Энергия в тонком слое вещества

Таким образом, при взаимодействии 7-излучения с веществом образуются кванты, обладающие меньшей энергией, фотоэлектроны, электроны отдачи, электронно-позитронные пары. Главную роль в ионизации атомов вещества играют быстрые вторичные электроны. В связи с этим химические эффекты, вызываемые действием 7-лучей, во многих случаях оказываются такими же, как эффекты, вызываемые действием электронов. Различие между этими видами излучений заключается в значительно большей проникающей способности 7-излучения, вследствие чего поглощение энергии 7-лучей веществом происходит равномерно, в то время как электроны отдают большую часть своей энергии в сравнительно тонких слоях вещества. [c.356]

Регистрация излучения Черенкова возможна как с помощью фотоумножителей (схема счетчика Черенкова дана на рис. 34), так и, в случае прохождения значительного числа частиц, по его фотографическому действию или просто визуально. Возможно точное определение угла между лучом света АС (см. рис. 33), испускаемым частицами при прохождении тонкого слоя вещества (стекла, воды, плексигласа и т. п.), и направлением движения частиц, т. е. угла 0. Определение этого угла позволяет вычислить скорость релятивистских частиц и, следовательно, их энергию. [c.76]

Другая весьма близкая к ней по существу теория диффузионной кинетики гетерогенных реакций получила всеобщее распространение в химической технологии. Речь идет о так называемой пленочной (фильмовой) теории, предложенной Лангмюром [9]. Согласно этой теории, вблизи поверхности раздела движущихся фаз имеется тонкий слой вещества, отличный по своим свойствам от главной массы движущейся фазы. Этот слой получил название пленки или фильма. Пленка представляет собой зону, лежащую между неподвижной и движущейся средами. Так, например, согласно фильмовой (пленочной) теории, вблизи границы раздела твердое тело — жидкость имеется жидкостная пленка, в которой свойства жидкости, в частности в отношении переноса в ней вещества или энергии, отличны от свойств объемной жидкой фазы. На границе раздела движущихся фаз жидкость — газ образуются две пленки — жидкостная и газовая со стороны жидкости и газа. В них свойства жидкости и газа отличны от свойств в объеме. При столь общей формулировке трудно [c.52]

Если фотоны не обладают подходящей длиной волны, соответствующей разности энергий между дискретными энергетическими уровнями молекул, поглощение не может иметь места. При пропускании световых лучей с различными длинами волн через тонкий слой вещества одни длины волн поглощаются, а другие проходят. Регистрация количества света, поглощенного образцом вещества, в зависимости от длины волны света называется спектром поглощения абсорбционным спектром). В принципе спектры поглощения должны состоять из линий, но на практике наблюдаются полосы поглощения. Спектр имеет ряд максимумов и минимумов, соединенных плавной кривой. Типичные спектры поглощения приведены на рис. 28. 1. [c.617]

Предположим, что слой вещества I состоит из бесконечно тонких слоев 1л1. Интенсивность потока лучистой энергии (/) после прохождения через слой ё1 уменьшается на величину (И [c.461]

Если тонкий слой нанесен на поверхность жидкости, то удельная свободная поверхностная энергия системы в целом достигает значения отличного от удельной свободной поверхностной энергии Оо жидкой подложки. Соответствующее изменение (понижение) поверхностной энергии или поверхностного натяжения А = = а о—имеет смысл двумерного поверхностного давления аналогично подробно рассмотренному случаю мономолекулярных слоев нерастворимых веществ на жидкой поверхности. При увеличении площади слоя на с10 и соответственно при уменьшении площади свободной поверхности на такую же величину изменение свободной энергии при постоянных температуре и количестве п вещества в слое (или при постоянном объеме слоя V = Ок) будет определяться производной [c.163]

При /I оо тонкий слой ведет себя как бесконечная фаза того же самого вещества. При этом удельная свободная поверхностная энергия системы 0оо не зависит от толщины и представляет собой сумму удельных свободных поверхностных энергий межфазных границ слой/газообразная фаза, 01,0, и слой/подложка, [c.164]

Несколько открытий, сделанных в конце прошлого столетия, совершили переворот в химии и физике. Одним из них было открытие в 1896 г. Анри Бекке-релем радиоактивности. Занимаясь изучением фосфоресценции, Беккерель обратил внимание на действие, как он предполагал, света на сульфат калия-уранила. Он заметил, что после выдержки урановой соли на свету, она испускала излучение, которое вызывает потемнение фотографической пластинки даже тогда, когда между фотопластинкой и солью находились тонкие слои различных непрозрачных материалов. Это наблюдение само по себе не было удивительным, поскольку использовался внешний источник энергии. Однако дальнейшее изучение привело к необычному результату. Беккерель нашел, что интенсивность лучей, испускаемых солью урана, совсем не зависит от длительности выдержки соли на свету. Кристаллы, полученные и содержащиеся в темноте, давали тот же самый эффект, что и кристаллы, которые предварительно выдерживались на свету. Кроме того, он отметил, что излучение не за висит от вида соединения урана, а зависит лишь от наличия урана в нем. Эти наблюдения показали что новый тип излучения является атомным явлением и не зависит от химического и физического состоя ния вещества. [c.383]

В предыдущих главах мы познакомились с некоторыми свойствами дисперсных систем, связанными с движением частиц дисперсной фазы и их размерами. Однако основные и наиболее характерные свойства коллоидного состояния определяются особым состоянием вещества в поверхностных слоях на границах разделов фаз. Поэтому Б настоящей главе мы приступим к центральному разделу курса, к изучению поверхностных слоев — их свойств, структуры, состава, неразрывно связанному с учением о поверхностных силах и поверхностной энергии. В этой части курса, которая для удобства разделена на несколько глав, мы отвлечемся от дисперсных систем и будем изучать физику и химию поверхностных слоев на фазовых границах, независимо от их протяженности, с целью установления наиболее общих закономерностей. Эти закономерности выходят, вообще говоря, за рамки коллоидных объектов, охватывая также и явления непосредственно с дисперсностью не связанные, например, растворение металлов в кислотах, нанесение тонких слоев, трение твердых тел и т. д. [c.50]

Преимущественное осаждение паров веществ на ступенях атомных размеров объясняется повышенной энергией связи наносимых атомов или молекул в этих местах подобно тому, как это имеет место нри росте кристаллов но классическому механизму Косселя — Странского. Зафиксированные атомы являются как бы центрами кристаллизации для последующих порций пара. Некоторые другие примеры по этому поводу приведены в разделе Тонкие слои . Хотя описанное явление представляет несомненный интерес, пока еще рано говорить о том, насколько общее значение может иметь этот способ — слишком мало еще известно относительно условий, определяющих поверхностную подвижность атомов осаждаемых паров. [c.90]

Периодический процесс осуществляется путем одновременного проведения двух различных реакций окисления металла с выделением На в одном реакторе и реакции в восстановительной среде с образованием Ог в другом реакторе. Реакторы 1 и 2 снабжены окнами из материала, хорошо проницаемого для солнечной радиации. Окислительный реактор 1 заполняют водным раствором фотоактивного реагента, эффективно поглощающего световую энергию, и окисляющегося при этом вещества, содержащего катионы Ей, Сг, V, 5 . При этом поддерживают высокую концентрацию анионов СГ, 50 или РО4 путем растворения необходимого количества солей щелочных металлов, например ЫаС). В качестве катализаторов применяют Р1, N1, нанесенные тонким слоем на микропористую поверхность зерен алюмо- или силикагеля. В реакторе под действием квантов солнечной энергии растворенные катионы увеличивают свой заряд, отнимая его у ионов Н+, и в результате образуется Н2, отводимый в качестве продукта процесса. [c.332]

Из неорганических веществ методами инфракрасной спектроскопии наиболее широко изучены твердые вещества. Образцы твердых веществ могут быть приготовлены несколькими способами наиболее часто для получения инфракрасных спектров применяют осадочные пленки, суспензии и щелочногалоидные таблетки. В методе осадочных пленок тонкий слой измельченного порошка осаждается на солевой пластинке испарением жидкости из раствора или взвеси вещества. Размер частиц весьма существен, причем оптимальным является такой размер частиц, когда не происходит чрезмерного рассеяния излучения и все еще пропускается количество энергии, достаточное для измерения поглощения. Но обычно очень трудно получить частицы оптимального размера. [c.14]

Представим, что слой вещества / состоит из бесконечно тонких слоев /, и в этот тонкий слой поступает поток монохроматической лучистой энергии с длиной волны %. После прохождения через поглощающий слой, имеющий толщину й1, интенсивность потока лучистой энергии уменьшается в результате поглощения на величину dI [c.10]

Следовательно, наблюдается относительное ослабление потока лучистой энергии при прохождении его через каждый тонкий слой однородного раствора вещества. [c.10]

Последовательность выполнения работы. В данной работе предлагается определить период полураспада методом измерения скорости счета известного количества радиоактивного вещества. Работа выполняется на сцинтилляционном счетчике, в качестве фосфора используется 2п5, активированный серебром. Порошок кристаллического ZпS(Ag) осаждают из водной суспензии тонким слоем на стеклянную пластину диаметром 60 мм и высушивают. Выбор толщины слоя фосфора зависит от энергии регистрируемых частиц. Так, в очень тонких слоях а-частица теряет только часть своей энергии и потому сцинтилляции, а следовательно, и импульсы тока малы. Слишком толстые слои поглощают свет люминесценции, что также приводит к уменьшению [c.104]

Если, например, нужно обнаружить а-частицы на фоне Р- и у-излучения, то применяют очень тонкие слои сцинтиллятора (ZnS — Ag, 5 мг/см ). В этом случае а-частицы полностью отдают свою энергию, в то время как р- и у-лучи слабо поглощаются и поэтому не регистрируются. Для измерения Р-лучей в зависимости от их энергии нужно применять более толстые слои сцинтиллятора (0,2—5 мм). Для этого больше всего подходят органические сцинтилляторы, например кристаллы антрацена, стильбена или растворы органических люминесцирующих веществ в ксилоле, толуоле или полистироле. Из-за незначительной плотности этих веществ улучи Относительно слабо поглощаются в них. [c.115]

ЭксперИ]ментальное определение энергии а-излучения может быть произведено косвенно—путем измерения величины пробега а-частиц в воздухе. Для этих опытов, радиоактивное вещество должно быть нанесено тонким слоем, практически не поглощающим излучения. [c.47]

Практически приходится иметь дело с величиной энергии, поглощенной в образце, помещенном в пучок излучения известной интенсивности. Если весь образец разделить на большое число очень тонких слоев толщиной dx, расположенных перпендикулярно пучку излучения, то энергия, поглощенная любым слоем, будет зависеть от ослабления интенсивности пучка лучей по мере проникновения их в глубь образца. Таким образом, в выражении (3.36) / — интенсивность радиации в данном слое вещества. С другой стороны, интенсивность на любой глубине в поглотителе дается формулой [c.62]

Ограничение массы сжигаемого вещества ( 0,1 г) и расположение его тонким слоем являются производными условиями, их следует рассматривать как практически найденные оптимальные условия сожжения сюда же надо отнести и способ расположения сжигаемого образца вне тигля (над ним) в калориметрической бомбе. Методика определения энергий сгорания кристаллических карборанов-12 не встречалась ранее в практике применений метода теплот сгорания в калориметрии. [c.39]

Метод, основанный на получении и анализе спектра электронов из свободных атомов, а также из атомов соединений при облучении их монохроматическим ультрафиолетовым или рентгеновским излучением, был назван электронной спектроскопией для химического анализа [4]. Основные характеристики метода следующие высокая разрешающая способность по энергиям 10 — или 0,05—0,1 и 0,5—2 эв при возбуждении ультрафиолетовым излучением и рентгеновскими лучами, соответственно энергия связи электронов на квантовых п- и /-уровнях определяется относительно уровня вакуума или уровня Ферми в металлах, а распределение интенсивности в электронной линии передает распределение электронов по состояниям этого уровня фотоэлектронные спектры, излучаемые конденсированными системами, характеризуют тонкий поверхностный слой вещества порядка 30—40 А. Этот метод является неразрушающим, и потери вещества могут быть обусловлены только испарением его в вакууме. [c.131]

В атомно-абсорбционном анализе в качестве фотодетекторо используют фотоумножители, которые предназначены преобразовывать падающую на ннх световую энергию в электрический сигнал. Кванты света падают на катод фотоумножителя, покрытый тонким слоем вещества, содержащего легкоионнзируемый элемент (обычно КЬ или Ся), н выбивают электроны, каждый из которых в свою очередь выбивает по нескольку электронов нз следующего электрода-дипода, и т. д. Таких динодов в фотоумножителе имеется до 10 и более штук. [c.156]

Важно только работать с тонкими слоями вещества в условиях, препятствующих накоплению продуктов, особенно водяного пара, ингибирующего реакцию. Индукционный период является довольно заметным, и данные хорошо согласуются с уравнением Пру — Томпкинса. Энергия активации равна 22,7 ккал. Измельчение не оказывало влияния на ход реакции, однако последняя катализировалась образующимися продуктами. [c.323]

Дозу, поглощенную тонким слоем вещества, можно рассчитать,, зная плотность потока частиц, измеренную с помощью цилиндра Фарадея, энергию излучения и тормозную способность поглотителя. Если проба достаточно велика и пробег частиц большой, то поглощенная доза измеряется ионизационной камерой с очень тонкими стенками (ионизационная полость). Если правило Брэгга — Грэя для ионизационной полости выполняется (подбор определенных размеров рабочего объема и толщины стенок камеры, см. стр. 83) [6, 131, то поглощенную дозу можно определить по выражению (4.18). [c.91]

Успешные аналитические определения путем регистрации мгновенного у-излучения возможны при небольшой энергии заряженных частиц (не выше 2—5 Мэв), так как с их ростом сильно увеличивается выход нейтронов, что значительно осложняет проблему защиты детектора. При низкой энергии активирующего излучения возможно определение только легких элементов в тонких слоях вещества. Предел обнаружения лежит несколько выше, чем в случае спектроскопии мгновенных заряженных частиц, из-за более высокого фона детектора, взаимных помех со стороны у излучения разных реакций и в,тияния вторичного и рассеянного излучения. При использовании ускорителя предел обнаружения находится на уровне около 10 % и редко опускается ниже [220]. Наиболее обстоятельно исследованы возможности метода при облучении протонами с энергией 0,5 Мэв [221]. Весьма полезные сведения могут быть получены с протонами резонансных энергий [222]. [c.188]

В ряде областей структурных исследований применение электронографии оказалось особенно успешным. Выбор же той или иной области, где возможно применение электронографии, обусловлен особенностями диффракции электронов по сравнению сдиффракцией рентгеновских лучей. Прежде всего электроны как носители электрического заряда сильно взаимодействуют с веществом, поэтому проникающая способность электронных пучков сравнительно мала. Электроны, ускоренные приложением напряжения 50 ООО—100 ООО в, могут проходить без заметной потери энергии только через очень тонкие слои вещества (тол- [c.23]

В случае монохроматического света (Я. = сопз1) бесконечно тонкий слой d/ вещества поглощает долю энергии (интенсивности /) d/ [c.179]

Многие из таких частиц будут возвращаться к поверхности кристалла. Если кинетическая энергия их в этот момент будет достаточно велика, чтобы оторваться от сольватирующихся молекул растворителя и приблизиться к поверхности кристалла, то силовое поле поверхности кристалла может эти частицы удерживать и они снова будут занимать места в кристаллической решетке растворяемого вещества. Скорость процесса возвращения частиц растворенного вещества из раствора в кристаллическую решетку прямо пропорциональна их концентрации в растворе и будет расти по мере накопления растворенного вещества в растворе. Когда скорости процессов перехода вещества из кристалла в раствор и из раствора в кристалл сравняются, концентрация вещества в растворе перестанет изменяться — раствор станет насыщенным и установится равновесие между двумя фазами. Если объем раствора велик, то такое растворение установится не скоро. Лишь тонкий слой раствора, непосредственно прилегающий к поверхности кристалла, очень быстро станет почти насыщенным, в более же удаленных слоях раствора концентрация будет меньше или равна нулю (если растворение производится в чистом растворителе). При этом неизбежно возникает процесс диффузии, в результате которого растворимое вещество будет распространяться от поверхности кристалла в глубь раствора. [c.405]

Здесь мы в большей степени касаемся применения фотохимии в промышленном синтезе. Очевидно, что фотохимический процесс должен превосходить по выходу или чистоте продукта обычные методы производства, чтобы конкурировать с ними. Особенно подходящими кандидатами для промышленного применения являются цепные реакции (часто с радикальными переносчиками цепи) с фотохимической начальной стадией. Мы уже рассматривали такое их использование в связи с фотополимеризацией (разд. 8.8.2). Заметим, что фотохимическая реакция может быть экономически оправданной даже в том случае, когда ее квантовый выход низок, если выход химического продукта выше, чем у обычных процессов. В производстве веществ тонкой химической технологии расходы на свет составлявот незначительную часть общей стоимости продукта высокого качества. Более того, вследствие относительно малых количеств используемого материала серийный процесс часто может представлять увеличенную копию лабораторного метода. При использовании фотохимии в широкомасштабном валовом химическом производстве возникают несколько большие трудности, так как плата за энергию может теперь составлять существенную часть стоимости конечного продукта. В широкомасштабном производстве часто применяются реакторы непрерывного действия, ставящие перед фотохимией проблемы, связанные с их конструкцией. В частности, необходимо использовать прозрачные реакторы или прозрачные кожухи ламп, стенки которых часто загрязняются образующимися смолообразными (и светопоглощающими) побочными продуктами. Размер реактора также может серьезно ограничиваться поглощением света реагентами. Этим недостаткам фотохимического синтеза должна быть противопоставлена более высокая селективность получения продуктов и лучший контроль за их образованием. Процесс производства отличается меньшими тепловыми нагрузками, поскольку реагенты не нужно нагревать, а затем охлаждать. Выли разработаны и технологии преодоления проблем, связанных с фотохимическими реакторами. Они включают освещение поверхности падающих тонких слоев реагентов использование ламинарных потоков несмешивающихся жидкостей, причем ближайшей к стенке реактора должна быть жидкость, поглощающая свет применение пузырьков газа, вызывающих турбулентность, для улучшения обмена реагента. И на- [c.283]

Наряду с усовершенствованием конструкции диспергирующих аппаратов [2] важнейшим путем достижения высокой дисперсности в процессах тонкого измельчения служит использование физико-химических — адсорбционных воздействий, применение малых добавок поверхностноактивных 1веи 1еств. Образуемые ими адсорбционные слои всегда вызывают снижение поверхностного натяжения твердых тел. Поверхностноактивные до бавки при диспергировании играют двоякую роль. С одной стороны, они могут образовать стабилизующие поверхностные слои, препятствующие сближению и агрегированию — коагуляции образовавшихся коллоидных частиц. С другой стороны, присутствие поверхностно-активных веществ значительно облегчает сам процесс разрушения частиц в результате адсорбционного понижения прочности. Снижая свободную поверхностную энергию, адсорбционные слои уменьшают работу образования новой поверхности твердого тела и, распространяясь внутрь трещин, облегчают их развитие под действием внешних сил [3]. [c.7]

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами [7]. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными электроны, эмиттирован-ные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмиттироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ на отражение ), так и — в тонкопленочных эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ на прострел ), Отношение числа электронов N2, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов N1 называется коэффициентом ВЭЭ о данного тела 0 = N 2 N1 = ИгОи /а — первичный и вторичный токи соответственно). Значение а зависит от свойств и структуры эмиттера, состояния его поверхности, энергии первичных электронов Ер и угла падения первичного пучка на поверхность эмиттера. В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов истинно вторичные — электроны вещества, получившие от первичного пучка достаточно энергии для выхода в вакуум, и отраженные (упруго и неупруго) — часть первичного пучка, отразившаяся от поверхности эмиттера. При малых Ер (Ер < < 0,1 кэв) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ер доля упруго отраженных электронов быстро уменьшается и при Ер > 0,1 кав составляет лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно первичные электроны имеют энергии от О до 50 эе. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эв и при Ер > > 20 эв практически не зависит от Ер. Неупруго отраженными условно принято считать электроны вторичного пучка, энергия которых превышает 50 эв. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов Т] = N2 (Е2 > 50 эв)Иг называется коэффициентом неупругого отражения (в /2 входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на величинеТ1 не сказывается). В металлах и полупроводниках максимальное значение ст лежит в пределах 0,5—1,8. В некоторых диэлектриках (MgO, щелочногалоидные кристаллы) о значительно больше (10—20). Это обусловлено тем, что в таких материалах запрещенная зона велика Eg 6-Н12 эв), сродство к электрону мало (х < 1 эв), вследствие чего медленные электроны с энергией, лежащей между % и Eg, могут из большой глубины без потерь энергии подходить к поверхности тела и выходить в вакуум. При наложении на диэлектрик сильного электрического поля, направленного от эмиттирующей поверхности вглубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны к поверхности), о значительно возрастает. Обычно сильное поле создается бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на металлической подложке электронами с Ер, при котором о > 1. В результате поверхность диэлектрика заряжается положительно относительно металлической подложки до потенциала, близкого к потенциалу коллектора, на который отсасывается ток ВЭЭ. Ток ВЭЭ, возникающий в присутствии сильного электрического поля в эмиттере, состоит из двух компонент малоинерционной, быстро следующей за изменениями первичного тока (эта часть ВЭЭ называется вторичной электронной эмиссией, усиленной полем, ее инерционность <10 сек), и само-поддерживающейся, существующей и при отсутствии первичного пучка, после того как осуществлена первоначальная зарядка слоя. В некоторых случаях ВЭЭ с электродов вакуумных приборов, подвергающихся бомбардировке электронами, является нежелательным паразитным эффектом. Для его устранения электроды покрывают веществами с малым а углерод (сажа, ак-вадаг), титан, цирконий, дисилициды переходных ме- [c.457]

Перманганат аммония. В большинстве исследованных реакций типа Атв,—>Втв. +Сгаз. + .. твердое вещество В образуется из катиона исходного вещества. В случае перманганата аммония, исследованного Беркумшоу и Тейлером [64], В образуется из аниона. Полученные пурпурно-красные иглы вещества приобретали через две недели серо-стальной цвет. Они были, вероятно, покрыты очень тонким слоем солей марганца, влияющих на разложение, хотя в свежеприготовленном виде являлись чистыми в той степени, в какой это удавалось установить путем объемного анализа. При нагревании на воздухе соль взрывалась индукционный период этого термического взрыва изучался в интервале от 96 до П7°. Из кривой зависимости lgi (/—продолжительность индукционного периода) от 1/Г было найдено для энергии активации значение 27,9 ккал моль. Скорость изучалась в вакууме методом, подобным тому, который использовался для муравьинокислого никеля [58], но результаты оказались в общем неудовлетворительными. Значения логарифма длительности индукционного периода, отложенные в виде функции от 1/Г в температурном интервале 70—80°, дали для энергии активации 26 ккал/моль. Более надежные результаты были получены с кристаллами, погруженными в инертное масло (Апизон В). При этОдМ кинетика сильно изменялась, как было установлено Макдональдом [28] для оксалата серебра. Роль масла заключалась главным образом в предотвращении контакта между кристаллами и в уменьшении эффектов саморазогревания. Действие масла на соль было незначительным, и между 70 и П0° взрыв не наблюдался, если количество взятой соли было менее 200 мг. Кривые давление — время указывали на продолжительный индукционный период (уменьшающийся с ростом температуры), за которым следовал период постепенного ускорения, причем скорость достигала максимума как раз перед концом реакции, другими словами, скорость была максимальной вблизи точки полного разложения. Откладывание логарифма этой скорости (точки, определяемой на графике лучше других) в функции от 1/Т дало для энергии активации значение 26 ккал/люль. [c.325]

Введение [1—8]. Из работ разд. 4 и 10 ясно поведение Р-лучей при прохождении через вещёство. При прохождении через вещество Р-лучи взаимодействуют с ним и, в зависимости от скорости (энергии) частиц, природы и толщины материала, тормозятся, поглощаются или рассеиваются. Поглощение и обратное рассеяние Р-частиц можно использовать для контроля или измерения сравнительно тонких слоев. (При работе с очень тонкой фольгой применяют а-излучение — см. раб. 9.3 при работе с толстыми слоями используют у-излучение — см. работы разд. 16.) [c.171]

Собирание атомов отдачи. При излучении а-частииы вновь образующееся ядро испытывает отдачу [13, 46, 95, 96]. Еслиизлу-чающее вещество имеет форму тонкого слоя, нанесенного на некоторую подложку, то половина ядер (строго говоря, сильно ионизованных ат0г.10в) отдачи испускается в пространство, а остальные теряют энергию в подложке. [c.96]

При способе пропитки введенное вещество равномерно рас пределяется по все толщине эмульсии. Способ дает возможность идентифицировать частицы по пробегу, потому 1го пх кинотич -ская энергия полностью расходуется в гд ульсии ц лзлучение можно рассматривать как бы исходящим из босконг-чно тонкого слоя. [c.82]