Коллектор вторичных электронов

В простейших электрических детекторах ионный пучок направляют на металлический коллектор, который соединен с землей через высокоомное сопротивление. Мерой ионного тока является падение напряжения на этом сопротивлении. Электрод-коллектор обычно изготавливают в виде узкого длинного цилиндра, закрытого с одного конца (так называемый фарадеевский цилиндр), и ионный пучок, подлежащий измерению, вводится в этот коллектор по его оси. При ударе ионов о металлическую поверхность она эмитирует вторичные электроны, благодаря чему может повыситься положительный потенциал коллектора и, следовательно, кажущийся положительный ионный ток. Число вторичных электронов зависит не только от количества бомбардирующих положительных ионов, но также от их массы, энергии и количества составляющих атомов. Поэтому чрезвычайно важно насколько возможно снизить количество вторичных электронов. Применение длинного фарадеевского цилиндра [c.205]

От того же генератора развертки луча (или генератора сканирования, см. рис. 22.3) работает катодно-лучевая (телевизионная) трубка, яркость электронного луча этой трубки модулируется сигналом от приемника сигналов (например, коллектора вторичных электронов), подаваемого через усилитель видеосигнала. Масштаб изображения на экране катодно-лучевой трубки определяется отношением размера сканирования на поверхности объекта и размера изображения (растра) на [c.551]

Коэффициенты отражения могут быть определены следующим способом. На образец подается напряжение смещения + 50В относительно заземленных стенок камеры образцов для того, чтобы подавить вторичные электроны ( будет обсуждаться далее), вылетающие из образца. В идеальном случае для предотвращения попадания на коллектор вылетающих со стенок камеры вторичных электронов образец необходимо окружать сеткой, на которую подается напряжение смещения. Образец должен быть аналогичен разветвлению токов в цепи, а токи должны подчиняться соотношению [c.47]

В левой части рисунка изображен дублет азот — окись углерода, снятый при заземленном антидинатронном электроде (/) справа от пика, соответствующего массе 28. наблюдается отрицательный пик (с т/е приблизительно 27,5). Поскольку вторичные электроны достигают коллектора одновременно с пучком ионов, то они вызывают нарушение его вершины третий спектр снят с антидинатронным электродом, находящимся под потенциалом 60 в (г) электроны коллектора не достигают. I — антидинатронный электрод при О вольт 2 — антидинатронный электрод при —60 в S масса 28 (Х20) 4 — масса [c.206]

Ни одна из перечисленных выше характеристик не оказывает такого существенного воздействия на умножитель, как магнитное поле. Если развертка масс-спектра осуществляется путем изменения магнитного поля,то рассеянное поле у детектора будет возрастать с увеличением массы иона, поступающего на коллектор. Дискриминация, вызываемая этим явлением, может полностью уничтожить усиление на ионах с массами около 200. Воздействие рассеянных полей можно отчасти ограничить компенсацией, но для радикального решения этого вопроса лучше тщательно экранировать умножитель от магнита. Тем более, что точная компенсация рассеянного магнитного поля почти невозможна, и, следовательно, недопустимо применение умножителей типа Аллена и с круговой фокусировкой даже для слабых магнитных полей в несколько гауссов. Умножитель жалюзного типа в несколько меньшей степени подвержен воздействию малых полей, но когда электронный умножитель должен работать в магнитном поле, то удовлетворительное разрешение достигается только при применении фокусирующего магнита. В другом методе, использующем принципы умножения, вторичные электроны с первой пластины ускоряются высокой энергией, благодаря которой они мало подвержены воздействию рассеянного поля и детектируются ионизационной камерой [1984]. В этом случае наименьший измеряемый ионизационный ток составляет 10 а. [c.220]

Механизм образования изображений во вторичных электронах и в отраженных электронах различен прежде всего из-за различия их энергий. Сетка коллектора (рис. 22.7) может иметь отрицательный потенциал, который запирает вход вторичным электронам. При положительном потенциале на сетке (100 В) вторичные электроны независимо от первоначального направления эмиссии движутся в направлении к коллектору, образуя бестеневое изображение объекта. При этом получаются изображения таких участков объекта, от которых нельзя провести прямую линию к коллектору (т. е. участков, которые должны бы находиться в тени , рис. 22.7). [c.556]

На упруго рассеянные (отраженные) электроны поле коллектора не действует, и траектория этих электронов носит прямолинейный характер. Резкость теней в изображении может зависеть от степени участия вторичных электронов в формировании изображения, ко- [c.558]

Анализирующая система состоит из трех полусферических сетов 4, 5, 6 п полусферического коллектора 7, который при наблюдении дифракции медленных электронов используется как флюоресцирующий экран. Мишень расположена в центре кривизны сеток и имеет потенциал земли. Сетка 4 ближайшая к мишени, также заземлена так что в пространстве мишень — сетка поля нет. Вторая сетка имеет переменный потенциал и создает тормозящее поле. Третья сетка снова находящаяся под потенциалом земли, нужна для уменьшения емкости системы тормозящая сетка — коллектор. На коллектор подается небольшой положительный потенциал, чтобы предупредить вторичную электронную эмиссию с самого коллектора. Если тормозящая сетка имеет потенциал V, то вторичные электроны с энергией, меньшей чем Е=сУ, будут отталкиваться, а электроны с энергией равной или больше В будут проходить сквозь сетку и попадать на коллектор. Величина тока 1(Е) будет пропорциональна общему числу электронов, имеющих энергию [c.575]

Вакуумные радиационные элементы (гамма-элементы) преобразуют энергию ионизирующего излучения непосредственно в электрическую [314, 315]. Принцип работы радиационного элемента основан на регистрации разностного тока вторичных электронов, возникающих при взаимодействии у Излучения с веществом эмиттера и коллектора. Ток, регистрируемый электрическим усилителем или гальванометром, оказывается пропорциональным мощности экспозиционной дозы падающего у-излучения в диапазоне 0,26ч- 2,58- 10 А/кг. Чувствительность гамма-элементов с эмиттерами из циркония и тантала соответственно равна 5,8-10- ° и 2,3 10- А на 1 А/кг [316]. Радиационные вакуумные элементы могут работать при повыщенных температурах вплоть до 500° С. Погрешность измерения мощности экспозиционной дозы вакуумными радиационными элементами составляет 10—15%. [c.236]

Так как нас интересуют только те электроны, которые упруго отразились от решетки кристалла, необходимо каким-либо способом подавить неупругое рассеяние и вторичные электроны, вылетающие из кристалла с разными энергиями. В методе ПДУ для этого применяют две или большее число сеток, расположенных между кристаллом и флуоресцентным экраном [8]. На ближайшей к кристаллу сетке поддерживается такой же потенциал, как на кристалле, а на второй сетке поддерживается отрицательный потенциал, достаточный для того, чтобы пропускать только упруго отраженные электроны, которые затем ускоряются на пути к флуоресцентному экрану. Чтобы предотвратить проникновение через вторую сетку поля от имеющего высокий потенциал экрана, можно поместить еще третью сетку [1]. В коллектор (стакан Фарадея) помещают два металлических вкладыша, один внутри другого, с маленькими концентрическими отверстиями. На внутреннем вкладыше поддерживается отрицательный потенциал, достаточный для захвата только упруго рассеянных электронов. [c.265]

При сочетании масс-спектрометра и газового хроматографа в ходе анализа приходится иметь дело с различными быстрыми изменениями парциального давления в ионном источнике в соответствии с меняющимся профилем газохроматографического элюирования. Парциальное давление во время измерения масс-спектра должно по возможности поддерживаться постоянным во избежание помех, влияющих на интенсивности пиков и могущих привести к ошибочной интерпретации результатов измерений. Решением проблемы может быть регистрация спектра за очень короткий промежуток времени (в режиме быстрого сканирования), поскольку колебания парциального давления в шкале времени пролета ионов сравнительно невелики и не сказываются существенным образом на качестве спектра. Для быстрого сканирования, однако, необходимы быстродействующие безынерционные детектирующие устройства с высокой чувствительностью. В значительной мере этим требованиям удовлетворяют вторичные электронные умножители. Вторичный электронный умножитель выполняет функцию предусилителя. Ионы, проходящие через входную щель детектирующего устройства, попадают вначале на первый конверсионный динод, при соударении с которым каждый ион выбивает несколько вторичных электронов. Эти электроны под действием ускоряющего напряжения между динодами направляются на второй динод, из которого каждый падающий электрон вновь выбивает некоторое число вторичных электронов, и этот процесс повторяется на следующем диноде. С последнего динода на коллектор падает настоящий электронный ток, по своей мощности многократно превосходящий первоначальный ионный ток, поступающий на конверсионные диноды. Коэффициенты усиления во вторичных электронных умножителях с числом динодов от 16 до 20 достигают значений 10 —10 . Другим существенным преимуществом этого метода предварительного усиления является возможность обеспечения исключительно малых значений постоянных времени при очень низком уровне шумов. В качестве одного из недостатков можно указать на некоторую зависимость коэффициента усиления от массы ионов (дискриминация по массам). [c.296]

При определении распределения скоростей среди вторичных электронов методом задерживающего поля источником первичных электронов служит электронная пушка , схема которой представлена на рис. 24. Мишень—электрод, вторичная эмиссия из которого изучается,—помещается согласно схеме рис. 11 в центре сферического коллектора. Обычно таким коллектором служит покрытая металлом внутренняя поверхность стеклянного баллона. Задерживающее поле накладывается между мишенью и коллектором. [c.82]

Основная причина, ограничивающая верхний предел измерения термоэлектронного манометра, — нарушение линейности градуировочной характеристики при высоких давлениях. Это происходит при эффективной длине ионизации электрона (т. е. при среднем расстоянии, на котором один электрон образует один ион газа), соизмеримой со средней длиной пролета электрона в пространстве ионизации манометрического преобразователя. В этом случае число вторичных электронов, образовавшихся при ионизации, приблизительно равно числу первичных электронов, вылетевших из катода. Вторичные электроны, приобретая энергию, достаточную для ионизации молекул газа, нарушают линейную зависимость между электронным и ионным токами. В газе возникает разряд, при котором ионный ток коллектора не будет пропорционален электронному току и давлению. Если в процессе измерения высоких давлений поддерживать электронный ток постоянным, то наблюдается кажущееся уменьшение постоянной манометра. [c.113]

Нижний предел измерения радиоактивного манометра определяется наличием тока коллектора, не зависящего от давления. Он обусловлен попаданием на коллектор заряженных частиц, испускаемых радиоактивным источником, и вторичной электронной эмиссией с коллектора в результате его бомбардировки а-частидами. Величина фонового тока для манометра (рис. 6. 1) с дисковым источником излучения [83] имеет следующий вид [c.141]

Распределение скоростей среди вторичных электронов наиболее удобно определять методом задерживающего поля, описанным в главе о фотоэффекте (см. также [564]). Источником первичных электронов служит электронная пушка, схема которой представлена на рисунке 81. Мишень — электрод, вторичная эмиссия из которого изучается, помещается согласно схеме рисунка 59 в центре сферического коллектора. Обычно таким кол- [c.179]

Позади входной щели коллектора расположена вторая, более широкая щель 8 , обычно находящаяся при потенциале —22,5 или —45 е, относительно выходной щели и предназначенная для возвращения на коллектор вторичных электронов, возникающих при соударении ионов с коллектором. Коллекторный электрод в целях максимального уменьшения утечки тока обычно укрен-.гяется на собственном выводном проводе. В тех случаях, когда ионы тормозятся перед попаданием на коллектор, требуется особенно надежная экранировка и более надежные способы предотвращения эмиссии вторичных электронов [78]. [c.86]

Вторичный электронный умножитель (ВЭУ) является одним из основных видов детекторов ионов в современных масс-спектрометрах. Ионы, прошедшие анализатор и имеющие энергию 1-10 кэВ, попадают на коллектор, которым является первый дииод ВЭУ. Каждый ион выбивает из первого динода один или большее число электронов. Эти электроны ускоряются разностью потенциалов между первым и вторым динодами ( 100 В) и выбивают из второго динода следующую порцию дополнительных электронов. Таким образом происходит умножение начального количества выбитых электронов на всех 10-20 ступенях умножителя и на последний динод, на каждый детектируемый ион приходится до 10 электронов. Такие умножители электронов с дискретными динодами отличаются как большйм коэффициентом усиления, так и быстродействием и сравнительно малым шумом. Динамический диапазон их достаточно велик — от 10 (что соответствует одному иону в секунду) до 10 А. Недостатком ВЭУ этого типа является старение , т.е. изменение характеристик со временем или в результате загрязнения. Другой тип ВЭУ с распределенными динодами (каналтроны) характеризуется большей стабильностью. Каналтроны прочны и устойчивы к внешним воздействиям. Максимальный ток каналтрона значительно меньше, чем у ВЭУ с дискретными динодами (= 10 А). [c.859]

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами [7]. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными электроны, эмиттирован-ные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмиттироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ на отражение ), так и — в тонкопленочных эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ на прострел ), Отношение числа электронов N2, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов N1 называется коэффициентом ВЭЭ о данного тела 0 = N 2 N1 = ИгОи /а — первичный и вторичный токи соответственно). Значение а зависит от свойств и структуры эмиттера, состояния его поверхности, энергии первичных электронов Ер и угла падения первичного пучка на поверхность эмиттера. В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов истинно вторичные — электроны вещества, получившие от первичного пучка достаточно энергии для выхода в вакуум, и отраженные (упруго и неупруго) — часть первичного пучка, отразившаяся от поверхности эмиттера. При малых Ер (Ер < < 0,1 кэв) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ер доля упруго отраженных электронов быстро уменьшается и при Ер > 0,1 кав составляет лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно первичные электроны имеют энергии от О до 50 эе. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эв и при Ер > > 20 эв практически не зависит от Ер. Неупруго отраженными условно принято считать электроны вторичного пучка, энергия которых превышает 50 эв. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов Т] = N2 (Е2 > 50 эв)Иг называется коэффициентом неупругого отражения (в /2 входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на величинеТ1 не сказывается). В металлах и полупроводниках максимальное значение ст лежит в пределах 0,5—1,8. В некоторых диэлектриках (MgO, щелочногалоидные кристаллы) о значительно больше (10—20). Это обусловлено тем, что в таких материалах запрещенная зона велика Eg 6-Н12 эв), сродство к электрону мало (х < 1 эв), вследствие чего медленные электроны с энергией, лежащей между % и Eg, могут из большой глубины без потерь энергии подходить к поверхности тела и выходить в вакуум. При наложении на диэлектрик сильного электрического поля, направленного от эмиттирующей поверхности вглубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны к поверхности), о значительно возрастает. Обычно сильное поле создается бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на металлической подложке электронами с Ер, при котором о > 1. В результате поверхность диэлектрика заряжается положительно относительно металлической подложки до потенциала, близкого к потенциалу коллектора, на который отсасывается ток ВЭЭ. Ток ВЭЭ, возникающий в присутствии сильного электрического поля в эмиттере, состоит из двух компонент малоинерционной, быстро следующей за изменениями первичного тока (эта часть ВЭЭ называется вторичной электронной эмиссией, усиленной полем, ее инерционность <10 сек), и само-поддерживающейся, существующей и при отсутствии первичного пучка, после того как осуществлена первоначальная зарядка слоя. В некоторых случаях ВЭЭ с электродов вакуумных приборов, подвергающихся бомбардировке электронами, является нежелательным паразитным эффектом. Для его устранения электроды покрывают веществами с малым а углерод (сажа, ак-вадаг), титан, цирконий, дисилициды переходных ме- [c.457]

Все эти обстоятельства находят свое объяснение в том случае, если принять, что в 90- и 60-градусных приборах отрицательные пики являются следствием вторичной эмиссии с краев щелей коллектора или с близлежащих поверхностей эмитируемые электроны благодаря своей малой массе могут достигнуть коллектора при движении по криволинейному пути в магнитном поле рассеяния [2018]. В 180-градусных приборах магнитное поле у коллектора достаточно велико, для того чтобы подавить вторичные электроны путем возвращения их к тому электроду, у которого они образовались [2132]. Подавление всех отрицательно заряженных частиц с низкой кинетической энергией легко может быть достигнуто путем установки антидинатронной сетки между щелью коллектора и коллектором оба эти электрода находятся под потенциалом земли. Действие потенциала 60 в, отрицательного по отношению к земле и приложенного к антидинатронному электроду, показано в правой части рис. 92. Такой электрод весьма эс[)фективно предотвращает собирание вторичных частиц со всех поверхностей, находящихся под потенциалом земли и подвергающихся бомбардировке положительными ионами, а также подавляет вторичные электроны, выбиваемые из коллектора. [c.208]

Флуктуации количества электронов, эмитируемых каждым электродом умножителя поддействием бомбардирующей частицы, и значение этой характеристики при определении флуктуации количества электронов, достигающих последнего коллектора (по отношению к каждой первичной частице), устанавливается при рассмотрении флуктуаций на каждой ступени работы умножителя. Статистическая теория цепных процессов в умножителях, хотя и не в такой степени исчерпывающая, как теория аддитивных процессов, была дана Хокинсом и Уламом [839]. Предположим, что первичный положительный ион, падающий на катод умножителя, образует в среднем А вторичных электронов со средним квадратичным отклонением а . Каждый из этих электронов,падая-на первый динод, образует в среднем В вторичных электронов с квадратичным отклонением Ь . Допустим, что остальные диноды имеют такие же характеристики В и Ь . Следовательно, при ударении о первый динод А электронов его покидают в среднем АВ электронов, и величина среднеквадратичного отклонения от количества электронов, приходящихся на первичную частицу, будет Ь /А. Если квадратичное отклонение от С (где С=АВ) обозначим через [431], то [c.225]

Наиболее универсальное значение имеют регистрация вторичных электронов и регистрация отраженных (или рассеянных обратно ) электронов. Те и другие электроны улавливаются коллектором, установленным возле образца, преобразуются в электрический сигнал, который усиливается и затем направляется к электронно-лучевой трубке, где он модулирует яркость электронного луча, строящего изображения на экране этой трубки (рис. 22.3). Кроме этих обязательных методов анализа современные модели РЭМ имеют (по крайней мере в виде дополнительной приставки) устройства для анализа рентгеновского характеристического излучения с помощью кристалл-анализаторов или бескристальным (энергетическим дисперсионным) методом. [c.554]

Имеется еще один метод исследования метастабильных ионов, образующихся во второй бесполевой области. Поскольку кинетическая энергия метастабильных ионов меньше энергии нормальных ионов, эти два типа ионов можно разделить, подавая на коллектор отражающий потенциал. Если энергия поступательного движения нормальных ионов равна V вольт, а метастабильных — V вольт, то при отражающем потенциале Уг, превышающем V (а следовательно, и V ) все ионы будут отражаться и, попадая на металлическую пластину, вызывать эмиссию вторичных электронов, которые будут регистри-)оваться сцинтилляционным фотоумножителем (рис. 5.6). Если же отражающий потенциал Уг меньше V, но больше V, то отражаться будут только метастабильные ионы, вызывая в свою очередь эмиссию вторичных электронов. Таким образом, указанный метод позволяет при отражающем потенциале Ут>У получить обычный масс-спектр, а затем, после изменения отражающего потенциала так, чтобы выполнялось условие У>Fr>l записать спектр только метастабильных ионов, образую- [c.188]

Детекторы. Приемник ионов с регулируемой по ширине щелью состоит из коллектора ионов и антидина тройного электрода, находящегося под отрицательным потенциалом по отношению к земле, служащего для подавления вторичной электронной эмиссии коллектора. Ширина входной щели должна соответствовать ширине ионного пучка интенсивность последнего обычно не превышает [c.23]

Детектор ионов, который представлял собой или коллектор типа цплршдра Фарадея, или вторично-электронный умножитель, присоединяли к анализатору также при помощи золотого уплотнения. Умножитель был изготовлен из дпнодов фотоумножителя типа Dumont 6291 . Для этого динодная система была извлечена из стеклянной колбы фотоумножителя и смонтирована так, чтобы она могла быть встроена в масс-спектрометр. Оказалось необходимым обеспечить магнитную экранировку умножителя. Она была достигнута окружением умножителя цилиндром из мягкого железа толщиной 6 мж и, кроме того, помещением между магнитом и умножителем двух листов мягкого железа. Умножитель [c.391]

В настоящей работе использовался масс-спектрометр с 90°-ным секторным магнитным полем и радиусом кривизны траектории ионов 12,5 см. Электронный пучок коллимировался небольшим постоянным магнитом с напряжеппостью поля 200 гс. Катод и электронная пушка питались только от батарей. Напряжение на выталкивающем ионы электроде было около 2 б, а па коллекторе электронов - -10 в по отношению к ионизационной камере. Это снижало попадание в камеру со стороны коллектора отраженных и вторичных электронов. Обычно использовали ток электронов 3—5 мка. Для измерения ионного тока служила обычная электрометрическая схема с самописцем на выходе, которая позволяла измерять сигналы до 10 а. При работе в масс-спектрометр напускали смесь (1 1) исследуемого газа и 8Гб. Рабочее давление в приборе было таким, что линейная связь тока положительных ионов и давления хорошо выполнялась. [c.453]

Система коллекторов приемника ионов представляет собой несколько видоизмененные цилиндры Фарадея с антидинатрон-ными пластинами, которые препятствуют выходу вторичных электронов, образующихся при бомбардировке коллектора положительными ионами и повышающих потенциал коллекторов. [c.36]

Приемник иоиов состоит из коллектора ионов КИ и системы сеток 1—2—3—4. Сетка 1 изолирует пространство дрейфа от влияния электрических полей приемника. На сетку 2 подается импульс выталкивающего напряжения которое создает кратковременный вентильный эффект, помогающий ионам преодолеть тормозящее поле между сетками 2 к 3, образуемое положительным задерживающим потенциалом иподаваемым на сетку 3. Сетка 4 служит для задерживания вторичных электронов, для чего на нее подается подавляющее задерживающее напряжение [c.469]

Последующие ошибки могут быть связаны с самой системой регистрации. Например, при собирании ионов коллектором приемника энергии ионов вполне достаточно, чтобы выбить из материала коллектора электроны (вторичная электронная эмиссия), в результате чего потенциал коллектора повышается и, следовательно, вносится систематическая ошибка. В общем случае эффективность вторичной электронной эмиссии зависит от энергии иона и свойств материала коллектора. Полностью этот эффект не изучен. Некоторую интерпретацию эджекций из металлической поверхности дал Гош [99] и Измайлов [100]. Кроме того, анализируемое вещество можег осаждаться на коллекторе в виде нейтральных молекул, изменяя тем самым характеристики материала коллектора, что также влечет за собой ошибку. Причиной такого эффекта при регистрации изотопов урана может служить тот фа1кт,1у что когда ионы иГс, + с высокой энергией ударяются о поверхность коллектора, получается разбрызгивание материала коллектора с освобождением нейтральных молекул и положительных ионов. В результате этого ионы иГа + будут формировать монослой ир4. Сама электронная схема также не свободна от искажений, особенно в случае применения электронных умножителей. Нелинейность входных высокоомных сопротивлений (зависимость от напряжения), вариации коэффициента усиления усилителя постоянного тока, погрешность компенсационных схем [72, 76] и выходных регистрирующих приборов —все эти ошибки приводят к большому искажению результатов при измерении распространенности изотопов элементов. Иногда приходится калибровать отдельные узлы масс-спектро-метра. Например, сул1мар1Ное искажение, соответствующее регистрационной части маос-спектро-метрической установки, в которое входят все погрешности индекса (И) (согласно нашей схеме), может быть учтено либо при помощи калибровки прибора моноизотопами [97], либо посредством специального приспособления в предусилителе приемника, состоящего из двух эталонных емкостей, после-10- 147 [c.147]

Теоретический анализ и экспериментальные данные показывают, что в ЭПЗПД следует использовать напряжения на коллекторе до 4000 В, так как дальнейшее увеличение напряжения ие повышает энергии и числа вторичных электронов и, следовательно, не обеспечивает повышение выделяемой в зоне мощности. С помощью ЭПЗПД достигнута температура 2600° С для зоны 0 5 мм при мощности 420 Вт при синтезе монокристаллов ЗсаОд. [c.236]

Для задержания вторичных электронов и рассеянных положительных ионов применяют экранирующие диафрагмы напрян е-нием 50 в. Некоторые масс-спектрометры нмеют две коллекторные системы. Положение щелей рассчх1тано так, что на два отдельных коллектора попадают ионные токи от близких по массе изотопов. Такой масс-снектрометр называется двулучевым и дает возможность одновременно измерять интенсивность двух линий изотопов, не очень спльно отличающихся по массе. Эти измерения позволяют исключить ряд ошибок, связанных с изменением общей интенсивности ионного тока во временп. Схема устройства двойного коллектора нрш едеиа на рис. 78. [c.219]

Для того чтобы можно было наблюдать эмиссию вторичных электронов из какого-либо электрода, электрическое поле у новерхности этого электрода должно уводить отражённые и вторичные электроны на какой-либо собирающий электроны электрод—коллектор. В случае катодной лампы таким электродом может служить сетка при условии Гсеткп> Р анода- [c.79]

Вторичная электронная эмиссия из сложных кислородноцезиевых катодов отличается ещё той особенностью, что величина вторичного тока и значение коэффициента 5 зависят от напряжённости внешнего собирающего электроны поля, т. е. зависят от разницы потенциалов между эмиттором и коллектором. В случае чистых металлических поверхностей такая зависимость имеет место только пока внешнее поле с учётом контактной разницы потенциалов представляет собой тормозящее поле. Наоборот, при вторичной эмиссии из сложных кислородно-цезиевых катодов вторичный ток увеличивается с увеличением ускоряющего внешнего поля. В этом случае внешнее поле, проникая внутрь промежуточного слоя окисла на катоде, как бы вытягивает из него те электроны, которые получили от первичных электронов добавочное количество энергии, недостаточное для того, чтобы они могли самостоятельно выйти из катода в окружающую [c.185]

В области очень низких давлений рабочая область ионизационны манометров лимитируется так называемым рентгеновским эффектом. Возвращаясь обратно к рис. Ю2, мы видим, что сетка триодной лампы непрерывно бомбардируется электронами с энергией около 150 э В и с интенсивностью, определяемой величиной эмиссионного тока. Эти электроны возбуждают рентгеновское излучение, которое, попадая на коллектор ионов, может вызывать фотоэлектронную эмиссию. Прибор, изме-ряющий коллекторный ток, не выделяет составляющие, обусловленные переносом заряда электронами, уходящими с коллектора, или попадающими на него положительньши ионами. Таким образом, в случае, когда вторичная электронная эмиссия становится уже сравнимой с током ионов, пропорциональность между давлением и ионным током нарушается. В триодных лампах величина вторичного эмиссионного тока эквивалентна ионному току, соответствующему давлению 10 мм рт. ст. Поэтому рассчитывать на разумную точность измерений для давлений нижа 10- мм рт. ст. уже нельзя. Развитие современных ионизационных манометров идет преимущественно по пути снижения рентгеновского ограничения посредством модификации структуры электродов. В этом отношении успешными оказались три подхода к решению задачи резкое уменьшение площади коллектора ионов, физическое разделение и экранирование коллекторных электродов для электронов и для ионов и, наконец, использование магнитных полей для увеличения пробега электронов, что позволяет уменьшить ток электронной эмиссии без снижения чустви тельности манометра, см. уравнение [27]. [c.325]

Ионный ток может быть Искажен эмиссией вторичных электронов, положительных и отрицательных ионов, с покрытых цезием поверхностей ускоряющей сетки и коллектора. Эмиссия вторичных частиц может быть вызвана термоэмиссией, фотоэмиссией, падающими ионами и нейтральными атомами. Для частичного подавления вторичных частиц ускоряющая сетка изготовлялась высокой скважности. Для подавления вторичных частиц использовался охлаждаемый кoллeкfop специальной конструкции. [c.90]

Детектором ионов служит электрометрическое устройство, включающее усилитель, позволяющий регистрировать ионные токи до 10 —10 А, а с применением вторичного электронного умножителя и счетчика ионов — до Масс-спектр фиксируется на ленте самописца или шлейфного осциллографа. Высота каждого пика спектра соответствует ко-личестау ионов данной массы, достигших коллектора. Поскольку молекулы анализируемого вещества обладают различной кинетической энергией, то и образующиеся ионы имеют набор значений кинетической энергии. [c.5]

Предложена аналогичная методика определения ионов на статических масс-спектрометрах [102]. Схема применяемого устройства приведена на рис. 12. Если во времяпролетном приборе область дрейфа начинается сразу после выхода ионов из источника, то в описываемом случае область дрейфа — участок от магнита анализатора до коллектора. Когда на отклоняющие пластины 2 не подается потенциал, электронный умножитель 3 регистрирует полный ионный ток = klN - - АаЛ" , когда же на пластины подано отклоняющее ионы напряжение (1—2 кв), регистрируется ток 1д = /саЛ . Здесь ж к — коэффициенты усиления вторичного электронного умножителя для и N° соответственно. Дело в том, что в области дрейфа 1 ионы и нейтральные частицы обладают одной и той же энергией, но на первый динод умножителя ионы попадают со значительно меньшей энергией (потенциал первого динода —3 кв), поэтому и к могут быть существенно различными кх к ). Для определения отношения kJk2 используется достаточно хорошо известное время жизни ионов ЗРё-При определении одновременно с исследуемым соединением в источник напускается ЗРе как репер и измеряются / и 1о для пика ЗРб и изучаемого пика ионов. Стандарт т (ЗРё) = 68 мксек [103] позволяет вычислить сначала к к для ионов ЗРё (г = 4 мксек), а затем интересуемое время жизни т (Х ) но уравнению [c.32]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология