Симметричные дефекты

Дефекты упаковки кристалла образуют полосы контраста на светлопольной электронно-микроскопической картине. Полосы симметричны относительно проекции центральной линии дефекта. Полосы на изображении, возникающие от границ зерен, более широкие и постоянные по толщине, чем полосы от упаковки атомов в кристалле. [c.157]

В результате акустический тракт при контроле зеркально-теневым методом подобен акустическому тракту теневого метода с одинаковыми излучающим и приемным преобразователями и двумя одинаковыми экранирующими дефектами, расположенными зеркально-симметрично относительно донной поверхности изделия. Сигнал Ра на приемнике вычисляют подобно тому, как это было сделано для теневого метода. Если преобразователь и дефект малы по сравнению с расстояниями между ними, то, заменяя модуль алгебраической суммы суммой модулей, получают приближенную формулу для ослабления донного сигнала Рд [c.159]

Плоским дефектом кристаллической решетки является двойникование — поворот узлов одной части кристалла в положение, симметричное другой его части. Возникновение таких дефектов связано с изменением энергии на значение порядка 10 Дж. [c.172]

Однако такие соединения, присутствующие в растворе в виде крупных мицелл или макромолекул, будучи хорошими стабилизаторами суспензий, эмульсий и пен, не могут служить диспергаторами, так как в соответствии с размерами их частичек проникновение в поверхностные дефекты (устья микротрещин) затруднено и кинетика их адсорбции, как и обычные диффузии и миграции по поверхностям, сильно замедлена. Вместе с тем поверхностная активность таких веществ сравнительно мала вследствие более симметричного распределения полярных и неполярных групп в крупных частичках. [c.70]

Очевидно, что чем более опасный дефект имеется в данном образце, тем больше перенапряжения и тем меньше прочность. Испытывая много образцов, мы, как правило, пе получим даже двух одинаковых значений прочности. В то же время в большинстве образцов дефекты окажутся одного типа, поэтому большинство образцов будет обладать значением прочности, близким к среднему. На рис. 13.2 показаны типичные кривые распределения значений прочности. Эти кривые чаще всего симметричны (гауссово распределение), т. е. очень прочных образцов так же мало, как и мало- [c.195]

Взаимодействие дефектов нестехиометрии в СПС может привести к серьезным структурным изменениям. Одинаковые по заряду дефекты стремятся занять позиции, более. .. друг от друга, но по мере увеличения концентрации таких дефектов отталкивающие. . . становятся все более симметричными, побуждая дефекты занимать вполне определенные. ... При некоторой концентрации, выражаемой рациональным числом, вакансии или внедренные атомы полностью упорядочиваются, т. е. образуется сверхструктура. [c.322]

Известно, что при изовалентном легировании (например, при замещении в ОаК Са —> А1 или N Р) релаксационные эффекты имеют центрально-симметричный характер и сводятся к локальным сжатию или расширению решетки матрицы вблизи дефекта. [c.46]

Нулевая симметричная 1,5 4,85 33,8 Волны в пластинах позволяют обнаруживать дефекты, расположенные как [c.27]

В результате акустический тракт при контроле ЗТ-методом подобен акустическому тракту теневого метода с одинаковыми излучающим и приемным преобразователями и двумя одинаковыми экранирующими дефектами, расположенными зеркально-симметрично относительно донной поверхности изделия. [c.274]

В табл. 3.10 указаны некоторые используемые для контроля моды нормальных волн и значения произведения частоты на толщину листа /Н, при которых их можно применять. Оптимальны для контроля моды 5), а и Л2. Контроль изделий толщиной > 3 мм целесообразно выполнять как симметричной, так и несимметричной модами из-за разного их отражения от дефектов, расположенных на разной глубине. Участки листа, где обнаружены дефекты при контроле нормальными волнами, рекомендуется дополнительно проконтролировать прямыми или РС-преобразователями. [c.425]

Сигнал от дефекта рассчитывают либо в координатах неподвижного изделия, либо в координатах источника. Для дефекта в виде абсолютно теплоизолированной плоскости можно получить аналитическое решение с помощью метода изображений, согласно которому с другой стороны дефекта навстречу основному источнику симметрично движется мнимый источник. Температуру в любой точке впереди основного пучка (х < Хд) определяют по формуле [27] т (х, Ро) = ( , Ро) + т [х + 2 (х - Х( ),Ро, х<х Ро<ах, УК , [c.82]

На задней поверхности графики обеих функций А7 (/)и т (/) являются симметричными относительно середины изделия / = 2,5 мм (рис. 3.21, б). Иными словами, при двусторонней процедуре ТК, максимальные сигналы АГ создаются дефектами, находящимися в центре изделия. [c.93]

При обнаружении разницы в температурах фаз более, чем на 0,3 °С, производят более тщательный анализ при других погодных условиях и токовой нагрузке, а также проверяют симметричность токов в фазах. Несмотря на то, что основной целью испытаний является оценка качества внутренней изоляции обмоток, также контролируют температуру в местах подсоединения зажимов трансформатора тока и оценивают состояние внутреннего переключающего устройства. В последнем случае сравнивают температуры на поверхности расширителя трех фаз. Считается, что превышение температуры на поверхности расширителя более чем на 10. .. 15 °С может быть обусловлено аварийным дефектом внутреннего переключателя. [c.301]

Согласно рис. 26.3, а таким искателем для контроля труб обычно от одного дефекта получают два показания — симметрично до и после контрольного эхо-импульса. Поскольку этот контрольны й эхо-импульс не является собственно отражением, а только импульсом, который проходит от одного искателя к другому и одновременно в обратном направлении, он имеет такое же время прохождения, как и эхо-импульс от искателя до дефекта на обратной стороне трубы и обратно к искателю, т. е. на расстояние 180° по периметру трубы, считая от середины искателя. Если поставить его изменением (растяжением) масштаба в середину экрана, то обе половины трубы слева и справа от него будут изображаться со всеми их дефектами в известной мере одновременно. Относится ли конкретное показание к левой или к правой половине трубы, при неподвижном искателе установить нельзя. Однако это сразу же обнаруживается, если несколько переместить искатель в окружном направлении если показание перемещается между посылаемым импульсом и контрольным эхо-импульсом (которые оба неподвижны) по направлению к посылаемому импульсу, то это значит, что искатель приближается к дефектному месту, и наоборот. Так как вопрос о точной локализации дефектов при контроле труб чаще всего не встает, а при обычном широком и расщепленном показании это и вообще невозможно, трубный искатель обычно смещают так, чтобы эхо-импульс от дефекта располагался примерно посередине между посылаемым и контрольным эхо-им-пульсом. Тогда дефект будет располагаться примерно на расстоянии четверти периметра трубы (90°) от искателя. [c.493]

В табл, Т5 и Т7 приведены планы контроля последовательным методом с наибольшими гарантируемыми коэффициентами доверия при биномиальном законе распределения отказов (дефектов), данные для которой получены описанным в разд. 6.3 способом. В отличие от экспоненциального случая при биномиальном распределении больше входных данных кроме а, 3 л с здесь задается также ро, характеризующая приемочный уровень брака. В связи с этим существенно возрастает число возможных вариантов, поэтому пришлось ограничиться использованием планов с симметричными оценочными уровнями, т.е. с а = 3. Значения Ро взяты в интервале от 0,01 до ОД. Входные данные в табл. Т5 и Т7 закодированы с помощью табл. 6.5 и 6.6. [c.106]

Появление даже небольшого возмущения может привести не только к количественным, но и к качественным изменениям резонансных колебаний. В первую очередь это относится к образцам (объектам) симметричной формы. Если, например, однородный изотропный диск до возмущения не имеет выделенных азимутальных координат и безразлично, от какого его диаметра начинать их отсчет, то при наличии возмущения симметрия нарушается. Это приводит к интересным для практики акустических измерений следствиям. Например, если симметрия свойств образца нарушена из-за наличия в нем небольшого дефекта, в образце появится выделенный азимут и энергия колебаний, а следовательно, и резонансные частоты будут зависеть от взаимной ориентации [c.156]

В случае контроля тонких слоев, расслоений, трещин и плоских включений, которые в дальнейшем для сокращения будем называть дефект , имея в виду только данный класс дефектов, естественной математической моделью дефекта является симметричное распределение вида [c.148]

В настоящее время можно считать установленным, что кристаллические структуры химически или стереохимически регулярных полимеров определяются не межмолекулярным, а внутримолекулярным взаимодействием [4]. Поэтому для полимеров, кристаллизующихся без воздействия каких-либо внешних сил, характерно образование структур типа сферолитов, в которых отдельные фибриллы, образованные чередующимися складчатыми цепями — доменами и проходными цепями, располагаются радиально-симметрично. Дефекты структуры в междоменных участках не позволяют полимеру полностью закристаллизоваться и обусловливают наличие аморфных областей в полимере. При действии внешних сил, например равномерного растяжения образца, происходит рекристаллизация, т. е. разрушение исходной структуры (сферолита) и формирование ориентированной фибриллярной структуры, прочность которой обусловлена силами межмолекулярного взаимодействия. Образование фибриллярной структуры начинается на участках границ между сферолитами, перпендикулярных оси растяжения образца, а затем распространяется на весь объем полимера. [c.21]

Анализ акустического тракта выполним для варианта, показанного на рис. 2.36, а. В п. 2.2.2 было отмечено, что отражение от бесконечной плоскости можно рассматривать как зеркальное отражение падающих на плоскость акустических волн. В соответствии с этим акустическое поле, возникающе1е в результате отражения от бесконечной поверхности, можно представить как продолжение акустического поля излучателя, испытывающее рассеяние па мнимом изображении экра-на-дефекта. Мнимый приемник расположен зеркально-симметрично излучателю (рис. 2.37). [c.159]

Гамп должна быть не меньше величины, обратной предполагаемому разрешению Av Vauп = 1/Ау. Например, при частоте вращения 5 Гц можно получить разрешение 0,2 Гц. Если скорость вращения слишком мала, то усреднение поля будет неполным. При слишком большой неоднородности поля Нд основному пику будут соответствовать симметрично расположенные боковые пики, которые появляются также при использовании неравномерно вращающихся ампул с дефектами (рис. 19, в). [c.53]

Развитие электрономикроскопической техники за последнее время показало, что такие квазикристаллические образования, называемые периодическими коллоидными структурами, широко распространены в природе и технике. Не имея возможности в рамках настоящего курса остановиться подробно на свойствах этих интересных и важных в практическом отношении систем, отсылаем читателя к монографии Ефремова [16]. На фотографиях, взятых из этой книги (рис. ПО и 111), мы видим квазикристал-лическое строение структурированных систем, наличие дальнего порядка и дефектов, характерных для реальных кристаллов. ПКС образуются преимущественно за счет фиксации частиц во втором минимуме. Расчет, проведенный Ефремовым и Нерпиным для моделей коллективного взаимодействия, показал, что симметричное расположение частиц как раз отвечает минимуму потенциальной энергии системы. [c.284]

На фотографиях, взятых из этой книги (рис. XIV. 9, XIV. 10), видно квазикри-сталлическое строение структурированных систем, наличие дальнего порядка и дефектов, характерных для реальных кристаллов. ПКС образуются преимущественно за счет фиксации частиц во втором минимуме. Расчет, проведенный Ефремовым и Нерпиным для моделей коллективного взаимодействия, показал, что симметричное расположение частиц как раз отвечает минимуму свободной энергии системы. [c.277]

В качестве примера рассмотрим спектр поглощения свободного радикала НСО. Наблюдалась прогрессия полос, похожих па полосы двухатомных молекул, с расстояниями между ними около 1500 см" . На рис. 99 приводится спектрограмма одной из полученных полос, на которой отчетливо видны Q- и 7 -ветви. Дублетное расщепление, соответствующее спину 5 = /2, не разрешено, так как линии широкие по самой своей природе. Простая структура полосы, казалось бы, говорит о том, что радикал линеен как в BepxnisM, так и в нижнем состоянии. Однако был обнаружен большой комбинационный дефект между Р-, Q- и / -ветвями, который может быть объяснен только как следствие асимметрического удвоения в нижнем состоянии. Другими словами, необходимо сделать вывод, что молекула изогнута в нижнем состоянии и является, таким образом, почти симметричным волчком. При таком объяс- [c.171]

Стыковые сварные швы сосудов и аппаратов ответственного назначения с толщиной стенки 8—18 мм обычно выполняют электродуговой сваркой под слоем флюса за два прохода, так как такая сварка дает лучшее качество шва по сравнению с однопроходной [88]. Исключение составляют швы, которые невозможно выполнить многопроходной сваркой, например кольцевой шов приварки днища к аппарату. Максимальное число дефектов для стыковых двухпроходных швов распределяется ближе к центру сечения шва (см. рис. 140). Поэтому искатели располагают симметрично по обе стороны продольной оси шва таким образом, чтобы центральный однократно или двукратно отраженный луч проходил через центр симметрии шва. При этом необходимо стремиться к тому, чтобы [c.203]

Рассмотрение тест-хроматограмм начинают с формы полученных пиков. Пики должны быть достаточно симметричными, не иметь носов и хвостов —это наиболее частый дефект. Недопустимо двоение пиков—свидетельство наличия каналов или пустот в колонке. Коэффициент асимметрии пиков на 1/10 их высоты должен приближаться к 1, и для колонок хорошего качества должен составлять 0,8—1,3. Далее проверяют время удерживания тест-веществ на хроматограммах постоянство этой величины свидетельствует об установлении равновесия в колонке и возможности расчета эффективности колонки. Расчет эффективности колонки — числа теоретических тарелок и приведенной высоты эквивалентной теоретической тарелки — проводят по известным формулам (см. разд. 1.1). Для имеющихся в продаже сорбентов среднего качества при хорошо подобранной методике набивки колонок удается получить значение ПВЭТТ от 3 до 6, что соответствует ЧТТ для стандартной колонки длиной 25 см от 4 до 8 тыс. (сорбент размером 10 мкм), от 5,5 до 11 тыс. (7,5 мкм) и от 8 до 16 тыс. (5 мкм). [c.122]

Махутова. При расчете числа циклов нагружения на этапе зарождения трещины в уравнение Коффина-Мэнсона подставляется амплитуда истинной деформации в вершине зарождающейся трещины в дефекте при несимметричном нагружении, приведенная к эквивалентному симметричному виду. [c.20]

Если в регулярной цепочке бесконечной длины имеются два идентичных дефекта отстоящих друг от друга на достаточно большом расстоянии, то каждый из них является источником локальных колебаний, частоты которых равны между собой. По мере уменьшения расстояния между дефектами частота расщепляется на две компоненты, симметрично расположенные относительно первоначальной частоты. Величина расщепления при дальнейшем сближении дефектов и укорачивании регулярного отрезка цепи возрастает. Отсюда следует, что полоса локального колебания при разупорядочивании образца симметрично расширяется и расщепляется на две составляющие. [c.229]

Вакансионные состояния первой зоны имеют сферически-симметричный вид 5-состояний молекулярного типа (рис. 2.4), второй — составлены несвязывающими р-состояниями атомов бора, координирующими дефект. Видно, что ВС имеют го раздо большую пространственную делокализацию в кристалле, чем состояния вакансии бора. Это можно видеть из сравнения изменений зарядов атомов, координирующих V n, Vg в k-BN, табл. 2.2. [c.40]

Амплитудная кривая для этого даже не используется. Она должна только располагаться достаточно далеко, чтобы обеспечить сканирование с достаточной высотой эхо-импульса еще на достаточно большом отрезке (апертура). Трудности наблюдаются при естественных дефектах некоторой протяженности, от которых ожидается появление изображения. В таком случае амплитудная кривая и кривая времени прохождения по рис. 13.7 уже не обязательно будут симметричными и их экстремальные значения не будут располагаться в одном месте. При достаточно, большом числе точек измерения и направлений прозвучивания происходит некоторое усреднение записанные одиа по другой локализационные кривые обнаруживают место наибольшей плотности штриховки , на основании чего и можно оценить контур естественного дефекта. Формирование среднего значения дает также важное преимущество в улучшении отношения сигнал — шум рассеянные отрал<ения, например у крупнозернистого материала, очень быстро н нерегулярно изменяют свое по,ложение и амплитуду уже при небольших изменениях положения и угла искателей. Только такие данные, очищенные от помех, могут [c.304]

Нарушение симметрии, обусловленное возмущением, приводит к уменьше -нию кратности вырождения или к полному его исчезновению (снятию вырождения). Следовательно, наличие внутренних неоднородностей в пластине приводит к снятию вырождения собственных частот, что является следствием зависимости энергии колебаний от взаимной ориентации дефекта и упругого поля колебаний, задаваемого источником (возбудителем колебаний). В случае симметричного исходного поля упругих колебаний (л = 0) подобная зависимость не имеет места, вырождение отсутствует. [c.157]

Смекал предложил метод измерения скорости распространения разрыва. Этот метод основан на наблюдениях Валнера, обнаруживавшего, что на поверхности разрыва стеклянной палочки образуются своеобразные уступы, располагаюш,иеся симметрично относительно первичного дефекта. [c.271]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология