Электроны изображение точками

Для наглядного изображения валентных схем обычно пользуются следующим способом. Электроны, находящиеся во внешнем электронном слое, обозначают точками, располагаемыми вокруг химического символа атома. Общие для двух атомов электроны показывают точками, помещаемыми между их химическими символами двойная или тройная связь обозначается соответственно двумя или [c.104]

Под разрешающей способностью понимают способность микроскопа давать раздельное изображение точек объекта, расположенных близко друг к другу. Наибольшая разрешающая способность соответствует наименьшему расстоянию между точками, при котором эти точки наблюдаются в микроскопе раздельно. Разрешающая способность электронных микроскопов очень велика и составляет теоретически 0,143 нм, практически можно достигнуть [c.394]

ЭОС широко используется для анализа поверхности благодаря сочетанию малой глубины отбора информации и высокого пространственного разрешения. Продольная локальность определяется средней длиной свободного пробега электронов (см. разд. 10.1.1), которая находится в пределах от 0,5 до 10 нм. Малое значение поперечной локальности достигается за счет возбуждения оже-электронных сигналов тонко сфокусированным электронным пучком (Ео = 3-10 кэВ). Интересующую область для анализа можно выбрать с помощью электронных изображений (в режиме детектирования вторичных электронов). Минимальный диаметр пучка ограничен величиной 100 нм вследствие необходимости работать с пучками высокой интенсивности для получения хорошего соотношения сигнал/шум. Пики оже-электронов в спектре располагаются на сильном непрерывном электронном фоне, возникающем вследствие многократного рассеяния электронов (рис. 10.2-12). Для более четкого выделения пиков часто записывают первые производные спектров. Для количественного анали- [c.339]

Веществам с металлической связью присущи металлические кристаллические решетки. Последние обычно описывают как сочетание катионов металла, связанных воедино валентными электронами, т. е. отрицательно заряженным электронным газом . Электроны электростатически притягивают катионы, обеспечивая стабильность решетки. На рис. 42 представлено схематическое изображение металлической решетки (свободные электроны показаны точками). Сравните ее с другими типами кристаллических решеток. [c.106]

При написании химических формул мы часто пользуемся формой изображения молекул, предложенной Льюисом. В этой форме записи под символом элемента подразумевается остов данного элемента. Валентные электроны обозначаются точками. (Иногда пару электронов изображают черточкой.) В подобных формулах, называемых структурами Льюиса, у всех элементов (кроме водорода) должно быть по 8 валентных электронов. [c.38]

Детекторы могут фиксировать электроны, рентгеновские лучи или катодолюминесцентный свет (фотоны) (рис. 27.14). Один такой детектор помещается в камере с образцом (основное изображение обусловлено эмиссией вторичных электронов). Сигнал детектора усиливается и поступает в электроннолучевую трубку. По мере того как пучок электронов сканирует по поверхности образца, поступающая информация модулирует растр электроннолучевой трубки, сканирующей синхронно с пучком электронов. Каждой точке растра электроннолучевой трубки отвечает точка на поверхности образца, причем интенсивность электроннолучевой трубки изменяется в соответствии с интенсивностью сигнала, генерированного электронами, пронизывающими поверхность образца. [c.110]

Рнс. 4.28. Обусловленный составом контраст изображения, наблюдаемый в суммарном режиме вторичных и отраженных электронов (а). Изображение той же области в отраженных электронах (б). [c.142]

На этом изображении химической связи электроны обозначены точками. На самом деле электроны связи размазаны по всей молекуле, но с большей вероятностью они располагаются между ядрами. Связь показана в виде двух электронов, находящихся между атомами, т. в. связь образуется двумя электронами, общими для обоих атомов. Проще говоря, этим положением электронов достигается структура, подобная аргону [c.29]

В принципе, на двух МО, изображенных на рис. 3.4, может находиться от нуля до четырех электронов. Если электронов нет, то два протона будут просто отталкиваться друг от друга, и, дейст- [c.47]

Нередко при объяснении химической связи между атомами символы элементов А-групп записывают с условным указанием числа внещних электронов (электрон обозначают точкой). Для первых двадцати элементов получаются следующие изображения [c.102]

Этот метод настолько эффективен и так широко применяется, что его следует рассмотреть немного подробнее. Как указано во введении к разд. V-6, в сканирующей электронной микроскопии поверхность сканируется фокусированным пучком электронов, а контролируется интенсивность потока вторичных электронов. Сигнал детектора вторичных электронов моделирует растр электронно-лучевой трубки, луч которой развертывается синхронно с фокусированным пучком электронов. Каждая точка растра (т. е. поверхности, формирующей изображение) электронно-лучевой трубки (фактически телевизионной трубки) соответствует некоторой точке на поверхности образца. Яркость изображения меняется пропорционально интенсивности потока вторичных электронов из соответствующей точки на поверхности. Как и в телевизоре, качество изображения зависит от интенсивности сигнала (контрастность изображения обеспечивается тем, что интенсивность сигнала можно менять) и от числа линий развертки (чем больше линий, тем лучше разрешение). [c.226]

Основной характеристикой любого микроскопа, в том числе электронного, является раз ре шающая способность, т. е. способность давать раздельное изображение точек объекта, расположенных близко друг к другу. Теоретический предел разрешающей способности микроскопов и других оптических приборов определяется дифракцией световых лучей. Светящаяся точка в результате дифракции видна в микроскопе в виде светлого кружка, окруженного темными и светлыми кольцами. При уменьшении расстояния между двумя точками дифракционные кольца сближаются, яркость пространства между ними постепенно увеличивается и, наконец, при некотором расстоянии они сливаются в одно. Наименьшее расстояние d, при котором две точки еще наблюдаются в микроскопе раздельно (разрешаемое расстояние), определяется соотношением [c.167]

Для качественного исследования аэрозолей обычно бывает достаточным подержать сеточку без пленки в атмосфере аэрозоля. Так изучают частицы дымов окислов металлов, образующихся при сгорании металлов или при дуговом разряде. Осаждать частицы на краю сеточек выгодно потому, что здесь нет потери контрастности из-за присутствия пленки. Так как эти препараты очень легко приготовить и они устойчивы к электронному облучению, то такие объекты, в особенности дым окиси магния, рекомендуются в качестве первых объектов при освоении методики электронно-микроскопического исследования. Кроме того, по резкости изображений кубических кристаллов дыма МдО можно грубо оценить разрешение. [c.69]

При вращении диска 1 периодически возникает импульс фотодатчика 10, который блокируется электронной схемой. Блокировка снимается при нажатии кнопки пуск . При этом открывается электродинамический затвор 12 и фотодатчик 13 запускает исследуемый источник света 14. Длина развертки на щели 5 спектрографа 12 мм. Кружок рассеяния в изображении точки диска на щели 5 равен 0,1 мм для области 2200—4000 А вследствие чего ширина временной щели принята равной 0,1 мм. [c.183]

В электронно-оптическом преобразователе [7.1—7.10] оптическое изображение преобразуется в электронное. Способы управления электронными потоками и их усиления гораздо более совершенны, чем способы управления потоками фотонов. Исключение составляет лишь фокусировка и построение изображения — оптические устройства по сравнению с электронными дают пока еще меньшие аберрации. Что же касается смещения, отклонения, усиления, прерывания электронных пучков, то возможность непосредственного и практически безынерционного воздействия на них электрическими и магнитными полями представляет большие удобства. Так, максимальная скорость перекрывания светового пучка 10" сек при больших световых потерях (ячейка Керра), а время срабатывания электронного затвора на 3—4 порядка меньше при отсутствии каких-либо энергетических потерь и даже при одновременном усилении потока электронов. [c.191]

Аналогом известной в световой оптике тонкой линзы в магнитной оптике является так называемая короткая линза . В случае применения короткой линзы (рис. 20.5) объект (точка А), из которого выходят электроны и его изображение (точка В), где электроны схо- [c.439]

Разрешающую способность микроскопа определяют путем измерения минимального расстояния между двумя точками, которые видны раздельно. Изображения точек, расположенных слишком близко, сливаются, поскольку из-за действия аберраций линз и дифракций лучей каждая точка объекта в принципе всегда изображается кружком рассеяния. В качестве тест-объекта для определения разрешающей способности микроскопа по точкам можно брать частицы золота (или тяжелого и тугоплавкого сплава Р1—1г), образующиеся при конденсации из пара на холодной подложке (рис. 20.12, а). Поскольку разрешение в современных электронных микроскопах расстояния близки к межплоскостным расстояниям в кристаллах, в качестве тест-объекта используют различные тонкие кристаллы (рис. 20.12,6). Надо иметь в виду, что в изображении системы плоскостей интерференции разрешение оказывается лучшим, чем в изображении точечного объекта. Дело в том, что в процессе дифракции на кристаллической решетке происходит монохроматизация излучения и на качестве изображения не сказываются хроматические аберрации. [c.448]

По аналогии с обычным световым микроскопом были сконструированы электронные микроскопы, в кото-рых предметы наблюдаются в пропускаемом пучке быстрых электронов, идущих от интенсивного источника электронов (пушки), главным образом от катода термоионной лампы. Вместо оптических стеклянных линз, действующих как коллиматор, объектив и окуляр, в электронном микроскопе применяются электромагниты (магнитные электронные линзы) или малые диафрагмы (электростатические электронные линзы). Пучки электронных волн исходят от излучающих точек объекта и фокусируются м(агнитным или электростатическим полем, которое имеет круговую симметрию при изображении точек в плоскости отверстий. Таким способом получается изображение объектов в вакуумной трубке микроскопа, и его можно непосредственно наблюдать на флуоресцирующих экранах или фотографировать на пластинки. [c.275]

Образующиеся при работе микротома срезы поступают в ванночку, наполненную водным раствором спирта. При правильной работе в бинокулярный микроскоп можно наблюдать продвижение сплошно ленты из срезов после каждого акта резания. Полученные срезы желательно рассматривать в электронном микроскопе без поддерживающей пленки во избежание потери разрешения. Это достигается либо помещением среза прямо на сеточку-объектодержатель, либо на микросетку из коллодия, приготовление которой описано ранее. Срезы непористых препаратов пригодны для исследования сразу после получения. В отношении пористых препаратов могут быть различные случаи. Если препарат содержит элементы с большим атомным номером, что обеспечивает высокую контрастность изображения, то нет необходимости удалять продукт полимеризации из пор в срезах и последние также пригодны для [c.118]

Если электроны последовательно пропускать через слои поглотителя со все увеличивающейся толщиной и измерять уменьшение энергии пучка электронов определенным слоем поглотителя с помощью какого-либо детектора, то можно обнаружить, что интенсивность уменьшается все больш е и больше с увеличением толщины поглотителя. Интенсивность определяется числом частиц, проходящих через поверхность площадью 1 ель- за 1 сек. Вместо толщины слоя поглотителя можно говорить о поверхностном весе поглотителя. При графическом изображении той части электрон- [c.39]

Другая трудность возникает из-за науглероживания масляной иробы под электронным лучом в микроскопе. Если дать образцу, показанному на фиг. 5, а, слишком большую экспозицию под электронным лучом, то получится изображение (фиг. 5, б), на котором видны чрезвычайно малые углеродистые частицы. Чтобы избежать этого, но возможности уменьшают время экспозиции. [c.57]

Для наглядного изображения валентных схем обычно пользуются следующим способом. Электроны, находящиеся во внешнем электронном слое, обозначают точками, располагаемыми вокруг химического символа атома. Общие для двух атомов электроны показывают точками, помещаемыми между их химическими символами двойная или тройная связь обозначается соответственно двумя или тремя парами общих точек. Применяя эти обозначения, образование молекулы водорода можно представить следующим образом [c.122]

Пара обобщенных электронов получила название ковалентной связи. Углерод с его четыпьмя валентными электронами (изображенными точками) способен к образованию устойчивого соединения с четырьмя атомами водорода, электроны которых (изображены крестиками) уча- [c.29]

Как уже было отмечено в разделе V, работа выхода металла, характеризующая энергию, необходимую для удаления из него электрона, в то же время сродство этого металла к электрону во многих случаях оказывает значительное влияние на величину теплоты хемосорбции. Истинная величина работы выхода различна для разных кристаллографических граней металла. Это положите качественно весьма эффектно демонстрируется эмиссионными изображениями, получаемыми нри помощи мюллеровского электронного проектора. В 1937 г. Мюллер [210], изучая автоэлектронную эмиссию с вольфрамового монокристал-лического острия, наблюдал, что грань 110 обладает наиболее слабой эмиссией электронов. Эмиссия с грани 211 была сильнее, далее следовала грань 100 и, наконец, наиболее сильной эмиссией обладала грань 111 . В настоящее время еще ие решен вопрос о том, действ нтельно ли эти кристаллические грани существуют на поверхности острия н.чи нет [211а, б, 212] Воз- [c.122]

Часто удобно представить механизм как формальное перемещение в какой-то момент одного или пары электронов. Для изображения механизмов на бумаге используют изогнутые стрелки, которые обозначают движение электронов. Если предполагается движение одного электрона, то рисуют стрелку с одним острием (типа рыболовного крючка), а если перемещается электронная пара, то стрелка с двумя остриями. Конец с трелки показывает, какой именно электрон или пара электронов движется, а острие по казывает, куда. [c.209]

В валентных схемах ковалентная связь изображается парой точек, а если к этому добавляется изображение точками всех внешних электронов каждого атома, то их называют электронноточечными формулами. Составьте такие [c.123]

Имеющиеся 10 я-электронов pa peдeлeны по двум кольцам. Поскольку из них можно составить только один я-электронный секстет, то энергия делокализации нафталина 255,2 кДж-моль заметно меньше, чем для двух молекул бензола (2X 150,5 = 301 кДж-моль ). Следовательно, нафталин более реакционноспособен, чем бензол. Эти обстоятельства, а также особенности химического поведения учитываются в методе изображения по Клару [2.1.37] [c.277]

Поскольку при использовании рентгеновидикона электрическое изображение на мишени, сформированное падающим рентгеновским излучением различной интенсивности, непосредственно преобразуется в электрический видеосигнал, а при использовании электронно-оптических преобразователей и передающих телевизионных трубок видимого диапазона имеется еще ряд промежуточных этапов передачи изображения, то установки с рентгеновидиконами дают принципиальную возможность получать более качественное изображение, особенно по краям экрана. Аппаратура с рентгеновидиконами имеет на одном из выходов упорядоченный телевизионный сигнал, поэтому ее можно сравнительно просто соединять с микропроцессорными и логическими устройствами, а также с ЭВМ. [c.330]

Электронная микроскопия То же Образец подвергается воздействию пучка электронов высоких энергий. Изображение, О бразованное рассеянными электронами, наблюдают на флуоресцирующем экране Идентификация основана на характеристической дифракционной картине Дает увеличенное изображение очень маленьких объектов. Используется для изучения молекулярной структуры вещества [c.26]

Волновые функции могут принимать (начиная с п = 2) и отрицательные значения, в то время как плотность вероятности 1я з12(0) всегда положительна и асимптотически приблнл ается к нулю с удалением от ядра. Кроме того, начиная с /г = 2, имеются внутренние минимумы плотности вещества в местах, соответствующих узловым поверхностям волновой функции. Картина плотности особенно ясно представлена на рис. 1,в, где электрон изображен в виде электронного облака , а плотность точек отражает плотность вероятности найти электрон в данном месте. При этом 15-состояние оказывается сферически симметричным с максимумом плотности вблизи ядра. Вокру 15-состояния расположено 25-состояние также в виде сферически симметричной оболочки. Внутри этой оболочки на некотором расстоянии от ядра находится сферическая узловая поверхность.] В противоположность 25-С0СТ0ЯНИЯМ в 2/7-СОСТОЯ-ниях минимум плотности заряда находится вблизи ядра. Узловая плоскость разделяет две области пространства, в которых есть вероятность найти электрон. Эта узловая плоскость может принимать в пространстве три взаимно перпендикулярных направления, так что возможны три 2/ -состояния, волновые функции которых в остальных отношениях полностью эквивалентны и поэтому обладают одинаковой энергией (вырождены). Так как для органической химии особенно интересен углерод. [c.23]

Состояния, подобные изображенному на рис. 5-4 для углерода, строятся следующим образом в гелии два спаренных электрона располагаются на 15-орбитали его конфигурация может быть описана символом (15), где верхний индекс, вынесенный за скобки, означает наличие двух спаренных электронов на 1в-орбитали. Если электроны неспарены, то наиболее стабильным состоянием будет (1 ) (28). Таким образом, [c.125]

Зависимость интенсивности от степени отклонения ориентации кристалла от точного вульф-брэгговского положения иллюстрируется схемой рис. 21.2. Как следует из выражения 21.5, в зависимости /( ) максимум должен быть при 5= 0. При 5= /1, 2/ и т. д. (толщина кристалла =соп51) функция /( ) обращается в нуль. Таким образом, если наклонять объект в электронном микроскопе, то яркость изображения в темном поле будет периодически изменяться. Очевидно, что зависимость I (х) [c.482]

Ограничение области дифракции системой осветителя достигается при фокусировке источника электронов на объекте. Уменьшение размера освещенной области и одновременно необходимость сохранения достаточной интенсивности приводят к тому, что вместо почти параллельного пучка осветитель дает сходящийся пучок. Вследствие этого в дифракционной картине вместо точечных рефлексов появляются диски. Если угол сходимости меньше, чем удвоенный угол Вульфа-Брэгга, эти диски не перекрываются. Кроме возможности уменьшения области дифракции существенным преимуществом метода дифракции в сходящемся пучке является то, что каждое пятно дифракционной картины представляет точное изображение той области объекта, которая формирует данный рефлекс. Главная сложность в использовании метода связана с тем, что при существенном ограничении освещаемой области объекта происходит ее быстрое загрязнение. Поэтому важно применение средств защиты объекта от загрязнений. Особое преимущество имеют специальные высоковакуумпые злектронныс микроскопы. [c.546]

Распределенйе яркости в изображении ОЭ для полированного и травленого однофазного и сложного объектов схематически представлено на рис. 22.10. В действительности контраст электронных изображений в РЭМ может оказаться более сложным. В формировании изображения участвуют в разной степени и ОЭ и ВЭ, контраст зависит от траектории движения ВЭ, на которую влияют и особенности рельефа образца, и распределение потенциала в камере объекта. От величины и распределения потенциала зависит и число электронов, эмиттируемых разными точками объекта. При этом особенно важным является усиление эмиссии на острых выступах образца (эти участки в изображении видны особенно яркими) и различия потенциала на поверхности объекта, обусловленные особенностями его электрических свойств, электрических свойств пленок и других веществ на поверхности объекта. [c.558]

Степень восашновления переносчиков электронов в дыхательной цепи. Степень восстановления каждого из переносчиков электронов в дыхательной цепи определяется условиями, существующими в митохондриях. Когда NADH и молекулярного кислорода достаточно, соответствующая стационарному состоянию степень восстановления переносчиков снижается при переходе электронов от субстрата на кислород. Если перенос электронов блокирован, то переносчики, занимающие в дыхательной цепи место перед блокированным этапом, становятся более восстановленными, а те, которые располагаются после блока,- более окисленными, как это поясняет гидравлическая модель дыхательной цепи, изображенная на рис. 17-14. Как будут выглядеть такие модели для следующих четырех случаев [c.548]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология