Связь между зарядом и заполнением

СВЯЗЬ МЕЖДУ ЗАРЯДОМ И ЗАПОЛНЕНИЕМ [c.104]

Связь между зарядом и заполнением может быть определена при условии, что зависимость р от вводится в изотерму из табл. 5. С другой стороны, можно постулировать связь заполнения с зарядом для некоторой модели и проверить обоснованность любой конкретной изотермы, используя уравнение (16) гл. II, а именно при постоянном химическом потенциале электролита [c.104]

Наличие у атома бора в молекуле ВНз вакантной 2р-орби-тали с низкой энергией обусловливает электронодефицитный характер этой молекулы. В отсутствие посторонних молекул, которые бы содержали атомы, обладающие свободными электронными парами, заполнение вакантных орбиталей атомов бора может достигаться, если две молекулы ВНз объединяются в одну ВгН , в которой возникают две трехцентровые связи. Водородные связи между молекулами ВНз возникать не могут, так как атомы бора не имеют неподеленных электронных нар и не несут эффективного отрицательного заряда. [c.313]

Аи. В случае р. в. в. авторы пытались установить связь между значениями плотности тока обмена о и кажущейся теплоты активации АН , с одной стороны, и числом ( -дырок на атом никеля — с другой [141]. Было показано, что если в интервале О—60 ат. % Си увеличение содержания меди в сплаве сопровождается существенным изменением г о и АЯ , то после заполнения й-оболоч-ки (>60% Си) эти параметры либо вообще не зависят от состава сплава, либо эта зависимость выражена значительно слабее. Между lg 0 и числом -дырок в расчете на атом никеля существует линейная связь (рис. 23). Если сравнивать плотности тока г ф при потенциалах, соответствующих, согласно оценке, точкам нулевого заряда Фо для разных электродов, то зависимость плотности тока от состава сплава оказывается почти линейной, причем уменьшается [c.471]

Соотношение (7.3) описывает вклад в диэлектрическую проницаемость среды, вносимый поляризацией при низкочастотных колебаниях, соответствующих инфракрасному диапазону. Множитель (е=о +2)2/9 обусловлен полем Лорентца. Эффективный заряд вводится для того, чтобы учесть взаимодействия ближнего порядка между смещениями атомов и электронов. В том случае, когда связь между атомами не чисто ионная (ZnS), сами основы расчета спорны. Но для галогенидов щелочных металлов, образующих типичные ионные кристаллы, величины е 1е определенно меньше единицы, и отклонения в этом случае можно приписать дополнительной поляризации из-за взаимодействия между соседними ионами. Ионы галогенидов щелочных металлов имеют структуру атомов инертных газов с заполненными электронными оболочками. Как мы видели в гл. 3, 6, в, такой поляризующийся ион состоит из остова , образованного ядром и электронами внутренних оболочек, и внешней оболочки из п электронов с массой т. Внешняя оболочка под дей- [c.164]

Рассмотрим сначала случай однофазной линии. На рис. 6-1 дана схема расположения провода 1 и антенны 2, установленной вне области О, заполненной объемным зарядом короны. Антенна 2 точно в середине ее длины заземлена через измерительный элемент г. Заземление в средней точке позволяет исключить протека -ние в заземлении токов, вызванных электромагнитной связью между антенной и проводом, по которому протекает рабочий ток линии I. [c.186]

Если связь между электроном и дыркой нарушена (кристалл — идеальный изолятор с широким энергетическим провалом между наивысшей заполненной и наинизшей пустой полосами), то оба заряда могут свободно двигаться по решётке независимо друг от друга. При таком движении оба быстро теряют за счёт столкновений с решёткой полученную при возбуждении кинетическую энергию, пока не займут каждый в своей полосе энергетического уровня, соответствующего тепловому состоянию решётки. Время осуществления термического равновесия в полосах при комнатной температуре оказывается порядка 10 сек. и увеличивается при охлаждении в соответствии с увеличением длины свободного пути обеих частиц. Электрон за этот период падает на самый низкий из подуровней полосы проводимости, а дырка всплывает на самый верхний подуровень заполненной полосы. Соответствующее перемещение обоих зарядов указано на рис. 63 стрелками. Рекомбинация электрона и дырки из их конечного положения (переход Я) может иметь место, когда векторы распространения их равны и когда оба заряда окажутся достаточно близко друг к другу (- 10- см). Квант испускаемого при этом света (Лу,) будет меньше исходного кванта на величину энергии, потерянную при миграции зарядов в решётке. Оба вышеуказанных требования делают переход / маловероятным. Первое условие, в частности, выполнимо лишь в тех кристаллах, где по характеру [c.279]

На рис. 2.3 приведена зависимость г и 1 у от 0. Из данных, представленных на рисунке, следует, что при ингибировании реакции БД наблюдается линейная связь между г и 0, т. е. выполняется уравнение (1.83а), соответствующее эффекту блокировки. При ингибировании реакции ТЭАП линейная связь наблюдается только в координатах уравнения (1.89), что говорит о действии ф эффекта. В связи с тем, что для обоих ингибиторов уравнение (1.88) не выполняется, можно сделать вывод, что БД —ингибитор блокировочного действия, тогда как ТЭАП тормозит реакцию за счет создания адсорбционного 1 31-потенциала положительного знака. При этом для объяснения зависимости 7 от 0 нет необходимости делать предположение о заметном вкладе экранирования поверхности при торможении процесса катионоактивными частицами ТЭАП. В исследованной области концентраций емкостные измерения говорят о значительных заполнениях поверхности железа ТЭАП (0 0,75), тогда как согласно кинетическим измерениям такие заполнения не вносят экранирующего вклада в общее торможение. Как уже отмечалось выше, это соответствует ажурному адсорбционному слою, частично проницаемому для акта переноса заряда [36. [c.40]

К первой группе относятся главным образом ионы металлов, которые имеют конфигурацию инертного газа или содержат мало d-электронов, а в третью группу входят ионы металлов с заполненной или почти заполненной -оболочкой. Значительно большая склонность ионов металлов последней группы к деформации и повышенная поляризуемость атома азота объясняют большее сродство этих ионов к азоту. Поляризующее действие лиганда на центральный ион металла возрастает с уменьшением заряда и увеличением радиуса иона металла, и, следовательно, наибольшие различия наблюдаются у членов отдельных групп периодической системы, например в подгруппе щелочных металлов и подгруппе меди (медь, серебро, золото), тогда как способность к комплексообразованию, например у четырехвалентных ионов обеих подгрупп четвертой группы, почти одинакова, и они присоединяются прочнее к кислороду, чем к азоту. Ион Ре(И1) принадлежит к первой группе, а другие трехвалентные ионы переходных металлов — ко второй и третьей группам. Вследствие сферически симметричной конфигурации -электронов ион Ре(П1) не обладает энергией стабилизации кристаллического поля 330], тогда как у других трехвалентных ионов переходных металлов константа устойчивости значительна (см. также разд. И этой главы). Другими словами, трехвалентные ионы переходных металлов присоединяются более прочно к атому азота благодаря большей силе поля. Сиджвик исследовал силы связи между ионами металлов и донорными атомами кислорода и серы. Он нашел, что ионы Ве(П), Си(И) и Аи(И1) соединяются намного прочнее с лигандами, содержащими кислород, а ионы u(I), Ag(I), Au(I), Hg(I) и Hg(II) предпочитают лиганды с донорным атомом серы. [c.14]

V NaF не зависит от заряда ртутного электрода, а форма Аа, lg -кривых для той же самой системы не зависит от потенциала. Из экспериментальных данных, полученных для различных алифатических соединений и в том числе для к-бутилового спирта, следует, что кривые зависимости заряда электрода от его потенциала для различных концентраций органического вещества пересекаются в одной общей точке с координатами ф г и е п сш. рис. И). Таким образом, в этой точке, соответствующей минимуму на кривых дифференциальной емкости, изотермы адсорбции при постоянном заряде и при постоянном потенциале совпадают. Но если форма изотермы адсорбции не зависит от потенциала, то связь между емкостью при ф ф, и степенью заполнения 0 дается уравнением [c.113]

Увеличение работы адсорбции фактически означает увеличение энергии связи адсорбированного водорода с поверхностью платины с ростом pH раствора и является результатом дипольного характера связи Р1—Наде, приводит К электростатическому взаимодействию между ионами двойного электрического слоя и указанными диполями. В кислых растворах в области средних и малых заполнений по-. верхности адсорбированным водородом двойной электрический слой образован положительными зарядами металла и отрицательными зарядами анионов раствора. В щелочных растворах, как показывают адсорбционные данные, во всей области потенциалов двойной электрический слой образован отрицательными зарядами металла и катионами раствора. Если учесть, что диполь Р1—Н дд в области малых и средних заполнений поверхности обращен отрицательным концом к раствору, то, очевидно, присутствие анионов в двойном слое будет ослаблять энергию связи водорода с платиной, а присутствие катионов — ее увеличивать. [c.192]

При образовании связи металл — оксид углерода (И) заполненная а-орбиталь углерода перекрывается со свободной ст-орбиталью металла и таким образом часть отрицательного заряда переносится с углерода на металл. Но в то же время происходит и перекрытие заполненной da- (или ря)-орбитали металла с разрыхляющей свободной орбиталью углерода, в итоге возникает дативная я-связь и часть отрицательного заряда смещается от металла к углероду. Следовательно, в соединениях такого типа между металлом и СО образуется кратная связь. [c.230]

По мере дальнейшего заполнения -орбиталей электронами эффект -сжатия ослабевает из-за накладывающего отталкивания между электронами. На орбитали в состоянии ° (в меньшей мере ) существенно влияет эффект проникающей к ядру пары s , которая, экранируя заряд ядра, стабилизирует состояние -орбитали. С этим связано возрастание атомных радиусов элементов, стоящих в конце периодов (в подгруппах меди и особенно цинка). [c.491]

Ионная связь возникает в результате переноса электрона, как, например, при образовании фторида лития. Атом лития имеет два электрона на первом уровне и один электрон на внешней, или валентной, оболочке потеря одного электрона приводит к том , что у лития остается заполненный внешний слой с двумя электронами. Атом фтора имеет два электрона на первом уровне и семь электронов на внешней, или валентной, оболочке присоединение одного электрона приводит к образованию у фтора заполненной внешней оболочки из восьми электронов. Фторид лития образуется в результате перехода одного электрона от лития к фтору, вследствие чего литий приобретает положительный заряд, а фтор — отрицательный. Электростатическое притяжение между противоположно заряженными ионами называется ионной связью. Такая ионная связь характерна для солей металлов электроположительных элементов), находящихся в левой части периодической системы, с неметаллами (электроотрицательные элементы), расположенными в дальней правой части периодической системы. [c.11]

Продукт присоединения образуется за счет взаимодействия свободной электронной пары азота с карбонильным углеродом, на котором вследствие поляризации связи С=0 имеется йстич-ный положительный заряд. При этом электронная пара азота переходит в совместное владение с карбонильным углеродом. Но последний уже до реакции имел заполненный октет на внешней электронной оболочке и принять еще пару электронов не может. Поэтому одновременно с установлением связи между азотом и карбонильным углеродом подвижная электронная пара я-связи С=0 оттесняется на атом кислорода, который приобретает таким образом отрицательный заряд (стадия 1). В создавшейся промежуточной структуре имеется разделение зарядов — на азоте положительный заряд, на кислороде отрицательный, что повышает энергию структуры. Стабилизация происходит за счет отщепления хлороводорода (стадия 2). Окончательным результатом является введение к азоту ацильной группы вместо атома азота — ацилирование амина. [c.230]

Другую связь между атомами кислорода и серы в этол эфире иногда пишут в форме с разделением зарядов. Как было выяснено, иа самом деле эта связь состоит из одной а-связи и двух я-связей. При образовании я-связей происходит заполнение свободных, соответствующим образом ориентированных -орбиталей атома серы двумя парами электронов атома кислорода. Это явление получило название рп—йл-сбязывания. о- и я-Вклады в связь [c.334]

Предпринимались неоднократные Попытки нахождени связи между каталитической активностью и другими свойства ми веществ. Например обнаружена линейная зависимост (рис. 1.4) между логарифмом плотности тока обмена реакци катодного выделения водорода и работой выхода электрона и металла, которая непосредственно связана с зарядом поверз ности, а соответственно и с адсорбцией частиц на поверхност1 Однако энергия адсорбции зависит не от одного какого-т свойства, а от природы катализатора, а также от природы рег гентов, степени заполнения реагентами и продуктами реакци растворителем и другими частицами, температуры и потенциг ла, поэтому пока не создана теория электрокатализа, позволя щая предсказывать оптимальные катализаторы для той ил иной реал ции. Электрокатализаторы подбираются в основно экспериментальным методом с учетом достижений кинетик электрохимических реакций и электрокатализа. [c.30]

Для случая в основном ковалентных хемосорбционных связей, к которым относится, например,, большинство связей водорода с металлами. Будар [61 ] сделал попытку найти связь между изменением работы выхода и изменением теплоты хемосорбции AQ по мере увеличения покрытия поверхности 6. Будар принимает, что изменение дифференциальной теплоты при добавлении аО атомов к хемосорбированному слою эквивалентно работе переноса оЬ электронов из металла в середину двойного слоя (мы допускаем, что в этом случае отрицательные концы диполей направлены наружу). Однако это равносильно предположению, что связь является на 100% ионной, поскольку на каждый адсорбированный атом переносится один электрон, и в то же время на 100% ковалентной, так как электрон переносится только на расстояние //2, где й—толщина двойного слоя. В случае, когда хемосорбционные связи являются в основном ковалентными, только часть заряда на каждый хемосорбированный атом участвует эффективно в образовании двойного слоя, и поэтому, как указал Кемболл [47], вычисленное значение ЛQ должно быть значительно меньше величины 0,5 полученной Бударом. К аналогичным выводам пришел Гомер [43]. Тем не менее следует ожидать, что этот эффект, которому Будар дал название индукция , приведет к снижению дифференциальных теплот хемосорбции. Из-за малочисленности экспериментальных данных по значениям Аф и AQ для одних и тех же систем нельзя сделать каких-либо определенных выводов относительно величины отношения Аф/Ар. Оптимальная для определения этого отношения область заполнения поверхности лежит в пределах от 0= -=О,3 до 6= 0,7, поскольку, как будет показано ниже, при малых заполпе-ииях теплоты увеличиваются благодаря биографической неоднородности, а при больших покрытиях вследствие поверхностного взаимодействия нельзя ожидать линейной зависимости между Ф и Q. [c.499]

В некоторых недавно опубликованных работах [3—5 рассматриваются факторы, влияющие на образование связей металл—ме-та.дл, особенно связей между одинаковыл и атомами. Авторы этих работ пытались найти закономерности, которые люгли бы служить основой для поиска и синтеза новых соединений со связью металл-металл. Анализировали энергии сублимации металлов, протяженность орбиталей, эффекты отталкивания между заполненными орбиталями и электрическими зарядами ионов. Однако при этом не удалось обнаружить никаких закономерностей. Вероятно, в этой области необходимо накопить еще много экспериментальных данных. Особенно нужны подробные сведения о связи между устойчивостью таких соединений и положением металла в периодической таблице, его состоянием окисления и природой связанных с ним лигандов. [c.41]

Продукт присоединения образуется за счет взаимодействия свободной электронной пары азота с карбонильным углеродом, на котором вследствие поляризации связи С = 0 имеется частичный положительный заряд. При этом электронная пара азота переходит в совместное владение с карбонильным углеродом. Но последний уже до реакции имел заполненный октет на своей внешней электронной оболочке и принять еще пару электронов не может. Поэтому одновременно с установлением связи между азотом и карбонильным углеродом подвижная электронная пара я-связи С=0 оттесняется на атом кислорода, который приобретает таким образом отрицательный заряд (стадия 1). В создавшейся структуре (промежуточный продукт А) на близком расстоянии друг от друга находятся положительно заряженный центр (азот) и отрицательный (кислород). Естественное стремление к нейтрализации осуществляется за счет перехода протона от азота к кислороду, обладающему к тому же большей электроотрицательностью (стадия 2). Однако соединения, подобные промежуточному продукту Б, имеющие у одного атома углерода гидроксильную группу и галоид,— неустойчивы. Стабилизация происходит за счет отщепления хлористого водорода (стадия 3). Окончательным результатом реакции является введение к азоту ацильной группы (остаток СН3СО—) вместо атома водорода, т. е. ацилирование амина. [c.303]

При разрыве связи С—X на а-атоме углерода появляется йа-кантная р-орбиталь, а при разрыве связи С—Н появляется заполненная р-орбиталь на р-атоме углерода, т. е. происходит регибридизация атомов углерода из состояния хр в хр . Перекры-ваясь, они образуют я-связь. Очевидно, что степень двоесвязности в переходном состоянии должна определяться степенью нарушения менее разорванной связи, т. е. связи С—X. Таким образом, связь между атомами углерода в переходном состоянии частично имеет характер двойной связи, а отрицательный заряд локализован главным образом на р-углеродном атоме. Так как образование я-связи требует того, чтобы оси перекрывающихся р-орбиталей были параллельны, необходимо, чтобы связи С—Н, С—X и образующаяся связь С=С располагались в одной плоскости. Нарушение копланарности должно приводить к меньшему перекрыванию образующихся р-орбиталей и повышению энергии переходного состояния. [c.345]

Заметим, что I включает донирование электронов с заполненных я-орбит диенового фрагмента на вакантные орбиты металла, причем такой перенос заряда должен уменьшить я-порядок двойных связей лиганда, но не изменить их распределение. II, кроме этого, предполагает еще дативную связь между заполненными орбитами металла и разрыхляющими орбитами лиганда. [c.198]

Весьма трудно предугадать знак поверхностного потенциала в случае адсорбции радикалов на поверхности металла. Например, при адсорбции N2O или СО поверхностный потенциал будет зависеть от связи между адсорбатом и. металлом однако адсорбированный радикал так> се обладает дипольным моментом и может участвовать в процессах обмена зарядами с поверхностью металла. Так, в случае адсорбции СО на меди, когда поверхностный потенциал положителен, спектроскопические данные [109] указывают на образование координационной связи через кислород молекулы СО [88]. В этих условиях поверхностный потенциал, очевидно, частично создается постоянным дипольным мо.ментом молекулы СО, а частично — электронным взаи.модей-ствием с металлом. Для никеля, в случае которого поверхностный потенциал отрицателен, инфракрасный спектр молекулы СО, адсорбированной на восстановленном никеле, показывает, что связь СО с поверхностью при малых заполнениях осущест- [c.124]

Возникающая в результате образования молекулярных орбиталей комплекса диаграмма энергетических уровней изображена на рис. 20-14. В ее нижней части находятся уровни шести связывающих орбиталей, заполненные электронными парами. Их можно пр)едставить как шесть электронных пар, поставляемых лигандами-донорами, и больше не обращать на них внимания. Точно так же можно исключить из рассмотрения четыре верхние разрыхляющие орбитали, являющиеся пустыми, за исключением предельных случаев сильного электронного возбуждения, которыми можно пренебречь. Несвязывающий уровень и нижний разрыхляющий уровень соответствуют двум уровням, и вд, к которым приводит расщепление кристаллическим полем (см. рис. 20-13). Мы будем продолжать называть их по-прежнему уровнями 12д и е даже в рамках молекулярно-орбитального подхода. Но важно отметить разницу в объяснении расщепления между этими уровнями. В теории кристаллического поля оно является следствием электростатического отталкивания, а в теории поля лигандов-следствием образования молекулярных орбиталей. Как мы убедились в гл. 12 на примере молекул НР и КР, теория молекулярных орбиталей позволяет охватить все случаи от чисто ионной до чисто ковалентной связи. Поэтому выбор между теорией кристаллического поля и теорией поля лигандов основан лишь на рассмотрении одной из двух предельных моделей связи. В комплексе СоР довольно заметно проявляется ионный характер связи, потому что, как можно видеть из рис. 20-14, орбитали лигандов располагаются по энергии ниже орбиталей металла и ближе к связывающим молекулярным орбиталям. Поэтому связывающие молекулярные орбитали по характеру должны приближаться к орбиталям лигандов, а это должно обусловливать смещение отрицательного заряда в направлении к лигандам. Таким образом, связи в данном случае должны быть частично ионными. [c.235]

Сущность каталитического действия Н+ в рассмотренных реакциях заключается в том, что электрофильный реагент Н+ имеет свободную (незанятую) орбиталь и избыточный положительный заряд. Свободный энергетический уровень Н+ может взаимодействовать с энергетическими уровнями несвязывающих орбиталей, а также с верхними заполненными молекулярными орбиталями кислорода. На свободную орбиталь Н+ смещается электронный заряд с несвязывающей или верхней заполненной орбитали кислорода. В результате возникает связь донорно-акцепторного типа между протоном и атомами кислорода. Распределение электронной плотности в молекуле изменяется. За счет понижения электронной плотности на связях — прочность их понижается, молекула поляризуется. [c.625]

В отличие от дальнодействующих сил о силах, возникающих на малых расстояниях, имеется сравнительно мало данных. Несмотря на то что природа этих сил более или менее ясна, теоретические расчеты оказываются либо неточными, либо слищком сложными для их практического использования. В случае когда два атома или две молекулы находятся настолько близко друг к другу, что их электронные оболочки перекрываются, в соответствии с принципом Паули происходит их искажение. Аналогичный эффект вызывается и кулоновскими силами, однако он принадлежит к числу вторичных эффектов. Если атомы первоначально имели заполненные электронные оболочки, то после сближения электроны препятствуют сближению атомов друг с другом, что приводит к увеличению плотности заряда в области, расположенг ной между атомами. В результате заряды ядер экранируются, вследствие чего будет происходить взаимное отталкивание атомов. Если атомы не имели заполненной электронной оболочки, то увеличение плотности заряда между ними может происходить за счет спаривания электронов, приводящего к образованию химической связи. Таким образом, короткодействующее силы отталкивания атомов и молекул имеют ту же природу, что и химическая связь. Короткодействующие силы часто называют перекрывающимися или валентными силами. Они называются также обменными силами из-за применяемого обычно математического метода, в соответствии с которым строится приближенная волновая [c.205]

По-видимому, сходными с кальцием по характеру комплексообра-зования могут оказаться ионы лантаноидов Здесь вследствие более высокого заряда прочность связи нон металла — лиганд больше Ионы с заполненными наружными -оболочками ( 1 -ноны) значительно отличаются от ионов предыдущей подгруппы хорошо выраженными электронно-акцепторными свойствами Между ионом-комплек-сообразователем и донорными атомами макроцикла возн11кает не только электростатическое, но и ковалентное донорно-акцепторное взаимодействие В связи с этим могут образоваться связи иона металла с донорными атомами аминного азота и серы В их образовании частву ют в первую очередь вакантные 5- н р-орбитали иона металла, координация в плоскости более трех донорных атомов становится возможной либо за счет участия выше расположенных (п -Ь 1) -орбиталей (если считать, что ион имеет конфигурацию 1 ), либо за счет электростатического взаимодействия с донорными атомами [c.18]

При увеличении заряда атомных ядер и заполнении свободных орбит области. между двумя ядрами постепенно становятся относительно более привлекательными для электрона по сравнению с другими частями пространства. Электроны все больше стремятся локализоваться в этих областях, в результате чего появ тяются частично ковалентные связи с их направленным характеро.м между соседними атомами. [c.43]

Предполагается, что единственная а-связь М—С (а), образованная неподеленной парой электронов лиганда, дополнена я-связыванием между заполненными -орбиталями металла и вакантной орбиталью лиганда, как это схематически показано на рис. 22.8. Это обратное (л-дативное) связывание у.мень-шает формальный отрицательный заряд на металле М, который появляется в соответствии со схемой о М С = 0 и объясняет тот факт, что СО и другие образующие я-связь лиганды стабилизируют низшие степени окисления переходных металлов. В соединении М1(С0)4 формальная степень окисления N1 равна нулю, и он образует тетраэдрические связи типа АзАр . Этот тип связывания, реализующийся также в случае N0, изоцнанидов. [c.58]

Из сказанного выше не следует заключать, что все соединения никеля с координационным числом 4 имеют квадратную конфигурацию. Например, карбонил никеля Ni (СО) 4 характеризуется тетраэдрической структурой. Это следует из описания молекулы СО в разделе 8.11. Мы показали, что в молекуле СО имеются два электрона [неподеленные электроны С s — р У, п. 5J, облако заряда которых направлено в сторону от атома О. Из принципа максимального перекрывания следует, что каждая группа Ni O должна быть линейной. Если все эти электроны поделены между группами СО и атомом Ni, то З -слой будет заполненным. Тогда останется группа четырех электронов атома никеля, которая имеет конфигурацию (4s) Ар) и может гибридизоваться тетраэдрически. Электрическая нейтральность атома никеля объясняется некоторым смещением его -электронов по направлению к атому С, в результате чего связи Ni приобретают характер двойной связи (возможно, даже на 75%). Поэтому если для изображения молекулы нам ладо выбрать какую-либо одну структуру, то такой структурой [c.246]

Если такова роль электроотрицательности, то можно ожидать образования Н-связи и с участием атомов с низкой электроотрицательностью, если только число электронов в системе не столь велико, чтобы заполнить уровень 1 )2. Такой случай имеет место в бедных электронами боранах. Интересно отметить удивительное сходство между трехцентровой схемой, предложенной Эберхардом, Кроуфордом и Липскомбом для борановых мостиков В — Н — В [573], и трехцентровой же схемой Пиментела для иона НРг. Принципиальное отличие заключается в том, что в случае бифторид-иона приходится учитывать четыре электрона, и потому должна быть введена в рассмотрение несвязывающая функция "фз- Это вызывает необходимость высокой концентрации заряда на концевых атомах, и потому связь оказывается наиболее прочной, если эти атомы обладают сильно выраженной электроотрицательностью. В боранах, однако, слишком мало электронов для заполнения уровня 1 >2 и малая электроотрицательность бора благоприятствует оптимальному распределению электронов между атомами бора и водорода. Из сказанного видно, что метод молекулярных орбит может дать основу для качественного рассмотрения Н-связи и строения боранов . [c.204]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология