Группы кристаллов

Пространственную группу С можно получить сочетанием трансляций с точечными группами кристаллов. Выделим в группе О подгруппу трансляций (параллельных переносов) и подгруппу вращений О/. [c.59]

Как уже отмечалось (гл. II, 3), полное структурное исследование кристалла можно разбить на два принципиально разных этапа. На первом из них решаются проблемы метрики решетки и симметрии кристалла определяются размеры элементарной ячейки (а следовательно, и число формульных единиц, приходящихся на ячейку), точечная и пространственная группа кристалла. Для решения этих задач привлекаются лишь данные о геометрии дифракционной картины — о направлениях дифракционных лучей, симметрии в расположении пятен на рентгенограмме и наличии или отсутствии пятен, отвечаюш их лучам с определенными индексами (правила погасаний). [c.82]

Наиболее высокими температурами плавления обладают некоторые группы кристаллов с атомной решеткой. Сюда относятся многие карбиды, силициды, нитриды и бориды метал юв. Плавление кристаллов происходит при той температуре, при которой тепловое движение частиц, усиливающееся при нагревании, становится способным в той или другой степени преодолевать взаимное притяжение частиц. Здесь речь идет о колебательном движении частиц, образующих кристаллическую решетку, и о взаимном притяжении между этими частицами. [c.151]

Это важная и сложная группа кристаллов, широко распространенная в природе и имеющая большое значение в народном хозяйстве. Изучение силикатов позволяет вскрыть ряд существенных закономерностей в свойствах природных минералов и технических силикатных продуктов. [c.59]

Такую совокупность векторов t nnp называют трансляционной группой кристалла (трансляционной подгруппой пространственной группы симметрии) или коротко — решеткой кристалла. [c.6]

В формуле (28) суммирование охватывает все атомы элементарной ячейки, как симметрически независимые, так и связанные между собой операциями симметрии пространственной группы кристалла. [c.82]

Если порядок точечной группы кристалла равен q, а в элементарной ячейке имеется N атомов, занимающих общие позиции, то симметрически независимых атомов будет n=N q, а число координатных параметров Xj, y , z , подлежащих определению в процессе анализа структуры, будет Зп. [c.105]

Автоматизация возможна в принципе и при проведении исследования на основе паттерсоновской функции. Легко автоматизируется метод тяжелого атома. Здесь задача заключается лишь в том, чтобы выявить в P uvw) комбинации пиков, отвечающих тяжелым атомам, связанным между собой операциями симметрии. ЭВМ выявляет все наиболее мощные пики и с учетом пространственной группы кристалла отбирает из них нужную комбинацию (или несколько таких комбинаций). По координатам и, V, W отобранных пиков определяются координаты х, у, 2 тяжелых атомов, после чего начинается вторая стадия работы ЭВМ [расчет F(hkl) и p(xyz)]. [c.166]

Процесс осаждения происходит постепенно. Сначала образуются очень мелкие кристаллы — зародыши, которые постепенно вырастают в кристаллы большого размера или группу кристаллов. Время с момента смещения растворов до образования зародышей— мелких кристаллов называют индукционным периодом. Продолжительность этого периода зависит от индивидуальных свойств осадка. Так, в случае образования хлорида серебра это время очень мало, в случае образования сульфата бария этот период значительно больше. [c.163]

Например, молекулы фенола, соединенные водородными связями, образуют спирали с винтовыми осями третьего порядка, как показано на рис. 9-52. Однако действие этой оси не распространяется на весь кристалл, и она не присутствует в пространственной группе, характеризующей кристалл фенола [51]. Другой пример-это толан (дифенилацетилен), С Н —С=С—С Н . Как показано на рис. 9-53, молекулы А и В в толане связаны поворотной осью второго порядка и трансляцией, и эти элементы симметрии не содержатся в пространственной группе кристалла [51]. [c.466]

Молекулы в кристалле фенола соединены водородными связями и образуют спирали с винтовыми осями третьего порядка. Этот элемент симметрии не принадлежит к трехмерной пространственной группе кристалла фенола [51]. [c.466]

НЫХ групп кристаллов упрощает определение структуры, так как необходимо исследовать только асимметричную часть элементарной ячейки, остальную часть можно получить из операций симметрии. [c.571]

В третьем последовательном аппарате и на выходе из него присутствуют частицы трех различных категорий. Одна группа кристаллов зарождается в этом аппарате [c.156]

Вторая группа кристаллов в количестве N22, возникших во втором аппарате, растет в третьем аппарате. Распределение этой группы кристаллов в третьем аппарате и на выходе из него [c.156]

Более сложный характер распределения по размерам имеет третья группа кристаллов, которые образовываются и растут в первом аппарате, а затем увеличивают размеры последовательно во втором и третьем аппаратах. Действительно, вклад порции px2 V d таких частиц, вошедших в третий аппарат, в функцию плотности распределения кристаллов этой категории при текущем размере г равен [c.156]

После определения параметров решетки, ее типа и пространственной группы кристалла можно приступить к определению положения атомов. [c.113]

Магнитная сепарация проводилась на приборе УЭМ-1Т при напряженности магнитного поля между клиновидными полюсами магнита 3,2-10 А/м. Кристаллы разделялись на две группы — магнитные (удаляемые полем с предметного столика) и немагнитные (остающиеся на предметном столике). Применение метода магнитного резонанса к немагнитной группе кристаллов не обнаружило в них ферромагнитных включений. Измерялись массы и разрушающие нагрузки кристаллов до сепарации Ро, магнитных Рм и немагнитных Рн групп. Результаты приведены в табл. 33. Из нее видно, что для первых трех партий кристаллов фракции 630/500 разрушающая нагрузка для немагнитной группы практически не отличается от исходной Ро- Более того, для партии с Яо = = 130 Н, разрушающая нагрузка для кристаллов магнитной группы несколько выше, чем для немагнитных. Следовательно, использо- [c.443]

Для оценки термостойкости магнитных и немагнитных групп кристаллов проводился их отжиг в вакууме при 1270 К в течение 600 с. Установлено, что термообработка магнитных алмазов приводит к образованию мелких сколов, трещин и выходу по ним металлических включений, которые в виде мелких шариков располагаются вдоль линии трещин. На отожженных немагнитных кристаллах эффекты, связанные с выходом металлических включений по трещинам, выражены в меньшей степени, но образуются сколы большего размера. При этом относительное снижение массы Дт/т за счет отжига кристаллов, например, фракции 630/500 составило 9 % для магнитных и 14 % для немагнитных. [c.444]

По поводу скорости звука как постоянной вещества следует еще отметить, что значения в табл. П1 справедливы только для веществ с бесструктурным стекловидным строением. В кристаллических веществах упругие свойства обычно неодинаковы в различных кристаллографических направлениях,, поэтому неодинаковы и скорости звука. Табличные значения являются лишь средними для неупорядоченной группы кристаллов, поэтому на практике возможны отклонения от них, если преобладает какое-либо одно кристаллографическое направление, т. е. имеется текстура, которая и обнаруживается как-раз по тому, что скорости звука в различных направлениях образца неодинаковы. Формулы для случая анизотропии или текстуры представлены в работе [27, раздел 81]. Упругая анизотропия особенно резко выражена у меди и латуни. Такая же анизотропия наблюдается и в аустенитных сталях. [c.29]

III. Определение двух линейных и одного углового .чраметра решетки, определение дифракционной группы кристалла. Эксиликациоиный метод (ОГНЕ), [c.376]

Дисперсность осаждаемого покрытия не определяет однозначно его характер. Очечь важно, чтобы образовавшиеся на поверхности покрываемого металла кристаллы росли слитно и компактно, а не в виде одиночных островков, вырождающихся обычно в иглы или дендриты, или в виде беспорядочного губчатого образования кристаллов (состоящего обычно из микро-дендритов). При нормальном росте осадка происходит срастание маленьких групп кристаллов, образуется конгломерат кристаллитов. Группы кристаллов распространяются и вдоль поверхности, сращиваясь и при этом образуя сплошной осадок. [c.364]

Примеси способствуют сращиванию кристаллов в агломераты, в частности в сферолиты (радиально-лучистые образования, состоящие из тонких иглообразных кристаллов, расположенных по радиусам сферы [210]), а также появлению йруз — агрегатов в форме щетки, состоящей из группы кристаллов, наросших одной гранью или ребром на общее основание, обычно на стенку кристаллизатора. [c.251]

Монокристаллы можно получить кристаллизацией из кремнеуглеродного расплава с большим избытком кремния, в котором при 1700— 1800° С Si хорошо растворяется, а при охлаждении расплава растворимость его резко падает. Кристаллизуют в графитовых тиглях, покрытых слоем карборунда. Химически чистый Si бесцветен, а промышленный с примесями железа, алюминия, магния имеет зеленый или сине-черный цвет. Донорные примеси — железо, висмут, сурьма, мышьяк, фосфор, акцепторные — металлы второй и третьей групп. Кристаллы 0-Si имеют структуру типа сфалерита, а a-Si имеет гексагональную и ромбоэдрическую решетки. Кислород воздуха при 800° С медленно окисляет Si . Водяной пар при 1300—1400° С разлагает его [c.292]

Очевидно, что процесс фирмы Филлипс непрерывной кристаллизации дает определенные преимущества с точки зрения отсутствия включений маточного раствора в полостях внутри кристалла или групп кристаллов. При перемещении кристаллов из охлаждаемой зоны колонны в обогреваемую включения маточного раствора в кристалле будут увеличиваться в результате плавления (растворения) стенок и в конце концов окажутся на поверхности и без труда перейдут в ядро жидкой фазы. Кроме того, при противоточпом методе, в результате последовательного достижения равновесий с прогрессивно обогащающимися растворами по мере продвижения кристалла в слое жидкости изменяющегося состава, удаляется пленка жидкости, адсорбированная на кристаллах. Поэтому процесс кристаллизации в аппарате типа колонны обеспечивает эффективное удаление всех трех типов включений маточного раствора, в то время как при обычном центрифугировании или фильтрации удаляется только жидкость, удерживаемая под действием капиллярных сил. Следовательно, теоретически противоточная очистка в колонне непрерывного действия при работе со смесями, образующими эвтектики, позволяет приблизиться к 100% эффективности единтгчной ступени очистки, что является принципиальным отличием ее от всех других известных процессов. [c.68]

Молекулы А и В в кристалле толана (дифенилацетилена) связаны поворотиой осью второго порядка и трансляцией. Эти элементы симметрии не принадлежат к трехмерной пространственной группе кристалла толана [51]. [c.467]

Операции симметрии кристалла относятся к трем типам операции точечных групп, трансляции и комбинации этих двух тИ пов, такие, как винтовое вращение (вращение с последующей трансляцией). Набор таких операций определяет пространствен ную группу кристалла. Обозначения, принятые в гл. 7 для точечных групп, называют обозначениями Шенфлиса. Для простраь-ственных групп кристаллографы обычно пользуются другой системой обозначений, называемой символикой Германа — Могена или международной символикой. Она представляет собой последовательность символов, определяющих операцни. Так, символ 2/т определяет группу с осью вращения второго порядка и зеркальной плоскостью, перпендикулярной ей. Записывают лишь [c.217]

Кристаллическая часть плотных отложений состоит, главным образом, из ангидрита и кварца. Кроме того, обе группы слоя содержат еще кристаллы с константами преломления N=1,64—1,65, которые, вероятно, относятся к группе кристаллов мелиллита. На наличие во всех пробах плотных отложений ангидрита указывает и рентгеноструктурный анализ. [c.150]

Тот факт, что имеется 230 способов, при помощи которых операции симметрии могут комбинироваться в трехмерные решетки кристаллов, установлен независимо друг от друга тремя учеными русским кристаллографом Федоровым в 1890 г., немецким математиком Шёнфлисом в 1891 г. и англичанином Барлоу в 1895 г. Пространственные группы обозначают, ставя сначала символ решетки Бравэ, за ним символ точечной группы с соответствующими изменениями для замены осей вращения винтовыми осями и зеркальных плоскостей плоскостями скольжения. Современное определение пространственных групп кристаллов было невозможно, пока дифракционные методы не были использованы для определения внутренней симметрии кристаллов. Знание пространствен- [c.570]

Рассмотрим, какой вклад с1р12 г) вносит эта порция в группу кристаллов размера г во втором аппарате. При полном перемешивании доля р1 1)й1 с начальным размером частиц распределится во втором аппарате по размерам согласно формуле (3.29) с весовым множителем, равным величине рассматриваемой порции. Таким образом, исходный вклад будет равен [c.154]

По трем рентгенограммам ьращения, полученным для разных кристаллографических направлений, выбранных определенным образом, можно найти три периода идентичности, а следовательно, определить форму и размеры элементарной ячейки. Затем проводится, ин-дицирование рентгенограммы, т. е. определяются миллеровские индексы (кЫ) отражающих плоскостей. Набор полученных таким образом индексов и отсутствие (погасание) некоторых из них позволяет определить пространственную группу кристалла. [c.40]

Таким образом, процесс упорядочения заключается в перераспределении атомов компонентов между различными подрешет-ками. Он всегда сопровождается понижением симметрии пространственной группы кристалла. В самом деле, все преобразования симметрии неупорядоченного кристалла, совмещающие друг с другом узлы, принадлежащие к различным подрешеткам, перестают быть злементами симметрии упорядоченного кристалла, так как в последнем зти узлы становятся кристаллографически неэквивалентными. Таким образом, кристаллографическая симметрия упорядоченной фазы всегда является подгруппой симметрии неупорядоченной фазы.С [c.10]

Пусть в аппарат непрерывной кристаллизации поступает объемный расход У исходного раствора, не содержащего затравочных кристаллов, В результате удаления некоторого объ-ема растворителя Ур создается постоянное пересыщение П. В единицу времени происходит образование N зародышей кри-тическох о размера Гп, которые растут с линейной скоростью, зависящей от П и текущего радиуса кристалла г. Поступление частиц в группу с размерами г- г- -йг) происходит за счет роста кристаллов, имеющих меньший граничный размер их число в единицу времени равно //(Хр),, Из рассматриваемого интервала размеров в единицу времени за счет вырастания из него выходит Ы кр)г+йг частиц. Некоторая часть кристаллов с размерами в интервале г-ь(г+с/г) покидает аппарат вместе с выгружаемым продуктом. При полном перемешивании суспензии в аппарате это количество составит М р)гУк/У, где У — = Ун—Кр —объемный расход суспензии, выходящей из аппарата У — объем суспензии в аппарате, В стационарном режиме работы плотность распределения кристаллов по размерам в аппарате и на выходе из него неизменна во времени, поэтому количества входящих и выходящих из группы кристаллов должны быть одинаковыми [c.170]

Эволюция кристаллов, поступивших с неравномерным распределением из первого аппарата, в условиях второго аппарата может быть проанализирована следующим образом. Рассматривается элементарная порция кристаллов в интервале размеров + поступившая из первой секции (см. рис. 3.8). Ее доля в расчете на общее число частиц в первом аппарате равна pi( )d . Во втором аппарате размер кристаллов этой порции увеличивается со скоростью, зависящей от величины установившегося здесь пересыщения П2, а в более общем случае— также и от температуры суспензии. Эта порция вносит в группу кристаллов размером г во втором аппарате некоторый вклад dpi2(r). При полном перемешивании суспензии доля pi(i) с начальным размером частиц распределяется во втором аппарате по размерам согласно соотношению (3.38), но с весовым множителем, равным величине рассматриваемой доли. Следовательно, рассматриваемый вклад равен dpjn(r) = [c.175]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология