Кристаллы энергетические

Вследствие искажения направления связей в дополнительно поляризованных молекулах при упорядоченном расположении их под ориентирующим действием поверхности кристалла энергетически более преимущественными могут быть структуры, отличные от структур, свойственных обычной воде и обычному льду. Fla это указывает более высокая плотность структуры рассматриваемых слоев воды. [c.379]

На рисунке 64 показано возникновение энергетических зон кристалла из энергетических уровней атомов по мере сближения последних. Предположим, что атомы расположены в узлах некоей кристаллической решетки с межатомными расстояниями, во много раз большими, чем в решетке реального кристалла, Энергетические состояния такого гипотетического кристалла представляют собой квантовые состояния изолированных атомов. Сближение же атомов [c.100]

Для ионных кристаллов ширина запрещенной зоны составляет около 6 эВ. У молекулярных кристаллов энергетические уровни локализованы в пределах молекул и энергетические зоны не возникают. Поэтому указанные вещества относятся к изоляторам. [c.87]

Энергетический спектр электронов в кристаллах. Энергетический спектр электронов в кристаллах имеет свои специфические особенности. Легче всего эти особенности можно понять следующим образом. [c.198]

Начало и ход процесса растворения кристалла энергетически Связаны с нарушениями его решетки. Дефекты кристаллических Решеток минералов и металлов существенно влияют на их реакционную способность, в том числе на протекание гетерогенных адсорбционных и каталитических процессов, с которыми во многих случаях тесно связано выщелачивание. [c.73]

В зонной теории энергия когезии металла описывается электростатическим взаимодействием положительно заряженных ионов и валентных электронов, способных перемещаться под действием периодического потенциального поля ионов кристалла. С хорошим приближением электроны, расположенные во внутренней сфере каждого иона, считаются локализованными. Каждому квантовому уровню электрона свободного атома соответствует в кристалле энергетическая зона, ширина которой тем больше, чем сильнее перекрывание атомных волновых функций. Сказанное выше схематично иллюстрируется на примере меди на рис. 4 показанная на рисунке зависимость спра- [c.12]

С учетом того, что внедрение Ы1(Со) в объем идеального кристалла энергетически невыгодно, предложена модель поверхностного внедрения на боковой грани кристаллов, а также модель, в которой катионы промотора компенсируют избыточный отрицательный заряд на торцевых гранях кристаллов дисульфидов [189]. [c.79]

Удобно пренебречь также составляющей энтропии, связанной с ориентацией ядерных моментов количества движения атомов в кристалле. Энергетические различия между возможными ориентациями ядерных спинов очень малы, и, по-видимому, единственным веществом, у которого равновесная ориентация ядерных спинов отличается от беспорядочной, является водород [187]. Как и в случае смеси изотопических молекул, энтропия, связанная с беспорядочной ориентацией ядерных спинов, при обычных химических процессах совершенно не меняется, а поэтому ею можно пренебречь. Таким образом, в большинстве термодинамических расчетов используются практические значения энтропии, не включающие составляющих изотопического смешения и ориентации ядерных спинов. [c.13]

Цифрами отмечены участки, где рост кристалла энергетически более выгоден. [c.185]

Заполнение этих трех ступенек является при росте кристаллов энергетически наиболее выгодным, его вероятность при прочих равных условиях больше вероятности заполнения других типов ступенек. Именно в таком случае происходит регулярный рост кристаллической решетки и, следовательно, всего кристалла. Скорость этого процесса наибольшая по сравнению со всеми другими процессами роста. Регулярное, правильное построение плоскости кристалла энергетически наиболее выгодно — это обстоятельство является одной из важнейших причин того, что кристаллы имеют плоскую огранку. [c.185]

Рост кристаллов. Энергетические этапы...... [c.8]

В ионных (или гетерополярных) кристаллах энергетические взаимодействия между противоположно заряженными частицами можно описать в первом приближении законом Кулона, по которому сила притяжения К противоположно заряженных частиц прямо пропорциональна их заряду ге и обратно пропорциональна квадрату расстояния а между ними. Для притяжения в вакууме имеем [c.70]

Расщепление электронных энергетических уровней на ЗОНЫ происходит при сближении изолированных атомов с образованием кристалла. Энергетические зоны для разного типа орбиталей возникают при сближении на различные расстояния. Кроме того, на определенных расстояниях эти зоны начинают перекрываться. Схема возникновения и перекрывания энергетических зон в кристалле натрия в зависимости от межатомного расстояния показана на рис. 35. По мере сближения атомов дискретные электронные уровни начинают превращаться в энергетические зоны. В первую очередь это происходит с внешними орбиталями, так как они дальше отстоят от ядра. При дальнейшем сближении атомов происходит перекрывание энергетических зон. Значение Го характеризует межатомное расстояние в сформировавшемся кристалле натрия. Отметим, что внутренние энергетические уровни 15, 2з, 2р начинают расщепляться в зоны лишь на расстояниях меньших, чем Го. [c.130]

При образовании кристалла атомы по мере сближения начинают взаимодействовать, вследствие чего энергетические уровни. электрона несколько смещаются друг относительно друга, точнее—каждый уровень расщепляется на несколько близко расположенных уровней, число которых равно числу атомов, участвующих во взаимодействии. Другими словами, под действием появляющегося в кристалле периодического потенциального поля из одноименных уровней многих отдельных атомов возникают общие для всего кристалла энергетические полосы или зоны—1з, 2в и т. д. [c.275]

Миграция адсорбированных молекул не является свободной вследствие наличия энергетических барьеров, которые имеются даже на поверхности адсорбента с правильной кристаллической решеткой. В таком идеальном кристалле энергетическая неоднородность возникает вследствие периодичности в расположении элементов кристаллической решетки. Например, при правильной кубической упаковке атомов, схематически показанной на рис. 18, энергия адсорбций в точках М тя. N различна. То же самое имеем для гексагональной упаковки, хотя соотношение энергий адсорбции будет другим, но в обоих случаях, изменение энергии по поверхности аналогично и может быть схематически представлено кривой, изображенной на рис. 19. Для перехода адсорбированной молекулы из положения 1 в 2 требуется энергия активации Е = Е1- Е . [c.56]

В случаях, аналогичных описанному выше, мы переходим в область многократной активации, когда трегер содержит более чем один тип излучающих атомов. Эти случаи наглядно показывают, что в активации играет роль природа самого активатора и окружающее его потенциальное поле кристалла. Энергетический спектр включений сильно модифицируется окружающей обстановкой. Изменения энергетического спектра влияют на вероятность оптических переходов в данном участке решётки и определяют кпд активатора в люминесценции. [c.126]

КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ КРИСТАЛЛА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ [c.62]

На базе молекулярно-кинетических представлений выполнен расчет свободной энергии кристалла. Исследованы уравнения равновесия, определяюище атомный и спиновый порядки в зависимости от температуры, состава кристалла, энергетических констант, а также взаимную зависимость спинового и атомного упорядочений. Оценены критические температуры атомного и спинового упорядочений, установлена их концентрационная зависимость, а также зависимость критической температуры спинового упорядочения от степени дальнего атомного порядка. Последняя оказалась дробно-рациональной функцией с числителем - полиномом четвертой степени и знаменателем - квадратичной функцией по параметру дальнего атомного порядка. [c.142]

Предположим, что атомы расположены в узлах некой кристаллической решетки с межатомными расстояниями, во много раз большими, чем в решетке реального кристалла. Энергетические состояния такого гипотетичё- [c.148]

С другой стороны, в 1927—1928 гг. Косселем и Странским был развит молекулярно-кинетический подход к рассмотрению кристаллизационных явлений. Важную роль в их теории играет так называемое положение на половине кристалла . Это положение является самовоспроизводимым если кристалл достаточно большой, то присоединение или отрыв одной частицы от этого полонгеиия не вызывает никаких изменений — ни геометрических, ни энергетических. При равновесии с окружающей средой вероятности присоединения и отрыва от положения на половине кристалла равны между собой и работа отрыва одной частицы равна энергии решетки кристалла (на одну частицу). Эти свойства положения полукристалла превращают его в своеобразный эталон сравнения вероятностей элементарных процессов отрыва и присоединения и к другим местам на поверхности кристалла. Таким образом, из данных определения работ отрыва частиц при различных их положениях на кристаллической поверхности выявились важные следствия о структуре разного типа кристаллографических граней как в состоянии равновесия, так и при их росте или растворении, т. е. была создана наглядная полуколичественная картина всего процесса кристаллизации. Из нее следует, что рост плотпоупакованных граней кристалла энергетически затруднен из-за необходимости предварительного образования стабильных в отношении дальнейшего роста двумерных комплексов. Однако на этом этапе внутренняя связь между трактовками Косселя — Странского и Фольмера оставалась невыясненной. [c.5]

Допуская, что исчезновение энергетического барьера в системе является следствием снижения поверхностного (%) потенциала, автор объясняет наблюдаемую в экспериментах зависимость остаточной мутности воды от дозы коагулянта (рис. VI. ) следующим образом. При а<С йх увеличение Мо с ростом а вызвано образованием в растворе большого количества микрокристаллов. По мере накопления кристаллов энергетический барьер отталкивания между частицами загрязнений снижается, и в точке перелома кривой наступает быстрая коагуляция. С ростом дозы коагулянта от Й1 до а-1 остаточная мутноСть уменьшается, а фц достигает значения, близкого к нулю, и сохраняет его вплоть до а = а . При а у потенциал становится положительным и происходит рестабилизация частиц загрязнений, сопровождающаяся ухудшением и прекращением коагуляции. [c.156]

В макроскопическом кристалле энергетические уровни электронов расположены очень близко друг к другу. Расстояние между нихми меняется обратно пропорционально / , где I — раз- [c.272]

Теплота сублимации простых солей с известной кристаллической структурой может быть рассчитана с использованием подходящей потенциальной функции, а Н°о1п определяется непосредственно из калориметрических опытов. Типичные значения для Na l таковы Н°о[п= = + 0,9 ккал/моль, Дй г, = + 183 ккал/моль, Д//д г = 182 ккал/моль. Обычно ДЯ о/л мало, поскольку взаимодействие с решеткой кристалла энергетически мало отличается от взаимодействия с растворителем. Энтропии растворения (2.13) можно оценить из AH°0in и G°oin. Последнюю величину (2.15) определяют из активности соли в насыщенном растворе ОСА (нас.) или путем измерения э.д.с. [c.267]

В результате осаждения металла при электролизе продолжают расти уже имеющиеся в металле катода кристаллы или образуются и растут новые кристаллы. При изучении закономерностей роста кристаллов было установлено, что различные участки на поверхностях кристаллов энергетически не равноценны в зависимости от того, на каком из этих участков окажется после осаждения из раствора нейтрализуемый атом, освобождаются различные количества энергии. Если осаждаемые атомы с одинаковой вероятностью могут достигнуть любого места на поверхности кристалла, то рост кристалла будет продолжаться прежде всего там, где тистройка нового атома приводит к освобождению наибоЖшего количества энергии, то есть рост кристаллов энергетически наиболее выгоден. [c.184]

Из изложенного ясно, что атомы, находящиеся на частично заполненной поверхности грани кристалла, энергетически неравноценны атомы по краям заполненного участка обладают избытком свободной энергии по сравнению с атомами в его середине. В случае трехмерного тела энергетическая неравноценность атома в объеме и на поверхности приводит к появлению поверхностного натяжения для двухмерных тел, т. е. для образований, состоящих из одного молекулярного слоя, подобным же образом нужно ввести понятие краевого натяжения р. Произведение величины краевого натяжения на длшу периметра I, ограничивающего занятую часть поверхности грани (рис. 11), определяет избыток свободной энергии в таком двухмерном теле по сравнению с энергией, содержащейся в том же количестве вещества, но входящем в состав бесконечно протяженной заполненной плоскости. В интере- [c.26]

Как показал Берто [82, 83], ионная модель, т. е. статистическое беспорядочное распределение вакансий и ионов повышенной зарядности в нестехиометрическом кристалле энергетически невыгодно. Минимуму электростатической составляющей энергии кристаллической дефектной решетки соответствует размещение вакансий на предельно возможных расстояниях, а катионы повышенного заряда неизбежно должны располагаться вблизи вакансий. При этом выигрыш энергии кристалла с упорядоченным расположением точечных дефектов, по сравнению с энергией полностью статистического раз-упорядоченного кристалла, составляет десятки килокалорий на грамм-формулу. Такую величину нельзя скомпенсировать за счет энтропийного члена даже при высоких температурах. [c.114]

В зависимости от условий обработки полиэтилена на рентге-]юграммах обнаруживаются дополнительные дифракционные линии, которые соответствуют кристаллической структуре полиэтилена с иной упаковкой метиленовых цепей (триклинная структура кристаллов) . Энергетически эти структуры почти не отличаются друг от друга, а поэтому не оказывают существенного влияния на свойства полимера. [c.41]

Еще одним примером связи между частицами в кристаллах, энергетическое описание которой возможно с использованием нескольких физически осмысленных эмпирических параметров без квантовомеханических расчетов, является связь за счет взаимодействия диполей — так называемое ван-дер-ваальсово взаимодействие. По своей природе ван-дер-ваальсово взаимодействие в твердых телах делится на три типа дисперсионное, индукционное и ориентационное. [c.83]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология