Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Рекомбинационное излучение

    В вакуумных плазменно-дуговых печах рекомбинационное излучение, поглощаемое охлаждаемым ограждением печи, несколько уменьшает коэффициент полезного использования энергии. [c.233]

    Высокотемпературная плазма является генератором лучистой энергии. Спектр ее существенно отличается от спектра абсолютно черного тела. В спектре плазмы присутствуют тормозные излучения, обусловленное торможением электронов в поле ионов рекомбинационное излучение, обязанное процессу образования нейтральных атомов из ионов и электронов, а также излучение возбужденных ионов и атомов. Кроме того, упомянутое выше ларморовское вращение электронов в магнитном поле приводит к так называемому бетатронному излучению. [c.538]


    Эта методика впервые использована при изучении экспоненциального нарастания рекомбинационного излучения О—СО в смесях На—Оа с добавками СО [62]. Осциллограмма одного из опытов и результирующая логарифмическая зависимость интенсивности сигнала от времени представлены на рис. 2.6. Константа экспоненциального роста ф интерпретирована как характеристическая константа скорости роста концентрации атомов кислорода. Кинетические результаты этих экспериментов впоследствии подтверждены с помощью той же торцевой методики, но уже в смесях без добавок СО. В работе [74] регистрировалось инфракрасное излучение колебательно-возбужденных молекул НаО, а в работе [64] — суммарное ультрафиолетовое излучение полос ОН и непрерывного спектра НгО. В аналогичных условиях по температуре и концентрации реагентов найдено, что характеристическая константа скорости экспоненциального на- [c.148]

    На рис. 2.8 представлены экспериментально измеренные значения ф (приведенные к удвоенной концентрации кислорода) в отраженных ударных волнах в широком диапазоне температур и величин т). Эти данные получены с помощью торцевой методики регистрации свечения реакции О—СО. В соответствии с уравнением (2.13) при высоких температурах данные зависят только от т]. Зависимость ф/2[0г] от полной концентрации газа [уравнения (2.11) и (2.12)] заметно проявляется для смеси с т] = 0,33 при низких температурах. Недавние инфракрасные измерения [74] для смеси с т] = 10 при верхней температурной границе 2200 К находятся в превосходном согласии с измерениями рекомбинационного излучения О—СО. Использование уравнений (2.11) — (2.13) дает несколько различных способов определения абсолютных значений констант скоростей и их аррениусовской зависимости из данных, аналогичных представленным на рис. 2.8. Рассмотрим эти способы 1) для применения уравнения (2.13) необходимо убедиться, что А ДМ] достаточно мало [62, 63] 2) предполагая, что kf и (или) к определены независимым путем и что величина ф не очень чувствительна к этим константам, входящим в уравнение (2.12), можно как минимум из двух серий экспериментов с различными т] рассчи- [c.162]

    Труднее всего получить согласующиеся значения ф при т) 0,3, когда отчетливо проявляется влияние констант кь и кс. С помощью торцевой методики измерения рекомбинационного излучения О—СО [65] и измерений поглощения ОН [43, 80] определены более высокие значения ф и соответственно кь и к , чем в экспериментах с менее чувствительными методами инфракрасного излучения [74] и свечения О—СО [66], регистрируемого через окно в боковой стенке ударной трубы это может быть вызвано уменьшением скоростей цепного разветвления из-за расходования реагентов. Вопросы влияния развивающегося за падающими ударными волнами пограничного слоя на временной характер процесса и температуру в экспериментах по измерению ф еще не решены окончательно [67]. [c.164]


    Для исследований, требующих легкого перехода от одного спектра к другому, существуют штативы с револьверными головками, содержащими ряд электродов. Искровой разряд излучает наряду с линейчатыми спектрами довольно интенсивный сплошной спектр, обусловленный тормозным и рекомбинационным излучением. Благодаря относительно высоким электронным концентрациям в разряде линии бывают сильно уширены, а для некоторых наблюдается заметное смещение. [c.270]

    Интенсивность сплошного фона, возникающего вследствие тормозного и рекомбинационного излучения электронов, в первом приближении, до некоторой граничной частоты не зависит от длины волны й может быть вычислена по известной формуле Ун-зольда [838, 71  [c.131]

    ДЛЯ СПЕКТРОВ ТОРМОЗНОГО И РЕКОМБИНАЦИОННОГО ИЗЛУЧЕНИЙ ( СВОБОДНО-СВОБОДНЫЕ И СВОБОДНО-СВЯЗАННЫ ПЕРЕХОДЫ) [c.155]

    Часто бывает необходимо знать также полную (проинтегрированную по всем частотам) потерю энергии на рекомбинационное излучение. Эта величина определяется выражением [c.433]

    Соотношение (34.54) для коэффициентов рекомбинационного излучения 8 и фотоионизационного поглош.ения можно получить аналогичным образом, воспользовавшись формулой (34.23) и предполагая, что 1. Распределение электронов по скоростям является максвелловским. 2. Заселенность дискретных уровней определяется формулой Больцмана. 3. Концентрация ионов определяется формулой Саха (30.85). [c.436]

    В приближении (34.65) (g(n, со) = 1) легко найти также полную интенсивность рекомбинационного излучения. Поскольку для мак- [c.441]

    Электроны, поступающие в зону отрицательного свечения, можно разделить, по меньшей мере, на две группы. Первую группу составляют быстрые электроны, образовавшиеся на катоде или вблизи него и не успевшие потерять энергию при столкновениях в темном пространстве. Вторая, большая, группа состоит из медленных электронов, образовавшихся в темном пространстве и испытавших много неупругих столкновений. Так как энергия медленных электронов меньше, чем энергия, отвечающая максимуму ионизации, но больше или близка к энергии, отвечающей максимуму функции возбуждения, то электроны испытывают много столкновений с возбуждением и вызывают образование отрицательного свечения. После этого их энергия становится настолько малой, что они легко рекомбинируют с положительными ионами. Этот процесс, вероятно, и имеет место в отрицательном свечении и за ним, так как концентрации ионов и электронов в этой области велики, а электрическое поле мало. Однако рекомбинационное излучение имеет, в общем, малую интенсивность. С удалением от границы свечения количество быстрых электронов уменьшается и интенсивность свечения падает. Последующее медленное увеличение поля приводит к тому, что вероятность рекомбинации уменьшается и появляется фарадеево темное пространство, свойства которого являются промежуточными между свойствами положительного столба и отрицательных зон. Так как поле возрастает в направлении к положительному столбу, то в первую очередь появляются спектральные линии, максимумы вероятности возбуждения которых лежат в области малых энергий. [c.228]

    Басов и сотр. [33] на кристаллах GaS получили рекомбинационное излучение в желтой области спектра под действием пучка быстрых электронов при этом была исследована зависимость интенсивности излучения от тока возбуждения. Этот эффект излучения, как считает Соболев [32], очевидно, вызван усилением интенсивной полосы поглощения в GaS,обнаруженной в работе [27]. [c.41]

    Тепловое освобождение электронов с уровней локализации является не единственным и даже не всегда возможным (в случае достаточно глубоких ловушек, у которых Еп кТ). Более легко вырывание электрона может быть осуществлено действием света (переходы 3- 2 и 3 - 2 ). Полученные таким путем электроны называются оптическими . Оптические электроны отличаются тем, что вероятность их рекомбинации на ионизованных центрах гораздо меньше, чем тепловых электронов, обладающих сравнительно меньшей энергией, а соответственно, и скоростью. По мере расходования своей энергии, например, путем взаимодействия с фононами, оптические электроны становятся аналогичными тепловым и уже в таком качестве вызывают рекомбинационное излучение. [c.64]

    Кроме того, если уровень локализации лежит достаточно глубоко (< )> возможна непосредственная рекомбинация свободной дырки с локализованным электроном. При этом излучение может и не наблюдаться, а выделившаяся энергия будет тепловой. Подобного рода процессы являются причиной (правда, не единственной) уменьшения квантового выхода рекомбинационного излучения. [c.64]

    В настоящее время считается, что ответственными за возникновение рекомбинационного излучения являются не только рассмотренные выше процессы, но и так называемые экситоны. Экситоны образуются в том случае, когда энергия поглощаемого кванта меньше Ец — / и образовавшаяся пара электрон — дырка остается связанной, т. е. экситон — это некоторое возбужденное состояние (подобное возбужденному состоянию атома водорода), способное перемещаться по кристаллу и локализоваться в его определенных местах, например, на активаторе. Благодаря энер- [c.64]


    Спектральный состав излучения кристаллофосфоров может складываться по крайней мере из следующих слагаемых рекомбинационного излучения на активаторе, свечения, обусловленного наличием других дефектов кристаллической решетки, и краевого свечения. Спектральный состав излучения, обусловленный наличием активатора, довольно сложный. Обычно это полоса шириной порядка десятков и более м.мк. Образование широкой полосы излучения на первый взгляд может показаться несколько странным, так как излучение происходит на активаторах одного и того же вида — центрах люминесценции. Но это только на первый взгляд, в действительности же образование полосы вполне понятно. Обратимся к рис. 25. Атомы или ионы, являющиеся центрами люминесценции, находятся в состоянии непрерывного колебательного движения. В силу того, что количество центров люминесценции очень велико (разумеется, по абсолютному количеству, а не по отношению к числу атомов или ионов основы), энергия испускаемых квантов будет различной в зависимости от фазы колебания атомов примеси и будет лежать в пределах /Ivl-i-/гv2, другими словами, ширина полосы излучения будет определяться средней амплитудой колебания центров люминесценции. Отсюда становится понятным уменьшение выхода люминесценции при увеличении температуры. Чем выше температура, тем вероятнее процесс испускания кванта йуз, причем разность энергий в этом случае такова, что /ггз соответствует излучению в инфракрасной области или даже возможен размен электронной энергии на колебательную. В том случае, когда происходит размен энергии возбуждения на тепловую, наблюдается тушение люминесценции, и это тушение называется внутренним, если эти процессы проходят на активаторе. [c.65]

    Спектральный состав излучения кристаллофосфоров может складываться по крайней мере из следующих слагаемых рекомбинационного излучения на активаторе, свечения, обусловленного наличием других дефектов кристаллической решетки, и краевого свечения. Спектральный состав излучения, вызванного на- [c.73]

    Еще в 1928 г. из измерений абсолютной интенсивности рекомбинационного излучения, связанного с процессом [c.10]

    Экспериментальная проверка выдвинутого предположения может быть осуществлена при изучении рекомбинационного излучения связанного с поверхностью германия. [c.107]

    Искровой разряд излучает наряду с линейчатыми спектрами довольно интенсивный сплошной спектр, обусловленный тормозным и рекомбинационным излучением. Благодаря относительно высоким электронным концентрациям в разряде линии бывают сильно уширены, а для некоторых наблюдается заметное смещение. [c.266]

    Электроны, поступившие в зону отрицательного свечения, можно разделить по меньшей мере на две группы. Первую группу составляют быстрые электроны, образовавшиеся на катоде или вблизи него и не успевшие потерять энергию при столкновениях в темном пространстве. Вторая, большая группа, состоит из медленных электронов, образовавшихся в темном пространстве. Энергия этих электронов. меньше, чем энергия ионизации, по достаточна для возбуждения. При столкновениях с атомами эти медленные электроны возбуждают их и вызывают отрицательное свечение. Так как в этой области концентрация электронов и ионов велика, а электрическое поле мало, то очень медленные электроны могут рекомбинировать с положительными иенами и вызвать рекомбинационное свечение. Однако рекомбинационное излучение в отрицательном свечении имеет в общем малую интенсивность. [c.9]

    К сожалению, экспериментальные оценки вероятности Р крайне ограничены и в данный момент можно привести только следующие данные. Еще в 1928 г. на основании измерения абсолютной интенсивности излучения паров брома и сопоставления числа испущенных квантов с числом столкновений между атомами брома Кондратьев и Лейпунский [164, 185 для вероятности стабилизации квазимолекулы брома путем излучения получили величину порядка 10" . Сравнивая это число с вычисленным Терениным и Прилежаевой (10 ), нужно констатировать хорошее согласие обоих значений, так как расхождение на один порядок в данном случае вполне допустимо вследствие больших погрешностей измерения интенсивности излучения, в основном обусловленных трудностью учета реабсорбции рекомбинационного излучения в парах брома, нагретых до 1500° К. Причина расхождения вычисленного и измеренного значений Р, возможно, обусловлена также сложным характером см. [535, 1325, 1326]. [c.246]

    Применение вакуума возможно только при использовании кессонного охлаждения, так как требуется абсолютная тазоплотность ограждения. В данных случаях не может быть использовано понятие температуры в термодинамическом смысле, и поэтому нельзя говорить о разности температур между внутрипечным пространством и внутренней поверхностью ограждения. Тепло генерируется на внутренней поверхности ограждения за счет облучения ее плазмой (тормозное и рекомбинационное излучения), а также за счет кинетической энергии электронов и ионов, попадающих на внутреннюю поверхность ограждения вследствие эффекта рассеивания заряженных частиц и вторичной эмиссии электронов с анода. Сюда следует, однако, добавить непосредственное излучение раскаленного анода, а также поверхности расплава. Все вместе взятое создает приток тепла на внутреннюю поверхность ограждения, требующий отвода его за счет охлаждения водой. Унос тепла с водой охлаждения может быть существенным и в энергетическом балансе достигает 20—40%-Таким образом, ограждение вакуумно-дуговых и электроннолучевых печей энергетически несовершенно, однако этот недостаток перекрывается многими другими достоинствами печей данного типа, оправдывающими с технико-экономической точки зрения применение холодного ограждения. [c.243]

    Из данных этой таблицы следует, что для С1г и Вгг вероятность Р имеет порядок величины 10 и для Лг—10" . Это значит, что у галоидов лишь одно из 10 —10 столкновений, благоприятных в смысле возникновения электронного состояния возбужденной молекулы Хг, комбинирую--щегося с нормальным, ведет к образованию молекулы, причем избыточная энергия теряется молекулой в виде электронного излучения . Сопоставляя вычисленное А. Н. Терениным и Н. А. Прилежаевой (табл. 7) значение величины Р для брома с приведенным вьппе (стр. 199) значением, полученным В. Н. Кондратьевым и А. И. Лейпунским [153] из интенсивности термического свечения паров брома, нужно констатировать хорошее согласие обоих значений, так как расхождение на один порядок в данном с.тучае вполне допустимо вследствие больших погрешностей измерения интенсивности излучения, в основном обусловленных трудностью учета роабсорбции рекомбинационного излучения в парах брома, нагретых до температуры 1500°К- Причина расхождения вычисленного и измеренного значений Р, возможно, обусловлена сложным характером см. [1003а]. [c.205]

    Очень часто при рекомбинации атомов и радикалов в определенной области наблюдается непрерывное свечение. Одним из примеров может служить хорошо известный рекомбинационный континуум щелочного металла и гидроксила, занимающий всю видимую область спектра и сопровождающийся очень интенсивными резонансными линиями Na и Li. Аналогичный континуум возникает и в пламени, насыщенном калием, но в этом случае дублетные резонансные линии (первая и вторая) находятся на границе видимой области. Джеймс и Сагден [ПО] показали, что интегральная интенсивность континуума пропорциональна как концентрации ОН, найденной ими по измерениям [Н], так и концентрации свободного щелочного металла. Это дает возможность использовать измерение интенсивности рекомбинационного излучения для определения относительной концентрации ОН. Кроме рассмотренного случая, практический интерес представляет рекомбинационное свечение в реакциях Н-)-ОН-> HgO/IV и Н + С1-> НС1/ V [113]. Непосредствен- [c.240]

    Произошло поглощение света, образовались ионизованные центры люминесценции и накопились свободные электроны в зоне проводимости (а так как зонная теория предполагает все процессы симметричными между электронами и дырками, то все, что рассматривается по отношению к электронам, происходит и с дырками). Скорость движения электронов в зоне проводимости чрезвычайно велика и составляет 10 —10 см1сек. Отсюда следует, что даже в том случае, если концентрация локальных уровней чрезвычайно мала, т. е. они находятся на значительном расстоянии друг от друга, происходит очень быстрое распределение электронов по уровням локализации (переходы 2- 3 2- 3 2— 4 ). Если уровнем локализации является возбужденный уровень активатора, то, как рассмотрено выше, произойдет рекомбинация. Иначе обстоит дело с электронами, попавшими в ловушки. На уровне ловушек они могут оставаться значительный период времени, пока не будут освобождены тепловым или оптическим путем. Очевидно, что именно за счет процессов локализации рекомбинационное излучение затянуто во времени. Необходимо также помнить, что электроны, перешедшие из ловушек в зону проводимости, имеют достаточно большую вероятность повторной (и большей) локализации. Электрон, находясь в ловушке, не является неподвижным, но находится в колебательном состоянии, однако амплитуда его такова, что он не может выйти в зону проводимости. Получив определенное количество энергии за счет теплоты, что равносильно уменьшению глубины первоначальной ловушки, электрон может покинуть ее и перейти в зону проводимости (переход 3- 2) и в конце концов локализоваться на активаторе (переход 2— 4 ). Разумеется, что чем меньше глубина ловушки, тем больше вероятность выхода из нее, т. е. тем меньше время пребывания электрона в заданной ловушке. Скорость освобождения [c.63]

    Электроны, поступающие в зону отрицательного свечения, можно разделить по меньшей мере на две группы. Первую группу составляют быстрые электроны, появившиеся на катоде или вблизи него и не успевшие потерять энергию при столкновениях в астоновом темном пространстве. Вторая, большая группа состоит из медленных электронов, имеющихся в астоновом темном пространстве и испытавших много неупругих столкновений. Энергия медленных электронов меньше величины, соответствующей максимуму ионизации, но больше или близка. к энергии, отвечающей максимуму функции возбуждения. Поэтому электроны испытывают много столкновений с возбужденными молекулами (отрицательное свечение), после чего их энергия становится настолько малой, что они легко рекомбинируют с положительными ионами. Рекомбинация, вероятно, протекает в зоне отрицательного свечения и за ней, так как концентрации ионов и электронов в этой области велики, а напряженность электрического поля незначительна. Однако рекомбинационное излучение имеет в общем малую интенсивность. С удалением от границы свечения количество быстрых электронов уменьшается и интенсивность свечения падает. [c.124]

    Использование подобных объектов в термоэлектр1 честве сводится к идее создания ветвей термоэлемента с составом — по примесям или сплавообразующим компонентам, изменяющимся в соответствии с градиентом температуры вдоль ветви таким образом, что в каждой точке ветви состав будет оптимальным дЛя соответствующей температуры [2, 3]. Принципы использования подобных объектов в оптике основаны на закономерном изменении оптических свойств в кристалле с переменной шириной запрещенной зоны или с переменным положением примесного уровня. В частности, меняя каким-либо образом место возбуждения. носителей в таком кристалле, мы можем модулировать и гранич-ную частоту рекомбинационного излучения. Наоборот, при облучении фотодиода или фотосопротивления, изготовленного из такого кристалла монохроматическим излучением, величина интегрального сигнала будет также зависеть от частоты излучений. Необх0димо отметить, что приведенные общие соображения подтверждают перспективность исследования кристаллов с широкими программами изменения состава, а значит и целесообразность изучения методов их изготовления. [c.108]

    При понижении давления начинают играть роль новые механизмы излучения. Исследуя положительный столб разряда в аргоне при давлениях 1—10 мм рт. ст., Принс и Робертсон [268,], а также и Каган с сотр. [269] обнаружили, что непрерывное излучение имеет интенсивность, более чем на порядок превышающую рассчитанную интенсивность тормозного и рекомбинационного излучения. Кроме того, интенсивность излучения увеличивается в сторону малых длин волн, что также отличает его от рекомбинационного. Обнаруженное излучение приписано молекуле Агз , образующейся за счет столкновения нормальных и метастабильных атомов аргона и переходящей из устойчивого состояния в диссоциирующее. Полной ясности в этом вопросе нет в упомянутых выше работах Рутшера и Пфау [486, 487] при сходных параметрах разряда видимое излучение хорошо объясняется тормозным механизмом, и только в УФ части спектра наблюдается избыточное (по сравнению с тормозным) излучение. Возможно, что это излучение будет давать заметный вклад [c.196]

    Из теоретических исследований большой интерес представляют работы Воробьева и Нормана [325] и Ханта и Сибулкина [282], относящиеся к азоту. В первой из них для расчета линейчатого спектра использован метод [108]. Отдельно учтены главным образом линии, расположенные в УФ-области. Рассмотрено рекомбинационное излучение и тормозное излучение в поле иона, а также образование иона N . При низких температурах учтены основные полосы Nj и NJ. [c.200]

    Последующее медленное увеличение поля приводит к тому, что скорость медленных электронов возрастает и они пролетают мимо ионов, не успев рекомбинировать. Это приводит к уменьшению рекомбинационного излучения и появлению фарадеева темного пространства. [c.9]

    По мере дальнейшего увеличения поля в направлении к положительному столбу медленные электроны разгоняются настолько, что в положительном столбе пачппается возбуждение электронным ударом и атомы испускают кванты света, соответствующие спектральным линиям, лежащим в области малых энергий. В положительном столбе имеет место и рекомбинационное излучение, кванты которого обладают большей энергией и частотой, лежащей в ультрафиолетовой части спектра. [c.10]


Смотреть страницы где упоминается термин Рекомбинационное излучение: [c.396]    [c.453]    [c.109]    [c.253]    [c.212]    [c.441]    [c.186]    [c.729]    [c.310]    [c.516]   
Смотреть главы в:

Физическая химия быстрых реакций -> Рекомбинационное излучение




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте