САПФИР структура

Для получения воспроизводимых результатов при измерениях на твердых электродах используют разные способы обновления поверхности непосредственно в исследуемом электролите. Такие методики позволяют избежать влияния предыстории электрода иа результаты измерений, а также адсорбции примесей, скорость которой контролируется диффузией. Обновление поверхности достигается либо вращением электрода и приведением его в контакт с абразивным материалом, либо с помощью специального ножа из рубина или сапфира, который связан с устройством, перемещающим электрод при срезании на небольшое расстояние. При обновлении электрода возможно изменение его структуры, что необходимо учитывать при трактовке результатов. [c.16]

Какими физическими свойствами обладает оксид алюминия благодаря прочности связи А1—О—Л1 и плотной кристаллической структуре Взаимодействует ли кристаллическая модификация с кислотами и щелочами Что представляют собой драгоценные камни рубин и сапфир [c.286]

В книге сделана попытка наметить пути разработки структуры САПФИР и систематизировать различные экспериментальные данные о физико-химических свойствах веществ и расчетные методы определения параметров веществ, находящихся в разных агрегатных и фазовых состояниях. На основе такой систематизации создан информационно-справочный фонд технологической компоненты САПР. Расчетными методами определяются следующие физико-химические параметры активность, плотность, вязкость, поверхностное натяжение, теплопроводность, теплоемкость, температура кипения и замерзания, энтальпия. [c.5]

ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ СТРУКТУРЫ и ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ САПФИР [c.8]

САПФИР включает совокупность физико-химических свойств для различных веществ и систему программ сложной структуры, а также комплекс средств обработки исходной информации и обслуживания, обеспечивающих выполнение заданного набора требований и ограничений системного подхода к функционированию технологического компонента САПР. [c.8]

Принимая во внимание, что ассортимент неорганических веществ достаточно широк, а теоретические и эмпирические методы расчета их свойств разнообразны, эффективно решить задачу построения САПФИР и ее структуры можно лишь на основе системного подхода. [c.10]

В основу построения САПФИР можно положить два критерия производство и вещество. На рис. 1 показана структура САПФИР, построенная по производственному признаку. [c.10]

Рис. 1. Структура САПФИР по произ-

Структура САПФИР по веществам имеет следующие достоинства появляется возможность использовать САПФИР в любой организации, эксплуатирующей САПР исключается дублирование методик расчета свойств веществ в различных фазовых состояниях появляется возможность использования единой теоретической и экспериментальной базы для расчета параметров веществ, что позволяет сократить объем и сложность программирования. [c.12]

Чистые кристаллы корунда прозрачны и бесцветны. Примеси, которые легко входят в структуру, окрашивают корунд в разные цвета примесь хрома— в красный (рубин), титана — в синий (сапфир), кобальта, урана — в зеленый, железа, никеля, урана, титана — в желтый. [c.172]

Если теплообменник должен быть прозрачным, его обычно делают из пластины зеркального стекла (2), которая находится в контакте с рабочей жидкостью, и другой — например, плексигласовой — пластины (3). Пластины располагаются параллельно друг другу и разделяются зазором, который служит каналом для термостатированной воды (4). Требование прозрачности возникает тогда, когда нужна визуализация потока, т.е. эксперимент ставится с целью детального изучения структуры течения. Что касается точного поддержания постоянной граничной температуры, то теплопроводность стекла может оказаться для этого недостаточной. Поэтому вместо стеклянной часто применяют пластину из монокристалла сапфира — его теплопроводность на порядок ниже, чем у меди. Тем не менее, во многих случаях она существенно превосходит теплопроводность рабочей жидкости — например, на два порядка, если рабочей жидкостью является вода. Однако при использовании сапфира приходится ограничиваться небольшими (в несколько сантиметров) горизонтальными размерами слоя более крупные сапфировые пластины изготовить не удается. [c.33]

Микроскопическое исследование полированных поверхностей сапфировых образцов после обработки кислотами показало наличие большого числа следов (ямок) разъедания. Их образование обусловливает повышенную начальную скорость растворения сапфира, а затем скорость растворения сапфира соответствует нормальной скорости растворения А Оз. На зернах корундового порошка ямок разъедания не наблюдается. Если ямки разъедания рассматривать как конечные пункты дислокаций, то их образование связано с повышенной плотностью последних. Диски, у которых большая поверхность совпадала с плоскостью (110), в области постоянной скорости растворения показали существенно большую стойкость против воздействия кислот. Чтобы установить, насколько глубоко растворение влияет на структуру образцов, их испытывали на твердость. Раз- [c.195]

Тонкая структура спектра парамагнитного резонанса естественного сапфира. [c.178]

Выращивание длинных широких сапфировых лент способом Степанова, особенно их групповое вытягивание с исключением поперечной резки объемных кристаллов, позволяет значительно снизить стоимость подложки, тем самым открывая более широкие перспективы использования кремниевых структур на сапфире. В [393] сообщается о выращивании одновременно трех сапфировых лент шириной по 75 мм при скорости выращивания не выше 30 см-ч . [c.231]

П. т. основывается на создании в приповерхностном слое подложки областей с разл. типами проводимости или с разными концентрациями примеси одного вида, в совокупности образующих структуру полупроводникового прибора или интегральной схемы. Преимуществ, распространение в качестве полупроводникового материала для подложек в П. т. получил монокристаллич. Si. В ряде случаев используют сапфир, на пов-сть к-рого наращивают гетероэпитак-сиальный слой (см. Эпитаксия) кремния и- или р-типа проводимости толщиной ок. 1 мкм. Области структур создаются локальным введением в подложку примесей (посредством диффузии из газовой фазы или ионной имплантации), осуществляемым через маску (обычно из плетси SiOj), формируемую при помощи фотолитографии. Последовательно проводя процессы окисления (создание пленки SiO ), фотолитографии (образование маски) и введения примесей, можно получить легир, область любой требуемой конфигурации, а также внутри области с одним типом проводимости (уровнем концентрации примеси) создать др. область с др. типом проводимости. Наличие на одной стороне пластины выходов всех областей позволяет осуществить их коммутацию в соответствии с заданной схемой при помощи пленочных металлич. проводников, формируемых также с помощью методов фотолитографии. [c.556]

В докладе рассматривается микропроцессорный плотномер буйкового типа, принцип действия которого основан на зависимости выталкивающей силы, действующей на тело, от плотности продукта. В качестве измерителя усилия используется интегральный датчик усилия - тензопреобразователь структуры кремний на сапфире . Он предназначен для непрерьшного преобразования силы в электрический вькодной сигнал. [c.106]

АЬОз. Окись алюминия имеет несколько кристаллических модификаций, из которых термодинамически стабильна а-модификация А12О3, или корунд, имеющий ромбоэдрическую решетку. Разновидности корунда — рубин и сапфир — имеют такую же структуру и отличаются от корунда лишь окраской, обусловленной изоморфной примесью СгзОз (красный рубин) или коллоидными примесями окислов ряда металлов (синий сапфир). Другие модификации окиси алюминия — гексагональная -модификация, кубическая у-модификация, имеющая решетку типа шпинели, и ряд других—метастабильны и могут существовать в ограниченном интервале температур, обычно в присутствии примесей. При нагревании до температур порядка 1500°С эти модификации переходят в а-модификацию АЬОз. В Справочнике для твердой окиси алюминия приводятся термодинамические свойства а-модификации (корунда). [c.769]

Интенсивное изучение диэлектрических свойств окиси титана и титанатов раскрывает природу полупроводников, которые часто представляют собой соединения со слегка восстановленными окислами. Они обычно понимаются как дефектные структуры (см. D. I, 27 и ниже),, в которых некоторый избыток атомов металла распределяется в кристаллической фазе или встречаются аниойные дефекты. Огромное значение таких исследований можно видеть на примере успешного синтеза, проведенного Муромкрупных кристаллов рутила,. свойства которых рассматривались Зерфоссом, Стоксом и Муром Эти кристаллы, выращенные с помОщью несколько видоизмененного метода Фреми-Вернейля (используемого для получения сапфира как драгоценного камня), сначала были совершенно черными. При нагревании в кислороде при 1000°С цвет их изменился от черного до голубого и желтого отношение Ti О изменялось постепенно, приближаясь к 1 2. При этом диэлектрическая проницаемость, значения которой для голубых и черных кристаллов составляют от 18 000 до [c.758]

Пленки бора получают различными методами, из которых следует отметить метод термического разложения трихлорида бора в присутствии водорода с осаждением на нагретую до 997—1017 °С грань <111> р-кремния, метод вакуумного испарения и конденсации на нагретую до различных (20—797°С) температур подложку из плавленого кварца, слюды, каменной соли, сапфира или стекла, метод электронно-лучевого испарения и конденсации в вакууме 1,33-10- Па иа подложки из тантала илн ниобия (с подслоем йз вольфрама, хлористого бария или без подслоя), разогретые до 297—1197°С, и т. п. Ультрачистые пленки бора получают расплавлением и испарением капли на вертикальном стержне бора. Варьируя температуру капли от 697 до 2497 °С, можио изменить скорость испарения в широких пределах, управляя таким образом скоростью осаждения бора на подложке и совершенством образующихся пленок. Известен также способ получения пленок путем мгновенного охлаждения из жидкости. Применяют следующие схемы закалки прокатка жидкой капли, центрифугирование и захлопывание летящей капли двумя медными шайбами и т. д. Кристаллическое строение пленок бора определяется условиями кристаллизации. Так, пленкк, получаемые методом термического разложения трихлорида, имеют главным образом моно- и поликристалличсское строение, методом вакуумного испарения —в основном аморфное при применении в качестве подложек кремния и сапфира строение пленок зависит от температуры подложки — до 797 °С аморфное, при температуре до 897 "С кристаллическое и т. д. При получении пленок путем закалки из жидкой фазы скорости охлаждения составляют Ю —10 с-, а толщина пленок 40—120 мкм. В этом случае пленки имеют преимущественно кристаллическое строение для получения аморфного бора необходимы более высокие скорости. Метод осаждения бора из газовой фазы на подложку используют также для получениях борных нитей. В этом случае осаждение производят иа сердечник из вольфрама диаметром 15—16 мкм, толщина получаемого при этом борного слоя составляет до 50 мкм. В процессе осаждения происходит борирование вольфрама подложки и образуются бориды различного состава. В борном слое обнаружены аморфная и а- и Р-модификации, имеющие монокрнсталли-ческое строение с размерами кристаллитов 2—3 нм. Заметное влияние иа структуру бора оказывают примеси, попадающие в слой из газовой фазы или подложки. Так, присутствие углерода способствует образованию тетрагонального бора вместо Р-ро.мбоэдрического. [c.149]

Перспективно использование кремния в пленочной технологии (создание тонкопленочных интегральных схем на диэлектрических подложках, в частности, структур типа кремний на сапфире , тонкопленочных элементов солнечных батарей и др.). Для этой цели используют ноликристаллический кремний, монокристаллы кремния, нитрид кремния, силициды платины, палладия, никеля, кобальта, хрома и др. Для элементов солнечных батарей разрабатывают специальные материалы (монокристаллы кремния в виде лент и пластин, ноликристаллический кремний специальной чистоты, гидрированный аморфный кремний и др.) и структуры. [c.129]

Эти элементы образуют смешанные оксиды с другими металлами. Оксиды алюминия, содержащие только следы других металлических катионов, образуют такие минералы, как рубин (примесь Сг +) и голубой сапфир (примесь Ре +, Ре + и Т1 +). Синтетический рубин, голубой сапфир и белый сапфир (драгоценный корунд) производятся в большом количестве. Смешанные оксиды, содержащие макроколичества других элементов, образуют минералы шпинель МдА1204 и хризоберилл ВеА1204. Структура шпинели (разд. 4.8) имеет большое значение как прототип структуры многих других соединений М М 04, Такие соединения, как NaAЮ2, который можно получить при нагревании АЬОз с окса-латом натрия при 1000°С, также представляют собой смешанные ионные оксиды. [c.296]

А1, Ga и Т1 образуют смешанные окислы с другими металлами. Окись алюминия может содержать только следы ионов другого металла, например рубин (Сг ) и голубой сапфир (Fe +, Fe + и Ti ). Синтетический рубин, голубой и белый сапфир получают теперь в больших количествах. Кроме того, окиси могут содержать макроколичества другого элемента, сюда относятся шпинель, MgAl.iOj и хризоберилл BeAljO . Структура шпинели и ее значение как прототипа многих других соединений М"М "204 уже обсуждены ранее (стр. 68, ч. I). [c.287]

Авторы выражают признательность профессору Г. А. Ткачу и канд. техн. наук Н. А. Цейтлину за помощь в работе, оказанную при подготовке ряда методик расчета параметров растворов электролитов, канд. техн. наук И. П. Книгавко, Е. И. Черненькой за представленные экспериментальные данные, В. И. Шацу за участие в разработке структуры САПФИР и С. Г. Морозовой за разработку программ. [c.5]

При реактивном испарении диэлектрических пленок, свойства которых зависят от кристаллической структуры, необходимо поддерживать повышенную температуру подложки, даже если атомы металла при столкновениях не теряют своей кинетической энергии. В этих случаях фактором, который определяет скорость роста пленки, является реакция на поверхности или процесс упорядочивания атомов. Этот процесс является термически активированным в отличие от механизма Риттера для 8120з, где неактивированная хемосорбция определяет степень внедрения кислорода. Крикориан [222] наблюдал осаждение пленок, контролируемое поверхностной реакцией. Он исследовал образование эпитаксиальных окисных пленок на сапфире методом реактивного испарения. Его результаты, приведенные на рис. 38, показывают, что скорость роста кристаллических пленок Та Ов возрастает с температурой. Поскольку частота столкновений атомов металла и молекул кислорода с поверхностью остается постоянной для каждой кривой, то, следовательно, значительная часть их должна отражаться от растущей поверхности. При используемых температурах подложки можно ожидать относительно плохую аккомодацию энергии соударяющихся частиц, о справедливо даже для атомов Та, поскольку из рис. 38 следует уменьшение скорости роста пленок для чистого металла. Кроме того, при этих температурах время пребывания адсорбированных [c.115]

О А1 к. ч. О = 4). Эта модифика-Q О ция встречается в земной ко-Рис. 205. Кристаллическая ре В виде минерала корунда, структура корунда а-МаОз который часто содержит примеси, придающие ему окраску. Прозрачные окрашенные кристаллы корунда — рубин (красный — примесь Сг) и сапфир (синий — примесь Ti и Fe) — драгоценные камни. Их получают также искусственно. [c.494]

Двуокись титана как белый пигмент широко применяется в про-мышленнссти. Этот материал используют также при изготовлении искусственных сапфиров и рубинов, для создания определенной структуры минералов в результате отложения игольчатых кристаллов рутила. Волокнистый рутил встречается в природе как редкая разновидность корунда и кварца. [c.115]

Итак, между этими альтернативами реакция (1), без сомнения, дает наибольшее снижение свободной энергии и это можно ожидать при условиях, близких к обратимым, т. е. при низких плотностях тока действительно, имеется область потенциалов, выше которой реакция (1) возможна, а реакция (2) совсем не может протекать с точки зрения энергетических условий. Однако, реакция (1), вероятно, требует большей энергии активации, чем реакция (2), так как она связана с разрывом связи между А1 и О, которая, очевидно, более строго является полуторноокисной (возможно, она более высока в случае алюминия, чем железа корунд тверже чем гематит). В действительности, ионы, вероятно, удаляются из мест, где структура имеет дефект, так что работа, требующаяся для каждого удаления, меньше, чем рассчитанная для разрыва сапфира, но, вероятно, много выше, чем работа, необходимая для разрыва очень прочной связи между (ХОг) + и О . [c.229]

С алкилтрихлорсилановыми чернилами метод использовался для печати на поверхности оксида кремния, титана, стекла, сапфира и других оксидных материалов [315-317]. С чернилами из алкилтиолов возможно перенесение рисунков на поверхности золота, серебра, халькогенидов металлов и др. Силиконовые штампы можно использовать многократно (> 50 раз) они не портятся в течение долгого времени. Путем прокатывания по поверхности цилиндрического силиконового ролика с выступами, предварительно смоченного раствором модификатора, можно получать периодические структуры с разрешением 300 нм на значительной площади (50 см ) [318]. [c.255]

Дефекты поверхности и структуры профилированных кристаллов изучались на профилированных кристаллах германия, кремния, антимонида индия, сапфира. Исследование дефектов структуры проводилось с применением методов рентгеновской дифракционной топографии и избирательного травления [37, 155—157]. Результаты таких исследований изложены ниже. Наибольший объем работ выполнен на профилированных монокристаллах германия, выращенных в опытных условиях. Подробные результаты были получены в дальнейшем при выращивании профилированных [c.81]

Интересны исследования по применению магний-алюмипиевой шпинели (MgAl204) как диэлектрического материала подложек для эпитаксиального осаждения активных материалов с кубической структурой, особенно кремния. MgA]204 уступает сапфиру по теплопроводности и механической прочности, но в отдельных случаях он может вытеснить сапфир благодаря таким достоинствам, как однозначное кристаллографическое соответствие с 81, низкий уровень автолегирования кремния алюминием и, как следствие, высокая термостабильность выходных характеристик структур. В [69] ЕРО-способом выращивались ленты MgAl204 (0.5-г-1.5)х X 25 мм, длиной до 300 мм с использованием тигля и формообразователя из рения при скорости вытягивания 1.7 мм-мин . Кристаллы содержали микроноры только в поверхностном слое толщиной [c.232]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология