуется несколько более высокими температурами плавления (—189,3"С) и кипения (—185,9°С). Он лучше адсорбируется. [c.496]

    Аг —-Кг — Хе характеризуется следующими соотношениями 1 2 3 12 20 (поляризуемость молекулы Хе в 20 раз выше, чем Не). F o T поляризуемости сказывается на усилении межмолекулярного Езаимодействия, а это последнее — на возрастании температур кипения и плавления простых веществ  [c.497]

    Простые вещества. В виде простых веществ титан, цирконий и гафний—серебристо-белые металлы. Титан относится к легким, а цирконий и гафний к тяжелым металлам. Все они тугоплавки. В обычных условиях у них устойчива а-модификация (гексагональная реш>5тка), а при высоких температурах — 3-модификация (кубическая объемноцентрированная решетка). Основные константы рассматриваемых простых веществ приведены ниже  [c.529]

    Карбиды и нитриды подгруппы титана образуются непосредственным взаимодействием простых веществ при высокой температуре. Соединения 3N и ЭС (переменного состава) — кристаллические вещества, очень твердые, тугоплавкие (3000—4000° С), хорошо проводят электрический ток и химически инертны. Аналогичными свойствами обладают силициды 3Si 2, бориды ЭВ, ЭВг, Все они, конечно, обладают переменным составом. Соединения Ti , TiN, TiO, ZrN, Zr , Hf имеют структуру типа Na l 11 друг с другом образуют твердые растворы. [c.532]

    Когда сорбированный слой очень слабо связан (доказательством чего может служить диапазон давлений и температур, при которых достигается сорбционное равновесие), процесс называется физической адсорбцией . Она характеризуется быстрым и обратимым равновесием с газовой фазой. Измеряемая теплота адсорбции по порядку величины оказывается равной теплоте сжижения адсорбируемого вещества. Интервал температур, в котором осуществляется такая адсорбция, лежит значительно ниже критической температуры адсорбированного вещества. В общем случае этот интервал является довольно большим вблизи точки кипения адсорбированного вещества. Силы, за счет которых происходит физическая адсорбция, ио-видимому, те же самые, что и при сжижении или смешении двух жидкостей, и должны быть отнесены к типу ван-дер-ваальсовых сил. Адсорбируемое вещества может образовывать многомолекулярные слои на поверхности адсорбента при давлениях, достаточно близких к давлению пара адсорбируемого вещества при температуре эксперимента. При давлении, равном давлению насыщающих паров, твердая поверхность просто смачивается жидкостью. [c.536]

    Комплексы ароматических углеводородов с каталитической системой НХ—МХд. Ранее уже отмечалось, что хлористый алюминий и хлористый водород реагируют с толуолом при низкой температуре с образованием двух комплексов СНд—GgH AlGir и СНд— eH Al2G17 следует отметить, что экспериментально показано существование этих двух веществ в растворе или в скидкой фазе. Следовательно, несомненно, что они не являются просто веществами с кристаллической решеткой, которые существуют только в твердой фазе. Предполагается, что они представляют собой о-комплексы (XXII). [c.432]

    ИЗ простых веществ и некоторые реакции частичного окисления, например синтез этилена из этана, ацетилена из метана и получение синтез-газа из метана, для реакции Фишера—Тропша в этих последних реакциях для обеспечения высоких температур допускается частичное сгорание смеси. [c.382]

    Молекулы простых веществ, образуемых атомами галогенов, двухатомны. С увеличением в ряду F, С1, Вг, I, At радиуса атомов возрастает поляризуемость молекул. В результате усиливается межмолекулярное дисперсионное взаимодействие, что обусловливает возрастание температур плавления и кипения галогенов. [c.353]

    Свободный. хлор тоже проявляет очень высокую химическую активность, хотя и меньшую, чем фтор. Ои пепосредетвеипо взаимодействует со всеми простыми веществами за исключением кислорода, азота и благородных газов. Такие неметаллы как фосфор, мышьяк, сурьма и кремний уже при низкой температуре реагируют с хлором при этом выделяется большое количество теплоты. Эи< ргично протекает взаимодействие хлора е активными металлами — иатрием, калием, ма1иием и др. [c.356]

    Исследована [167] возможность применения метода обратного осмоса для разделения растворов различных ПАВ, а также растворов, содержащих смесь поверхностно-активиых веществ с неорганическими солями. ПАВ, присутствующие в различных промышленных стоках, образуют в водных растворах необычные системы, так как в зависимости от концентрации и температуры эти вещества могут присутствовать в растворе или как простые молекулы, или как ионы, или как смесь мономеров и коллоидных агрегатов-мицелл. Поэтому характеристики разделения ПАВ будут в значительной степени определяться структурой растворов. А именно, мономеры, по-видимому, будут задерживаться мембраной в меньшей степени,, в то время как мицеллы задерживаются полностью и затрудняют прохождение мономера через мембрану. [c.320]

    Присутствие в системе сложных молекул и ароматических радикалов (предшественников кокса) способствует образованию твердого серого кокса с металлическим оттенком, а из более простых по строению предшественников кокса образуется преимущественно черный, сажистый кокс, менее прочно сцепляющийся с поверхностью. При высокой концентрации предшественников кокса образуется матово-черный сажистый кокс, а при низкой — блестящий кокс. Повышение температуры реагирующих веществ в объеме благоп/риятстзует образованию твердого серого кокса, прочно удерживающегося на внутренней стенке трубы. Скорость отложения кокса различна сажистый кокс откладывается значительно быстрее, чем серый кокс. [c.274]


Смотреть страницы где упоминается термин Температура простых веществ: [c.235]    [c.243]    [c.319]    [c.357]    [c.468]    [c.252]    [c.280]   
Краткий химический справочник Издание 2 (1978) -- [ c.47 , c.50 , c.111 , c.116 ]

Справочник химика Издание 2 Том 1 1963 (1963) -- [ c.83 , c.585 , c.587 , c.593 , c.600 , c.774 , c.837 ]

Справочник химика Том 1 Издание 2 1962 (1962) -- [ c.83 , c.585 , c.587 , c.593 , c.600 , c.774 , c.837 ]

Справочник химика Том 1 Издание 2 1966 (1966) -- [ c.83 , c.585 , c.587 , c.593 , c.600 , c.774 , c.837 ]

Краткий химический справочник (1977) -- [ c.47 , c.50 , c.109 , c.114 ]

Справочник химика Изд.2 Том 1 (1962) -- [ c.593 , c.600 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Вещества простые

Влияние температуры на теплоты образования неорганических соединений из простых веществ и на другие параметры этих реакций

Плотность, температура плавления и температура кипения простых веществ

Температура кипения простых веществ

Температура плавления и кипения простых веществ

Температура плавления простых веществ

Температуры плавления и скрытые теплоты плавления некоторых простых органических веществ

Теплоемкость простых веществ при низких температурах

Удельная теплоемкость простых веществ и неорганических соединений при температурах

Удельная теплоемкость простых веществ и неорганических соединений при температурах выше

Удельная теплоемкость простых веществ и неорганических соединений. Удельная теплоемкость простых веществ и неорганических соединений при температурах

Характеристические температуры по Дебаю некоторых простых веществ в кристаллическом состоянии



© 2025 chem21.info Реклама на сайте