Характеристика оптических дефектов

ХАРАКТЕРИСТИКА ОПТИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ [c.146]

Разрешающая способность определяет возможность метода судить о форме объекта отражения. О характеристике дефекта судят также по фактуре его поверхности благодаря разной степени рассеяния на ней волн. Здесь имеет значение отношение неровности поверхности к длине волны, а точнее — величина параметра Рэлея (см. п. 2.2.7). Большая информация об объекте отражения-даваемая оптическим излучением, связана как с высокой разрешающей способностью, так и с большим значением параметра Рэлея вследствие малости длины световой волны. [c.142]

Дефекты кристаллов и их возникновение. Ранее были рассмотрены физико-химические характеристики идеальных кристаллических структур. Закономерности формирования таких структур позволяют объяснить многие свойства и реальных кристаллов, такие, например, как плотность, диэлектрическая проницаемость, удельная теплоемкость, упругость. В то же время целый ряд очень важных свойств твердых систем (прочность, электрическая проводимость, теплопроводность, оптические и магнитные свойства, каталитическая активность) существенно зависит от того, насколько кристаллические структуры таких веществ отклоняются от идеальных. В реальных кристаллах всегда существуют структурные нарушения, обычно называемые несовершенствами или дефектами. Дефекты кристаллов иногда сообщают твердым телам весьма ценные свойства, в связи с чем их реализуют искусственным путем. [c.78]

В отличие от нитридов -металлов, где некомплектность азотной подрешетки может достигать -50 % (обзоры в [20,21]), области гомогенности бинарных Ш-нитридов в равновесном состоянии весьма малы [1, 3]. Тем не менее, даже незначительное присутствие решеточных анионных или катионных вакансий может критическим образом изменять проводимость, оптические свойства, влиять на термомеханические характеристики Ш-нитридов. Особую роль решеточные дефекты играют в формировании свойств элементов оптоэлектронных устройств, в качестве которых выступают нитридные пленки или гетероструктуры, синтезируемые в неравновесных условиях. [c.38]

Наряду с такими микроскопическими методами исследования реальной структуры, как ЭПР, оптическая спектроскопия, комбинационное рассеяние и т. д., необходимо привлекать те или иные методы диэлектрической спектроскопии, изучающей макроскопические характеристики кристаллов электропроводность и комплексную диэлектрическую проницаемость до 10 ° Гц. Особую значимость эти методы приобретают в тех случаях, когда точечные дефекты реального кристалла непарамагнитны, оптически неактивны, но электрически активны в невозбужденном состоянии. [c.131]

Главной особенностью его является активная роль оператора в его проведении и получении достоверных результатов. Визуальный контроль проводится без специальных средств, усиливающих природные качества человека-оператора. Он особенно эффективен при контроле объектов сравнительно больших размеров при необходимости выявления грубых дефектов, отклонений формы, размеров и оптических характеристик. Отметим особенности зрения человека, которые надо учитывать при организации визуального контроля. [c.235]

С помощью микроскопов и устройств, построенных по тому же принципу, решаются следующие задачи неразрушающего контроля качества измерение геометрических размеров и формы малогабаритных изделий, обнаружение дефектов малых размеров (до долей микрометра) с высоким разрешением по их пространственному положению, контроль физико-химических свойств и состояния материалов (внутренних напряжений) по их оптическим характеристикам, контроль внутреннего строения малогабаритных изделий или их частей, расположенных в прозрачном или полупрозрачном материале. [c.244]

Краткая характеристика некоторых методов Визуально-оптический метод. С его помощью выявляют относительно крупные трещины, механические повреждения поверхности, нарушения сплошности защитных покрытий, остаточную деформацию и др. Однако вероятность обнаружения мелких поверхностных дефектов с помощью этого метода низка кроме того, эффективность метода зависит от субъективных факторов (остроты зрения и опыта работы оператора) и условий контроля (освещенность, оптический контраст). [c.73]

Все дефекты, как известно, вызывают изменение физических характеристик металлов и сплавов — плотности, электропроводности, магнитной проницаемости, упругих свойств и т. д. Исследование изменений характеристик металлов и обнаружение дефектов, являющихся причиной этих изменений, составляет физическую основу методов неразрушающего контроля. Эти методы основаны на использовании проникающих излучений рентгеновских и гамма-лучей, ультразвуковых и звуковых колебаний, магнитных и электромагнитных полей, оптических спектров, явлений капиллярности и т. д. [c.32]

Толщина оболочки имеет значение не только как важный фактор, определяющий оптические характеристики световода, но и качество его оптической торцевой поверхности. Обычно на торцевой поверхности любого оптического волоконного элемента, в особенности гибкого световода, имеется много дефектов в виде темных точек. Можно предполагать, что причина этих дефектов в значительной степени определяется состоянием боковой поверхности оптического волокна и толщиной оболочки. Если сравнить общую боковую поверхность всех волокон в световоде диаметром Ъ мм VI длиной 1 м с площадью его торцевой поверхности,. то окажется, что боковая поверхность всех волокон в 200000 раз больше поверхности торца. Это значит, что если оболочка тонкая и имеются нарушения ее целостности, то создаются условия, при которых все дефекты с поверхности в 200000 раз большей могут наблюдаться на поверхности торца световода. При увеличении толщины оболочки, очевидно, можно устранить возможность проецирования малых поверхностных дефектов волокон на торцевую поверхность световода. [c.29]

Поскольку основным результатом изучаемых процессов является возникновение тех или иных дефектов кристаллической решетки или изменение их концентраций, то следует в первую очередь пользоваться теми методами, которые чувствуют эти изменения. К их числу прежде всего относится исследование характеристик самой люминесценции, так как они непосредственно связаны с изучаемыми дефектами. Наряду с этим используются также методы, в основе которых лежит исследование других структурно-чувствительных свойств, т. е. свойств, резко зависящих от природы и концентрации дефектов кристаллической решетки. Ими являются электрические, фотоэлектрические и магнитные свойства кристаллофосфоров. Изучение соответствующих характеристик люминофоров в зависимости от варьируемых препаративных условий дает возможность судить о характере и закономерностях протекающих процессов. Применение для этой цели классических физико-химиче-ских методов, использующих химический, рентгеноструктурный, термографический и т. п. методы анализа, может рассматриваться только как вспомогательное средство, дающее в ряде случаев полезную информацию, но не позволяющее, в силу малой концентрации оптически активных дефектов, непосредственно следить за [c.10]

Следует упомянуть также об осложнениях, связанных с тем, что при резком охлаждении кристаллов образуется большое число дислокаций. Наконец, нужно иметь в виду и то, что особенно трудно заморозить высокотемпературное равновесие в крупных монокристаллах. С другой стороны, в случае порошков невозможно количественное измерение электрических и некоторых оптических характеристик, позволяющих судить об абсолютных концентрациях дефектов. Поэтому в настоящее время рассмотренные термодинамические расчеты позволяют в основном лишь качественно анализировать происходящие процессы. Но и это имеет немалое значение, поскольку другим путем эту задачу решить трудно. [c.207]

НИЯ получать характеристики дефектов (фиг. 186). Эти методы основаны на преобразовании рентгеновских или гамма-лучей в видимый свет с помощью прозрачных кристаллов или электролюминесцентных гамма-преобразователей. Изделие устанавливают между оптическим электронным гамма-преобразователем и источником излучения. При движении контролируемых участков в пространстве между источником излучения и преобразователем гамма-лучей исследуемые соеди- [c.262]

Рациональный выбор конструкции ОВ позволяет управлять скоростями коррозионного и термофлуктуационного процессов разрушения. Например, создание остаточного термоупругого сжатия даже при наличии крупных дефектов позволит обеспечить достаточно большой Т п- Этого можно достичь путем подбора стекол с нужными характеристиками для сердцевины и оптической оболочки. [c.247]

Рассмотрим кратко влияние свойств полупроводника и электромагнитного излучения на перечисленные характеристики фотоэлектрохимического преобразователя энергии (см. также [49]). Связь между К,нг и шириной запрещенной зоны обсуждалась выше. Величина квантового выхода фототока, как следует из уравнения (2.2), определяется соотношением между коэффициентом оптического поглощения света а, толщиной обедненного слоя и диффузионной длиной неосновных носителей Первая из перечисленных величин зависит от типа оптических переходов в полупроводнике, вторая-от концентрации основных носителей [см. уравнения (1.16) и (1.17)], которая регулируется введенными в полупроводник донорными или акцепторными примесями, третья-от совершенства кристаллической структуры материала и концентрации в нем случайных примесей и дефектов, служащих центрами рекомбинации. [c.57]

На поверхности кремнезема стабилизируются собственные дефекты двух типов, в которых атом кремния связан соответственно с тремя (парамагнитные) или двумя (диамагнитные) решеточными атомами кислорода. В. А. Радциг детально исследовал структуру и спектральные характеристики (оптические, радиоспектроскопические, ИК-спектроскопические), а также реакционную способность парамагнитных и диамагнитных точечных дефектов на поверхности SIO2. На многочисленных примерах показаны возможности получения привитых к поверхности высокореакционноспособных интермедиатов (табл. 4.13 и 4.14). [c.159]

После нагревания при формовании или ориентации в органических стеклах могут возникать и усиливаться оптические дефекты. Эта яЁление принято называть оптической нетермостойкостью, Клас сифйкация и краткая характеристика этих дефектов представленье ниже [c.59]

Наряду с решеточными вакансиями, важнейшим типом точечных дефектов в нитридах являются примесные центры, наличие которых зачастую зависит от условий синтеза конкретных образцов. В свою очередь, легирование нитридов различными изо- и ге-теровалентными примесями рассматривается как один из наиболее эффективных приемов направленного регулирования их физико-химических характеристик. Некоторые вопросы зависимости оптических, электрических, термических свойств, условий роста нитридных пленок и гетероструктур, включающих BN, A1N, GaN, InN, от присутствия примесных центров обсуждаются в обзорах [44—49]. [c.43]

Примеси и решеточные вакансии относятся к одному из наиболее распространенных типов структурных дефектов в А120з-кера-миках, во многом определяя их функциональные характеристики. Так, присутствие нейтральных или заряженных кислородных вакансий заметно отражается на оптических, радиационных свойствах А1аОз [79—82. Наличие примесей (например атомов РЗМ) способствует изменению структурных, термомеханических свойств, влияет на морфологию зерен, адгезионную способность, модифицирует характеристики межфазных структур сложных керамик, содержащих оксид алюминия [83—86]. [c.131]

Оптическое поглощение в кварце в области 3200—3700 см связано с различным водородсодержащим дефектом. Изучение синтетических и природных кристаллов различного генезиса, подвергшихся различным внешним воздействиям (радиация, электролиз на воздухе и в вакууме, термохимическая обработка), показало, что возникновение таких дефектов обусловлено вхождением структурной примеси алюминия вместо кремния и необходимостью зарядовой компенсации . Поскольку такая компенсация осуществляется как щелочными ионами, так и протонами, то можно утверждать, что одной из основных характеристик всех кристаллов кварца являются концентрация структурной примеси алюминия и относительные концентрации различных ионов-компенсаторов. Следует также отметить, что в кварцах с радиационной цитриновой окраской осуществляется компенсация АЬцентров сложными дефектами, в состав которых входят как щелочной ион, так и протон. [c.76]

В табл. 7 приведены основные спектроскопические характеристики наблюдавшихся в кварце методом ЭПР центров непримесной природы, получившие в литературе название дефектов -типа. Связь между полосами оптического поглощения и спектрами ЭПР дефектов определенного типа зачастую неоднозначна, поскольку многие работы по изучению оптического поглощения проводились без ЭПР-измерений или ЭПР-исследова-ния — без оптических измерений. [c.147]

Геммолог ограничен в способах, которые он может использовать для измерения свойств конкретного камня. Самое строгое ограничение заключается в том, что он не должен повредить камень, хотя определения некоторых свойств, например твердости, можно проводить на обратной стороне камня, где это не будет заметно. Трудности возникают в том случае, если камень заключен в ювелирное изделие, например в кольцо. Взяв на себя ответственность за то, что камень будет извлечен из оправы без последствий, специалист обычно измеряет его твердость, плотность (удельный вес) и показатель преломпения, оптическую характеристику и двупреломление. Дополнительные тесты могут включать изучение дефектов, особенно включений, наблюдение через специальные фильтры и оценку флуоресценции. [c.146]

Наряду с высокой скоростью и качеством очистки детален от окалины и ржавчины струйная обработка создает поверхиостиый упрочняющий наклеп, который положительно сказывается на механических свойствах детали. В результате такой обработки с поверхиости исчезают заусенцы, забоины, риски, т. е. те дефекты, которые отрицательно сказываются ма коррозионной стойкости деталей с покрытиями, на качестве осаждаемых покрытий и на их декоративном виде. Этот процесс широко применяют для создания равномерной матовой поверхности детали и повышеиня светопоглощакодих характеристик деталей оптической аппаратуры. [c.64]

Опыт применения АСАИ показывает, что статистические характеристики изображения и статистические характеристики геометрических параметров индикаторных следов дефектов отражают обшее состояние качества объекта, а соотношения фадаций оптических плотностей изображения видеоспецифичны и закономерно меняются в соответствии с морфологическими изменениями контролируемой поверхности. Все это позволяет использовать систему АСАИ для следующего. [c.583]

Для атомов щелочных металлов расчеты дисперсионной эиергии в приближении Хартри — Фока могут претендовать лишь на правильный порядок величины. Поскольку поляризуемость щелочных атомов определяется в основном волновой функцией валентного электрона, весьма эффективным при расчетах оптических характеристик оказался метод модельных потенциалов, а также метод квантового дефекта [41—45]. В качестве модельных потенциалов, используемых для вычисления поляризуемостей и других характеристик щелочных атомов, применяются потенциалы Кратцера [46] и Саймонса [47]. Для этих потенциалов найдены аналитические формулы для поляризуемости [48], сумм сил осцилляторов [49], проведены вариационные расчеты [50]. Таблицы постоянных Сб, Сд, Сю для систем атом щелочного металла — атом инертного газа приведены в работе [45]. [c.96]

Электронно-микроскоаический метод рекомендуется для измерения частиц от 10—5 до 0,001 мкм (6, 15, 181 он сложен в апцаратур-ном оформлении и трудоемок. Для характеристики поверхности и выявления дефектов структуры частиц и определения их толщины польззтотся методом реплик, т. е. на образец напыляют в высоком вакууме пленку тяжелого металла под углом [23]. Если применять специальные экраны и счетные устройства, этот метод не только пригоден для контроля других методов дисперсионного анализа, но и позволяет получить кривые распределения частиц по размерам. Источником ошибок, как и в оптической микроскопии, является агрегация частиц, которая усугубляется тем, что при электронной микроскопии имеют дело со значительно более дисперсными системами. Метод использовался во многих исследованиях красителей [24- 27]. [c.32]

Диффузия примесных дефектов происходит обычно значительно медленнее, чем собственных. Поэтому активация примесями при определенных условиях способствует получению кристаллофосфоров с относительно хорошо воспроизводимыми оптическими и электрическими характеристиками. Иногда специально отжигают или медленно охлаждают кристаллы и порошки, чтобы увеличить отношение концентрации преднамеренно созданных примесных центров к концентрации собственных дефектов. В то же время если последние участвуют в компенсации валентности легирующей примеси, то эта примесь стабилизует их концентрацию. Следовательно, в тех случаях, когда с такими собственными дефектами связано появление центров свечения, примесь играет роль не активатора, а интен-сификатора люминесценции. [c.207]

Формование ориентированных стекол при таких температурах исключает использование довольно, сложной технологической оснастки,, необходимой для жееткЬго надежного закрепления стекла по периметру заготовки. При этом также удается полностью устранить возможность разрыва ориентированных етекол в процессе нагрева и формований в результате локальных перегревов. Снижение температуры позволяет получать детали остекления контактными методами формования с высокими оцтическими характеристиками, так как ориентированные стекла обладают достаточно высокой поверхностной твердостью, что практически исключает появлениё отпечатков от дефектов формообразующей оснастки на оптических поверхностях остекления. [c.156]