Дефекты краевые

У,3. Линейные дефекты. Краевые дислокации. Уяснение природы двух типов линейных дефектов, а именно краевых и винтовых дислокаций — имеет особое значение в связи с ростом кристаллов. Природу краевой дислокации можно пояснить с помощью рис. IV. . На нем показано поперечное сечение решетки кристалла. Видно, что половина одного из вертикальных рядов атомов отсутствует. [c.120]

Натурные испытания труб с трещиноподобными краевыми дефектами (непровар, трещина, надрез) подтверждают правомерность принятой расчетной модели для оценки их прочности (рис.4.19). На этом рисунке точки отвечают эксперименту [2], а сплошная линия отвечает формуле [c.264]

При сварке стыковых соединений со смещением кромок становится более вероятным возникновение непровара швов, в особенности, при заметных отклонениях сварочной дуги относительно середины шва. Высокопрочные стали склонны к образованию технологических трещин и др. Поэтому,нами [122] изучены закономерности разрушения сварных соединений со смещением кромок и трещиноподобным дефектом. Рассматривали наиболее характерные по расположению в сварных соединениях со смещением кромок трещиноподобные дефекты центральный и краевой (рис.5.31). [c.332]

Предложена методика оценки трещиностойкости листовых сталей и сварных сосудов по относительному разрушающему напряжению в нетто-сечении образца с краевой трещиной. Установленные функциональные зависимости несущей способности сварных сосудов с поверхностными трещиноподобными дефектами подтверждены натурными испытаниями. [c.393]

Появление дефектов и увеличение их числа, по-видимому, происходит в следующем порядке 1) трещины в связующем, 2) внутренние и краевые расслоения между поверхностью волокна и связующим, 3) разрушение волокон. Последнее может произойти вследствие неоднородного распределения волокна в объеме, его непараллельного расположения, изгибов, дефектов внутри и на поверхности. [c.536]

От плоскостных дефектов эхосигнал большой амплитуды наблюдают только при благоприятных (зеркальных) условиях отражения. Кроме того, наблюдают дифракционные краевые волны при любом угле падения, но их амплитуда значительно меньше, чем амплитуда геометрического отражения. Наблюдают также боковые поперечные волны, возникающие, когда вдоль поверхности дефекта распространяется головная волна. Кроме того, может возникнуть рассеяние на неровной поверхности дефекта. [c.123]

Неравномерное распределение дифракционной волны по разным направлениям, которое отмечалось в п. 1.4.1, и при рассмотрении рис. 3.1 может вызвать существенное отклонение направления на максимум эхосигнала от акустической оси преобразователя. Это вызовет погрешности в определении координат краевых точек дефекта третьим способом. Примером подобной погрешности [c.195]

На рис. XIV.4 изображен реально существующий в твердых телах дефект — так называемая краевая дислокация. В верхнем ряду расположены семь атомов. Во втором ряду атомы начинают немного сдвигаться от краев ряда к середине, несколько уменьшая межатомные расстояния. Около середины атомы сближаются, и в четвертом ряду расстояние между сблизившимися атомами уже столь мало, что среднему атому не находится места, и в ряду оказывается не 7, а 6 атомов. Если это происходит вблизи поверхности кристалла, то лишние (седьмые) атомы нижних рядов могут [c.277]

Кроме рассмотренных точечных дефектов в кристаллах всегда имеются также дислокации — дефекты, связанные со смещением рядов атомов. Дислокации бывают краевыми и винтовыми. Первые обусловлены обрывом плоскостей, заполненных атомами (рис. 146, а) вторые — взаимным сдвигом плоскостей, соответствующим вращению одной из них вокруг перпендикулярной ей оси (рис. 146, б). Ди- [c.264]

Рис. 39. Краевые (а) и винтовые (б) дислокации и плоские дефекты (в) кристалло в

В последнее время большой интерес вызывают дефекты, которые получили название дислокации. Дислокации могут быть краевыми и винтовыми. Рассмотрим возникновение краевой дислокации на примере кубического кристалла, в котором происходит деформация сдвига одной части кристалла относительно другой (рис. 25). В этом кристалле левый верхний атомный слой сдвинулся на одно межатомное расстояние в плоскости скольжения. Граница между той областью, где сдвиг имеет место и где его нет, называется дислокацией. Из рис. 25 видно, что дислокация простирается в плоскости скольжения перпендикулярно к направлению скольжения. Вблизи дислокации деформация наибольшая. Дислокации в кристаллах могут перемещаться. [c.90]

Локальные напряжения в твердом теле, так же как и грани, обладающие наибольшими значениями а, чаще всего являются центрами адсорбции. Наряду с гранями большое значение для адсорбции имеют дефекты структуры реальных кристаллов. Они изучаются физикой твердого тела, и здесь следует отметить лишь основные положения, непосредственно связанные с адсорбцией. Наиболее простыми- типами являются точечные дефекты по Френкелю, образованные избыточными (в междоузлиях) или внедренными атомами (или ионами), и дефекты по Шоттки, образованные недостающими в решетке атомами — вакансиями. Организованные совокупности точечных дефектов представляют собой дислокации, краевые (линейные) или винтовые. Дислокации выходят на поверхность в виде ступенек и обусловливают в основном несовершенство поверхностей. [c.138]

Дислокации — области дефектов решетки, захватывающих большое число элементарных ячеек и простирающихся вдоль так называемых линий дислокаций. Простейшие дислокации бывают двух видов краевые (рис. 51-а) и винтовые (рис. 51-6). Нарис. 51-а показано, как в результате смещения трех верхних рядов атомов в направлении, указанном вектором, против некоторых узлов в местах, где должны быть другие узлы решетки, окажутся середины расстояний между узлами. В результате как бы появляется дополнительная полуплоскость, заканчивающаяся внутри кристалла по линии, выходящей из кристалла на поверхность перпендикулярно плоскости рисунка в точке, отмеченной знаком . Это так называемая линия (ось) дислокации. Вектор, указывающий направление сдвига, перпендикулярен оси дислокации. Так как атомы могут перемещаться, то и ось дислокации может смещаться, например влево, и тогда нижняя часть кристалла окажется вся сдвинутой относительно верхней части. [c.139]

Обращает на себя внимание тот факт, что при приблизительно одинаковых напряжениях долговечность покрытий в стеклообразном состоянии на несколько порядков больше, чем образцов. Одной из причин этого является возникновение и быстрый рост краевых трещин на образцах-полосках вследствие появления наиболее опасных дефектов при их вырезке. [c.122]

Все виды искусственного и естественного графита характеризуются наличием различных устойчивых дефектов структуры, отличающих реальную от описанной выще идеализированной структуры и влияющих на многие свойства графитов. Основные типы таких дефектов дефекты упаковки слоев (нарушение последовательности их чередования, так называемое турбостратное состояние), дефекты в связях углеродной решетки (разделение слоев на конечные кристаллиты), краевые и дырочные дефекты, дефекты, вызванные внедрением инородных атомов. [c.8]

Наиболее существенно сказываются различные дефекты, называемые дислокациями, на механических свойствах кристаллов. От того, с какой легкостью дислокации могут перемещаться в том или ином кристалле, в значительной мере зависят пределы его упругой и пластической деформации под действием приложенной силы, а также напряжение, приводящее к разрушению кристалла. Один из видов дислокации,, называемой краевой дислокацией, приведен на рис. 17.11. Краевую дис- [c.508]

С позиций структурного подхода кристалл рассматривается как совершено упорядоченная система неподвижных точек. Динамические аспекты поведения кристалла предполагают учет роли дефектов структуры. К ним относятся в первую очередь поверхностные дефекты наружные грани кристалла, ограничивающие периодичность решетки в пространстве (простые поверхности с низкими индексами, вицинальные поверхности, ориентированные совершенно иначе, чем предыдущие, поверхности произвольной ориентации и т. д.). Кроме того, важное значение имеют внутренние поверхности (трещины, поры, включения), границы блоков, линейные дефекты (краевые дислокации, границы неполных атомных плоскостей, ступени и сколы, винтовые дислокации и их выходы на поверхность) точечные дефекты (вакансии и межузель-ные атомы). Отсюда возникает необходимость знать природу, концентрацию, распределение всех типов дефектов и возможные способы их перемещения по кристаллу [71]. [c.71]

Линейные дефекты структуры называются дислокациями. Простейший вид днслокации — краевая дислокация. Она представляет собой край одной из атомных плоскостей, обрывающейся внутри кристалла. Дислокации возникают как в процессе роста кристаллов, так и при местных механических, тепловых и других воздействиях на кристаллы (см., например, рис. 142, а, б на стр. 538). На рис. 02 изображена краевая дислокация (линия АВ), возникшая в результате сдвига части кристалла по плоскости АВСО в направлении, указанном стрелкой. [c.163]

Прочность металлов в среднем на два порядка меньше теоретической прочности бездефектного кристалла сТтеор (сгтеор 0,1 Е). Такое различие обусловлено тем, что термодинамически вероятно наличие в металле достаточно высокой плотности дефектов кристаллического строения еще до деформации. Пластичность - как свойство подвергаться остаточному формоизменению - реализуется при деформации путем скольжения (трансляционного и зернограничного) и двойникования структурных элементов. Причем процесс скольжения не является результатом одновременного смещения атомов соседей. Процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов в областях с искаженной решеткой. Нарушение кристаллической ре-ше йси означает, что их атомы выведены из положения минимума потенциальной энергии. Поэтому для их смещения требуется меньше энергии и напряжения. Наиболее распространенными дефектами кристаллической решетки являются линейные дефекты - дислокации (винтовые и краевые). Под действием приложенных напряжений про- [c.77]

Формула (4.25) получена на основании решения краевой задачи теории оболочек. Предложенный подход можно использовать и для случая, когда зона коррозии охватывает часть периметра трубы, поскольку с уменьшением площади дефекта концентрация напряжений снижается (результат идет в запас прочности). По значению можно определять коэффициенты концентрации напряжений К<, и деформаций Ке при упруго-пластических деформациях на основании формулы Нейбера (а = Кд Ке). [c.269]

Испытания вызывают следующие положительные эффекты, возника.-. щие после разгрузки оборудования снятие остаточных напряжений реали. ция в вершине трещиноподобных дефектов напряжений сжатия притупле1 1 вершины трещин и острых концентраторов напряжений снижение краевых С -< и моментов в области сопряжения элементов различной формы и размеос, др. Все эти факторы способствуют повышению работоспособности оборудов [c.4]

Смещение кромок - распространенный дефект, возникающий в результате накапливания погрешностей в процессе обработки заготовок на заготовительных и сборочносварочных операциях производства аппаратов. Смещение кромок приводит к дополнительной концентрации напряжений из-за возникновения изгибающего момента и увеличения у1 ла перехода от металла шва к основному металлу. В литературе имеется достаточно большое количество теоретических и экспериментальных работ, в частности, [2, 26 и др.]. Однако большинство из опубликованных работ посвящено оценке концентрации напряжений от действия краевых сил и моментов. Между тем, резкий переход от металла шва к основному металлу способствует возникновению еще большей концентрации в сравнении с действием изгибающих моментов. [c.3]

В случае, когда направление осей молекул внутри обр<13ца непрерывно меняется, происходит их закручивание вокруг осей, перпендикулярных продольным осям молекул. Такие явления наблюдаются у модификации нематической фазы — холестерической. Эта структура сходна с отдельными фрагментами микроструктуры игольчатого кокса из мезофазы (рис. 2-3). Возникающие в мезофазе дефекты образуют краевые и винтовые дислокации и особенно дисклинации - структурные неоднородности, связанные с изменениями в расположении молекул относительно главной оси по мере удаления от поверхности мезофазы (рис. 2-4, ). [c.41]

Кислые функциональные группы и нескомпенсированные краевые атомы возникают при взаимодействии окисляющих агентов с краевыми атомами слоев или в местах дефектов с лоев (вакансиях). Содержание кислорода доходит в пределе до 4% (атом.) [9-30]. [c.531]

Наряду с точечными в кристаллах существуют линейные дефекты, которые соответствуют смещению целых рядов атомов. Они называются дислокациями. Дислокации появляются под действием механических и термических напряжений. Существует два типа дислокаций— краевые и винтовые. Краевая дислокация представляет собой незавершенную атомную плоскость, находящуюся на границе между частью кристалла, в которой произошел сдвиг, и той, где он не произошел. Из рис. XIII.4 видно, что при этом образуется лишняя полуплоскость. Линия, вдоль которой произошел сдвиг, называется линией дислокации. [c.167]

Граница зерен однокомпонентного поликристаллнческого твердого тела является специфической поверхностью раздела двух объемов одинакового состава, находящихся в одинаковом (твердом) фазовом состоянии. Структура границ зерен и их удельная свободная поверхностная энергия Огз во многом определяются степенью разориен-тировки зерен относительно друг друга. При слабой взаимной разори-ентации соседних участков кристаллов (их обычно называют в этом случае блоками) величина Огз мала и приблизительно линейно возрастает с увеличением угла разориептировки. На рис. I—11, а изображен Простейший вид подобной малоугловой границы блоков края неполных атомных плоскостей могут рассматриваться как особые линейные дефекты структуры твердого тела, называемые краевыми дислокациями (см. также с. 339). [c.29]

Дислокации — области дефектов решетки, захватывающих большое число элементарных ячеек и простирающихся вдоль так называе.мых. иииий дислокаций. Простейшие дислокации бывают двух видов краевые 1)ис. 51, а) и винтовые (рис. 51, б). На рис. 51, а показано, как в резул.ьтате смещения трех верхних рядов атомов в направлении, указанном вектором, против некоторых узлов в местах, где должны быть другие узлы решетки, окажутся середины расстояний между узлами. В результате как бы появляется дополнительная полу-нлоскость, заканчивающаяся внутри кристалла по линии, выходящей из кристалла на поверхность перпендикулярно плоскости рисунка в точке, отмеченной знаком [c.172]

Установлено, что реакционными областями в кристаллах азидов тяжелых металлов (АТМ) являются вакансионные кластеры, образованные краевыми дислокациями и точечными дефектами в приповерхностной области кристалла на глубине не более 5 мкм. Это подтверждается тем, что вакансионный кластер и реакционная область совпадают пространственно, а также тем, что после ввода свежих дислокаций время образования вакан-сионного кластера совпадает со временем образования реакционной области. Экспериментально установлено, что для образования реакционной области необходимы два условия наличие краевой дислокации концентрация положительно заряженной примеси должна быть не менее 10 см . [c.92]

Для всех видов искусственного и природного графита свойственны различные устойчивые дефекты структуры. К ним относятся дефекты слоевой укладки, двойники, винтовые и краевые дислокации, "дырочные" дефекты (отсутствие группы или одного атома), внедренные атомы элементов. Наличие дефектов обусловливает изменение в весьма широком диапаэойе механических, теплофизических, полупроводниковых и других практически важных свойств углеродных материалов. На некоторые свойства влияют также генероатомы, входящие в углеродные материалы в составе функциональных группировок, расположенных на призматических гранях кристаллов графита. [c.13]

Другая особенность сварных листовых конструкций заключается в наличии различных сопряжений (стыков), врезок, отверстий и пересечений, которьре создают зоны концентрации напряжений или краевой эффект", что еще больше усугубляет неравномерность напряженного состояния и способность к деформации, в результате чего в зонах краевого эффекта и концентрации напряжений могут возникнуть Местные пластические деформации, в то время как сама конструкция резервуара в целом находится еще в упругой стадии. Положение также осложняется при отрицательных температурах, когда вследствие склонности стали и сварных швов в местах концентрации напряжений к хрупкому разрушению, при наличии начальных дефектов могут возникнуть трещины при сравнительно низком общем уровне напряженного состояния. [c.80]

Известно, что кристаллы металлов имеют дефекты. К ним относятся вакансии, т. е. пустые (незанятые атомом) места в узлах кристаллической решетки, а также смещения, обусловл н-Ные сдвигом атома из узла в межузлие. С повышением температуры количество вакансий и смещений увеличивается. Металлы содержат также примеси инородных атомов, вызывающие искажения кристаллической решетки. К наиболее Важным дефектам кристахшической решетки следует отНести дислокации (линейные дефекты, имеющие значительно большую протяженность в одном измерении по отношению к любому другому, перпендикулярному к нему). Они бывают краевыми, винтовыми, смещенными и др. , [c.11]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология