Травление в отверстиях

Травление отверстий в стекле [c.1044]

К химическим способам очистки поверхностей труб, узлов и деталей, применяемым только при наличии указаний в проекте для трубопроводов специального назначения, относят травление в кислотах и обработку поверхности преобразователем ржавчины типа ЩТ. После химической очистки труб и других изделий травлением отверстия закрывают пластмассовыми и деревянными пробками. Концы, имеющие нарезку, перед травлением покрывают бакелитовым или другим кислотоупорным лаком. [c.70]

В числителе дроби даны значения Ху, и ЗП для обработки заготовок с предварительно необработанными отверстиями, в знаменателе - для травленых отверстий. [c.400]

Перед заливом растворов охлаждающие полости отсоединяют от водопроводов, заглушают все отверстия, кроме верхнего, через которое производят заливку растворов и удаление выделяющихся газов. После окончания процесса травления раствор сливают, полости промывают проточной водой и производят нейтрализацию и пассивирование 2%-иым раствором кальцинированной соды или тринатрийфосфатом. [c.154]

Предварительная подготовка поверхности деталей — обезжиривание и травление —производится в стальных ваннах, оборудованных вытяжными приспособлениями. Ванны для травления футеруются изнутри кислотоупорными материалами. На крупных предприятиях для очистки деталей от жировых загрязнений устанавливают иногда моечные машины, в которых детали обрабатываются струями щелочного раствора или органического растворителя, подаваемыми по трубкам с отверстиями с помощью насоса. [c.452]

Электрохимическое травление полупроводников особенно целесообразно проводить для 1) выявления р—п-переходов 2) резки монокристаллов 3) получения гонких образцов 4) вытравливания углублений и отверстий (нанесение рисунка на поверхность полупроводника) и т. д. Чтобы осуществить вторую и четвертую операции, прибегают к локальному травлению, которое основано на использовании электролита с более высоким удельным сопротивлением, чем сопротивление полупроводника. Часто электролит смачивает лишь участок, подвергающийся травлению (струйное травление, травление в потоке). [c.217]

В качестве катода при травлении германия и кремния используют золото, серебро, никель, вольфрам в виде тонкой проволоки. Например, при электрохимической резке применяют вольфрамовую проволоку диаметром 80 мкм. Катод устанавливают в непосредственной близости от поверхности полупроводника. Это обеспечивает травление лишь узкой области вблизи катода. Так удается нарезать пластинки германия толщиной 0,025 мм и протравливать отверстия в пластинках толщиной 0,4 мм. [c.217]

Перед сверлением отверстия внутреннюю поверхность образца рекомендуется освободить от окалины методом катодного или анодного травления. Если же на поверхности металла желательно присутствие окалины, то во избежание забивания отверстия чешуйками (продуктами разрушения окалины) отверстие очищается проволочкой меньшего диаметра. [c.125]

К разрушающим методам- измерения толщины металлических покрытий относится, например, метод кулонометрии, также являющийся весьма точным. Метод основан на применении законов Фарадея. Он заключается в растворении покрытия при контроле электрохимических условий на малой площади, ограниченной отверстием для травления в измерительной головке. [c.89]

За последние годы при изучении металлов и сплавов стали широко применять электронный микроскоп. При этом готовят образцы очень тонкой фольги иногда это достигается путем травления поверхности образца кислотами до тех пор, пока, в фольге не образуются отверстия участки, прилегающие к отверстиям, могут быть настолько тонкими, что становятся проходимыми для пучка электронов. Структуру отдельных кристаллических зерен также можно определить по картине электронной дифракции, полученной при прохождении пучка электронов через отдельное зерно. Изменение структуры, происходящее с течением времени (не исключено, что и при повышении температуры), также можно обнаружить этим методом. [c.504]

Технология изготовлеиия печатных плат состоит в следующем [21]. На поверхность медной фольги наносят фоторезист экспонируют печатную схему, проявляют и вытравливают рисунок. В двусторонней или многослойной печатных платах для соединения металлических слоев между собой высверливают отверстия, которые подвергают химическому меднению. Для увеличения толщины слоя меди на поверхности и внутри отверстий применяют электрохимическое меднение. Печатные схемы имеют сложный рисунок (рис. 133). В печатной схеме для компьютера — около 10 ООО отверстий. Изготовляют печатные платы толщиной от 3 до 40 мкм. Наиболее ответственный этап в технологии изготовления печатных плат — металлизация отверстий и достижение надежного контакта между слоями. Для этого, например, применяют травление диэлектрика (см. табл. 21). Раствор для травления должен удалять даже полимер, подвергнутый деструкции во время сверления. [c.259]

Основной недостаток металлических сеток, изготовленных на ткацких станках или механическим путем, — неточность размеров отверстий и малая прочность сетки. Применение химического травления или лазерного луча для получения сеток из фольги в промышленности не нашло распространения. [c.264]

При субтрактивном принципе в качестве основы печатной платы берут готовый фольгированный пластик и подвергают его избирательному удалению (травлению) лишней фольги для получения требуемого рисунка соединений. Если выполнены отверстия (в случае штыревых выводов навесной элементной базы), химическое осаждение металла производят внутри отверстий (см. рис. 29, а). [c.84]

При аддитивном принципе основой является плата из нефольгирован-ного листового пластика с выполненными отверстиями. Ее подвергают сплошной тонкослойной (0,5—2 мкм) химической металлизации (включая полости отверстий), затем избирательному электрохимическому 10—100-кратному утолщению этого слоя в участках, которые должны стать соединительными проводниками и контактными площадками, с последующим общим химическим травлением всего металла на толщину первоначального сплошного слоя металлизации (см. рис. 29, б). [c.84]

При металлизации пластмассовых изделий, при аддитивном методе изготовления печатных плат и при металлизации полостей отверстий в многослойных печатных платах существенное значение для адгезии пленки металла имеет наличие развитого микрорельефа поверхности подложки. Наименее трудоемким и наиболее эффективным способом создания шероховатой поверхности является химический способ изотропного травления полимерных материалов. [c.123]

Применение плавиковой кислоты в смеси с серной имеет отрицательную сторону. Оно опасно с точки зрения возникающих механических перенапряжений в зоне травления стеклянной основы и растрескивания при последующем термоциклировании. Плавиковая кислота взаимодействует с окислами меди, образуя плохо растворимые фториды. Наконец, НР интенсивно испаряется, затрудняя стабилизацию травильного раствора. Поэтому для травления диэлектрика в зоне отверстий часто применяют концентрированную серную кислоту без добавления плавиковой. [c.125]

Характерные особенности имеет применение ингибиторов для сернокислотного травления на НТА. Это связано прежде всего с неравномерным распределением окалины по поверхности листового металла, что приводит к неравномерности ее удаления в процессе травления, растравливанию поверхности, наводороживанию. Для устранения этих недостатков необходимо применение ингибиторов. Однако установлено [167], что применение ингибиторов на НТА сопровождается загрязнением поверхности металла, вызывает ухудшение сцепления наносимых покрытий (цинковых, лакокрасочных), замедляет удаление окалины, ингибиторы ухудшают работу купоросных установок (забивают отверстия центрифуг, вызывают вспенивание растворов, загрязняют кристаллы железного купороса). Поэтому к ингибиторам, используемым в НТА, предъявляются особые требования высокая эффективность при 95—100 °С, хорошая растворимость в кислоте, устойчивость к солям железа, ингибитор не должен тормозить растворение окалины, затруднять процесс регенерации травильного раствора, загрязнять поверхность металла [167]. [c.104]

Образование рассматриваемой группы включений происходит в начальный период наращивания. Источниками вакуолей служат каналы гидротермального травления, возникающие в затравке. Крупные отверстия в затравке зарастают медленно и оставляют в наросшем материале выклинивающиеся в направлении перемещения фронта кристаллизации (уплощенные) трехгранные пирамидальные полости, которые нередко не успевают замкнуться и выходят на поверхность кристалла в виде щелей и ограненных каналов. Подобный вид макронеоднородностей принято называть проколами (синоним американского термина порок щелевато-сти ). При многократном доращивании внутри кристалла возникают чередующиеся зоны трубчатых включений (рис. 37). В случае использования затравок с трещинами, двойниковыми швами, мозаичными участками и включениями дефектные зоны интенсивно протравливались и являлись наиболее благоприятными местами для зарождения включений. Менее всего подвержены травлению (по сравнению с вышеописанными образцами) бездефектные природные монокристаллы кварца. [c.128]

После промывки и сушки пластину помещают в ванну для. химического или электрохимического травления и травят до тех пор, пока металл на незащищенных участках не достигнет нужной глубины (от 0,05 до 0,08 мм в зависимости от размера отверстий). На рис. 24-2 показана пластина иосле травления. [c.124]

Травление отверстий. В некоторых случаях рисковать стеклом нельзя. Тогда прибегают к длительному способу протравливания отверстия плавиковой кислотой. Все стекло с обеих сторон покрывают тонким слоем менделеевской замазки. В месте, где нужно протравить отверстие, стекло обнажают и делают вокруг лунки валик из того же материала. Образовавшееся углубление наполняют плавиковой кислотой, которую изредка помешивают, чтобы удалить со дна продукты реакции. Процесс длится несколько суток, причем кислоту нужно менять. Слабое нагревание—не до плавления замазки—очень ускоряет работу. Если замазка хорошо пристала, то окончательный вид отверстия довольносносен, но, конечно, хуже, чем у просверленного. [c.271]

Кроме металлических сеток, изготавливаемых путем плетения, и спеченных сетчатых материалов, за рубежом находят применение сетки, полученные гальваническим методом и путем травления. Такие сетки, обеспечивающие абсолютную тонкость фильтрования от 5 до 140 мкм, изготавливает голландская фирма Pulphem. При их производстве применяют фото- и электромеханические методы, позволяющие получать отверстия высокой точности. Сетки, изготовленные этими методами из никелевой фольги, выпускает также бельгийская фирма Ve o. [c.212]

Для черновой, получистовой и чистовой обработки отверстий,соосных наружных поверхностей и торцов в деталях типа втулок обычно используют токарные (токарно-винторезные, токарно-револьверные, токарные с программным у [травлением, горизонтальные и вертикальные полуавтоматы и автоматы и др.), сверлильные (вертикальноч верлильные, сверлильные с программным управлением, станки для глубокого сверления и др.), протяжные станки и др. [c.328]

Для определения пористости методом хлорного травления пластины кремния должны быть полированы с двух сторон для того, чтобы слой окисла равнол ерно покрывал обе повер хности. Держатель с пластинами помещают в печь, разогревают ее до 1000°С, затем закрывают реактор шлифом 3 и, открывая кран делительной воронки, регулируют поток хлора таким образом, чтобы через склянку Тищенко с серной кислотой проходило 1—2 пузырька в минуту. Травление проводят в течение 15 мин. Затем прекращают подачу хлора и извлекают пластину из реактора. Образец сначала осматривают, а затем исследуют на металлографическом микроскопе. Подсчитывают число растравленных отверстий в окисной пленке в поле зрения окуляра, й затем, определив площадь поля зрения при помощи объект-микрометра, рассчитывают плотность сквозных пор (см" ) в окисле по формуле N = п/5, где п — количество пор в поле зрения окуляра, 5 — площадь поля зрения, см . [c.135]

Травление применяют для удаления поверхностного слоя кристалла после резки и шлифовки для уменьшения толщины кристалла для придания базовой области приборов необходимой геометрической формы (вытравливание углублений, рисок и т. п.), что часто делается по рисунку фотолитографическим методом для очистки поверхности перед другими технологическими операциями (вплавлением, диффузией примесей, эпитаксиальным наращиванием пленок и т. д.) для очистки изготовленных р— -переходов для выявления р— -переходов для подготовки поверхности к металлографическим исследованиям и физическим измерениям. При селективн зм травлении электрохимические методы лучше потому, что можио сделать маленький катод и приблизить его к пы-травливаемому участку полупроводника, являющегося анодом, или можно закрыть часть анода непроводящей пластинкой с отверстиями и т. п., тогда как при химическом травлении нужна защита по рисунку, что гораздо сложнее. [c.313]

Образец с припоем помещали в специальную установку, обеспечивающую нагрев, освещение и горизонтальное положение образца. Образец размером 40 X 40 X 3 из меди М1 был фрезерован по краям и правлен на прессе. В центре образца по стороне 40 X 40 снизу сверлили глухое отверстие для горячего спая термопары. Поверхность образца обрабатывали наждачным полотном (№ 280 перпендикулярно к направлению съемки), травлением (в 10%-ном водном растворе персульфата аммония) и полировкой. Перед загрузкой в печь поверхность образца обезжиривали и на нее помещали припой в виде компактного куска, объемом 64 и 300—400 мм флюса. При загрузке в печь образец укладывали на подложку из нержавеющей стали, расположенную на уровне съемки и нагретую до температуры пайки. Температуру образца замеряли хромель — алюмелевой термопарой. При температуре несколько ниже температуры начала плавления припоя включали кинокамеру и на секундомере фиксировали начало съемки. Контактный угол смачивания и линейный размер капли в процессе растекания определяли при проектировании кинопленки на экран (X 6). По времени, фиксированном на секундомере, и записи температуры определяли температуру в контакте медной пластины и припоя в различные моменты его растекания. Для исследования были выбраны три припоя РЬ (С-000), практически не взаимодействующий с медью и цинком, вытесняемым из реактивных флюсов 8п (ОВЧ-000)— способное к химическому взаимодействию с медью и контактно-реактивному плавлению с цинком припой П0С61 эвтектического состава (61% 8п, РЬ — остальное, Гпл = 183° С), слабее взаимодействующий с медью, чем олово. [c.81]

Рис. 4. Схема процесса приготовления алмазной мембраны с системой субмикроскопических отверстий типа пчелиных сот.. (1) алмазная пленка (с полированной поверхностью) на кремниевой подложке, (2) наложение пористой маски из А12О, на поверхность пленки для последующего ее травления в кислородной плазме. (3) протравленная насквозь алмазная пленка (травлением частично затронута и подложка), (4) стравлена Л120з-маска, (5) алмазная мембрана после удаления кремниевой подложки (в разрезе)

Химически обработанная стеклокерамика используется как основа при изготовлении печатных монтажных плат в электронной технике. В процессе химической обработки фоточувствитель-ные стекла, такие, как стекла системы содержащие небольшие количества меди, серебра или золота, подвергаются воздействию УФ-излучепия. В результате в них образуются кристаллические зародыши. При соответствующей температуре кристаллы Ь 2510з растут. Затем их удаляют путем травления плавиковой кислотой. Важным обстоятельством нри этом является то, что кристаллический силикат лития гораздо лучше растворяется в плавиковой кислоте, чем окружающая его стеклообразная матрица. Если до облучения на стекле находился какой-либо шаблон, препятствующий попаданию света, то после такой процедуры можно получить фотоизображение шаблона внутри стекла. Таким образом, соответствующий температурный отжиг и травление позволяют получить стекло, которое содержит сложную систему отверстий для элементов электрических цепей. Если впоследствии необходимо из оставшейся стеклянной матрицы получить стеклокерамическое изделие, проводят обычный двухстадийный процесс зародышеобразовани51 н роста кристаллов. [c.231]

Особое место занимает травление в полостях отверстий в многослойных печатных платах. При сверлении отверстий в многослойных платах полимерная смола наволакивается сверлом на торцы контактных площадок внутренних слоев. Меры, принимаемые для устранения этого эффекта путем выбора соответствующих сверл и режимов резания, снижают, но не устраняют полностью явление наволакивания в случае эпоксидных стеклопластиков. Удаление слоя механической повторной обработкой значительно увеличивает трудоемкость. В этом случае необходимо химическим способом обнажить медную фольгу путем растворения органического наслоения, не допуская взаимодействия с медью. [c.123]

Травление в отверстиях. Для травления диэлектрика в отверстиях фольгированного стеклопластика с целью удаления после сверления остатков стеклонитей и эпоксидной смолы без разрушения фольги применяют смесь H2SO4 и HF. Смесь получают медленным сливанием серной кислоты в плавиковую. Примерно через 10 ч в смеси образуется фторсульфоновая кислота, ускоряющая процесс. Эпоксидная смола удаляется в результате сульфирования ароматической части свободными гидроксильными группами серной и фтор-сульфоновой хислот. Образуется полярный сульфированный полимер, хорошо растворимый в воде. Как только удален слой эпоксидной смолы и обнажилось стекловолокно, последнее вступает в реакцию и растворяется. Образующиеся при этом пузырьки кремнефтористого водорода способствуют перемешиванию раствора и интенсифицируют травление [c.124]

Травление сильно зависит от температуры. При комнатной температуре на поверхности обрабатываемой подложки образуется шлам. При температуре вьтше 30° С начинается интенсивное испарение HF. Поэтому обычно проводят травление при 30° С. Например, для стеклопластика ФДМТ рекомендуется состав [73] 1 ч. HF(40%)- -5 ч. H2S04(98%). Глубина травления около 25 мкм за 100 с. Скорость травления в отверстиях зависит от диаметра. В отверстиях, диаметр которых меньше 1 мм, процесс замедляется в 1,5— 2 раза по сравнению с отверстиями диаметром 1,0 мм и больше [74]. [c.124]

Особенностью метода является сильная зависимость скорости травления от степени выработки травильного раствора. После обработки 1500 отверстий на 1 л раствора его следует корректировать. Важно исключить возможность разбавления раствора H2SO4 при [c.124]

Иванова Л. В, и др. Исследование процесса травления диэлектрика в отверстиях при изготовлении многослойных печатных плат. — Обмен опытом в радиопромышленнбсти, 1976, вып. 1, с. 23—25. [c.198]

На заводах черной металлургии при горячем оцинковании стальных листов, лент, проволоки и других изделий образуется изгарь, снимаемая с поверхности ванны травления, и гартунк, оседающий на ее дно. Примерный химический состав изгари, % 75 2.п 3,5 С1. До 30% цинка в ней представлено металлической формой, большая часть отхода имеет крупность свыше 1 мм. Вследствие загрязнения примесями изгарь не находит сбыта и часто скапливается в отвалах. Вместе с тем известны некоторые технологии ее промышленного использования. В Германии (ГДР) изгарь с добавками при 460°С переплавляли в котле. Исходная смесь содержала, % 73 изгари, 13 Na I и 14 ЫН4С1. Процесс предусматривал непрерывный выпуск металла через шпуровое отверстие или отсосом через сифон. [c.144]

Электронно-микроскопические исследования показали, что целлюлозные волокна при ксантогенировании увеличиваются в объеме и в конце концов структура клеточной стенки разрушается [153]. Реплики поверхности ксантогената целлюлозы, полученные методом вымораживания —травления, показывают крупноячеистую сетку с тонкими фибриллярными структурами [86, 144]. Увеличивая кислотность осадительной ванны, наблюдали различные стадии коагуляции ill, 103]. Коагуляция начинается с образования однородного геля, затем возникают сгустки, и наконец они распадаются на фибриллы. В процессе, формования фибриллы ориентируются в направлении приложения напряжения [85, 106]. При отщеплении Sj в зависимости от условий коагуляции и наличия модификаторов образуются волокна или пленки с отверстиями или в виде сетчатых структур [43, 85, 105]. [c.388]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология