Электронные облака перекрывание

Рис. 28. Схема различит, х случаев перекрывания электронных облаков

Рис. 27 Схема перекрывания атомных электронных облаков в молекуле водорода.

Сигма-связи могут образовываться при перекрывании любых электронных облаков. Пи-связи могут образо- [c.202]

На рис. 35 изображено перекрывание р-электронных облаков в молекуле N2 (для удобства изображения перекрывание Рх-, Ру ч Рг-облаков показано раздельно). Как показывает рис. 35, атомы [c.134]

Ковалентная связь тем прочнее, чем в большей степени перекрываются взаимодействующие электронные облака. Поэтому ковалентная связь образуется в таком направлении, при котором это перекрывание максимально. [c.55]

Поскольку электронные облака имеют различную форму, их взаимное перекрывание может осуществляться разными способами. В занисимости от способа перекрывания и симметрии образующегося облака различают а-, л- и о-связи (рис. 46). [c.69]

Он предположил, что обобществление пары электронов (по Льюису и Ленгмюру) можно трактовать как взаимодействие волн или перекрывание электронных облаков. Химической связи, изображаемой в структурной теории Кекуле чертой, в новых представлениях соответствует область максимального перекрывания электронных облаков. При этом оказалось, что перекрывание электронных облаков иногда происходит не только в единственном направлении, изображаемом валентной связью в структурной формуле. Иначе говоря, истинную структуру молекулы нельзя представить даже приближенно никакой структурной формулой в отдельности. Ее можно, однако, рассматривать как промежуточную между несколькими гипотетическими структурами, как резонансный гиб- рид этих структур. Важно от.метить, что энергия такой реальной молекулы ниже, чем можно было бы ожидать на основании любой [c.161]

Направленность ковалентной связи. Поскольку электронные облака имеют различную форму, их взаимное перекрывание может осуществляться разными способами. В зависимости от способа перекрывания различают ст-, л- и 5-связи (рис. 43). [c.65]

Направленность ковалентной связи является результатом стремления атомов к образованию наиболее прочной связи за счет возможно большей электронной плотности между ядрами. Это достигается при такой пространственной направленности перекрывания электронных облаков, которая совпадает с их собственной. Исключение составляют -электронные облака, поскольку их сферическая форма делает все направления равноценными. Для р- и -электронных облаков перекрывание осуществляется вдоль оси, по которой они вытянуты, а образующаяся при этом связь называется ст-связью [c.115]

Напряженность молекулы циклопропана объясняется главным образом ненормальными углами между С—С-связями — взаимным отталкиванием электронных облаков этих связей. В результате этого связи (т. е. максимумы перекрывания электронных облаков) не находятся на прямых, соединяющих центры атомов углерода, а располагаются на некотором расстоянии — вне треугольника молекулы (рис. 57). Несмотря на то что при подобном искажении электронного облака перекрывание становится менее полным, такое расположение свяаей оказывается энергетически более выгодным. Таким образом, по современным представлениям с-связи в циклопропане отличаются от обычных а-связей и их гибридизация отличается от обычной sp -гибридизации. Они носят название банановых связей (бананообразное электронное облако искаженной ст-связи) и, по существу, занимают промежуточное положение между обычными о- и я-связями. Это отражается на многих свойствах циклопропана, особенно на его способности к сопряжению с кратными связями (см. далее). Угол между связями в циклопропане 106°, вместо 60° по классическим представлениям, угол Н—С—Н примерно 120°. Благодаря такому строению циклопропан склонен к реакциям электрофильного присоединения и в этом отношении напоминает соединения с двойными связями (хотя значительно пассивнее последних). [c.539]

Указать тип химической связи в молекулах Ыг, I2, НС1. Привести схему перекрывания электронных облаков. [c.60]

Согласно теории валентных связей химическая связь возникает в тех случаях, когда встречаются два атома, имеющие непарные электроны. Тогда становится возможным перекрывание электронных облаков (одноэлектронных орбиталей) непарных электронов. В результате этого между атомами появляется зона повышенной электронной плотности, обусловливающая химическую связь. [c.66]

Симметричная функция (рис. 5, I) отражает увеличение плотности электронного облака в области перекрывания между двумя атомами (кривая 2) по сравнению с плотностями электронных облаков отдельных атомов, описываемых функциями и (кривые 1). Увеличение плотности отрицательно заряженного электронного облака между положительными ядрами приводит к тому, что ядра как бы стягиваются этим облаком и возникает химическая связь. Система — электрон в поле двух протонов — находится в энергетически более выгодном состоянии ( симы), чем исходная система — электрон в иоле одного протона [c.26]

Образовавшийся возбужденный атом Ве обладает двумя пе-спаренными электронами электронное облако одного из них соответствует состоянию 2з, другого — 2р. Прн перекрывании этих электронных облаков с р-электронными облаками двух атомов фтора могут образоваться ковалентные связи (рис. 38). [c.136]

При сочетании любых электронных облаков перекрывание их происходит таким образом, что при данной длине связи область перекрывания оказывается наибольшей. Такое перекрывание отвечает максимальной прочности химической связи. Наибольшая область перекрывания достигается таким взаимным расположением электронных облаков, при котором общее электронное облако обладает цилиндрической симметрией относительно оси, проходящей через ядра атомов, т. е. все положения облака при любом повороте его вокруг оси совпадают (рис. 23). Естественно, что область перекрывания облаков при цилиндрически симметрично расположенной электронной плотности лежит на оси, соединяющей ядра атомов,— на оси связи. Положение электронных облаков при наиболее выгодном их перекрывании определяет направленность химической связи. [c.153]

Несмотря на то что при подобном искажении электронного облака перекрывание становится менее полным, такое расположение связей оказывается энергетически более выгодным. Таким образом, по современным представлениям о-связи в циклопропане отличаются от обычных о-связей и их гибридизация отличается от обычной 5р -гибридизации. [c.505]

Эффективные заряды на атомах в кристал.лах ZnS составляют примерно 0,5 заряда электрона. Используя модель ковалентного кристалла, можно объяснить смещение электронной плотности к более электроотрицательному элементу. В рамках же ионной модели кристалла это свидетельствует о поляризации ионов — частичном перекрывании электронных облаков ионов. [c.99]

Перекрывание электронных облаков нельзя рассматривать как простое наложение электронного облака Од ого изолированного атома на электронное облако другого изолированного атома. Поскольку складываются волновые функции, определяемая величиной электронная плотность между атомами будет больше суммы плотностей электронных облаков изолированных атомов для тех же расстояний от ядра. При образовании химической связи электронные облака как бы вытягиваются навстречу друг другу. [c.80]

Ст-Связь осуществляется при перекрывании облаков вдоль линии соединения атомов. л-Связь возникает при пересечении электронных облаков по обе стороны от линии соединения атомов. б-Связь обязана перекрыванию всех четырех лопастей -электронных облаков, расположенных в параллельных плоскостях. -Электроны могут участвовать лишь в ст-связывании, р-электроны — уже в о- и л-связывании, а -электроны — как в ст- и л-, так и в б-связывании. Для /-орбиталей способы перекрывания еще разнообразнее. [c.65]

В образовании а-связи могут принимать участие и р-электрон-ные облака, ориентириваиние вдоль оси связи. Так, в молекуле ИР (рис, 32) ковалентная а-связь возникает вследствие перекрывания 15-электроиного облака атома водо[)ода и 2р-электр0НИ010 облака атома фтора. Химическая связь в молекуле Рг (рис, 33)— тоже а-связь она образована 2/>электронными облаками двух атомов фтора. [c.133]

Короткодействующие силы возникают при уменьшении расстояния между молекулами и перекрывании их электронных облаков. В этом случае также происходит понижение суммарной энергии системы. Короткодействующие силы приводят либо к сближению молекул и их химическому взаимодействию с образованием новых соединений, либо к взаимному отталкиванию молекул, степень которого возрастает с уменьшением расстояния очень быстро. [c.94]

Соединения с четырехковалентным атомом азота имеют тетраэдрическую структуру, и угол между всеми четырьмя валентностями равен 109°. Таким образом, дважды протонированный гидразобензол имеет структуру (30). Оба бензольных кольца из-за пространственных затруднений могут ориентироваться только перпендикулярно плоскости чертежа в двух параллельных плоскостях, расположенных друг от друга на расстоянии (0,45 нм), не исключающем возможность взаимного перекрывания л-электронных облаков обоих бензольных колец. [c.423]

Сигма - связи осуществляются при перекрывании облаков вдоль линии соединения атомов. Пи - связи возникают при перекрывании электронных облаков по обе стороны от линии соединения атомов. Дельта - связи обязаны, перекрыванию всех четырем лопастей -электронных облаков, расположенных в парал-лелыых плоскостях. [c.69]

Молекулы брома и его аналогов двухатомны. Как видно из приведенных данных, с увеличением в ряду Вгг — межъядерного расстояния i/ээ энергия диссоциации молекул АЛдисс.э, уменьшается, что объясняется уменьшением степени перекрывания связующих электронных облаков. В этом ряду увеличивается поляризуемость молекул, а следовательно, усиливается способность к межмолекулярному взаимодействию. Поэтому в ряду Вгг — I-j — Atj возрастают температуры плавления и кипения. В обычных условиях бром — красно-коричневая жидкость, иод — черно-фиолетовые кристаллы с металлическим блеском, астат — твердое вещество металлического вида. [c.299]

Решение. В указанном ряду размеры валентных электронных облаков элеменюв (О, 5, Зе, Те) возрастают, что приводит к умен11и1ению степени их перекрывания с электронным облаком атома водорода и к возрастающему удалению области перекрывания от ядра атома соответствующе] о элемента. Это вызывает ослабление притяжения ядер взаимодействующих атомов к области перекрывания электронных облаков, т. е. ослабление связи. К этому же результату приводит возрастающее экранирование ядер рассматриваемых элементов в ряду О—5—5е—Те вследствие увеличения числа промежуточных электронных слоев. Таким образом, при переходе от кислорода к теллуру прочность связи Н—Э умеиыиается. [c.56]

Образование химической связи между атомами водорода является результатом взаимопроникнопения ( перекрывания ) электронных облаков, происходящего прн сближении взаимодействующих атомов (рис. 27). Вследствие такого взаимопроникновения плотность отрицательного электрического заряда в межьядсрном пространстве возрастает, Положительно заряженные ядра атомов [c.120]

Представление о направленности ковалентных связей позволяет объяснить взаимное расположение атомов в многоатомных молекулах. Так, ири образовании молекулы воды электронные облака двух неспаренных 2р-электронов атома кислорода перекрываются с 15-электронными облаками двух атомов водорода схема этого перекрывания изображена на рис, 36. Поскольку р-электронныа [c.134]

Для объяснения отличия валентных углов в молекулах НзО и ЫНз от 90° следует принять во внимание, что устойчивому состоянию молекулы отвечает такая ее геометрическая структура и такое пространственное расположение электронных облаков внеп, -ннх оболочек атомов, которым отвечает наименьпшя потенциальная энергия молекулы. Это приводит к тому, что при образовании молекулы формы и взаимное расположение атомных электронных облаков изменяются по сравнению с их формами и взаимным расположением в свободных атомах. В результате достигается более полное перекрывание валентных электронных облаков и, следовательно, образование более прочных ковалентных связей. В рамках метода валентных связей такая перестройка электронной [c.135]

Взаимное влияние атомов, непосредственно друг с другом не связанных, может передаваться на значительное расстояние по цепи ато мов углерода и объясняется смещением плотности электронных облаков во всей молекуле под влиянием имеющихся в ней различных по электроотрицательностн атомов или групп. Взаимное в лияние может передаваться и через пространство, окружающее молекулу, — в результате перекрывания электронных облаков сближающихся атомов. [c.464]

Степень окисления элемента очень часто не совпадает с его валентностью, которая, как известно, определяется числом электронов, принимающих участие в перекрывании электронных облаков и образовании общего электронного облака связи. Так, в молекулах Н2 и H I каждый из атомов отдает по одному электрону на образование o6niero электронного облака связи. Степени же окислсния их различны. В молекуле Н2 максимальная плотность облака связи сосредоточена на равном расстоянии от ядер обоих атомов, поскольку оба они равноценны. Поэтому атомы сохраняют свой электронейтральный характер и степень окисления их равна нулю. В молекуле же H I максимальная плотьгость электронного облака р есколько смещена к хлору, поэтому степень окисления хлора равна — 1, а водорода + 1. [c.141]

Гейтлер и Лондон провели также квантовомеханический расчет энергии взаимодействия молекулы водорода с третьим атомом водорода. Расчет показал, что третий атом ие будет притягиваться, т. е. образова1П1е молекулы Нз невозможно. Так было дано тео()е-тическое обоснование важнейшего свойства ковалентной связи — насыщаемости. Не рассматривая данный расчет, можио пояснить его результат, исходя нз того, что было сказано о молекуле На. Присоединение третьего атома к Нг не происходит, поскольку условием для перекрывания электронных облаков, которое даег имическую связь, является наличие у электронов антипараллель-ных спинов. Спин электрона третьего атома водорода неизбежно будет совпадать по направлению со спином одного из электронов в молекуле. Поэтому между третьим атомом водорода и молекулой водорода будут действовать силы отталкивания, подобные тем, [c.80]

Тогда становится возможным перекрывание электронных облаков (точнее волновых функций) неспареиных электронов, в результата которого между атомами создается зона повышенной электроиной плотности, обусловливающая химическую связь. Очевидно, если в атоме имеется п неспареиных электронов, то этот атом может образовать химические связи с м, другими атомами, имеющими по одному иеспареииому электрону. Поэтому, согласно представлениям Гейтлера и Лондона, валентность элемента равна числу неспаренных электронов, которые имеются в его атоме. Таким образом, квантовомеханические расчеты Гейтлера и Лондона дали теоретическое обоснование предположению о том, что химическая связь обусловлена парой электронов. [c.81]

Метод валентных связей. Представления об образовании молекулы водорода, развитые Гейтлером и Лондоном, были распространены и на более сложные молекулы. На этой основе возникла теория образования химических связей, которая получила название метода валентных связей. Этот метод основан на представлении о том, что атомы в молекуле удерживаются посредством одной или нескольких электронных пар, причем эти связи тем прочнее, чем в большей степени перекрываются электронные облака взаимодействуюших атомов. Обычно большая степень перекрывания электронных облаков наблюдается на прямой, соединяющей центры атомов. Комбинации двухэлектронных двухцентровых связей, которые отражают электронную структуру молекулы, называют валентными схема.ии. [c.47]

Когда перекрываются р-электронные облака, ориентированные перпендикулярно оси, соединяющей ядра атомов, образуются две области перекрывания электронных облаков, расположенные по обе стороны от оси, а возникающая таким образом ковалентная связь называется пи-связью (.тт-связь). Так, например, в молекуле азота два атома связаны одной ст- и двумя л-связямн. Эти связи дал( ко пе равноценны — во многих случаях прочность п-связи значительно уступает прочности ст-связи. Вследствие этого ири химических реакциях л-связи разрываются гораздо легче, чем ст-свя - лт. [c.48]

Электрическая полярность молекул. Выше ( 7) уже было указано, что при образовании чисто ковалентной связи электронное облако молекулы, возникающее в результате перекрывания электронны.х облаков одинаковых ато мов, занимает симметричное положение между остовами соединяющих атомов, В этих случаях и сами молекулы электросимметричны, т. е. центры ироявлення положительных зарядов ядер и отрицательных зарядов электронов совпадают в одной точке поэтому эти молекулы называют [c.61]

Если два р-электронных облака с параллельш.гмн осями располагаются достаточно близко, то при таком перекрывании реализуется тс-связь. В отличие от ст-связи она состоит из двух частей - над и под линией, соединяющей атомы углерода. [c.69]

Переходные состояния в реакциях присоединения и отщепления (элиминирования) определяются геометрией ти-электронных облаков двойных связей. Как уже ранее отмечалось, и-электронные облака образуются в результате перекрывания коиланарных р-орбит и расположены симметрично над и под плоскостью двойной связи. Поэтому атака тт-связи или отщепление заместителей с образованием и-связи должны происходить в направлениях, лежащих в плоскости этой связи. Если такие процессы происходят по обе стороны электронного облака, то их называют транс-реакциями, если же они происходят на одной стороне [c.807]

Вторая группа вкладов, ответственная за взаимодействие частиц ДФ, представляет тот же спектр вкладов, из которых составлена первая группа, с тем отличием, что при значительно превышающих размеры составляющих их молекул (атомов или ионов) Я они представляют собой дально-действующие аддитивные силы ММВ. По мере уменьшения К в них постепенно увеличивается доля близкодействующих неадпитивных сил ММВ. В пределе, когда тела сблизятся на расстояния перекрывания электронных облаков поверхностных атомов, существенную роль начинают играть близкодействующие силы ММВ, включая силы химической связи. [c.100]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология