Электрон вторичные. распределение

Один метод локализации со специфической физиологической активностью был позаимствован нз ПЭМ. Этот метод меток поверхности клетки, который, будучи применен к образцам для РЭМ, приводит к образованию на поверхности клетки морфологически различаемых или аналитически идентифицируемых структур. Такие методики в сочетании с растровой электронной микроскопией высокого разрешения позволяют изучать природу, распределение и динамические свойства антигенных и рецепторных состояний на поверхности клеткн. Методы нанесения меток на поверхность клетки в общем случае достаточно сложны и включают процедуры иммунохимической и биохимической очистки. Подробные ссылки на них можно найти в работах [359—361], но сущность методик состоит в следующем. Для крепления антител в определенных антигенных состояниях на поверхности клетки используются стандартные иммунологические процедуры. Хитрость состоит в том, чтобы модифицировать антитела таким образом, чтобы они также несли морфологически различимую метку, такую, как латексные шарики или сферы из двуокиси кремния, распознаваемый вирус, как, например, вирус табачной мозаики, или один из Т-четных фагов, как показано на рис. 11.18, илн белковая молекула известных размеров, как ферритин или гемоцианин. В работе [362] (рис. 11.19) использовались гранулы золота, которые имеют большой коэффициент вторичной электронной эмиссии. Одна часть антитела имеет средство для специфичного антигенного закрепления на поверхности клетки, в то время как другая часть несет морфологически различимые структуры. В настоящее время иммунологические методы достигли такого уровня, когда они не могут быть использованы для изучения как качественных, так и количественных характеристик поверхности клетки [363, 364]. [c.244]

Несомненный интерес представляет цикл работ Со-морджая и сотр. [174—177] по исследованию кинетики различных реакций (в том числе дегидроциклизации) на монокристаллах металлов (Р1, 1г, N1, Ag) с одновременным определением структуры и состава поверхности методом дифракции медленных электронов и Оже-спект-роскопии. Показано, что атомные ступеньки на поверхности монокристалла Р1 являются активными центрами процессов разрыва связей С—Н и Н—Н. Зависимость скоростей реакций дегидрирования и гидрогенолиза циклогексана и циклогексена от структуры поверхности Р1 свидетельствует о существовании изломов и выступов на атомных ступеньках. Такие дефекты структуры являются особенно активными центрами процесса расщепления С—С-связей. Установлено, что активная поверхность Р1 в процессе реакции покрывается слоем углеродистых отложений свойства этого слоя существенно влияют на скорость и распределение продуктов каталитических реакций. Показано, что дегидрирование циклогексана до циклогексена не зависит от структуры поверхности (структурно-нечувствительная реакция). В то же время дегидрирование циклогексена и гидрогенолиз циклогексана являются структурно-чувствительными реакциями. Полученные результаты позволили расширить классификацию реакций, зависящих от первичной структуры поверхности катализатора и от вторичных изменений поверхности, возникающих в процессе реакции. При проведении реакций на монокристаллах 1г показано, что ступенчатая поверхность 1г в 3—5 раз более активна в [c.252]

Рентгенографические, электронографические и нейтронографические исследования атомной и молекулярной структур жидкостей и аморфных тел основываются на анализе углового распределения интенсивности рассеянного рентгеновского излучения, электронов и нейтронов. Рассеяние веществом этих трех видов излучений не одинаково, что объясняется различием их физической природы. Рентгеновское излучение рассеивается электронами атомов и молекул. Процесс рассеяния не характерен обычному отражению или преломлению. Рентгеновское излучение, взаимодействуя с электронами, приводит их в колебательное движение. Колеблясь с той же частотой, что и электрический вектор первичной электромагнитной волны, электроны порождают вторичное электромагнитное излучение, распространяющееся во всех направлениях. Интенсивность рассеянного излучения, фиксируемая в некоторой точке, пропорциональна электронной плотности атомов и молекул. [c.26]

Для установления вторичной и третичной структур химические методы неприменимы. Для этой цели преимущественно применяют рентгеноструктурный анализ, причем из получаемой дифракционной картины рассчитывают распределение электронных плотностей в кристалле белка. Точное установление пространственных структур белков стало возможным благодаря работам Полинга и Кори. На аминокислотах, их амидах и простых пептидах в основном с помощью рентгенографических исследований были определены длины связей и валентные углы. Оказалось, что пептидная связь в значительной степени обладает характером двойной связи. Она является планарной, поэтому в пептидной цепи на один аминокислотный остаток приходятся лишь два места поворота. Одним является поворот вокруг С —К-связи (угол >р), другим — вращение вокруг оси С —С-связи (угол ф). Значения риф для всех остатков аминокислот определяют пространственное расположение цепи. [c.375]

Может возникнуть вопрос почему положение 8 в 2,6,8-трихлорпурине так инертно по отношению к нуклеофильной атаке, хотя атом хлора у этого атома углерода наиболее легко гидролизуется в присутствии кислот Аналогичное положение имеет место и в случае 6,8-дихлорпуринов (XVI). Робинс [50] показал, что кислотный гидролиз соединения XVI дает 6-хлор-8-оксипурин, тогда как обычные нуклеофильные агенты — едкое кали, метилат натрия, метил-меркаптид калия, аммиак и различные первичные и вторичные амины алифатического ряда — атакуют только положение 6. Робинс предположил, что в сильнокислой среде имидазольный цикл протонируется по обоим атомам азота в результате распределения заряда между ними происходит стабилизация этого катиона. Вследствие этого у восьмого атома ядра понижается электронная плотность и он делается чувствительным к нуклеофильной атаке. Устойчивость промежуточного состояния (XVII) в этом случае может служить дополнительным фактором. Возможно, что легкость гидролиза атома хлора в 8-положении 2,6,8-трихлорпурина в кислом растворе также обусловлена этой катализируемой кислотами нуклеофильной атакой. В этих реакциях, как следует [c.220]

Рис. 193. Распределение вторичных электронов по энергии (при энергии первичного электрона 1 Мае).

Распределительный анализ элементов и фаз на поверхностях и межфазных границах является одной из важнейших задач электронной оже-спектроскопии. Для изучения пространственного распределения необходимы тонко сфокусированные электронные пучки (100-1000 нм в диаметре). Посредством сканирования поверхности по линии и двумерной области и используя изображения в режиме вторичных электронов, можно получить распределение элементов по поверхности (картирование) и количественное распределение элементов по линии сканирования. Этот прием широко используется при [c.342]

Вторичные электроны возникают в результате взаимодействия между высокоэнергетическими электронами пучка и слабо связанными электронами проводимости [42]. При взаимодействии между ними происходит передача электронам зоны проводимости лишь нескольких электронвольт энергии. Результирующее распределение вторичных электронов по энергии (область III) на рис. 3.26,6 имеет максимум при энергии порядка [c.59]

З.5.1.З.4. Угловое распределение. Рассуждениями, подобными используемым для объяснения углового распределения отраженных электронов (рис. 3.15 и 3.16), можно показать, что вторичные электроны распределены по косинусоидальному закону относительно нормали к поверхности, если образец устанавливается перпендикулярно пучку. Для наклонных образцов угловые распределения отраженных и вторичных электронов различаются. Угловое распределение отраженных электронов становится асимметричным в направлении прямого рассеяния. Угловое [c.65]

Электронный спектр. Воздействие пучка рентгеновского излучения (РФЭС) или электронов (ОЭС) приводит к эмиссии электронов с поверхности образца. Электронный спектр представляет собой распределение эмитируемых электронов по кинетическим энергиям. Поскольку энергия источника возбуждения составляет единицы кэВ, то эмиссия электронов происходит с внутренних электронных уровней атома. Обычно в электронном спектре присутствует небольшое число характеристических линий. Фоновый сигнал электронного спектра формируется неупруго рассеянными электронами. Пример рентгеноэлектронного спектра приведен на рис. 11.33, а. Интенсивность оже-линий крайне мала. Устройство оже-спектрометров позволяет измерять не только спектр вторичных электронов, но и его первую производную по кинетической энергии электронов. Данный прием позволяет не только значительно повысить интенсивность линий, но и линеаризовать фоновый сигнал. На рис. 11.33, б изображен обзорный оже-электронный спектр поверхности серебра в интегральном и дифференциальном вариантах. [c.258]

Совершенно однородная среда не должна рассеивать света — вторичные световые волны, излучаемые электронами молекул, возбужденными падающей волной, когерентны и гасят друг друга по всем направлениям, кроме разрешенных законами геометрической оптики. Однако в любой среде всегда имеются флуктуации — отклонения от равномерного распределения положений и ориентаций молекул. Свет рассеивается на флуктуациях плотности и флуктуациях ориентаций в газах и жидкостях, на флуктуациях концентраций в растворе. [c.156]

Это связано с тем, что у вторичных и третичных радикалов про исходит частичное распределение - делокализация неспартного электрона на два и фи соседаих атома угле,рода. [c.64]

Метод электронно-стимулированной десорбции, во многом напоминающий метод вторичной ионно-ионной эмиссии, позволяет решать примерно те же задачи. Так, этим методом можно детально изучать адсорбированные слои, формы связей и состояние частиц на поверхности, десорбционные процессы, химические гетерогенные реакции и т. д. Кроме того, в ряде работ масс-спектрометрические измерения дополняются определениями полного ионного тока, потенциалов появления, углового и энергетического распределения вторичных ионов, что дает возможность оценивать эффективное сечение процесса десорбции ионов и некоторые другие характеристики молекулярной адсорбции и хемосорбции. [c.50]

Молекулы вторичных нафтеноЕ ых спиртов значительно устойчивее но отношению к электронному удару по сравнению с первичными. Влияние специфики структуры на распределение интенсивностей особенно отчетливо проявляется в масс-спектрах цикланолов с числом атомов углерода в молекуле 4—8 [158]. Вероятность их распада, за исключением циклобу-танола, возрастает от 73,5% Для циклопентанола до 98,9% для циклооктанола, что близко к и соответствующих [c.93]

В зависимости от условий вза-имодействия выделенный (вторичный) электрон может обладать самой различной кинетической энергией от энергии теплового движения частиц при данной температуре до энергии, близкой к энергии воздействовавшей (первичной) частицы. На рис. 193 представлено распределение вторичных электронов по энергии при выделении их действием первичных электронов с энергией 1 Мэе. Эти данные показывают, что большинство выделяющихся электронов обладает энергией, не превышающей 6 эв. В результате одна первичная частица может образовать в среднем примерно от десяти до ста тысяч вторичных электронов. Поэтому химическое взаимодействие в большинстве случаев вызывается действием не непосредственно частицей большой энергии, а действием вторичных электронов (или каких-либо других вторичных частиц). [c.554]

Количественная характеристика распределения алкильных заместителей по длине и степени замещения может быть найдена с использованием распределений интенсивностей пиков молекулярных и осколочных ионов, образованных при отщеплений этих заместителей [8], Условия получения масс-спектров должны быть такими, чтобы вторичные процессы распада были бы сведены к минимуму. Для ароматических сернистых соединений типа тиофенов, бензотиофенов и т. п. такие процессы малоинтенсивны даже при обычно используемых энергиях ионизирующих электронов 50—70 эВ. Для насыщенных циклических сульфидов следует использовать более низкие энергии ионизирующих электронов 12—18 эВ, при которых энергия, передаваемая молекулярному иону, достаточно велика, чтобы вызвать его распад, но недостаточна для осуществления целой цепи последовательных распадов. Цепь распадов в этом случае останавливается на первом этапе. [c.205]

Распределение первичных агрегатов (субагрегатов) в связующем и образование вторичных агрегатов. Их оптимальный размер, по данным электронно-микроскопических измерений [4-24], составляет примерно 300 нм, что соответствует размерам сажевых агрегатов в композициях сажа—каменноугольный пек [В-4] (рис. 4-10). Это больше расчетного расстояния между контактными поверхностями частичек при критическом наполнении. По данным [4-25], указанная величина составляет около 200 нм. [c.209]

Растровая (сканирующая) микроскопия. В растровых электронных микроскопах (РЭМ рис. 2) электронный луч, сжатый магн. линзами в тонкий (1-10 нм) зонд, сканирует пов-сть образца, формируя на ней растр из неск. тыс. параллельных линий. Возникающее при электронной бомбардировке пов-сги вторичные излучения (вторичная эмиссия электронов, оже-электронная эмиссия и др.) регистрируются разл. детекторами и преобразуются в видеосигаалы, модулирующие электронный луч в ЭЛТ. Развертки лучей в колонне РЭМ и в ЭЛТ синхронны, поэтому на экране ЭЛТ появляется изображение, представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по сканируемой [c.440]

Для соединений, не имеющих кратных связей или гетероатомов, алканов и циклоалканов, распределение заряда в ионах М" - предсказать сложно, и их фрагментацию объясняют стабильностью образующихся частиц. Например, в случае алканов при электронном ударе преобладает разрыв связей С—С в месте разветвления цепи, а у циклоалканов— в альфа-положении к циклу (а-распад), так как при этом образуются вторичные и третичные ионы. Локализация заряда на образующихся частицах определяется правилом Стивенсона заряд сохраняется преимущественно на фрагменте, имеющем меньший потенциал ионизации (ПИ). Сопоставление таких данных для молекул и радикалов позволяет объяснять и предсказывать характер фрагментации органических соединений [c.176]

Ротр = /отр ио р = к г]о1рРп- (9-10) Исследованиями установлено, что а) значения к и г) при бомбардировке твердых и жидких металлов практически одинаковы и не зависят от температуры б) величина энергии вторично отраженных на поверхность металла от стенки камеры электронов исчезающе мала в) значения к и т], а также величины относительных потерь для разных металлов с учетом углового распределения отраженных электронов могут быть приняты согласно табл. 9-4. [c.238]

Рентгеновские лучи способны к дифракции (рассешию), а кристаллы служат естественной дифракционной решеткой. Расстояния между плоскостями трехмерной кристаллической решетки (определяющие параметры элементарной ячейки) имеют такой же порядок, как и длина волны рентгеновского излучения, поэтому кристаллическая решетка и ведет себя подобно дифракционной решетке. Если монохроматический пучок рентгеновских лучей направить на кристалл, рентгеновские лучи рассеиваются когерентно, т е. при сохранении во времени постоянства соотношения между фазами волн и, следовательно, длины волны. Это создает возможность интерференции (сложения амплитуд волн) дифрагированного (вторичного) излучения, возникающего при взаимодействии первичного излучения с электронными орбиталями атомов кристаллической решетки. Получаемая дифракционная картина отражает трехмерную периодичности распределения электронных плотностей в кристаллической решетке, характеризующих расположение атомов. [c.145]

В циклич. комплексах с В. с., в к-рых каждая молекула образует две B. . с участием атома Н и неподеленной пары электронов атома функц. группы, происходит синхронное перемещение протонов по В. с.-выро ж де нны й обмен между двумя эквивалентными состояниями комплекса. Этот процесс в газовой фазе и в малополярных апротонных р-рителях определяет механизм рьции протонного обмена АН -t- ВН АН -t- ВН (атомы А и В м. б. одинаковыми). Скорость вырожденного обмена растет с увеличением прочности B. . в циклич. димерах карбоновых к-т, комплексах к-т со спиртами константа скорости процесса превышает 10 с" при 80 К. Протонный обмен спиртов с водой, к-тами, вторичными аминами в инертных р-рите-лях или в газовой фазе изучают по скорости установления равновесного распределения изотопной метки или по форуме сигналов спин-спинового взаимод. в спектрах ЯМР. Установлено, что р-ция имеет первый порядок по каждому из компонентов, т.е. является бимолекулярной, константы скорости составляют 10 -10 лДмоль-с), энергия активации-от 4 до 20 кДж/моль. В случаях участия группы АН во внутримолекулярной B. ., включения неподеленной пары электронов в сопряжение (напр., в амидах, пирролах), снижения протонодонорной или протоноакцепторной способности фрагментов (напр., для тиолов, вторичных фосфинов) скорость обмена снижается, энергия активации р-ции увеличивается. Синхронный переход протона в системах с невырожденным обменом иногда м. б. механизмом установления прототропных таутомерных равновесий. [c.404]

Осн. доля энергии И и. передается вторичными 8-электро-иами. Мгновенное распределение первичных и вторичных электронов по энергиям в среде-т. наз. спектр деградации излучения-позволяет рассчитать все процессы взаимод. по их сечениям в системе и найти состав и вероятность образования разл, ионизированных и возбужденных состояний, В случае взаимод, И и, с, многокомпонентной системой (напр., р-ром) распределение энергии излучения между компонентами происходит пропорционально электронной доле этих компонентов-отношению числа электронов, принадлежащих данному компоненту, к общему числу всех электронов системы в единице массы (или объема). Переданная в-ву энергия И.и. распределяется неравномерно вдоль траектории ионизирующих частиц, поэтому простраиств, распределение продуктов взаимод, также неоднородно, Степень неоднородности тем выше, чем больше ЛПЭ излучения. Это приводит к неодинаковым конечным эффектам при взаимод, со средой И,и. с различным ЛПЭ (см, Радиационио-химическ1 е реакции). [c.255]

Если строчная развертка проходит через область образца, то сигнал, поступающий с детектора, может быть зарегистрирован на осциллографе, причем по горизоитальной оси откладывается положение растра, а в вертикальном У-направлении вычерчивается сигнал (рис. 4.34). Мы можем идентифицировать сигналы в любых интересующих нас двух точках, например 5д и 5в, и рассчитать контраст по уравнению (4.13). Если такая же строчная развертка повторяется, то мы обнаружим, что осциллограммы на экране точно не налагаются друг на друга. Если сигнал, поступающий 3 одного и того же положения пучка, повторно регистрируется за время регистрации элемента изображения t, то номинально идентичные отсчеты сигнала меняются. Процесс регистрации изображения в растровом электронном микроскопе в основе своей состоит в счете дискретных событий, например вторичных электронов, поступающих со случайным по времени распределением за время зондирования. Измерение сигнала 5 включает в себя счет числа событий п на детекторе. Вследствие того что события распределены случайным образом во времени, последовательные отсчеты в одной и той же точке будут отличаться от среднего значения п на величину Качество сигнала можно выразить через отнощение сигнала к щуму [c.153]

Рис. 3.26. Распределение по энергии для электронов, эмиттированных из мишени, включая отраженные электроны (области I и II) и вторичные электроны (область III). Ширина области III представлена в увеличенном масштабе (а). Распределение вторичных э/1ектроиов по энергии, измеренное (точки) н рассчитанное (пунктир) [43] (б).

Акустическое изображение, т. е, распределение звукового давления, передаваемое для получения оптического изображения, возникает на плоском (пластинчатом) пьезоэлектрическом приемном преобразователе. В соответствии с различной интенсивностью падающих ультразвуковых волн на различных участках пластины на ней образуются пьезоэлектрические заряды, которые не могут стекать с неметаллизированной поверхно( ти. Пластина образует затворное окно электроннолучевой сканирующей трубки. При помощи обычной системы сканирования задняя сторона пластины сканируется построчечно, причем возникающая вторичная эмиссия электронов модулируется заряда- [c.299]

Полезно также рассмотреть плотность вторичных электронов, эмиттированных с единицы площади за счет этих двух процессов, т. е. от падающих электронов пучка и отраженных электронов. В работе [44] отмечено, что генерация вторичных электронов первичным пучком происходит на расстоянии до Я/2 от траектории электрона пучка. Для металлов это расстояние, на котором яроисходит генерация, составляет приблизительно 0,5 нм. Вблизи поверхности в пределах глубины выхода, составляющей 5Я, первичный пучок не испытывает существенного рассеяния, так что диаметр области выхода вторичных электронов, создаваемых первичным пучком, соответствует диаметру падающего пучка, расщиренному на 2X 2=Я. Вторичные электроны, создаваемые отраженными электронами, эмиттируются со всей поверхности вылета отраженных электронов, размер которой может быть микрон или более в диаметре. Для того чтобы оценить эту величину, мы примем за диаметр размер области, с которой выходит 90°/о отраженных электронов (рис. 3.22). Отметим, что, вследствие того что распределение отраженных электронов имеет максимум в центре этой области, плотность вторично-электронной эмиссии, индуцированной отраженными электронами, будет обязательно неоднородной. [c.62]

Покидающие образец электроны состоят из двух классов с сильно различающимися свойствами 1) вторичные электроны, которые эмиттируются со средней энергией 3—5 эВ, и 2) отраженные электроны, которые вылетают нз образца с распределением по энергиям, перекрывающим диапазон 0 о, где Ей — энергия падающего пучка. [c.124]

Кроме. химического анализа в выбранной точке часто желательно проанализировать распределение интенсивностей рентгеновских линий одного или более элементов вдоль линии на образце или даже по двумерному полю зрения. В режиме линейного сканирования сигнал с интенсиметра, соответствующий определенной установке спектрометра, подается на пластины вертикального отклонения электронно-лучевой трубки при сканировании электронного пучка по образцу (рис. 5.14). Для облегчения интерпретации производят наложение распределения рентгеновской интенсивности на вторично-эмиссионное изображение. Полученные таким способом результаты дают полуколи-чественную информацию о химическом составе образца. Для получения полной количественной информации требуется преобразовать интенсивности линий различных элементов в их концентрации с помощью одного из математических методов, описанных в гл. 7. Более того, поскольку отклонение электронного луча может приводить к расфокусировке спектрометра, количественные данные о распределении элементов вдоль линии лучше получать пошаговым перемещением образца при непод-вижчом электронном пучке. [c.208]

Исследование состава полисахаридов в сформировавшихся клеточных стенках дает основание судить о содержании и расиреде-лении ГМЦ в клеточных стенках лигнифицированных тканей. Оиределение расиределения ГМЦ в радиальном наиравлении клеточной стенки является трудной задачей и решается обычно только совместно с изучением распределения лигнина и целлюлоз, количество которых легче определить, применяя современные методы исследований. К исследованию расиределения лигнина в клеточной стенке привлекаются специфические цитохимические реакции, УФ- и электронная микроскопия [[8, 36, 37, 40]. Расиределение лигнина в клетке исследовано также под микроскопом иосле удаления полисахаридов клеточной стенки и получения лигнинных скелетов . Распределение лигнина в клеточной стенке древесины исследовали Асунма и Ланге, Фрей, Вергин и Фергус и др. (цит. по [8]). Они пришли к выводу, что доля лигнина в срединной пластинке (М) и первичной оболочке Р) древесины составляет 60—90%. В районе вторичной стенки лигнин распределен равномерно, и вблизи люмена содержание его составляет 12—20% [36, 46], [c.40]

Сочетание сигналов вторичных электронов, дающих изображение топограг фии поверхности, и сигналов отраженных электронов, дающих картину распределения среднего атомного номера, с качественным и количественным рентгеновским анализом делают ЭЗМА важнейшим методом анализа твердых тел. Он стал рутинным для решения любых типов задач и анализа любых типов материалов (идентификация частиц в металлах, фаз в геологических объектах, пылевых токсичных частиц, асбестовых волокон). Главным ограничением метода является размер аналитического объема—обычно 1-3 мкм диметром и глубиной, что мешает проводить количественный рентгеновский анализ нанофаз, хотя их можно увидеть, используя сигналы вторичных или отраженных электронов. Можно детектировать поверхностные слои толщиной не менее нескольких нанометров, но провести селективный анализ в этом случае не представляется возможным, и очевидно, что необходимо использовать другие методы — аналитическую электронную микроскопию и электронную оже-спектроскопию для микроанализа с высоким разрешением по глубине (единицы нанометров). [c.335]

Вторичный электронный умножитель (ВЭУ) является одним из основных видов детекторов ионов в современных масс-спектрометрах. Ионы, прошедшие анализатор и имеющие энергию 1-10 кэВ, попадают на коллектор, которым является первый дииод ВЭУ. Каждый ион выбивает из первого динода один или большее число электронов. Эти электроны ускоряются разностью потенциалов между первым и вторым динодами ( 100 В) и выбивают из второго динода следующую порцию дополнительных электронов. Таким образом происходит умножение начального количества выбитых электронов на всех 10-20 ступенях умножителя и на последний динод, на каждый детектируемый ион приходится до 10 электронов. Такие умножители электронов с дискретными динодами отличаются как большйм коэффициентом усиления, так и быстродействием и сравнительно малым шумом. Динамический диапазон их достаточно велик — от 10 (что соответствует одному иону в секунду) до 10 А. Недостатком ВЭУ этого типа является старение , т.е. изменение характеристик со временем или в результате загрязнения. Другой тип ВЭУ с распределенными динодами (каналтроны) характеризуется большей стабильностью. Каналтроны прочны и устойчивы к внешним воздействиям. Максимальный ток каналтрона значительно меньше, чем у ВЭУ с дискретными динодами (= 10 А). [c.859]

Преимущества этого метода аналогичны преимуществам метода вторичной ионно-ионной эмиссии. Это выдвигает электронно-стимулиро-вапную десорбцию при исследовании поверхности твердого тела как одно из перспективных направлений. На основе метода построен прибор со сканирующим электронным зондом, позволяющий получать картину распределения адсорбированных газов. [c.50]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология