Поверхность высокоэнергетическая

Естественно предположить, что в режиме 130/30 °С при плавлении происходит неполное разрушение уже имеющихся надмолекулярных структур при одновременном довольно сильном энергетическом взаимодействии их с поверхностью твердого тела (кварца). В результате, по-видимому, на поверхности высокоэнергетической подложки возникают напряженные структуры полиэтилена, характеризующиеся повышенной плотностью. [c.80]

Органические поверхностно-активные вещества, вследствие их уникальной дифильности, оказываются поверхностно-активными на большинстве межфазных границ, разумеется, в области термической устойчивости молекул ПАВ вызываемые ими понижения поверхностного натяжения по абсолютной величине, как правило, не превышают 30—50 мН/м. Очень большие эффекты снижения поверхностного натяжения высокоэнергетических поверхностей тугоплавких соединений, оксидов и металлов дают вещества близкой им молекулярной природы это относится не только к поверхности раздела жидкость — пар, но и к поверхностям твердое тело — пар и твердое тело — жидкость (см. 4 гл. XI). [c.51]

Ключом к пониманию работы спектрометра с дисперсией по энергии служит то, что амплитуды импульсов, производимых детектором, в среднем пропорциональны энергии входящего рентгеновского кванта. Основной процесс детектирования, с помощью которого происходит пропорциональное преобразование энергии фотона в электрический сигнал, иллюстрируется на рис. 5.17. Невозмущенный 51 (Ь1)-кристалл обладает зонной структурой (описание зонной структуры дано в обсуждении катодолюминесценции в гл. 3), в которой состояния в зоне проводимости свободны, а состояния в валентной зоне заполнены. При захвате высокоэнергетического фотона электроны перебрасываются в зону проводимости, оставляя дырки в валентной зоне. При наличии напряжения смещения электроны и дырки разделяются и собираются электродами, расположенными на поверхностях кристалла. Захват фотонов осуществляется путем фотоэлектрического поглощения. Падающий рентгеновский фотон вначале поглощается атомом кремния и испускается высоко-энергетический электрон. Затем этот фотоэлектрон по мере того, как он движется в кремниевом детекторе и испытывает неупругое рассеяние, генерирует электронно-дырочные пары. Атом кремния остается в состоянии с высокой энергией, поскольку на испускание фотоэлектрона потребовалась не вся энергия рентгеновского кванта. Эта энергия впоследствии выделяется либо в виде оже-электрона, либо в виде кванта рентгеновского характеристического излучения кремния. Оже-электрон испытывает неупругое рассеяние и также создает электронно-дырочные пары. Кванты рентгеновского излучения кремния могут повторно поглощаться, инициируя процесс снова, или неупруго рассеяться. Таким образом, имеет место последовательность событий, в результате чего вся энергия первичного фотона остается в детекторе, если только излучение, генерируемое в одном из актов [c.213]

Для массивных образцов с грубой поверхностью эффект поглощения может проявляться еще сильнее. Для поверхности, случайным образом ориентированной относительно детектора рентгеновского излучения, путь, на котором происходит поглощение рентгеновского излучения, может сильно отличаться от аналогичного пути при стандартной установке детектора нормально к пучку. Такая ситуация схематически представлена на рпс. 7.20. И снова низкоэнергетическое рентгеновское излучение подвержено влиянию появления этого добавочного пути значительно сильнее, чем высокоэнергетическое. [c.50]

Способ распыления ионным пучком показан на рис. 10.10, а. Инертный газ, например аргон, ионизируется в холодном катодном разряде, и полученные ионы ускоряются в ионной пушке до энергии 1—30 кэВ. Ионный пучок для бомбардировки мишени можно создать либо с помощью коллимации, либо путем фокусировки с помощью обычной системы линз. Высокоэнергетические ионы бомбардируют атомы мишени и передают импульс при упругом столкновении, в результате чего лежащие вблизи поверхности мишени атомы выходят из мишени с энергиями от О до 100 эВ. Такие распыленные атомы затем осаждаются на образце и на всех поверхностях, лежащих в пределах прямой видимости с мишени. Достоинством такой схемы является то, [c.200]

Из этого уравнения следует, что области распространения электронов в твердом теле составляют величины порядка единиц микрометров. Это также означает, что объем генерации аналитического сигнала приблизительно того же порядка. Более высокого пространственного разрешения, необходимого для проведения анализа поверхности и межфазных границ, можно достичь, либо используя сигналы электронов, выходящих из внешних атомных слоев (например, оже- или вторичных электронов), либо анализируя тонкие образцы (например, 50 нм) при помощи высокоэнергетических электронов. В этом случае диффузия электронов в поперечном направлении будет практически отсутствовать. Этот подход используют в аналитической электронной микроскопии (АЭМ). [c.325]

Это значит, что рассеяние от объемных образцов, подобных кремнию (рис. 10.3-3), приводит к возникновению в спектре не пиков, а областей, высокоэнергетический край которых определяется потерями энергии налетающих частиц на поверхности. [c.351]

Высокоэнергетические твердые поверхности - сюда входят металлы, окислы, графит, алмаз, нитриды, сульфиды, многие другие материалы, у которых удельная свободная поверхностная энергия составляет сотни и тысячи МДж/м . [c.97]

Следует подчеркнуть, что наблюдаемые существенные изменения структуры ПЭ относятся к высокоэнергетической подложке (кварцу) только на этой поверхности наблюдались значительная адгезия и смещение А-спектра. Существенной перестройки исходной структуры полимера следует ожидать при более высоких температурах расплава (150 и 175 °С). Однако полученные методом молекулярного зонда данные показывают, что существенных изме- [c.79]

Однако стабилизатор должен десорбироваться прежде чем он образует мицеллы, так что нескорректированная работа десорбции создает барьер энергии активации, который должен быть преодолен до соприкосновения частиц. Если энергия активации достаточно велика, то, хотя такие системы в конечном счете можно рассматривать как термодинамически неустойчивые, на практике дисперсии устойчивы по отношению к броуновским соударениям, а также к высокоэнергетическим соударениям, возникающим в больших сдвиговых полях. В результате стабилизатор остается постоянно связанным с поверхностью частицы и отталкивание создается в результате его сжатия. [c.49]

Механизм образования вторичных электронов предполагает три этапа. Вначале первичный электрон ионизирует объект, вызывая появление вторичного электрона или возбуждение атома кристаллической решетки. Рожденные вторичные электроны двигаются от места возбуждения к поверхности объекта, отражаясь от решетки с результирующим импульсом, нормальным к поверхности. Вероятность реализации этого этапа зависит от взаимодействия вторичного электрона с электронами проводи- мости нижележащих зон, фононами, дефектами решетки, т. е. в значительной мере определяется свойствами вещества. Третий этап заключается в выходе вторичных электронов наружу, если их энергия достаточна для преодоления потенциального барьера. Высокоэнергетические вторичные электроны могут вызвать появление на своем пути новых вторичных электронов. [c.220]

Магнитный контраст может быть двух типов контраст, обусловленный взаимодействием вторичных электронов с магнитными полями рассеяния возле поверхности объекта, и контраст, обусловленный взаимодействием высокоэнергетических электронов внутри объекта с его внутренним полем. Использование того или иного типа магнитного контраста зависит от типа магнитной структуры объекта (рис. 22.14). Контраст первого типа возможен только в случае магнитной структуры, показанной на рис. 22.14, а. [c.563]

В связи с этим было предложено классифицировать поверхности по величине их поверхностного натяжения на низкоэнергетические и высокоэнергетические. [c.48]

Поэтому -принято, что значение поверхностного натяжения низкоэнергетических поверхностей не должно превыщать 100 эрг/см . Естественно, для различных твердых тел значение поверхностного натяжения атг, характеризующего переход низкоэнергетических поверхностей в высокоэнергетические, будет различным. [c.49]

Поверхностное натяжение высокоэнергетических поверхностей нельзя определить из условий смачивания. К высокоэнергетическим поверхностям относятся металлы и их окислы, стекло, рубин, кварц, алмаз и другие поверхности. [c.49]

Краевой угол в вакууме будет зависеть также от соотношения силоксановых 51 — О — 51 и силанольных 51 — ОН групп молекул на смачиваемой поверхности На силоксановых поверхностях в условиях глубокого вакуума краевой угол метилениодида равен нулю, т. е. образуется высокоэнергетическая поверхность. В этих же условиях на силанольной поверхности краевой угол имеет значение 10°, а критическое поверхностное натяжение не превышает 51 эрг/см . На смешанной силанольно-силоксановой поверхности метилениодид легко растекается, а критическое поверхностное натяжение превышает 51 эрг/см . [c.86]

С учетом формул (1,9) — (1,11) для высокоэнергетических поверхностей коэффициент растекания можно представить в виде [c.139]

Для высокоэнергетической поверхности с большим значением поверхностного натяжения Отг изменения краевого угла необходимо оценивать с учетом гистерезисных явлений. При смачивании деканом (фаза 2) и водой (фаза 3) поверхности, изготовленной из полиэтилена (фаза 1), получены следующие значения краевого угла [c.153]

Из приведенных данных следует, что в присутствии двух жидкостей краевой угол 0а меньше, чем для одной воды (система 1—3), и больше, чем для одного декана (система 1—2). Краевой угол 0д для системы 1—2—3 снижается по сравнению с краевым углом декана и воды. Однако в отличие от высокоэнергетических поверхностей присутствие декана на низкоэнергетических поверхностях не снижает значения краевого угла до нуля. [c.153]

Таким образом, при вытеснении жидкостью слоя другой жидкости, прилипшей к поверхности твердого тела, помимо поверхностных натяжений жидких сред необходимо учитывать свойства низкоэнергетических и высокоэнергетических поверхностей, величину краевого угла и его гистерезис. [c.154]

Следует отметить, что равенство (1.55) соблюдается не всегда, по-скол ,ку для его выполнения необходимо, чтобы межфазное натяжение Стт-ж было равно нулю или хотя бы стт-г и Стж-г значительно превышали значение сгт-ж- Как правило, это условие реализуется лишь для низкоэнергетических поверхностей, а для высокоэнергетических пове])хно-стей не выполняется. Поэтому для них корреляции между значениями поверхностных натяжений От-г и сгкр не наблюдается. [c.26]

Нетрудно предположить, что переход электронов от металла к ди-элеюфику и формирование заряда между ними будут определя ься не только прочностью связи электрона с кристаллом, которая близка у различных металлов, но и концентрацией их на поверхности металла. Как видно из табл.2.6, плотности энергий когезии (следовательно, и электронов) у различных металлов различаются весьма существенно. Наблюдающаяся закономерность позволяет предположить, что чем выше плотность энергий металла, тем больще разность давлений электронного газа между контактирующими поверхностями и тем значительнее заряд, обеспечивающий прочность адгезионной связи. Более легкая смачиваемость и более высокая работа адгезии высокоэнергетических поверхностей отмечалась ранее /56/. Давно бьию отмечено более интенсивное отложение парафина на стальных и алюминиевых поверхностях, чем на пластмассовых /41/. Более поздние исследования в промысловых условиях также подтвердили это положение. [c.112]

Роза числа пересечений является важной ориентационной характеристикой металлографической структуры материала Граничные поверхности зерен являются пограничными зонами, свойства которых могут весьма сильно от.шчвться от свойств регулярной кристал.пической решетки. Эго связано с тем, что уровень свободной энергии пограничных зон намного вьппе, чем в самом зерне в этих зонах создаются наиболее благоприятные условия для образования и скопления вакансий, выделения растворенных атомов, миграции примесей. При пластическом деформировании пограничные зоны являются высокоэнергетическими барьерами на пути движения дислокашш, одновременно они блокируют скольжение по атомным плоскостям. Отсюда вытекает связь многих важнейших свойств металла с протяженностью пограничных зон (граничных поверхностей), отнесенной к единице объема металла В частности, выявлена прямолинейная зависимость твердости по Бринеллю простых металлов от удельной поверхности микрочастиц [83] [c.43]

Уникальные электронные свойства углеродных нанотруб делают их одним из перспективных материалов для построения различных электронных приборов. Полевая эмиссия углеродных нанотруб возникает при чрезвычайно низких напряженностях электрического поля и позволяет получать высокие значения плотности эмиссионного тока. Материалы на основе углеродных нанотруб могут найти применение в качестве холодных катодов для плоских дисплеев, источников высокоэнергетических электронов и рентгеновского излучения. Замечательные эмиссионные свойства этих материалов объясняются, прежде всего, резким увеличением напряженности прикладываемого электрического поля вследствие малой толщины нанотрубок, расположенных нормально к поверхности образца. [c.84]

Свежеобработанная поверхность металла всегда имеет характерный блеск. Поверхность большинства металлов отражает свет всех длин волн. Окраска таких металлов, как золото и медь, обусловлена поглощением вeta в голубой (высокоэнергетической) области видимого спектра. [c.360]

Кривые разфужения (обратного объемного деформирования при снижении сжимающего давления) не совпадают с кривой сжатия. По внешнему виду диаграмма "сжатие - разфузка" казалось бы, напоминает поведение монолитных тел за пределом упругости. Однако процесс разфужения твердых дисперсных тел существенно отличается от поведения монолитных тел. Для монолитных тел кривые сжатия и разфужения не совпадают за пределом упругости, когда развиваются необратимые пластические деформации. При деформировании дисперсных тел необратимые деформации начинаются с любых самых малых давлениях (напряжениях), когда пластические деформации на контактных поверхностях частиц незначительны или совсем отсутствуют. При этом остаточные деформации значительно превосходят по величине деформации восстанавливающиеся (упругие). Как показывают экспериментальные данные, упругое последействие при прессовании высокоэнергетических конденсированных систем и многих других порошкообразных веществ обычно не превышает 5-10 процентов от необратимой деформации. [c.66]

Нормировка приводит к непригодным и совершенно бессмысленным результатам, когда проявляются эффекты, связанные с поглощением, как, например, при анализе больших частиц или грубых, массивных образцов, поскольку на низкоэнер-гетические линии они влияют сильно, а на высокоэнергетические— слабо. Примеры случаев получения больших относительных ошибок при простой нормировке в таких случаях приведены в табл. 7.9 для оливина и в табл. 7.11 для сплавов Аи — Си. Поскольку при анализе образцов с грубой поверхностью почти всегда имеют место эффекты, связанные с поглощением, в таких случаях нормировку использовать не следует. [c.52]

Хотя способ нанесения покрытия с помощью катодного распыления был известен давно, только недавно он стал более широко использоваться для получения тонких пленок. В процессе распыления высокоэнергетический ион или неР1тральный атом бомбардирует поверхность мишени и передает свой импульс атомам на расстояние в несколько нанометров. Некоторые атомы получают при соударении энергию, достаточную для разрыва связей с ближайшими соседями, и выбиваются из узлов решетки. Если переданная им скорость достаточна, они выходят за пределы твердого тела [289]. [c.198]

Таким образом, с помощью примесных молекул, используемых в качестве зондов, для полиэтилена удалось обнаружить различия в плотности аморфных областей в транскристаллических поверхностных слоях, морфология которых практически не зависит от температурного режима плавления и кристаллизации. Было установлено также, что резкое возрастание плотности аморфных областей в граничных слоях полимера не связано с транскристалличностью поверхностного слоя. Методом молекулярного зонда показано также, что температурные режимы плавления и кристаллизации пленок могут оказывать нивелирующее действие на изменение структуры поверхностных слоев таким образом, что энергетические характеристики подложки практически не будут проявляться. Важен лишь сам факт существования этой поверхности. Кроме того, при рассмотрении процессов, протекающих в граничных слоях полимеров, следует обращать внимание на возможность сочетания нескольких факторов, влияющих на формирование структуры. Так, плавление с неполным разрушением исходных структур на высокоэнергетических подложках может привести к образованию напряженных поверхностных структур, к существенному увеличению плотности аморфных областей в этих структурах. При отделении такой полимерной пленки от подложки напряженные структуры испытывают релаксацию, в ряде случаев проходящую через стадию аморфизации с последующей рекристаллизацией. [c.80]

Сложная зависимость = f (а) наблюдается при межслоевой адсорбции. В качестве примера рассмотрим такую зависимость для Са-монтмориллонита (рис. 6). После адсорбции спирта на внешней неоднородной поверхности (начальный участок кривой) теплота адсорбции быстро падает, и, достигнув значения теплоты конденсации при а = = 0,5 ммолъ г, опускается ниже ее. Затем вновь наблюдается рост кривой, и при а = 1,8 ммоль г теплота достигает максимума. Максиму1м следует объяснить появлением новых высокоэнергетических центров адсорбции в результате межслоевой сорбции. Аналогичные кривые были получены ранее Ю. И. Та-расевичем при исследовании сорбции воды на монтмориллоните. [c.72]

Поверхность пигментов относится к высокоэнергетическим, имеющим поверхностное натяжение на границе с воздухом от 100 до 1000 мДж/м Эта энергия распределена на поверхности неравномерно благодаря физической и химической неоднородности частичек пигмента Так, (точечные дефекты кристаллической структуры приводят к иестехиометричиости соединения как в -объеме, так и иа поверхности Например, для диоксида титана содержание кислорода в решетке меньше, чем в соответствии с формулой TiOj Для цинковых белил, наоборот, кислород содержится в избытке по сравнению с формулой ZnO Присутствие посторонних иоиов в кристаллической решетке приводит к ее деформации Обычно такие дефекты концентрируются у по- верхности что и приводит к появлению участков с повышенной поверхностной энергией Даже в случае идеальной поверхности ионы, расположенные иа ребрах кристаллов и в его вершинах, являются координацнонно-ненасы-"Щенными и вызывают энергетическую неоднородность поверхности [c.256]

Ву и Коупланд [71] рассчитали из адсорбционных данных изменение поверхностных термодинамических свойств адсорбента. Оказалось, например, что при адсорбции воды изменение энтальпии сульфата бария сравнимо с теплотой адсорбции самой воды. Таким образом, если исключить физическую адсорбцию на высокоэнергетических твердых поверхностях, адсорбат существенно влияет на свойства адсорбента. Естественно, что этому важному вопросу следует уделять гораздо больще внимания, чем это делалось до сих пор. [c.432]

Как и в других подобных исследованиях, Джастров и Пирс рассматривали случай больших скоростей движения шара в сильно ионизованном газе. Они заключили, что шар радиуса а заряжается отрицательно из-за больших скоростей электронов в окружающем ионизованном газе. Формулу для скорости появления электрического заряда на шаре, равного Z зарядам, в потоке с большой скоростью приводит Чопра [68]. Вокруг шара возникает слой положительных ионов толщины б вследствие электростатического отталкивания заряженным шаром отрицательно заряженных частиц, кроме высокоэнергетических электронов. Джастров и Пирс предположили, что б одинакова по поверхности шара и что б можно рассчитывать по нижеприводимой формуле, в которой считается, что задан потенциал поверхности шара фо (обусловленный X зарядами) и что отличная от нуля плотность числа ионов г равна плотности числа электронов (в газе нет незаряженных частиц и допускается только однократная ионизация) [c.179]

Поверхностное натяжение низкоэнергетических поверхностей не должно быть больше критического поверхностного натяжения. Как уже отмечалось (см. 5), понятие о критическом поверхностном натяжении несколько условно. Поэтому вместо соотношения (1,69) используем другой метод оценки предельного значения поверхностного натяжения твердого тела, выше которого поверхности перестают быть низкоэнергетическими. Полное смачивание — есть рубеж перехода низкоэнергетических поверхностей в высокоэнергетические. В условиях полного смачивания, когда соз0= 1, ве- [c.48]

Высокоэнергетические поверхности характеризуются относительно большим значением поверхностного натяжения твердого тела Отг, которое изменяется в интервале от 100 до 500 эрг/см . Это означает, что атг Ожг- Отсюда имеет место полное растека-I ние жидкости, отсутствие зависимости os 6==/(ажг) и критиче- ских условий. [c.49]

Если н<е поверхностное натяжение жидкости меньше критического поверхностного натяжения адсорбированной пленки, т. е. соблюдаетсй условие (V, 21), то жидкость растекается. Так, поли-метилсилоксановая жидкость имеет поверхностное натяжение 19— 20 эрг/см и растекается на высокоэнергетической поверхности, на которой критическое поверхностное натяжение адсорбированной пленки превышает 24 эрг/см . Подобная закономерность имеет место при растекании жидких алифатических углеводородов, поверхностное натяжение которых меньше 30 эрг/см на полиэтилене, критическое поверхностное натяжение которого 31 эрг/см . [c.137]

Коэффициент растекания растет с увеличением поверхностного натяжения твердого тела Отг- Поэтому на высокоэнергетических поверхностях, имеющих повыщенное значение поверхностного натяжения по сравнению с низкоэнергетическими поверхостями, имеет место полное растекание жидкости. [c.140]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология