Поверхность свободная

С достаточной достоверностью можно предположить, что скорость адсорбции Г1 какого-либо вещества в любой момент времени пропорциональна его парциальному давлению р и степени заполнения поверхности свободными местами в тот же момент времени (1—6). Таким образом [c.208]

Рассмотрим случай, когда два различных газа адсорбируются на одной и той же поверхности одновременно. Обозначим степень заполнения поверхности молекулами различных газов 6 и 9 . Тогда степень заполнения поверхности свободными местами будет равна (I—6 —6 ,) и [c.209]

При изотермическом и обратимом процессе образования 1 см поверхности свободная поверхностная энергия системы увеличится на величину а, а прирост полной поверхностной энергии и составит [c.6]

Скорость образования промежуточного соединения Аа пропорциональна степени заполнения поверхности 6 веществом А и степени заполнения поверхности свободными местами В соответствии с этим скорость реакции [c.216]

При Р < 1 наиболее активные участки выключаются из процесса по мере увеличения С . Контролирующая полоса перемещается в сторону больших значений Е, примерно совпадая с-фронтом адсорб ции яда по одну сторону этой полосы ничтожна доля поверхности, свободной от яда, а по другую — слишком велика энергия активации. [c.87]

Доля поверхности, свободной от водорода, равна [c.91]

Исследование кинетики крекинга метана в фарфоровом реакторе с поверхностью, свободной от углерода (время контакта 10- —10- сек) при 1250—1370°С и давлениях метана 0,2—3,4 мм рт. ст., по измерениям выхода и анализам состава продуктов привело к установлению, что скорость крекинга подчиняется уравнению реакций первого порядка и линейно изменяется с изменением гетерогенного фактора (отношение поверхности реактора к его объему). Константа скорости распада может быть вычислена по формуле [157] [c.82]

Указывается [184], что в пористых телах, имеющих радиус пор более 50 А, наряду с адсорбированной водой содержится и капиллярно связанная. В начальный момент на стенках капилляров образуется адсорбированная пленка толщиной 25 А, свойства которой отличны от свойств свободной жидкости. Следующие порции воды не смачивают эту пленку, а образуют выпуклый мениск в капилляре. В таком случае давление насыщенного пара в капилляре ниже, чем над плоской поверхностью свободной воды. В результате этого пар, давление которого еще не достигло давления насыщения по отношению к плоской поверхности жидкости, является насыщенным по отношению к жидкой фазе в капиллярах. Это вы- [c.150]

Для охлаждения масла в самолетах предложена оригинальная конструкция, в которой использованы изготовленные ударным прессованием медные или алюминиевые трубы с концами, развальцованными в виде шестигранника. Трубы жестко закрепляются в специальном приспособлении, которое погружается в ванну для пайки концов твердым или мягким припоем. Таким образом, создается компактный блок, у которого с воздушной стороны развита поверхность свободного течения. [c.33]

Боковые поверхности свободны от поперечных напряжений, поэтому = 0. [c.239]

Детальное теоретическое исследование ВЭВ экструдата при помощи методов механики сплошной среды было выполнено Бердом с сотр. [29]. Исследовались два режима при низком и высоком значениях числа Рейнольдса. В последнем случае хороший результат может быть получен при использовании только уравнения сохранения масс и уравнения равновесия однако в первом случае (ВЭВ расплавов полимеров) необходимо использовать также уравнение энергетического баланса, поскольку влияние тепла, выделяющегося в результате вязкого трения, очень велико. Этот подход делает анализ гораздо более сложным, так как в данном случае необходимо детально знать форму поверхности свободной струи, расстояние по оси потока до сечения, в котором поток становится полностью установившимся, закон перераспределения скоростей потока в канале, число Рейнольдса, а также новые безразмерные компоненты, такие, как функция, которая представляет собой первый коэффициент разности нормальных напряжений. [c.473]

Основываясь на соображениях, выдвинутых Фрумкиным и подробно проанализированных в книге [7 ], можно объяснить, почему скорость течения на поверхности свободной пленки обращается в нуль. Поверхностно-активный компонент, который непременно надо добавлять к раствору, чтобы вообще образовалась пленка (в противном случае при соприкосновении поверхностей двояковогнутой капли она разрушается, не образуя пленки), сосредоточен главным образом на поверхности. При утончении пленки он увлекается жидкостью, вытекающей в направлении от центра к пе- [c.185]

При прилипании капли нефти в воде к твердой поверхности свободная поверхностная энергия системы убывает. Это уменьшение свободной энергии Дй при прилипании с различными краевыми углами смачивания 0 согласно [56] показано в табл. 36. [c.151]

Рис, 2. Схема образования поверхностных сил. В объеме молекулярные силы скомпенсированы, на поверхности — свободны. [c.21]

Капиллярно связанная вода. При положительном смачивании давление пара над мениском в капилляре всегда пониженное по сравнению с давлением над плоской поверхностью свободной воды. Это и есть формальное выражение капиллярной связи воды, которое зависит от энергии связи и вычисляется по уравнению Кельвина. [c.98]

Подготовка поверхности. Гальванические покрытия удерживаются прочно только на чистой поверхности, свободной от оксидов, жировых пятен и налетов грязи. Ниже приводятся методы подготовки поверхности, рекомендуемые для лабораторной практики. [c.182]

При выполнении этого условия, т. е. в том случае, когда контактная разность потенциалов между полупроводником и металлом превосходит по величине 0,5—1 в, а по знаку соответствует обогащению полупроводника неосновными носителями, на поверхности последнего возникает так называемый инверсионный слой. Из сказанного понятно, что основные носители в объеме полупроводника и в инверсионном слое на поверхности имеют противоположный знак. Так, в разобранном выше примере основными носителями в объеме кристалла являются дырки, а основными носителями на поверхности — свободные электроны. Отсюда следует, что потенциальный барьер в слое пространственного заряда полупроводника соответствует образованию р—п перехода. Поскольку термодинамическая концентрация носителей заряда на контактной поверхности полупроводника близка к единице, то потенциальный барьер между этой поверхностью и металлом практически отсутствует. Поэтому в рассмотренном случае, так же как и в предыдущем, на границе раздела образуется потенциальный барьер простейшей формы. Вольт-амперная характеристика этого барьера совпадает с вольт-амперной характеристикой р—п перехода. Сказанное поясняется энергетической диаграммой, приведенной на рис. 50. Из диаграммы видно, что равновесная высота потенциального барьера, расположенного в слое пространственного заряда полупроводника, равна расстоянию между уровнем электрохимического потенциала и уровнем наиболее удаленной от него зоны (проводимости или валентной) в объеме полупроводника. [c.181]

В микрокапиллярах (г <з 10" м) адсорбционные слои смыкаются, так как их толщина превышает радиус капилляра г. Давление пара над вогнутым мениском воды в капилляре ниже (а над выпуклым выше), чем над плоской поверхностью свободной воды, и зависит от радиуса мениска г [c.357]

Гальванопластическим методом можно изготовить сетки с любым количеством отверстий заданной конфигурации и величины. Полученные этим способом сетки имеют гладкую поверхность, свободную от узлов, неизбежных при изготовлении сеток методом плетения. Такие сетки могут применяться в химической, машиностроительной, металлургической, пищевой и легкой промышленности (рис. 86). [c.218]

Рис. 31. Образование скачка потенциала и результате адсорбции ди-польных молекул иа поверхности, свободной от зарядов

Пассивирующим и активирующим действием при соответствующих условиях обладают и ионы То, что некоторые анионы, как и кислород, обусловливая пассивацию металлов в одних условиях, активируют ее в других, объясняется их ускоряющим действием на анодное растворение металлов в активном состоянии, т. е. в таком состоянии, когда их поверхность свободна от пассивирующих слоев. [c.447]

При анализе конвективного массопереноса к поверхности свободно вращающегося кругового цилиндра в произвольном сдвиговом потоке необходимо учитывать следующее важное обстоятельство внутри примыкающей к поверхности цилиндра области с замкнутыми линиями тока не происходит формирования диффузионного пограничного слоя при больших числах Пекле (диффузионный пограничный слой всегда порождается критическими линиями тока, которые приходят из бесконечности на поверхность тела). [c.119]

Питтинги, образовавшиеся при эрозионной коррозии, как правило, имеют блестящую поверхность, свободную от продуктов коррозии. Они часто имеют поднутрение в направлении потока (рис. 30), а иногда — характерную подковообразную форму с концами, указывающими направление потока. [c.32]

Молибден, вольфрам и их оксиды являются п-полупроводниками ( <ак и N1, Со, Р1 и Р(1). Их каталитическая активность по отношению к реакциям окисления —восстарювления обусловливается наличием на их поверхности свободных электронов, способствующих адсор — бции, хемосорбции, гомолитическому распаду органических молекул. Однако Мо и Ш значительно уступают по дегидро-гидрирующей активности N1, Со и особенно Р1 и Рс1. [c.208]

Сопротивление диффузии в ламинарной пленке у поверхности зерна зависит от многих параметров, таких как скорость движения зерен относительно основного потока, размер зерен, свойства потока. Эти параметры коррелируются на основе экспериментальных данных полуэмпирическими зависимостями безразмерных величин, которые связывают соответствующим образом изменения при определенном способе контактирования газа с твердым телом (неподвижный слой, псевдоожиженный слой, свободное падение зерен). Одним из примеров таких зависимостей может служить уравнение Фрослинга (1936 г.) для переноса массы компонента основного потока (мольная доля х) к поверхности свободно падающих зерен (движущийся слой) [c.269]

В настоящее время выявлены многие качественные закономерности процесса спекания катализаторов под влиянием температуры и водяного пара. Однако кинетических уравнений, описывающих эти закономерности, практически нет. Известна лищь одна работа [41], в которой сделана попытка описать кинетику спекания катализаторов. Исходя из того, что движущей силой процесса спекания является зависящая от величины поверхности свободная энергия, авторы этой работы принимают, что скорость спекания пропорциональна величине поверхности в некоторой степени п [c.59]

На участках поверхности, свободной от электронафевателей, происходит теплообмен с окружающей средой по закону Ньютона. [c.32]

Насадки Размеры элемента насадки, мм Удельная поверхность. Свободный объем, Д1 /Л1= Масса 1 л насад1ш, кг [c.159]

В серии исследований, проводившихся с 1939 г., обзор которых был недавно сделан в статье Педерсен [49], было показано, что медь сильно снижает эффект антиоксидантов. Это снижение ингибитпрующего эффекта вызывается, как видно нз табл. 76, не только растворимыми, но и иерастворн.мымп солялт. меди и даже поверхностью свободного мета.лла. [c.334]

Связь капиллярной влаги со скелетом твердого тела цеолита обусловлена адсорбционной связью иолимолекулярного слоя вблизи стенок капилляра и понижением давления пара над вогнутым мениском в капилляре (по сравнению с давлением пара над плоской поверхностью свободной воды). [c.15]

Интерпретировать полученное уменьшение удельной поверхности и теплот смачивания именно таким образом, а не относить его за счет укрупнения кристаллов самих по себе, позволяют следующие два обстоятельства большое количество воды, сорбированной в области заполнения микро- и переходных пор, и сдвиг всех эндоэффектов на термограммах (рис. 102) активированных образцов в область низких температур, что не должно наблюдаться при укрупнении частиц. Поэтому можно предположить, что изменение структуры происходило в следующем направлении образование большого числа фазовых контактов из высокодисперсных частиц возможно с одновременным усилением кристалличности новообразований с последующим построением пространствевной структуры, в основном, из блоков и микроагрегатов. Тогда вполне логично объясняется уменьшение адсорбционной способности и гидрофильности поверхности свободной от контактов и снижение субмикропористости гелевидной составляющей цементного камня при одновременном повышении количества зазоров между блоками и агрегатами, т. е. микро- и переходных пор. [c.214]

Скорость адсорбции органических веществ при заданном потенциале обычно находится тремя способами 1) импульсньши методами по накоплению хемосорбированных частиц на поверхности 2) по току, наблюдаемому в первый момент после введения органического вещества в раствор, омывающий исследуемый электрод (в случае электродов с развитой поверхностью) 3) по максимальному току, протекающему через электрод, после переключения его потенциала со значения, при котором хемосорбированное вещество на поверхности практически отсутствует, на выбранное значение потенциала (на гладких электродах). В последних двух способах токи характеризуют скорости хемосорбции при 0орг = О, т. е. на поверхности, свободной от хемосорбированных частиц . [c.109]

Эти обе формы могут возникать только на поверхности, хотя бы частично заполненной водородом. Адсорбция на поверхности, свободной от водорода, сопровождается деструкцией молекулы. Учитывая наличие комплексных соединений олефинов с ионами переходных металлов, допускается большая вероятность структуры Б. Здесь при отдаче л-электронов в направлении металла незаполненные 5й б5бр2-орбитали платины перекрываются со свободными л—2р-связывающими орбиталями этилена обратный переход заряда проявляется в перекрывании заполненных 5 5р-гибридных орбиталей металла с незаполненными л—2р-разрыхляющимися орбиталями этилена. [c.80]

Скорость роста идеально гладкой грани пропорциональна частоте появления на ней двумерных зародышей. Этот этап является весьма чувствительным к пересыщению, и вероятность образования нового слоя при пересыщениях ниже 25—50% совсем ничтожна. Дальнейшее разрастание слоя происходит быстро и от пересыщения не зависит. Однако в реальных кристаллах рост кристалличеекой поверхности становится непрерывным и осуществляется при ма/гых пересыщениях порядка 1 % и ниже. Это противоречие между теорией и практикой объясняет так называемая дислокационная теория. В настоящее время эти представления о механизме и кинетике роста кристаллов из пара являются общепринятыми. Согласно дислокационной теории винтовые дислокации, всегда присутствующие в реальном кристалле и выходящие на растущую поверхность, обеспечивают наличие готовых ступенек. Частицы, адсорбировапные поверхностью, свободно по ней перемещаются и, наконец, присоединяются к имеющемуся дислокационному выступу — ступеньке. В процессе кристаллизации ступеньки не зарастают, а сохраняются в новых слоях. Поэтому вся кинетика роста определяется движением ступенек и нет необходимости в появлении новых двумерных зародышей. При таком механизме роста полностью заполненных плоскостей нет, присоединение частиц происходит по спирали. -Для образцов с достаточно ( свершенной структурой плотность дислокаций, выходящих на поверхность, достигает 10 Поэтому рост такой поверхности происходит во многих точках одновременно и микрорельеф ее оказывается не гладким, а шероховатым. [c.60]

Кислые растворы (H2SO4, Н3РО4) растворяют оксидную пленку на металле, а потом начинают растворять и сам металл. При добавлении соединений свинца [ (СНзСОО)гРЬ] свинец осаждается на металлической поверхности, свободной от оксидной пленки, и прекращает ее растворение [c.522]

Согласно этой теории при хемосорбции реагирующих веществ поверхностью катализатора вследствие наличия в кристаллах катализаторов электронного газа могут возникать свободные радикалы с наличием неспарен-ного электрона. Такие закрепленные на поверхности свободные радикалы способны инициировать своеобразную реакцию с плоскими цепями, т. е. реакцию, проходящую в двухмерном пространстве без отрыва от катализатора. [c.149]

Лабораторный курс гидравлики, насосов и гидропередач (1974) -- [ c.6 , c.14 , c.16 ]

Тепло- и массообмен Теплотехнический эксперимент (1982) -- [ c.92 ]

Высокодисперсное ориентированное состояние полимеров (1984) -- [ c.30 , c.37 ]

Трение и износ полимеров (1972) -- [ c.65 ]

Основы массопередачи Издание 3 (1979) -- [ c.131 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология